CN102236216B - 液晶显示器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种液晶显示器。液晶显示器包括：第一基底和第二基底，彼此面对；开关元件，设置在第一基底上；像素电极，连接到开关元件并被提供有数据电压；对向电极，设置在第二基底上；液晶层，设置在第一基底和第二基底之间并且包括液晶分子。像素电极包括交替设置的切口和液晶方向控制件。切口和液晶方向控制件将像素电极分成多个子区域，当向像素电极施加数据电压时，液晶分子的取向方向根据多个子区域而不同。液晶方向控制件相对于第一基底的表面向下凹入或向上凸出。

Description

液晶显示器

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种液晶显示器。

背景技术

液晶显示器作为一种平板显示器被广泛地使用。液晶显示器具有其上形成有诸如像素电极和共电极的场发生电极的两个显示面板，液晶层置于这两个显示面板之间。在液晶显示器中，向场发生电极施加电压，以通过液晶层产生电场。通过由液晶分子所经受的电场强度来确定液晶层内的液晶分子的取向。随着光穿过液晶层，通过入射光与液晶分子的相互作用来控制入射光的偏振，从而产生图像显示。

在LCD中，竖直取向(VA)模式LCD由于其高的对比度和宽的基准视角而备受关注，其中，在不存在电场的情况下，竖直取向模式LCD使LC分子的长轴垂直于面板取向。

在竖直取向(VA)模式LCD中，可以通过在一个像素中形成包括不同取向方向的液晶的多个畴来实现宽的基准视角。

作为在一个像素中形成多个畴的一个示例，一种形成切口(cutout)的方法使得在场发生电极中有轻微的倾斜。在该方法中，可以通过使液晶分子相对于在切口的边缘与面向所述边缘的场发生电极之间产生的边缘场(fringefield)竖直取向来形成多个畴。

该部分中的信息是对本发明的背景的理解，因此，它可能包含不是现有技术的一部分的信息。

发明内容

本发明的示例性实施例提供了一种具有改进了的显示品质的液晶显示器。

本发明的示例性实施例还提供了一种具有改善了的液晶显示器的响应速度的液晶显示器。

本发明的示例性实施例还提供了一种通过改变液晶分子在液晶层内的倾斜方向而视角增大的液晶显示器。

本发明的另外的特征将在下面的描述中进行阐述，部分地将通过描述是清楚的或者可以通过实践本发明而明了。

本发明的一个示例性实施例公开了一种液晶显示器，所述液晶显示器包括：第一基底和第二基底，彼此面对；开关元件，设置在第一基底上；像素电极，连接到开关元件并被提供有数据电压；对向电极，设置在第二基底上；液晶层，设置在第一基底和第二基底之间并且包括液晶分子。像素电极包括多个细微分支和多个具有细微分支的不同长度方向的子区域，细微分支相对于第一基底的表面向下凹入或向上凸出。细微分支的宽度和分支之间的区域的宽度中的至少一种在2μm至6μm的范围。

本发明的一个示例性实施例也公开了一种液晶显示器，所述液晶显示器包括：第一基底和第二基底，彼此面对；开关元件，设置在第一基底上；像素电极，连接到开关元件并被提供有数据电压；对向电极，设置在第二基底上；液晶层，设置在第一基底和第二基底之间并且包括液晶分子。像素电极包括多个细微分支和多个具有细微分支的不同长度方向的子区域，细微分支相对于第一基底的表面向下凹入或向上凸出。细微分支之间的与细微分支之一的一侧相邻的区域被去除由此形成缝隙，或者与细微分支之间的一个区域的一侧相邻的一个细微分支被去除由此形成缝隙。

本发明的一个示例性实施例还公开了一种液晶显示器，所述液晶显示器包括：第一基底和第二基底，彼此面对；开关元件，设置在第一基底上；像素电极，连接到开关元件并被提供有数据电压；对向电极，设置在第二基底上；液晶层，设置在第一基底和第二基底之间并且包括液晶分子。像素电极包括多个细微分支和多个具有细微分支的不同长度方向的子区域，细微分支相对于第一基底的表面向下凹入或向上凸出。多个细微分支中相邻的细微分支的向下凹入的形状或向上凸出的形状是彼此相对的。

本发明的示例性实施例另外公开了一种液晶显示器，所述液晶显示器包括：第一基底和第二基底，彼此面对；开关元件，设置在第一基底上；像素电极，连接到开关元件并被提供有数据电压；对向电极，设置在第二基底上；液晶层，设置在第一基底和第二基底之间并且包括液晶分子。像素电极包括交替设置的切口和液晶方向控制件，切口和液晶方向控制件将像素电极分成多个子区域。当向像素电极施加数据电压时，液晶分子的取向方向根据多个子区域而不同，液晶方向控制件相对于第一基底的表面向下凹入或向上凸出。

应该理解的是，前面的总体描述和后面的详细描述是示例性和例证性的，而是意图提供对所要求保护的发明的进一步的解释。

附图说明

包括附图以提供对本发明的进一步的理解，并且附图包含在本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施例，并与描述一起用来解释本发明的原理。

图1是根据本发明示例性实施例的液晶显示器的框图。

图2是根据本发明示例性实施例的液晶显示器中的一个像素的等效电路图。

图3是根据本发明示例性实施例的液晶显示器中的一个像素的布局图。

图4是沿着IV-IV线截取的图3中的液晶显示器的剖视图。

图5是沿着V-V线截取的图3中的液晶显示器的示例性剖视图。

图6是沿着V-V线截取的图3中的液晶显示器的剖视图，示出了向液晶层施加电场时液晶分子的排列变化。

图7、图8、图9、图10、图11、图12和图13是沿着V-V线截取的图3中的液晶显示器的示例性剖视图。

图14A是根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器中的一个像素的布局图。

图14B是沿着XIVB-XIVB线截取的图14A中的液晶显示器的剖视图。

图15是图14A示出的液晶显示器中的一个像素的等效电路图。

图16是根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器中的一个像素的布局图。

图17是沿着XVII-XVII线截取的图16中的液晶显示器的剖视图。

图18是沿着XVIII-XVIII线截取的图16中的液晶显示器的剖视图。

图19是沿着XVIII-XVIII线截取的图16中的液晶显示器的剖视图，示出了向液晶层施加电场时液晶分子的排列变化。

图20是沿着XVIII-XVIII线截取的图16中的液晶显示器的示例性剖视图。

具体实施方式

下面参照附图来更充分地描述本发明，附图中示出了本发明的实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，而不应被解释为局限于在这里提出的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开是彻底的，并将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。附图中相同的标号表示相同的元件。

应该理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可直接在另一元件或层上、直接连接到或直接结合到另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。

现在，将参照图1和图2来描述根据本发明示例性实施例的液晶显示器。

图1是根据本发明示例性实施例的液晶显示器的框图，图2是根据本发明示例性实施例的液晶显示器中的一个像素的等效电路图。

如图1所示，根据本发明示例性实施例的液晶显示器包括液晶面板组件300、栅极驱动器400和数据驱动器500。

在等效电路中，液晶面板组件300包括多条信号线G1-Gn和D1-Dm及连接到信号线且以近似矩阵形式布置的多个像素PX。参照图2示出的结构，液晶面板组件300包括彼此面对的下显示面板100和上显示面板200及置于上下显示面板之间的液晶层3。

信号线G1-Gn和D1-Dm设置在下面板100上，并且包括传输栅极信号(也称作“扫描信号”)的多条栅极线G1-Gn和传输数据信号的多条数据线D1-Dm。

每个像素PX，例如连接到第i(i＝1，2，...，n)栅极线Gi和第j(j＝1，2，...，m)数据线Dj的像素PX，包括连接到信号线Gi和Dj的开关元件Q和连接到该开关元件Q的液晶电容器Clc和存储电容器Cst。如果需要的话，则可以省略存储电容器Cst。

开关元件Q是诸如薄膜晶体管(TFT)的三端子元件并设置到下面板100，TFT的控制端连接到栅极线Gi。TFT的输入端连接到数据线Dj，TFT的输出端连接到液晶电容器Clc和存储电容器Cst。

液晶电容器Clc具有两个端子，这两个端子为下面板100的像素电极191和贯穿多个像素PX以单块一体板形成在上面板200上的对向电极270。液晶层3用作像素电极191和对向电极270之间的介电材料。

用作液晶电容器Clc的辅助电容器的存储电容器Cst包括像素电极191和单独的信号线(未示出)，该信号线设置在下面板100上并通过绝缘件与像素电极191叠置。单独的信号线被施加有诸如共电压Vcom的电压。可选择地，存储电容器Cst可以包括像素电极191和前一栅极线Gi-1，所述前一栅极线Gi-1在下面板100上通过绝缘件与像素电极191叠置。

对于彩色显示，每个像素PX唯一地表示三原色之一(即，空分)，或者每个像素PX按顺序依次表示三原色(即，时分)。在这种方式中，原色的空分之和或时分之和被认为是期望的颜色。一组三原色的示例包括红色、绿色和蓝色。

图2示出了空分的示例，其中，每个像素PX在上面板200的面向像素电极191的区域中包括表示原色之一的滤色器230。可选择地，虽然未在图2中示出，但是滤色器230可以在下面板100上设置在像素电极191上或像素电极191下。

至少一个偏振器(未示出)可以附在液晶面板组件300的外侧上。

再次参照图1，数据驱动器500连接到液晶面板组件300的数据线D1-Dm，以向数据线D1-Dm施加数据电压。

栅极驱动器400连接到液晶面板组件300的栅极线G1-Gn，以向栅极线G1-Gn施加通过组合使开关元件Q导通的栅极导通电压Von和使开关元件Q截止的栅极截止电压Voff而获得的栅极信号。

接下来，将参照图3、图4和图5来描述图1和图2中示出的液晶显示器的示例性实施例。

图3是根据本发明示例性实施例的液晶显示器中的一个像素的布局图，图4是沿着IV-IV线截取的图3中的液晶显示器的剖视图。图5是沿着V-V线截取的图3中的液晶显示器的示例性剖视图。

根据本发明示例性实施例的液晶面板组件300包括彼此面对的下面板100和上面板200及置于上下面板之间的液晶层3。

现在，描述下面板100。

多条分别包括栅电极124的栅极线121形成在绝缘基底110上。栅极线121传输栅极信号并沿横向方向延伸。

栅极绝缘层140形成在栅极线121上，多个优选地由氢化非晶硅或多晶硅制成的半导体岛154形成在栅极绝缘层140上。

多对欧姆接触岛163和165形成在半导体岛154上。欧姆接触岛163和165优选地由重掺杂有n型杂质(例如，磷)的n+氢化a-Si制成，或者欧姆接触岛163和165可以由硅化物制成。

多条数据线171和多个漏电极175在欧姆接触163和165及栅极绝缘层140上。

数据线171传输数据电压并基本沿纵向方向延伸，从而与栅极线121相交。数据线171包括朝着栅电极124延伸且呈U形的多个源电极173。

漏电极175包括纵向部分(标号用175表示)、横向部分176和扩展部分(expansionportion)177。相对于栅电极124，纵向部分175与源电极173相对，横向部分176与纵向部分175垂直地相交并且与栅极线121平行。扩展部分177设置在横向部分176的一端，并且具有用来与另一层连接的区域。

栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体岛154一起形成薄膜晶体管(TFT)Q，薄膜晶体管Q的沟道形成在源电极173和漏电极175之间的半导体岛154中。

欧姆接触163和165仅仅置于下面的半导体岛154与上面的源电极173、数据线171和漏电极175之间，从而降低了下面的半导体岛154与上面的源电极173、数据线171和漏电极175之间的接触电阻。半导体岛154包括未被数据线171和漏电极175覆盖的暴露部分，例如，位于源电极173和漏电极175之间的部分。

可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成的钝化层180形成在数据线171、漏电极175、源电极173和暴露的半导体岛154上。钝化层180包括多个暴露漏电极175的扩展部分177的接触孔185。另外，参照图5，钝化层180的上表面包括形成有多个凸起和凹陷的部分，在下面利用对像素电极191的描述给出凸起和凹陷的描述和形状。

多个像素电极191形成在钝化层180上，多个像素电极191可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料或诸如铝、银、铬或其合金的反射材料制成。

像素电极191的总体形状为四边形，每个像素电极191包括横向主干(stem)193、与横向主干193相交的纵向主干192、多个细微分支(minutebranch)194及下凸起部分197。另外，像素电极191被横向主干193和纵向主干192分成四个子区域。细微分支194从横向主干193和纵向主干192倾斜地延伸，并且其延伸方向与栅极线121或横向主干193形成大约45°或135°的角。另外，两个相邻子区域的细微分支194可以形成近似的直角。

根据图3和图5示出的示例性实施例，像素电极191的细微分支194彼此物理地连接。即，像素电极191具有沿着钝化层180的凸起和凹陷形成的多个凸起和凹陷。参照图5，细微分支194对应于凸出部分，细微分支194之间的区域对应于凹入部分。如在此所使用的，术语“凹入”对应于延伸到图3的平面中的方向和相对于图5的向下的方向。术语“凸出”对应于从图3的平面向外延伸的方向和相对于图5向上的方向。因此，像素电极191的横向主干193和纵向主干192可以形成为凸出形状。然而，横向主干193和纵向主干192可以与图3中示出的细微分支194一起形成为凹入的，而细微分支194之间的区域可以形成为凸出的。

形成像素电极191的细微分支194的凸出部分的侧表面相对于基底110的表面的角α在图5中被示出为是近似的直角，但不限于此，而可以为10°至100°。

细微分支194(或凸出部分)的宽度Wb和细微分支194之间的区域(或凹入部分)的宽度Wa可以为2μm至6μm。因此，一个凸起和一个凹陷，即相邻的凹入部分和凸出部分的总宽度Wp可以为4μm至12μm。另外，像素电极191的凹入部分和凸出部分之间的高度差dH可以小于液晶层3的盒间隙(cellgap)D的大约20％，或者为0.1μm至0.6μm。这里，液晶层3的盒间隙D可以为1μm至10μm。

像素电极191的下凸起197通过接触孔185连接到漏电极175，从而接收来自漏电极175的数据电压。取向层11形成在像素电极191上。

现在，描述上面板200。

光阻挡构件220形成在基底210上。光阻挡构件220防止像素电极191之间产生的光泄漏，并包括限定面向像素电极191的区域的多个开口225。

多个滤色器230形成在基底210和光阻挡构件220上。多数滤色器230设置在被光阻挡构件220包围的区域中，并可以沿着像素电极191的列(即，沿着图3中的纵向方向)延伸。每个滤色器230可以显示三原色(例如原色红色、绿色、蓝色)中的一种颜色。

保护件(overcoat)250形成在滤色器230和光阻挡构件220上，可以由诸如ITO或IZO的透明导电制成的对向电极270形成在保护件250的整个表面上。对向电极270可以由一块板形成，以对应于多个像素电极191(例如，所有的像素电极191)。对向电极270的表面可以是大致平坦的。

取向层21形成在对向电极270上。两个取向层11和21可以是竖直取向层。

下面板100和上面板200之间的液晶层3可以包括可具有负的介电各向异性的液晶分子31。液晶分子31可以定位成使得在未施加电场时其主轴几乎垂直于两个显示面板100和200的表面。然而，位于像素电极191的凸出部分的边缘附近的液晶分子31，例如，在图5的示例性实施例中位于像素电极191的细微分支194附近的液晶分子，可以根据凸出部分的边缘的倾斜而朝着凹入部分倾斜。

另外，液晶分子31可以沿与细微分支194的长度方向基本平行的方向以预倾斜而进行初始取向。在这种情况下，液晶层3除了包括液晶分子31之外，还可以包括确定液晶分子31的预倾斜的聚合物。下面描述使液晶分子31初始取向成具有预倾斜的方法。

接下来，参照图3、图4、图5和图6来描述根据本发明示例性实施例的液晶显示器的操作。

图6是沿着V-V线截取的图3中的液晶显示器的剖视图，示出了向液晶层施加电场时液晶分子的排列变化。

如果向栅极线121施加栅极信号，则连接到栅极线121的开关元件Q(即，TFT)导通。因此，通过导通时的TFTQ向像素电极191传输施加到数据线171的数据电压。被施加有数据电压的像素电极191与被施加有电压的对向电极270一起产生穿过液晶层3的电场。因此，液晶层3的液晶分子31改变方向，从而液晶分子31的主轴响应于电场而变得垂直于电场的方向。入射到液晶层3的光的偏振程度的改变根据液晶分子31的倾斜程度而改变，偏振的这一改变通过偏振器表现为透射率的改变，从而显示液晶显示器的图像。

另一方面，像素电极191的凸起和凹陷的凸出部分的边缘(即，在图5和图6的示例性实施例中的细微分支194)使电场扭曲，从而由于产生电场的与像素电极的凸出部分的边缘基本垂直的水平分量而产生边缘场。因此，由电场的水平分量来确定液晶分子31的倾斜方向。因此，液晶分子31趋于沿着与像素电极191的凸出部分的边缘基本垂直的方向倾斜。然而，由于相邻的凸出部分的边缘的电场的水平分量的方向彼此相反(即，电场向量点基本朝着彼此或远离彼此)，并且凸出部分之间的间隔窄，所以趋于沿着相反的方向倾斜的液晶分子31由此而沿着与凸出部分的长度方向基本平行的方向倾斜。

此外，液晶分子31已经根据像素电极191的凸起和凹陷的凸出部分的边缘的倾斜而朝着凹入部分倾斜，使得液晶分子31进一步趋于沿着与凸出部分的边缘基本垂直的方向倾斜。此外，当液晶分子31沿着凸出部分的长度方向(即，细微分支194)预先预倾斜时，液晶分子可以不通过两步而沿着凸出部分的长度方向(即，细微分支194)倾斜，而是可以通过一步直接沿着预倾斜方向倾斜。因此，可以改善液晶显示器的响应速度。

一个像素电极191包括四个子区域，在这四个子区域中，细微分支194的长度方向是不同的，使得液晶层3的液晶分子的倾斜方向是沿四个方向。在液晶层3中还形成具有不同取向方向的液晶分子31的四个畴。因此，液晶显示器的视角可以通过改变液晶分子的倾斜方向而增大。如上所述，像素电极191的用来控制液晶分子31的倾斜方向的横向主干193、纵向主干192和细微分支194称作液晶方向控制件。

形成液晶电容器Clc的像素电极191和对向电极270在开关元件TFTQ截止后保持施加电压。

在水平周期1H重复地执行上面的操作。向栅极线G1-Gn顺序地施加栅极信号，向像素电极191施加数据电压，从而显示一帧的图像。

在一帧结束后，下一帧开始，控制施加到数据驱动器500的反向信号的状态，以不同于前一帧的极性将施加到每个像素PX的数据电压的极性反相。这种方案称作“帧反转”。

虽然未在图6中示出，但是可以包括在前面的示例性实施例中描述的滤色器230、保护件250及取向层11和21。

如上所述，根据本示例性实施例，液晶层3的液晶分子31根据像素电极191的液晶方向控制件192、193和194的凸起和凹陷的形状而倾斜，从而可以改善液晶分子31的响应速度。另外，像素电极191的细微分支194之间的区域没有被去除，而是形成为凹入部分，从而垂直于这两个显示面板100和200的电场分量可以在液晶层3中改变和增大，因此，可以改善液晶分子31的响应速度。此外，可以提高液晶显示器的透射率。

另外，通过如上所述设置像素电极191的包括凸起和凹陷的液晶方向控制件192、193和194的宽度或者像素电极191的凹入部分和凸出部分之间的高度差，可以进一步改善液晶层3的液晶分子31的响应速度，并且可以提高液晶显示器的透射率。

接下来，描述用来对液晶分子31提供预倾斜角的初始取向方法的示例性实施例。

首先，在两个显示面板100和200之间布置例如可以通过光聚合(例如，通过紫外光)硬化的单体的预聚物(prepolymer)以及液晶材料。预聚物可以是可以通过光(例如，紫外光)聚合的反应性液晶元(reactivemesogen)。

接下来，与上面描述的液晶显示器的操作相似，对像素电极191施加数据电压，对上面板200的对向电极270施加电压，从而在两个显示面板100和200之间产生穿过液晶层3的电场。因此，液晶层3的液晶分子31响应于电场通过上面描述的两步沿着与细微分支194的长度方向平行的方向倾斜，并且一个像素PX中的液晶分子31共沿四个方向倾斜。

如果在对液晶层3施加电场之后照射光(例如，紫外光)，则可以使预聚物发生聚合而在液晶层3中形成聚合物或者与显示面板100和200的取向层11和21的表面接触。在未对像素电极191和对向电极270施加电压的状态下，可以通过形成在液晶层3中的聚合物或者形成在液晶分子31与取向层11和21之间的聚合物确定液晶分子31的取向方向为沿细微分支194的长度方向具有预倾斜。优选的是，相对于基底的表面预倾斜在85°至89.9°的范围。如果预倾斜超过85°，则可以在使对比度的损失最小化的同时显著地改善显示器的响应速度。

接下来，将参照图7、图8、图9、图10、图11、图12和图13以及图1、图2、图3、图4、图5和图6描述根据本发明各种示例性实施例的液晶显示器。在示例性实施例中相同的标号表示相同的元件，因而没有重复在上文给出的描述。

图7、图8、图9、图10、图11、图12和图13是沿着V-V线截取的图3中的液晶显示器的示例性剖视图。虽然未在图7、图8、图9、图10、图11、图12和图13中示出，但是可以包括前面示例性实施例中的上述滤色器230、保护件250或取向层11和21。

首先，参照图7，根据本示例性实施例的液晶显示器与图3、图4和图5中示出的示例性实施例几乎相同，但是还在像素电极191和取向层11之间形成绝缘层188。绝缘层188形成在像素电极191的凸起和凹陷上，并且可以在其上表面被平坦化。然而，由于绝缘层188的平坦化，使得液晶分子31不会因像素电极191的凸出部分的边缘的倾斜而朝着凹入部分倾斜。此外，当液晶层3的液晶分子31预倾斜时，液晶分子31可以在凸出部分的边缘(即，细微分支194)附近朝着凹入部分倾斜，如图7所示。

参照图8，根据本示例性实施例的液晶显示器与图3、图4和图5中示出的示例性实施例几乎相同，但是像素电极191的凸起和凹陷的结构不同。

钝化层180的凸起和凹陷的结构及液晶层3的液晶分子的倾斜与图3、图4和图5的示例性实施例中的钝化层180的凸起和凹陷的结构及液晶层3的液晶分子的倾斜相同；然而，在诸如细微分支194之间的区域的至少一部分的部分去除像素电极191的一部分。被去除的部分在像素电极191中形成缝隙部分Sa。也就是说，钝化层180的每两个凹入部分交替地形成像素电极191的凹入部分。换言之，细微分支194之间的与一个细微分支194的一侧相邻的区域被去除，而细微分支194之间的与所述一个细微分支194的另一侧相邻的区域被保留。因此，钝化层180的成对凸出部分之间的钝化层180的凹入部分通过像素电极191暴露。

如图3、图4和图5所示，凸出部分的宽度Wb和凹入部分的宽度Wa可以为2μm至6μm，包括由像素电极的部分连接的两个凸出部分及这两个凸出部分之间的凹入部分的这部分的宽度Wc可以为6μm至18μm。因此，与一个缝隙部分Sa相邻的两个凸出部分和这个缝隙部分Sa(即，这两个凸出部分之间的凹入部分)的总宽度可以为8μm至24μm。

接下来，参照图9，根据本示例性实施例的液晶显示器与图8中示出的示例性实施例几乎相同，但是还在像素电极191和取向层11之间形成用于平坦化的绝缘层188。可以将对图7的示例性实施例的绝缘层188的特性和作用的讨论应用于本示例性实施例。

接下来，参照图10，在根据本示例性实施例的液晶显示器中，像素电极191的凸起和凹陷以与图8中示出的示例性实施例的像素电极191的凸起和凹陷的形状互补的形状形成。

也就是说，从细微分支194之间的区域的至少一部分去除像素电极191的一部分，该去除的部分形成缝隙部分Sb。详细地讲，在钝化层180的每两个凸出部分交替地去除像素电极191的凸出部分。也就是说，与一个细微分支194的一侧相邻的细微分支194被去除，而与所述一个细微分支194的另一侧相邻的细微分支194保留。

如图3、图4和图5所示，凸出部分的宽度Wb和凹入部分的宽度Wa可以为2μm至6μm，包括连接到两个凹入部分之间的一个凸出部分的这两个凹入部分的这部分的宽度Wc可以为6μm至18μm。因此，一个缝隙部分Sb、与这一个缝隙部分Sb相邻的两个凹入部分和这两个凹入部分之间的凸出部分的总宽度可以为8μm至24μm。

接下来，参照图11，根据本示例性实施例的液晶显示器与图10中示出的示例性实施例几乎相同，但是还在像素电极191和取向层11之间形成用于平坦化的绝缘层188。可以将对图7的示例性实施例的绝缘层188的特性和作用的讨论应用于本示例性实施例。

接下来，参照图12，根据本示例性实施例的液晶显示器与图3、图4和图5中示出的示例性实施例几乎相同，但是像素电极191和钝化层180的凸起和凹陷的结构不同。

像素电极191的细微分支194由凸起和凹陷形成(或形成为凹入的或凸出的)，并且交替地设置。也就是说，相邻的细微分支194的凸起和凹陷具有相反的形状，使得由凸出部分形成的细微分支194和由凹入部分形成的细微分支194交替地设置。另外，相邻的细微分支194之间的区域在交替的凸出部分和凹入部分之间形成有具有中等高度Hm的平坦部分。

接下来，参照图13，根据本示例性实施例的液晶显示器与图12中示出的示例性实施例几乎相同，但是还在像素电极191和取向层11之间形成用于平坦化的绝缘层188。图7的示例性实施例的绝缘层188的特性和液晶层3的液晶分子31的排列可以应用于本示例性实施例。

在图7、图8、图9、图10、图11、图12和图13的各个示例性实施例中，像素电极191的细微分支194的凸起和凹陷与相邻的细微分支194之间的区域可以彼此互换。另外，像素电极191的横向主干193和纵向主干192的凸起和凹陷可以与细微分支194或细微分支194之间的区域相同。

可以将在图3、图4、图5和图6中示出的示例性实施例的诸如像素电极191的凸起部分和凹陷部分的宽度和高度、操作及液晶层3的盒间隙的各种特性和作用应用于在图7、图8、图9、图10、图11、图12和图13中示出的示例性实施例中。

接下来，将参照图14A、图14B和图15以及图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12和图13来描述液晶显示器的其他示例性实施例。同样，在示例性实施例中的标号表示相同的元件，因而没有重复前面的描述。

图14A是根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器中的一个像素的布局图，图14B是沿着XIVB-XIVB线截取的图14中的液晶显示器的剖视图，图15是图14A示出的所述一个像素的等效电路图。

根据本示例性实施例的液晶显示器包括彼此面对的下面板100和上面板200及置于这两个显示面板100和200之间的液晶层3。

首先，参照上面板200，共电极270形成在绝缘基底210上，上取向层21形成在共电极270上。上取向层21可以是竖直取向层。

液晶层3可以具有负的介电各向异性，液晶层的液晶分子可以取向成使得在未施加电场时其长轴相对于两个显示面板100和200的表面垂直。

接下来，将描述下面板100。

包括多条栅极线121、多条降压(step-down)栅极线123和多条存储电极线125的多个栅极导体形成在绝缘基底上。

栅极线121和降压栅极线123主要沿水平方向延伸并传输栅极信号。栅极线121包括向上凸出和向下凸出的第一栅电极124h第二栅电极124l，降压栅极线123包括向上凸出的第三栅电极124c。第一栅电极124h和第二栅124l彼此连接而形成一个凸起部分。

存储电极线125主要沿水平方向延伸并传输诸如共电压Vcom的电压。存储电极线125包括向上和向下突出的存储电极129、相对于栅极线向下竖直延伸的一对纵向部分128和使一对纵向部分128的端部彼此连接的横向部分127。横向部分127包括电容性电极126。

栅极绝缘层(未示出)形成在栅极导体121、123和125上。

可以由非晶硅或多晶硅等制成的多个半导体带形成在栅极绝缘层上。半导体带主要沿竖直方向延伸，并且包括(a)朝着第一栅电极124h和124l延伸并且彼此连接的第一半导体154h和第二半导体154l以及(b)连接到第二半导体154l的第三半导体154c。

多对欧姆接触孔(未示出)形成在半导体带上。

包括多条数据线171、多个第一漏电极175h、多个第二漏电极175l和多个第三漏电极175c的数据导体形成在欧姆接触上。

数据线171传输数据信号，并且主要沿竖直方向延伸且与栅极线121和降压栅极线123交叉。每条数据线171包括朝着第一栅电极124h和第二栅电极124l延伸并形成侧面定向的S形(sideways-orientedS-shape)的第一源电极173h和第二源电极173l。

第一漏电极175h、第二漏电极175l和第三漏电极175c包括一个宽端部和一个棒状端部。第一漏电极175h和第二漏电极175l的棒状端部的一部分被第一源电极173h和第二源电极173l局部围绕。第二漏电极175l的宽端部延伸而形成U形的第三源电极173c。第三漏电极175c的扩展部分177c与电容性电极126叠置而形成降压电容器Cstd，棒状端部被第三源电极173局部围绕。

第一栅电极124h、第一源电极173h和第一漏电极175h与半导体岛154h一起形成第一薄膜晶体管Qh，第二栅电极124l、第二源电极173l和第二漏电极175l与半导体岛154l一起形成第二薄膜晶体管Ql，第三栅电极124c、第三源电极173c和第三漏电极175c与半导体岛154c一起形成第三薄膜晶体管Qc。薄膜晶体管的沟道形成在源电极173h和漏电极175h之间的半导体154h、源电极173l和漏电极175l之间的半导体154l、源电极173c和漏电极175c之间半导体154c中。

除了源电极173h和漏电极175h之间、源电极173l和漏电极175l之间以及源电极173c和漏电极175c之间的沟道区域之外，包括半导体154h、154l和154c的半导体带具有与数据导体171、175h、175l和175c及数据导体下面的欧姆接触的表面形状基本相同的平坦的表面形状。

可以由诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘体制成的下钝化层180a形成在数据导体171、175h、175l和175c上和半导体154h、154l和154c的暴露部分上。

滤色器230可以设置在下钝化层180a上。滤色器230设置在除了设置有第一薄膜晶体管Qh、第二薄膜晶体管Ql和第三薄膜晶体管Qc的区域之外的大部分区域上。然而，滤色器230可以沿着彼此相邻的数据线171之间的空间在竖直方向上延伸。另外，滤色器230可以形成在上面板200上。

光阻挡构件220设置在没有设置滤色器230的区域上和滤色器230的一部分上。光阻挡构件220沿着栅极线121和降压栅极线123向上和向下延伸。光阻挡构件220包括第一光阻挡构件220a和第二光阻挡构件220b，第一光阻挡构件220a覆盖设置有第一薄膜晶体管Qh、第二薄膜晶体管Ql和第三薄膜晶体管Qc的区域，第二光阻挡构件220b沿着数据线171延伸。

上钝化层180b可以形成在滤色器230和光阻挡构件220上。

下钝化层180a、光阻挡构件220和上钝化层180b具有暴露第一漏电极175h的宽的部分的多个第一接触孔185h和暴露第二漏电极175l的宽的部分的多个第二接触孔185l。

包括第一子像素电极191h和第二子像素电极191l的像素电极形成在上钝化层180b上。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l采用这两个子像素电极之间的栅极线121和降压栅极线123彼此分开，并且设置在像素区域的上方和下方而沿列方向相邻。第二子像素电极191l高于第一子像素电极191l，并且其尺寸可以是第一子像素电极191h的尺寸的大约一倍至三倍。

第一子像素电极191h和第二子像素电极191l具有与图3中示出的示例性实施例的像素电极191的形状几乎相同的形状。然而，在本示例性实施例中，第一子像素电极191h还包括围绕外面部分的外主干，第二子像素电极191l还包括设置在上面部分和下面部分上的横向部分及设置在第一子像素电极191h的左、右侧上的左、右纵向部分1931b。左右纵向部分1931b可以防止数据线171和第一子像素电极191h之间的电容性耦合。

与图3的上述示例性实施例一样，第一子像素电极191h和第二子像素电极191l的横向主干、纵向主干及从横向主干和纵向主干延伸的细微分支称作液晶方向控制件。

第一子像素电极191h通过第一接触孔185h从第一漏电极175h接收数据电压，第二子像素电极191l通过第二接触孔185l从第二漏电极175l接收数据电压。被施加数据电压的第一子像素电极191h和第二子像素电极191l与共电极面板200的共电极270合作产生电场，从而确定两个电极191和270之间的液晶层3的液晶分子的方向。在不存在电场的状态下，液晶层的垂直于两个电极的表面取向的液晶分子朝着与这两个电极的表面平行的方向倾斜，并且根据液晶分子的倾斜程度和方位来改变穿过液晶层的光的亮度。

本示例性实施例的细微分支(即，液晶方向控制件)的横截面形状和液晶层的液晶分子的操作与上面描述的示例性实施例的细微分支的横截面形状和液晶层的液晶分子的操作相同，所以省略了对它们的描述。例如，沿着图14A中的V-V线截取的液晶显示器的剖视图可以与图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13的剖视图相同。然而，在图5中设置在上面板200中的滤色器230可以位于下面板100中。

第一子像素电极191h和共电极270与置于这两个电极之间的液晶层3一起形成第一液晶电容器Clch，第二子像素电极191l和共电极270与置于这两个电极之间的液晶层3一起形成第二液晶电容器Clcl，从而在第一薄膜晶体管Qh和第二薄膜晶体管Ql截止之后保持电压。

第一子像素电极191h和第二子像素电极191l与存储电极129和存储电极线125叠置，从而形成第一存储电容器Csth和第二存储电容器Cstl，第一存储电容器Csth和第二存储电容器Cstl帮助第一液晶电容器Clch和第二液晶电容器Clcl以保持被施加的电压。

电容性电极126和第三漏电极175c的扩展部分177c与它们之间的半导体层和栅极绝缘层140叠置，从而形成降压电容器Cstd。然而，可以去除设置在电容性电极126和第三漏电极175c的扩展部分177c之间的半导体层。

下取向层11形成在像素电极191上，下取向层11可以是竖直取向层。

接下来，参照图15来描述在图14A和图14B中示出的液晶显示器的电路结构和操作。

根据本发明示例性实施例的液晶显示器包括信号线和连接到信号线的像素PX，其中，信号线包括栅极线121、存储电极线125、降压栅极线123和数据线171。

像素PX包括第一子像素PXh、第二子像素PXl和降压单元Cd。

第一子像素PXh包括第一开关元件Qh、第一液晶电容器Clch和第一存储电容器Csth，第二子像素PXl包括第二开关元件Ql、第二液晶电容器Clcl和第二存储电容器Cstl。降压单元Cd包括第三开关元件Qc和降压电容器Cstd。

第一开关元件Qh和第二开关元件Ql是设置在下显示面板100上的诸如薄膜晶体管的三端子元件。第一开关元件Qh和第二开关元件Ql的控制端连接到栅极线121，输入端连接到数据线171。第一开关元件Qh的输出端连接到第一液晶电容器Clch和第一存储电容器Csth，第二开关元件Ql的输出端连接到第二液晶电容器Clcl和第二存储电容器Cstl。

第三开关元件Qc是设置在下显示面板100上的诸如薄膜晶体管的三端子元件。第三开关元件Qc的控制端连接到降压栅极线123，输入端连接到第二液晶电容器Clcl。第三开关元件Qc的输出端连接到降压电容器Cstd。

通过使(a)连接到第一开关元件Qh的第一子像素电极191h与(b)上显示面板200的共电极270叠置来形成第一液晶电容器Clch，通过使(a)连接到第二开关元件Ql的第二子像素电极191l与(b)上显示面板200的共电极270叠置来形成第二液晶电容器Clcl。通过使存储电极129和存储电极线125与第一子像素电极191h叠置来形成第一存储电容器Csth，通过使存储电极129和存储电极线125与第二子像素电极191l叠置来形成第二存储电容器Cstl。

降压电容器Cstd连接到第三开关元件Qc的输出端和存储电极线125，并且通过使设置在下显示面板100中的存储电极线125与第三开关元件Qc的输出端叠置并且在存储电极线125与第三开关元件Qc之间具有绝缘体来形成降压电容器Cstd。

现在将描述图14A、图14B和图15的液晶显示器的操作。

首先，如果向栅极线121施加栅极导通电压Von，则第一薄膜晶体管Qh和第二薄膜晶体管Ql导通。

因此，通过导通的第一开关元件Qh和第二开关元件Ql将施加到数据线121的数据电压等同地施加到第一子像素电极191h和第二子像素电极191l。通过共电极270的共电压Vcom与第一子像素电极191h和第二子像素电极191l的电压之差对第一液晶电容器Clch和第二液晶电容器Clcl充电，使得第一液晶电容器Clch的充电电压与第二液晶电容器Clcl的充电电压相同。这里，向降压栅极线123施加栅极截止电压Voff。

接下来，如果向栅极线121施加栅极截止电压Voff，并且同时向降压栅极线123施加栅极导通电压Von，则连接到栅极线121的第一开关元件Qh和第二开关元件Ql截止，并且第三开关元件Qc导通。因此，连接到第二开关元件Ql的输出端的第二子像素电极的电荷在降压电容器Cstd中流动，使得第二液晶电容器Clcl的电压降低。

在根据本示例性实施例的液晶显示器按帧反转驱动的情况下，数据线171在当前帧内可以具有相对于共电压Vcom的正数据电压，在前一帧结束之后负电荷聚集在降压电容器Cstd中。在当前帧内，如果第三开关元件Qc导通，则第二子像素电极191l的正电荷通过第三开关元件Qc在降压电容器Cstd中流动，使得正电荷聚集在降压电容器Cstd中，并且第二液晶电容器Clcl的电压降低。在下一帧内，第三开关元件Qc在负电荷被充在第二子像素电极191l中的状态下导通，从而第二子像素电极191l的负电荷在降压电容器Cstd中流动，使得负电荷聚集在降压电容器Cstd中，并且第二液晶电容器Clcl的电压降低。

如上所述，根据本示例性实施例，第二液晶电容器Clcl的充电电压总是低于第一液晶电容器Clch的充电电压，而与数据电压的极性无关。因此，第一液晶电容器Clch和第二液晶电容器Clcl的充电电压是不同的，从而可以改善液晶显示器的侧视性(lateralview)。

与本示例性实施例不同的是，可以通过不同的数据线或者在不同的时间向第一子像素电极191h的第一开关元件Qh和第二子像素电极191l的第二开关元件Ql施加由一个图像信息信号获得的不同的数据电压。另外，可以通过开关元件仅仅向第一子像素电极191h施加数据电压，第二子像素电极191l可以电容性地连接到第一子像素电极191h，从而接收相对低的电压。在若干示例性实施例的情况下，可以省略第三开关元件Qc和降压电容器Cstd。

接下来，参照图16、图17、图18、图19和图20描述在图1和图2中示出的液晶显示器的另一示例性实施例。在示例性实施例中相同的标号表示相同的元件，下面没有重复前面的描述。

图16是根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器中的一个像素的布局图，图17是沿着XVII-XVII线截取的图16中的液晶显示器的剖视图。图18是沿着XVIII-XVIII线截取的图16中的液晶显示器的剖视图，图19是沿着XVIII-XVIII线截取的图16中的液晶显示器的剖视图，示出了向液晶层施加电场时液晶分子的排列变化。图20是沿着XVIII-XVIII线截取的图16中的液晶显示器的示例性剖视图。

根据本发明示例性实施例的液晶显示器也包括彼此面对的下显示面板100和上显示面板200及置于上下显示面板之间的液晶层3。

首先，参照下面板100，包括栅电极124的多条栅极线121形成在绝缘基底110上，栅极绝缘层140形成在多条栅极线121上。多个半导体岛154形成在栅极绝缘层140上，多对欧姆接触岛163和165形成在多个半导体岛154上。包括源电极173的多条数据线171和多个漏电极175形成在欧姆接触163和165及栅极绝缘层140上。漏电极175包括被源电极173包围的棒状端部和具有用来与其他层连接的宽区域的扩展部177。具有多个暴露漏电极175的扩展部177的接触孔185的钝化层180形成在数据线171、漏电极175、源电极173和暴露的半导体154上。

栅电极124、源电极173、漏电极175和半导体154形成薄膜晶体管Q。

同时，与前面示例性实施例不同，多个凹入部分可以形成在钝化层180的上表面上。

多个像素电极191形成在钝化层180上。像素电极191的整体形状为四边形，并且包括多个切口91、92、93、94和多个液晶方向控制件81、82、83、84。切口91、92、93、94和液晶方向控制件81、82、83、84相对于将像素电极191基本等分为两部分的虚拟横向中心线(未示出)基本对称。

切口91、92、93和94是一种液晶方向控制件。切口91形成在像素电极191的左边缘的中心部分处。切口92具有一个横向部分和一对倾斜部分。这对倾斜部分相对于栅极线121形成大约45°的角并且相互垂直。

切口93和切口94相对于横向中心线设置在像素电极191的上部和下部上，并且平行于切口92的倾斜部分。

形成切口92、93和94的边缘可以包括具有三角形形状的凹口(notch)90。不同于图16，凹口90可以形成为凹入的，可以具有不同于三角形形状的形状，并且可以具有将切口92和93切开的形状。

参照图18，切口91、92、93和94的宽度We可以为6μm至14μm。液晶方向控制件81设置在像素电极191的切口91和切口92之间，并且包括基本平行于切口91和92延伸的一对倾斜部分及一对纵向部分。纵向部分从倾斜部分开始沿着像素电极191的边缘延伸，并且与倾斜部分形成钝角。

液晶方向控制件82设置在像素电极191的切口92与切口93和94之间，并且包括基本平行于切口92的倾斜部分以及切口93和94延伸的一对倾斜部分、连接这对倾斜部分的纵向部分和一对横向部分。横向部分从倾斜部分的相应的端部开始沿着像素电极191的上、下横向边缘延伸，并且与倾斜部分形成钝角。

液晶方向控制件83和液晶方向控制件84分别相对于像素电极191的虚拟横向中心线设置在上侧和下侧，并且分别包括沿着像素电极191的横向边缘和纵向边缘延伸的横向部分和纵向部分。

根据本示例性实施例的液晶方向控制件81和82的每个倾斜部分被多个间隙80a和80b分成多个小的部分。间隙80a和间隙80b跨过液晶方向控制件81和82的倾斜部分切割，从而将这些倾斜部分分为若干部分。间隙80a和间隙80b沿着倾斜部分以均匀的间隔交替地设置，这两个间隙80a和80b的延伸方向或长度方向可以互不相同。例如，间隙80a的延伸方向可以基本垂直于栅极线121的延伸方向，间隙80b的延伸方向可以基本平行于栅极线121的延伸方向。然而，延伸方向不限于此，液晶方向控制件81和82的倾斜方向可以由沿至少两个不同的方向延伸的至少两个间隙划分。

液晶方向控制件81的间隙80a和80b的数量可以比形成在切口92、93和94中的凹口90的数量多。

另外，液晶方向控制件81和82的倾斜部分可以包括凹口(例如，切口92和93的凹口90)，而不是包括多个间隙80a和80b。也就是说，液晶方向控制件81和82可以不是被间隙80a和80b划分，而是可以包括可以具有以凹入形状或凸出形状形成的三角形形状的凹口90。

参照图16和图18，像素电极191的液晶方向控制件81、82、83和84可以沿着钝化层180的凹入部分是凹入的。在液晶方向控制件81、82、83和84的横截面结构中，由基底110的表面与侧表面形成的角度β可以为10°至100°。另外，液晶方向控制件81、82、83和84的宽度Wg可以为2μm至6μm，切口91、92、93、94和液晶方向控制件81、82、83、84之间的距离Wf可以为17μm至27μm。如图16所示，包括在液晶方向控制件81和82中的间隙80a和80b的宽度可以为2μm至6μm。

另一方面，像素电极191的液晶方向控制件81、82、83和84的深度可以为0.1μm至0.6μm。

像素电极191被切口91、92、93、94和液晶方向控制件81、82、83、84分成多个子区域。这里，子区域的数量可以根据设计因素而改变，设计因素例如为可以改变的像素电极191的尺寸、像素电极191的水平侧与竖直侧的长度比、液晶层3的特性的类型及切口91、92、93、94和液晶方向控制件81、82、83、84的倾斜方向。

此外，取向层11可以形成在像素电极191上。

接下来，参照上面板200，光阻挡构件和滤色器可以形成在绝缘基底210上，保护件可以形成在光阻挡构件和滤色器上。面向像素电极191的对向电极270在保护件上形成在绝缘基底210的整个表面上，取向层可以涂覆在对向电极270上。

下面板100和上面板200之间的液晶层3可以包括具有负的介电各向异性的液晶分子31。液晶分子31可以被定位成使得在未施加电场时液晶分子31的主轴几乎垂直于两个显示面板100和200的表面。然而，位于像素电极191的液晶方向控制件81、82、83和84附近的液晶分子31根据凹入的液晶方向控制件81、82、83和84的边缘的倾斜而会朝着液晶方向控制件81、82、83和84的内部倾斜。

另外，液晶分子31可以沿着与像素电极191的切口91、92、93、94和液晶方向控制件81、82、83、84的延伸方向基本垂直的方向以预倾斜而初始取向。在这种情况下，液晶层3还可以包括确定液晶分子31的预倾斜的聚合物。对于液晶分子31的预倾斜，可以使用图3、图4、图5和图6的上述示例性实施例的形成液晶分子31的预倾斜的方法。

接下来，参照图19以及图16、图17和图18来描述根据图16、图17和图18中示出的示例性实施例的液晶显示器的操作。

被施加有数据电压的像素电极191和被施加有预定电压的对向电极270对液晶层3产生与显示面板100和200的表面垂直的电场。像素电极191的切口91、92、93和94与液晶方向控制件81、82、83和84使电场变形，从而建立电场的水平分量(相对于显示面板100和200)，并确定液晶分子31的倾斜方向。电场的水平分量近似垂直于切口91、92、93、94的延伸方向和液晶方向控制件81、82、83、84。液晶分子31的长轴趋于定位成与电场的方向垂直，使得液晶分子31的倾斜方向是沿着四个方向。因此，具有一致的倾斜方向的液晶分子31的四个畴形成在图16示出的示例性实施例中。液晶方向控制件81、82、83和84附近的液晶分子31由于在液晶方向控制件81、82、83和84附近的预倾斜而沿着预倾斜的方向倾斜，即，液晶分子31定位成朝着液晶方向控制件81、82、83和84的凸出方向定位。切口91、92、93和94附近的液晶分子31由于切口91、92、93和94产生的电场的变形分量而相对于相邻的切口91、92、93和94向外倾斜，即，液晶分子31定位成远离切口91、92、93和94。

具体地讲，形成在液晶方向控制件81、82、83和84中的间隙80a和80b可以控制可由液晶方向控制件81、82、83和84附近的弱边缘场产生的不稳定的纹理(texture)，从而可以进一步提高透射率。

形成液晶电容器Clc的像素电极191和对向电极270在开关元件Q截止后保持施加电压。

以水平周期1H为单位，将栅极信号顺序地施加到所有的栅极线121，将数据电压施加到所有的像素电极191，从而显示一个帧的图像。

虽然不是在图18和图19的示例性实施例中示出而是在图17的示例性实施例示出，但是还可以包括滤色器230、保护件250及取向层11和21。

如上所述，根据本示例性实施例，交替地设置在像素电极191上的切口91、92、93、94和液晶方向控制件81、82、83、84可以改变液晶层3的液晶分子31的倾斜方向，从而可以增大液晶显示器的基准视角。另外，可以增强液晶方向控制件81、82、83和84附近的电场的垂直分量，从而可以改善液晶分子31的响应速度，并且可以提高液晶显示器的透射率。

参照图20，在图16的液晶显示器中，液晶方向控制件81、82、83、84和位于液晶方向控制件下面的钝化层可以不是凹入的，而可以是凸出的。在这种情况下，液晶分子31在液晶方向控制件81、82、83和84的倾斜方向可以与前面的示例性实施例相反。

另外，在图16、图17、图18、图19和图20中示出的示例性实施例中，还可以在像素电极191和取向层11之间形成用于平坦化和平面化的绝缘层(未示出)，图7的示例性实施例的绝缘层188的特性和作用可以应用于本示例性实施例的用于平坦化的绝缘层。

根据本发明的示例性实施例，液晶层的液晶分子根据像素电极的液晶方向控制件的凸起和凹陷的形状而倾斜，从而可以改善液晶分子的响应速度并可以提高液晶显示器的透射率。另外，液晶层的液晶分子的倾斜方向改变，从而可以增大视角。

另外，通过如在如上所述的示例性实施例中一样设置像素电极的包括凸起和凹陷的液晶方向控制件的宽度或者设置凹入部分和凸出部分之间的高度差，可以进一步改善液晶层的液晶分子的响应速度，并且可以提高透射率。

本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以在本发明中做出各种修改和改变。因此，本发明意图覆盖本发明的修改和改变，只要这些修改和改变落入权利要求书及其等同物的范围内即可。

Claims (10)

1.一种液晶显示器，所述液晶显示器包括：

第一基底和第二基底，彼此面对；

开关元件，设置在第一基底上；

像素电极，连接到开关元件；

对向电极，设置在第二基底上；

液晶层，设置在第一基底和第二基底之间并且包括液晶分子，

其中，像素电极包括相对于第一基底的表面向下凹入或向上凸出的多个分支和具有不同长度方向的分支的多个子区域，

像素电极包括向下凹入的凹入部分、向上凸出的凸出部分和去除了像素电极的缝隙，所述凹入部分和所述凸出部分交替地布置，

每个缝隙设置在子区域中的仅相邻的凸出部分之间或仅相邻的凹入部分之间，

分支与所述凹入部分或所述凸出部分对应，两个凹入部分和置于所述两个凹入部分之间的一个凸出部分在子区域中相邻地布置并沿相同的方向延伸，或者，两个凸出部分和置于所述两个凸出部分之间的一个凹入部分在子区域中相邻地布置并沿相同的方向延伸，

分支的宽度和分支之间的区域的宽度中的至少一个在2μm至6μm的范围。

2.如权利要求1所述的液晶显示器，其中，分支以及分支之间的所述区域之间的台阶差小于液晶层的盒间隙的20％。

3.如权利要求1所述的液晶显示器，其中，分支以及分支之间的所述区域之间的台阶差在0.1μm至0.6μm的范围。

4.如权利要求1所述的液晶显示器，其中，由分支的侧表面与第一基底的表面形成的角度在10°至100°的范围。

5.如权利要求1所述的液晶显示器，所述液晶显示器还包括设置在像素电极上以使像素电极平面化的平面化层。

6.如权利要求1所述的液晶显示器，其中，当相邻的分支与所述凸出部分对应时，所述相邻的分支之间的区域与所述凹入部分对应；当相邻的分支与所述凹入部分对应时，所述相邻的分支之间的区域与所述凸出部分对应。

7.如权利要求1所述的液晶显示器，其中，对向电极包括单块板。

8.如权利要求7所述的液晶显示器，其中，对向电极的表面是基本平坦的。

9.如权利要求1所述的液晶显示器，其中，液晶层是相对于第一基底和第二基底的表面的竖直取向模式。

10.如权利要求1所述的液晶显示器，其中，液晶分子沿分支的长度方向以预倾斜而取向。