CN102237482A - 高散热led非金属基板与高散热led元件及其制法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种高散热LED非金属基板与高散热LED元件及其制法,其制法主要于非金属板体的粘晶区预先成型至少一道贯穿孔,配合电镀铜层步骤,于非金属板体外表面包覆一电镀铜层,并同时于各至少一贯穿孔内形成实心导热铜柱,再以蚀刻技术将金属层图案化,而于该陶瓷板体上表面形成粘晶垫及打线垫,下表面则对应粘晶垫形成有散热垫,如此一来该粘晶垫及散热垫与导热铜柱一体成型,当粘晶垫上高热时,即可通过导热铜柱快速传导至下表面的散热垫。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED非金属基板制法,尤指一种高散热LED非金属基板及其制法与高散热LED元件及其制法。
背景技术
应用于LED晶片封装用基板概可分为金属或如陶瓷基板或硅基板的非金属基板,以陶瓷板体制造方法来说目前包含有四种制造方法,分别为低温共烧多层陶瓷板(LTCC)或一高温共烧多层陶瓷板(HTCC)、一直接接合铜基板(DBC)及一直接镀铜基板(DPC);其中又以DBC及DPC基板直接采用陶瓷板体的热导率为最佳,然而由于DBC基板将铜板合成在陶瓷板体上,故必须在摄氏1065-1085度的高温环境下才能完成,相较之下,仅需摄氏250-350度环境的DPC基板制造方法技术,不论在热导率及制造方法成本上都较其它制造方法佳。
目前DPC基板制造方法步骤先将陶瓷板体做前处理清洁,再利用真空镀膜方式于陶瓷板体上溅镀铜箔,再以黄光微影蚀刻技术对铜箔进行图案化以完成线路制作,最后再以电镀及化学镀沉积方式增加线路的厚度。由于采用溅镀铜箔及黄光微影技术,故线路宽度大概在10~50μm,因此能有效缩LED封装尺寸,提供高功率且小尺寸LED元件一个较佳的高散热陶瓷基板。
虽然陶瓷板体具有高热导率特色,但对于高功率LED晶片来说,纵使采用DPC散热基板,整体热导率若能提升则为最佳,以下则提出一种现有增强DPC散热基板热导率的制造方法,首先请参阅图9A至9E所示,其包含以下步骤:
提供一陶瓷板体51;
形成多电性连接用贯穿孔511及一散热用贯穿孔512;
提供一匹配散热用贯穿孔512的预先成型的导热铜柱61;
将导热铜柱61穿设于散热用贯穿孔512内;
溅镀陶瓷板体51,于其外表面及多电性连接用贯穿孔511内形成铜箔515;及
图案化外表面铜箔515,以于上表面形成有粘晶垫52及打线垫53,下表面则形成有对应粘晶垫52及打线垫53的散热垫54及焊垫55;其中多导电贯穿孔511电连接打线垫53及焊垫55,而导热铜柱60二端则是分别与粘晶垫52及散热垫54连接。
上述散热基板制造方法主要于粘晶区预先成型一可***散热柱的散热用孔,于溅镀步骤后,令该导热铜柱二端分别与粘晶垫及散热垫连接。当LED晶片粘贴于粘晶垫上时,于运作时产生的高热即可快速由导热铜柱向下传导至散热垫;由此提高整体导热率。然而,正由于导热铜柱必须与粘晶垫及散热垫连接才具有良好热传导效果,故制作此一散热基板必须准备一尺寸与散热用贯穿孔匹配的导热铜柱,其尺寸要相当精准;再者,就目前DPC标准制造方法来说增加额外插任导热铜柱步骤,势必提高整体制造方法的成本及复杂度。
此外,由于导热铜柱预先成型,故制造方法上必须确保导热铜柱与粘晶垫及散热垫接合强度,确保导热品质;是以必须精准控制铜箔厚度。再者,目前散热基板的结构仍受到挑战,起因在于LED晶片尺寸愈趋小型化,因此粘晶垫面积亦相对缩小,而制造方法导热铜柱有一定尺寸极限,而无法应用于小型化LED晶片封装,而且采用溅镀镀铜箔亦有其最小精度的极限,以电性连接用的贯穿孔来说,1mm厚的陶瓷板体,必须穿设孔径为0.5mm的贯穿孔,方能构成一导电孔。因此,目前DPC散热基板制造方法或是非金属基板仍有待进一步改进。
发明内容
本发明主要目的是提供一种高散热LED非金属基板及其制法与高散热LED元件及其制法,能提供符合高功率小尺寸LED元件的散热用基板。
欲达上述目的所使用的主要技术手段是令该高散热LED非金属基板制法包含有:
提供一非金属板体;
于非金属板体上形成至少一第一贯穿孔;
电镀非金属板体外表面与各至少一第一贯穿孔,而于外表面形成电镀铜层,并于各至少第一贯穿孔内形成实心导热铜柱;及
图形化电镀铜层,于第一表面形成有至少一粘晶垫及多打线垫,又于第二表面形成对应粘晶垫的散热垫;其中该实心导热铜柱与粘晶垫及散热垫一体成型。
上述本发明主要采用电镀方式,配合小孔径第一贯穿孔,于其中形成实心导热铜柱,而一制造方法步骤的优点在于粘晶垫及散热垫与实心导热铜柱可在同一道电镀步骤中一体成型,具有最佳的接合强度;如此亦可简化一道插设导热铜柱的步骤,可以低成本制造方法成本制作符合高功率小尺寸LED晶片封装用的高散热基板。
本发明次一目的是提供一种具有快速封胶用的高散热LED非金属基板制法,意即上述最后一道制造方法步骤结束后,再进一包含有组合一外框于非金属板体第一表面的步骤;其中该外框的开口处对应该粘晶垫及打线垫的部分,令粘晶垫及各打线垫部分外露于该外框开口,供粘晶及打线用,最后只要将液态胶体注入外框开口中,即可完成高热散LED元件封装。
由上述说明可知,本发明高散热LED非金属基板包含有:
一非金属板体,包含有二相对的第一及第二表面及至少一实心导热铜柱,其中第一表面形成有多打线垫及至少一粘晶垫,第二表面则对应至少一粘晶垫形成有散热垫;其中各实心导热铜柱与对应粘晶垫与散热垫一体成型;及
一外框,设置于陶瓷板体的第一表面,并包含有至少一开口,各至少一开口对应粘晶垫及各打线垫部分,使其外露于该外框开口,以便粘晶及打线制造方法用。
再者,本发明的高散热LED元件包含有上述非金属板体外更进一步包含有一LED晶片及封胶体;其中该LED晶片粘设于该粘晶垫上,并以导线连接至多打线垫,而封胶体填充于该外框的中间开口。由于一般封胶体于制造方法中为液态,故可通过注入外框的中间开口中,不仅不会溢流,更能精准地封合LED晶片于其中。
附图说明
图1A至1E,为本发明高散热LED元件第一优选实施例的制造方法流程图。
图2:是图1E的上视平面图。
图3A至3E,为本发明高散热LED元件第二优选实施例的制造方法流程图。
图4:是图3E的上视平面图。
图5:是图3E图的仰视平面图。
图6:是本发明高散热LED元件第一优选实施例上视图。
图7:是本发明高散热LED元件第二优选实施例上视图。
图8A:是图1E焊接于一散热模组的示意图。
图8B:是图3E焊接于一电路板的示意图。
图9A至9E:是既有高散热LED陶瓷基板制造方法流程图。
主要元件符号说明
(10a)(10a’)非金属基板 (11)非金属板体
(111)第一贯穿孔 (112)第二贯穿孔
(113)上表面 (114)下表面
(115)电镀金属层 (12)粘晶垫
(13)打线垫 (13a)外接电极
(14)散热垫 (15)焊垫
(16)导电铜柱 (17)导热铜柱
(20)外框 (21)开口
(22)封胶 (30)LED晶片
(31)导线 (40)散热模组
(40a)电路板 (50)陶瓷基板
(51)陶瓷板体 (511)第一贯穿孔
(512)第二贯穿孔 (513)金属层
(52)粘晶垫 (53)打线垫
(54)散热垫 (55)焊垫
(60)导热铜柱
具体实施方式
首先请参阅图1A至1E所示,为本发明一高散热LED元件第一优选实施例的制作流程图,本实施例中该高散热LED元件是用以焊接于散热模组40上,如图8A所示,其包含有:
提供一非金属板体11;于本实施例中该非金属板体11为一陶瓷板体,亦可为一硅基板,其厚度为0.3mm至2mm;
于非金属板体11上形成至少一第二贯穿孔112;于本实施例中各第二贯穿孔112是以激光钻孔方式或其它钻孔加工方式形成的,其孔径为0.02mm以上;
电镀非金属板体11外表面与各第二贯穿孔112,而于外表面形成电镀铜层115,且各第二贯穿孔112内则形成有与电镀铜层一体成型的实心导热铜柱17;
图形化电镀铜层115,于第一表面形成有至少一粘晶垫12及多打线垫13,又于第二表面对应粘晶垫12形成散热垫14;其中实心导热铜柱17则与粘晶垫12及散热垫14一体成型;至此即构成本发明第一优选实施例的高散热非金属基板10a;于本实施例中,本步骤是形成一粘晶垫12、一散热垫14及二打线垫13;
准备一包含有至少一开口的外框20,并令外框20各开口21对准对应的粘晶垫12及各打线垫13部分,并结合至该非金属板体11形成有粘晶垫12及各打线垫13的表面上,如图2所示,该外框20周边形成有缺口,以供各打线垫部分外露,作为外部电极13a使用;于本实施例中,该外框20可为玻璃纤维板或经阳极处理后的铝板,并以压合方式结合于非金属板体11上;又在本实施例中,该外框20包含一开口21,以对应单粘晶垫12及打线垫13部分;
准备至少一LED晶片30,并粘设于对应的粘晶垫12上;
将各至少一LED晶片30以打线方式将导线31连接至对应的打线垫13上;及
注入液态胶于外框开口21,待固化后即构成一封胶体22,将LED晶片30封合于其中。
再请参阅图2A至2E所示,为本发明一高散热LED元件第二优选实施例的制作流程图,本实施例的高散热LED元件是用以焊接至电路板40a,如图8B所示,其包含有:
提供一非金属陶瓷板体11;于本实施例中非金属板体11为一陶瓷板体,亦可为一硅基板,其厚度为0.3mm至2mm;
形成多第一贯穿孔111及至少一第二贯穿孔112;于本实施例中第一贯穿孔111及第二贯穿孔112是以激光钻孔方式形成,其孔径为0.02mm至0.15mm;
电镀陶瓷板体11外表面与第一及第二贯穿孔111,112,于外表面形成电镀铜层115,而各第一贯穿孔111内形成导电铜柱16,各至少一第二贯穿孔112则形成导热铜柱17;
图形化电镀铜层115,于第一表面形成有至少一粘晶垫12及多打线垫13,又于第二表面形成对应粘晶垫12及打线垫13的至少一散热垫14及多焊垫15;其中第一贯穿孔111实心导电铜柱16是与打线垫13及焊垫15一体成型,而第二贯穿孔112的实心导热铜柱17则与粘晶垫12及散热垫14一体成型;至此即构成本发明第二优选实施例的高散热非金属基板10a’;于本实施例中,本步骤形成一粘晶垫12、一散热垫14、二打线垫13及二焊垫15;
准备一包含有至少一开口的外框20,并令外框20各开口21对准对应的粘晶垫12及各打线垫13部分,并结合至该陶瓷板体11形成有粘晶垫12及各打线垫13的表面上;至于构成本发明第二优选实施例的高散热非金属基板10a;于本实施例中,该外框20可为玻璃纤维板或经阳极处理后的铝板,并以压合方式结合于非金属板体11上;又在本实施例中,该外框20包含一开口21,以对应单粘晶垫12及打线垫13部分;
准备至少一LED晶片30,并粘设于对应的粘晶垫12上;
将各LED晶片30以打线方式将导线31连接至对应的打线垫13上;及
注入液态胶于外框开口21,待固化后即构成一封胶体22,将LED晶片13封合于其中。
上述电镀非金属板体11步骤中,首先对非金属板体11进行脱脂,再予以酸洗,之后再进行活化,再形成化学铜或化学镍,最后再放入电镀液中电镀铜;因此,于本步骤结束后,该第一及第二贯穿孔111,112形成实心导电及导热铜柱16,17。
上述图形化电镀铜层步骤中,是于电镀铜层115上进行干膜处理,再蚀刻未被干膜覆盖的电镀铜层115,之后再去除干膜,再对部分的电镀铜层涂布防焊油墨,再对未涂布防焊油墨的电镀铜层直接进行喷锡。或者,对电镀铜层115分别进行电镀镍、电镀银或电镀金,令电镀铜层115上再迭设一饧层,或一电镀镍层及一电镀银层,或是迭设有一电镀镍层及一电镀金层,以形成具有较佳的导电率;最后构成高导电率的粘晶垫、打线垫、散热垫及焊垫,之后再涂布防焊油墨。其中该电镀镍层厚度为3um以上,电镀银层厚度为1um以上,而该电镀金层为0.025um以上。
以下进一步说明本发明高散热非金属基板的结构,首先请同时参阅图1E及图2所示,本发明高散热非金属基板10a第一优选实施例包含有:
一非金属板体11,包含有二相对的第一及第二表面113,114及至少一实心导热铜柱17,其中第一表面113形成有多打线垫13及至少一粘晶垫12,第二表面114则形成有对应至少一粘晶垫12的散热垫16;又该至少一实心导热铜柱17同样穿设于非金属板体11内,并与对应的粘晶垫12与散热垫14一体成型;于本实施例中该非金属板体11为一陶瓷基板及硅基板;又实心导热铜柱17的数量端视散热速率的高低而调整;及
一外框20,设置于非金属板体11的第一表面111,并包含有至少一开口21及多缺口,其中各至少一开口21对应粘晶垫12及各打线垫13部分,使其外露于该外框开口21,以便粘晶及打线制造方法用,而多缺口则对应打线垫其它部分以令其外露作为外接电极13a用;于本实施例中,该外框20包含有一开口21,以对应单一粘晶垫12及二打线垫13部分。
请同时参阅图3E、图4及图5所示,本发明高散热非金属基板10a’第二较佳实例,其包含有:
一非金属板体11,包含有二相对的第一及第二表面113,114、多实心导电铜柱16及至少一实心导热铜柱17,其中第一表面113形成有多打线垫13及至少一粘晶垫12,第二表面114则形成有对应多打线垫13及至少一粘晶垫12的焊垫15及散热垫16;又多实心导电铜柱16穿设于陶瓷板体11内,与对应的打线垫13与焊垫15一体成型,该至少一实心导热铜柱17同样穿设于非金属板体11内,并与对应的粘晶垫12与散热垫14一体成型;于本实施例中该非金属板体11为一陶瓷基板及硅基板,而实心导电铜柱及实心导热铜柱为一铜柱;及
一外框20,设置于非金属板体11的第一表面111,并包含有至少一开口21以对应粘晶垫12及各打线垫13部分,使其外露于该外框开口21,以便粘晶及打线制造方法用;于本实施例中,该外框20包含有一开口21,以对应单一粘晶垫12及二打线垫13部分。
请进一步参阅图1E所示,本发明使用上述高散热非金属基板10a进行封装的高散热LED元件的第一优选实施例,其进一步包含有:
至少一LED晶片30,粘设于该粘晶垫12上,并以导线31连接至多打线垫13;于本实施例中,单一粘晶垫12上粘设有单一LED晶片30,又各粘晶垫下对应一或多实心导热铜柱17,再如图6所示,该单一粘晶垫12上亦可粘设有多LED晶片30,又各LED晶片30对应一或多实心导热铜柱17;及
至少一封胶体31,填充于该外框20的对应开口21。由于一般封胶31体于制造方法中为液态,故可通过注入外框的开口21中,不仅不会溢流,更能精准地封合LED晶片30于其中。
请配合参阅图7所示,是本发明高散热LED元件的第三优选实施例,该陶瓷板体11上可形成二个粘晶垫12,各粘晶垫12上是粘设多LED晶片30;又各LED晶片30对应多实心散热铜柱17,以加速LED晶片30散热速率。
请参阅图8B所示,当上述LED元件的焊垫15焊接于该电路板40上,散热垫14会贴合于电路板40,因此当LED晶片30运作产生的高热,即可由导热铜柱17快速向下传导至散热垫14,由散热垫14将高热传导至电路板40上,以避免LED晶片30过热。
上述本发明主要采用电镀方式,配合小孔径(0.02mm以上)第一及第二贯穿孔,于其中形成导电铜柱及导热铜柱,而一制造方法步骤的优点在于粘晶垫及散热垫与导热铜柱可在同一道电镀步骤中一体成型,具有最佳的接合强度;如此亦可节化一道插设导热铜柱的步骤,可以低成本制造方法成本制作符合高功率小尺寸LED晶片封装用的高散热非金属基板。再者,该高散热非金属基板进一步结合一外框,以加速LED元件的封胶步骤的速度及品质。
Claims (44)
1.一种高散热LED非金属基板制法,其包含有:
提供一非金属板体;
于非金属板体上形成至少一第一贯穿孔;
电镀金属板体外表面与该至少第一贯穿孔,而于外表面形成电镀铜层,而各第一贯穿孔内形成实心导热铜柱;及
图形化电镀铜层,于第一表面形成有至少一粘晶垫及多打线垫,又于第二表面形成对应粘晶垫的至少一散热垫;其中第一贯穿孔导热铜柱与粘晶垫及散热垫一体成型。
2.根据权利要求1所述的高散热LED非金属基板制法,其中:
于形成第一贯穿孔步骤中,进一步对该非金属基板形成多第二贯穿孔;
于电镀金属板体步骤中,对各第二贯穿孔电镀,而于各第二贯穿孔形成有实心导电铜柱;及
于图形化电镀铜层步骤中,于非金属板体第二表面对应打线垫处形成有焊垫,其中各实心导电铜柱与对应的打线垫及焊垫一体成型。
3.根据权利要求1或2所述的高散热LED非金属基板制法,于图形化电镀铜层步骤后再包含有以下步骤:
准备一包含有至少一开口的外框,并令各至少一开口对准对应的粘晶垫及打线垫部分,结合至该非金属板体形成有粘晶垫及各打线垫的表面上。
4.根据权利要求3所述的高散热LED非金属基板制法,该外框可为玻璃纤维板或经阳极处理后的铝板,并以压合方式结合于非金属板体上。
5.根据权利要求4所述的高散热LED非金属基板制法,上述电镀非金属板体步骤中,首先对非金属板体进行脱脂,再予以酸洗,之后再进行活化,再形成化学铜或化学镍,最后再放入铜电镀液中,以形成电镀铜层。
6.根据权利要求5所述的高散热LED非金属基板制法,上述图形化电镀铜层步骤中,于电镀铜层进行干膜程序,再蚀刻未被干膜覆盖的电镀铜层,之后再去除干膜,并对部分电镀铜层涂布一层防焊油墨,再对未涂布防焊油墨的电镀铜层喷钖。
7.根据权利要求6所述的高散热LED非金属基板制法,上述图形化电镀铜层步骤中,于电镀铜层进行干膜程序,再蚀刻未被干膜覆盖的电镀铜层,之后再去除干膜,再于图形化电镀铜层上依序进行电镀镍及电镀银,最后再涂布防焊油墨。
8.根据权利要求6所述的高散热LED非金属基板制法,上述图形化电镀铜层步骤中,于电镀铜层上进行干膜程序,再蚀刻未被干膜覆盖的电镀铜层,之后再去除干膜,再于图形化电镀铜层上依序进行电镀镍及电镀金,最后再涂布防焊油墨。
9.根据权利要求2所述的高散热LED非金属基板制法,该非金属基板厚度为0.3mm至2mm,而各第一贯穿孔及各第二贯穿孔孔径为0.02mm以上。
10.根据权利要求7所述的高散热LED非金属基板制法,该非金属基板厚度为0.3mm至2mm,而各第一贯穿孔及各第二贯穿孔孔径为0.02mm以上,又该电镀镍层为3um以上,而该电镀银层厚度为1um以上。
11.根据权利要求8所述的高散热LED非金属基板制法,该非金属基板厚度为0.3mm至2mm,而各第一贯穿孔及各第二贯穿孔孔径为0.02mm以上,又该电镀镍层度为3um以上,而该电镀金层为0.025um以上。
12.根据权利要求3所述的高散热LED非金属基板制法,该非金属基板为陶瓷基板或硅基板。
13.一种高散热LED非金属基板,包含有:
一非金属板体,包含有二相对的第一及第二表面、至少一第一贯孔穿及至少一实心导热铜柱,其中第一表面形成有多打线垫及至少一粘晶垫,第二表面则形成有对应至少一粘晶垫的散热垫;又该至少一导热铜柱形成于对应第一贯穿孔内并与对应的粘晶垫与散热垫一体成型;及
一外框,设置于陶瓷板体的第一表面,并包含有至少一开口以对应粘晶垫及各打线垫部分。
14.根据权利要求13所述的高散热LED非金属基板,该外框对应打线垫进一步形成缺口,令部分打线垫外露作为外接电极。
15.根据权利要求13所述的高散热LED非金属基板,该非金属板体进一步包含有多第二贯穿孔及多实心导电铜柱,并于第二表面上形成对应多打线垫的焊垫,各实心导电铜柱设于对应第二贯穿孔,并与对应的打线垫的焊垫一体成型。
16.根据权利要求13至15任一项所述的高散热LED非金属基板,该外框可为玻璃纤维板或经阳极处理后的铝板,并压合于非金属板体的第一表面。
17.根据权利要求13所述的高散热LED非金属基板,该粘晶垫、打线垫及散热垫均为铜层。
18.根据权利要求17所述的高散热LED非金属基板,其铜层再分别形成一防焊油墨层及一钖层。
19.根据权利要求16所述的高散热LED非金属基板,该电镀铜层上再依序形成有电镀镍层及电镀银层及一防焊油墨层。
20.根据权利要求16所述的高散热LED非金属基板,该电镀铜层上再依序形成有电镀镍层及电镀金层及一防焊油墨层。
21.根据权利要求13所述的高散热LED非金属基板,该非金属基厚度为0.3mm至2mm,而各第一贯穿孔孔径为0.02mm以上,又该电镀镍层为3um以上及电镀银层厚度为1um以上。
22.根据权利要求14所述的高散热LED非金属基板,该非金属基厚度为0.3mm至2mm,而各第一贯穿孔孔径为0.02mm以上,又该电镀镍层度为3um以上,而该电镀金层为0.025um以上。
23.一种高散热LED非金属基板制法,其包含有:
提供一非金属板体;
于非金属板体上形成至少一第一贯穿孔;
电镀金属板体外表面与该至少第一贯穿孔,而于外表面形成电镀铜层,而各第一贯穿孔内形成实心导热铜柱;
图形化电镀铜层,于第一表面形成有至少一粘晶垫及多打线垫,又于第二表面形成对应粘晶垫的至少一散热垫;其中第一贯穿孔内的导热铜柱与粘晶垫及散热垫一体成型;及
准备至少一LED晶片,并粘设于对应的粘晶垫上;
将各LED晶片以打线方式连接至对应的打线垫上;及
注入液态胶于外框的中间开口,待固化后即构成一封胶体,将LED晶片封合于其中。
24.根据权利要求23所述的高散热LED非金属基板制法,其中:
于形成第一贯穿孔步骤中,进一步对该非金属基板形成多第二贯穿孔;
于电镀金属板体步骤中亦对各第二贯穿孔电镀,而于各第二贯穿孔形成有实心导电铜柱;及
于图形化电镀铜层步骤中,于非金属板体第二表面对应打线垫处形成有焊垫,其中各实心导电铜柱与对应的打线垫及焊垫一体成型。
25.根据权利要求23或24所述的高散热LED非金属基板制法,于图形化电镀铜层步骤后再包含有以下步骤:
准备一包含有至少一开口的外框,并令各至少一开口对准对应的粘晶垫及打线垫部分,结合至该非金属板体形成有粘晶垫及各打线垫的表面上。
26.根据权利要求25所述的高散热LED非金属基板制法,该外框可为玻璃纤维板或经阳极处理后的铝板,并以压合方式结合于非金属板体上。
27.根据权利要求26所述的高散热LED非金属基板制法,上述电镀非金属板体步骤中,首先对非金属板体进行脱脂,再予以酸洗,之后再进行活化,再形成化学铜或化学镍,最后再放入铜电镀液中,以形成电镀铜层。
28.根据权利要求27所述的高散热LED非金属基板制法,上述图形化电镀铜层步骤中,于电镀铜层进行干膜程序,再蚀刻未被干膜覆盖的电镀铜层,之后再去除干膜,并对部分电镀铜层涂布一层防焊油墨,再对未涂布防焊油墨的电镀铜层喷钖。
29.根据权利要求28所述的高散热LED非金属基板制法,上述图形化电镀铜层步骤中,于电镀铜层进行干膜程序,再蚀刻未被干膜覆盖的电镀铜层,之后再去除干膜,再于图形化电镀铜层上依序进行电镀镍及电镀银,最后再涂布防焊油墨。
30.根据权利要求28所述的高散热LED非金属基板制法,上述图形化电镀铜层步骤中,于电镀铜层上进行干膜程序,再蚀刻未被干膜覆盖的电镀铜层,之后再去除干膜,再于图形化电镀铜层上依序进行电镀镍及电镀金,最后再涂布防焊油墨。
31.根据权利要求24所述的高散热LED非金属基板制法,该非金属基板厚度为0.3mm至2mm,而各第一贯穿孔及各第二贯穿孔孔径为0.02mm以上。
32.根据权利要求29所述的高散热LED非金属基板制法,该非金属基板厚度为0.3mm至2mm,而各第一贯穿孔及各第二贯穿孔孔径为0.02mm以上,又该电镀镍层为3um以上,而电镀银层厚度为1um以上。
33.根据权利要求30所述的高散热LED非金属基板制法,该非金属基板厚度为0.3mm至2mm,而各第一贯穿孔及各第二贯穿孔孔径为0.02mm以上,又该电镀镍层度为3um以上,而该电镀金层为0.025um以上。
34.根据权利要求25所述的高散热LED非金属基板制法,该非金属基板为陶瓷基板或硅基板。
35.一种高散热LED非金属基板,包含有:
一非金属板体,包含有二相对的第一及第二表面、至少一第一贯孔穿及至少一实心导热铜柱,其中第一表面形成有多打线垫及至少一粘晶垫,第二表面则形成有对应至少一粘晶垫的散热垫;又该至少一导热铜柱形成于对应第一贯穿孔内并与对应的粘晶垫与散热垫一体成型;及
一外框,设置于陶瓷板体的第一表面,并包含有至少一开口以对应粘晶垫及各打线垫部分;
至少一晶片,粘合于对应的粘晶垫上,并以导线连接至对应的打线垫;及
至少一封胶体,填充于该外框的对应开口。
36.根据权利要求35所述的高散热LED非金属基板,该外框对应打线垫进一步形成缺口,令部分打线垫外露作为外接电极。
37.根据权利要求36所述的高散热LED非金属基板,该非金属板体进一步包含有多第二贯穿孔及多实心导电铜柱,并于第二表面上形成对应多打线垫的焊垫,各实心导电铜柱设于对应第二贯穿孔,并与对应的打线垫的焊垫一体成型。
38.根据权利要求35至37任一项所述的高散热LED非金属基板,该外框可为玻璃纤维板或经阳极处理后的铝板,并压合于非金属板体的第一表面。
39.根据权利要求38所述的高散热LED非金属基板,该粘晶垫、打线垫及散热垫均为铜层。
40.根据权利要求39所述的高散热LED非金属基板,其铜层再分别形成一防焊油墨层及一钖层。
41.根据权利要求39所述的高散热LED非金属基板,该铜层上再依序形成有电镀镍层及电镀银层及一防焊油墨层。
42.根据权利要求39所述的高散热LED非金属基板,该电镀铜层上再依序形成有电镀镍层及电镀金层及一防焊油墨层。
43.根据权利要求35所述的高散热LED非金属基板,该非金属基厚度为0.3mm至2mm,而各第一贯穿孔孔径为0.02mm以上,又该电镀镍层3um以上及电镀银层厚度为1um以上。
44.根据权利要求36所述的高散热LED非金属基板,该非金属基厚度为0.3mm至2mm,而各第一贯穿孔孔径为0.02mm以上,又该电镀镍层度为3um以上,而该电镀金层为0.025um以上。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010173565 CN102237482A (zh) | 2010-05-07 | 2010-05-07 | 高散热led非金属基板与高散热led元件及其制法 |
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---|---|
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Family
ID=44887914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN 201010173565 Pending CN102237482A (zh) | 2010-05-07 | 2010-05-07 | 高散热led非金属基板与高散热led元件及其制法 |
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Country | Link |
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CN (1) | CN102237482A (zh) |
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