CN102226831A

CN102226831A - 芯片测试方法及锂电池保护芯片的测试电路

Info

Publication number: CN102226831A
Application number: CN2011100735837A
Authority: CN
Inventors: 王洋
Original assignee: Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd
Current assignee: Tongfu Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2011-03-25
Filing date: 2011-03-25
Publication date: 2011-10-26
Anticipated expiration: 2031-03-25
Also published as: CN102226831B

Abstract

一种芯片测试方法及锂电池保护芯片的测试电路，所述芯片具有地管脚，所述芯片包括第一芯片单元和第二芯片单元，所述第一芯片单元与所述地管脚连接，所述第二芯片单元不与所述地管脚连接，所述芯片测试方法包括如下步骤：先使所述地管脚悬空；再采用共地源测试装置对所述第二芯片单元进行测试。所述芯片测试方法可以采用共地源测试装置对第二芯片单元进行测试，降低了芯片测试的成本且简单易于实现。所述锂电池保护芯片的测试电路简单且易于实现，减小了测试成本。

Description

芯片测试方法及锂电池保护芯片的测试电路

技术领域

本发明涉及芯片测试领域，特别涉及一种芯片测试方法及锂电池保护芯片的测试电路。

背景技术

随着集成电路产业的发展，对集成电路进行测试也显得越来越重要。就目前而言集成电路的测试一般采用专用测试仪器和通用测试仪器。由于专用测试仪器的局限性、非标准性及专用测仪器的开发周期过长等问题使得专用测试仪器的使用受到了较大的限制。而通用测试仪器(ATE：Automatic test equipment)则以它的通用性、标准性、便捷性以及开放性迅速成为了集成电路测试行业的主流。

在低成本的ATE中，无论是进口还是国产的，如LTX-CREDENCE的ASL1000及ACCOTEST的STS8107测试机，其DC测试装置，一般而言主要就是电压/电流(V/I)源，大部分都工作在共地模式。所谓共地模式是指测试源或被测芯片其电压参考电位是相对于大地的，电路的回流点也是大地。对于大部分的单个芯片而言，由于其电压参考电位均相对于大地而言，因此采用共地源测试装置就可以对其进行测试，且采用共地源测试装置进行测试，测试成本低。

然而，目前的集成电路(IC)大部分都不会仅由一个芯片封装而成，例如：对于“两芯合一”的锂电池保护IC而言，其内部除了包含充放电控制芯片外，还包括了将2个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)集成在一个芯片，此时如果仍然采用共地源测试装置对IC内部的MOSFET芯片进行测试的话，会导致无法测试MOSFET芯片的某些参数，如：源漏极击穿电压、漏极饱和电流等。若采用浮地源测试装置测试的话，又会导致测试成本的增加。而对于其他的“两芯合一”的芯片而言，当封装在其内的芯片所在回路的参考电位不为地时，即其所在的电路为浮地电路时，无法直接使用共地源测试装置来测试所述芯片的相关参数。

公开号为101750580A的中国专利申请公开了一种集成电路中功能模块芯片的测试方法，但是对于上述问题并未涉及。

发明内容

本发明解决的是现有技术中芯片电路为浮地电路时，无法用共地源测试装置对所述芯片进行测试的问题。

为解决上述问题，本发明提供一种芯片测试方法，所述芯片管脚包括地管脚，所述芯片包括第一芯片单元和第二芯片单元，所述第一芯片单元与所述地管脚连接，所述第二芯片单元不与所述地管脚连接，所述芯片测试方法包括如下步骤：

先使所述地管脚悬空；

再采用共地源测试装置对所述第二芯片单元进行测试。

可选的，所述采用共地源测试装置对所述第二芯片单元进行测试包括根据所述第二芯片单元的待测参数来设置相应的芯片管脚的电位。

可选的，所述芯片为锂电池保护芯片，所述芯片管脚还包括电源管脚、检测电流/电压输入管脚、公共漏极管脚和电源负极/负载输入管脚，

所述第一芯片单元包括充放电控制芯片，所述第二芯片单元包括MOS管，

其中，所述充放电控制芯片与所述电源管脚、地管脚、检测电流/电压输入管脚相连，所述充放电控制芯片包括充电开关控制端；所述MOS管的栅极与所述充放电控制芯片的充电开关控制端连接，漏极与公共漏极管脚连接，源极与电源负极/负载输入管脚连接。

可选的，采用共地源测试装置对所述MOS管进行测试包括：采用共地源测试装置测试所述MOS管的源漏极击穿电压或漏极饱和电流。

可选的，所述采用共地源测试装置测试所述MOS管的源漏极击穿电压包括：将所述锂电池保护芯片的电源管脚、检测电流/电压输入管脚及地管脚相连并将所述电源管脚悬空或置零，将电源负极/负载输入管脚接地，通过共地源测试装置向公共漏极管脚提供电流以测试所述MOS管的源漏极击穿电压。

可选的，所述采用共地源测试装置测试所述MOS管的漏极饱和电流包括：将所述锂电池保护芯片的电源管脚、检测电流/电压输入管脚及地管脚相连并将所述电源管脚悬空或置零，将电源负极/负载输入管脚接地，通过共地源测试装置向公共漏极管脚提供电压以测试所述MOS管的漏极饱和电流。

与现有技术相比，上述芯片测试方法具有以下优点：

通过先将芯片的地管脚悬空使得共地的第一芯片单元停止工作，在很大程度上降低了测试过程中第一芯片单元对第二芯片单元的影响，然后可以采用共地源测试装置对浮地的第二芯片单元进行测试，无需在现有通用测试仪器的基础上增加浮地源测试装置，降低了芯片测试的成本。

在芯片的地管脚悬空的前提下，采用共地源测试装置对第二芯片单元进行测试时，仅需设置所述芯片的相应管脚的电位来完成对第二芯片单元参数的测试，方法简单，容易实现。

为解决上述问题，本发明还提供一种锂电池保护芯片的测试电路，所述锂电池保护芯片的管脚包括电源管脚、地管脚、检测电流/电压输入管脚、电源负极/负载输入管脚、公共漏极管脚，所述测试电路包括第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第一共地源测试装置，其中，

所述地管脚通过第一开关单元与大地连接，通过第三开关单元与所述电源管脚连接，以及通过第三开关单元、第四开关单元与所述检测电流/电压输入管脚连接；

所述电源管脚悬空；

所述电源负极/负载输入管脚通过第二开关单元与大地连接；

所述公共漏极管脚与第一共地源测试装置连接。

可选的，所述第一共地源测试装置适于向公共漏极管脚提供电流或电压。

为解决上述问题，本发明还提供一种锂电池保护芯片的测试电路，所述锂电池保护芯片的管脚包括电源管脚、地管脚、检测电流/电压输入管脚、电源负极/负载输入管脚、公共漏极管脚，所述测试电路包括第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第一共地源测试装置和第二共地源测试装置，其中，

所述电源管脚与所述第二共地源测试装置连接，所述第二共地源测试装置适于向所述电源管脚提供0V电压；

所述电源负极/负载输入管脚通过第二开关单元与大地连接；

所述公共漏极管脚与第一共地源测试装置连接。

与现有技术相比，上述锂电池保护芯片的测试电路具有以下优点：

可以先通过第一开关单元将锂电池保护芯片的地管脚与大地断开连接以使共地的充放电控制芯片及放电开关停止工作，由此减小了在对浮地的充电开关测试时，充放电控制芯片及放电开关对充电开关的影响，通过使锂电池电源管脚悬空或置零，以及采用第一共地源测试装置向锂电池保护芯片的公共漏极管脚提供电流或电压来实现对充电开关的参数测试，减小了测试成本，且测试电路简单易于实现。

附图说明

图1是锂电池保护芯片的原理图；

图2是本发明实施方式的芯片测试方法流程图；

图3是本发明实施例一的锂电池保护芯片的测试电路图；

图4是本发明实施例一的锂电池保护芯片的测试流程图；

图5是本发明实施例二的“二芯合一”的芯片测试电路图。

具体实施方式

目前ATE正以它的通用性、标准性、便捷性以及开放性逐渐成为集成电路测试行业的主流。一般而言，ATE的DC测试装置大都工作在共地模式，即为共地源测试装置。因此，当遇到待测芯片所在回路为浮地电路时，就无法直接采用共地源测试装置对所述待测芯片的相关参数进行测试，而且如果采用浮地源测试装置对所述待测芯片进行测试的话，又会导致整个测试成本的增加。

随着集成电路产业的迅猛发展，越来越多的IC不再是仅仅由单个芯片封装而成，一般都由两个甚至更多个芯片封装而成。举例来说：目前对于锂电池保护芯片而言，出现了将2个芯片封装在一起的方案，即“二芯合一”，将充放电控制芯片和开关管芯片叠加封装，以提高集成度，缩小封装尺寸及整个锂电池保护芯片的面积。

图1为锂电池保护芯片的原理图，如图1所示，所述锂电池保护芯片的管脚包括：电源管脚VCC、地管脚GND、检测电流/电压输入管脚CS、公共漏极管脚D12和电源负极/负载输入管脚BATT-。

所述锂电池保护芯片包括充放电控制芯片1、放电开关M1和充电开关M2，放电开关M1和充电开关M2为晶体管，可以集成在同一芯片中，也可以分别为一芯片。

所述充放电控制芯片1包括：过充电检测单元10、过放电检测单元11、震荡控制电路12、短路检测单元13、过电流检测单元14、充电状态检测单元15、第一控制逻辑单元16、第二控制逻辑单元17、放电开关控制端OD、充电开关控制端OC、电源输入端(图中未标记)、接地端(图中未标记)，所述电源输入端与所述电源管脚VCC连接，所述接地端与所述地管脚GND连接。

所述放电开关M1的栅极与所述放电开关控制端OD连接，漏极与所述公共漏极管脚D12连接、源极与所述地管脚GND连接。

所述充电开关M2的栅极与所述充电开关控制端OC连接，漏极与所述公共漏极管脚D12连接、源极与所述电源负极/负载输入管脚BATT-连接。

所述充放电控制芯片1负责监测电池电压与回路电流，并控制放电开关M1和充电开关M2的栅极，放电开关M1、充电开关M2分别控制着放电回路与充电回路的导通与关断，以下简要介绍锂电池保护芯片的工作原理：

正常状态下第二控制逻辑单元17的输出端，即放电开关控制端OD与充电开关控制端OC的输出电压均为高电平，放电开关M1和充电开关M2均处于导通状态，电池可以自由地进行充电和放电。

电池充电过程中，当充放电控制芯片1检测到电池电压达到某一特定值时(该值由充放电控制芯片1决定，不同的充放电控制芯片有不同的值)，第二控制逻辑单元17的充电开关控制端OC输出的电压会由高电平转变为低电平，使得充电开关M2由导通转为关断，从而切断充电回路，使得充电器无法再对电池进行充电，起到过充电保护作用。

电池放电过程中，当充放电控制芯片1检测到电池电压低于某一特定值时时(该值由充放电控制芯片1决定，不同的充放电控制芯片有不同的值)，第二控制逻辑单元17的放电开关控制端OD输出的电压会由高电平转变为低电平，使得放电开关M1由导通转为关断，从而切断放电回路，使得电池无法再对负载进行放电，起到过放电保护作用。

其他有关锂电池保护芯片的过电流保护及短路保护的工作原理，请参见锂电池保护芯片的数据手册，此处不再赘述。

发明人发现，对于上述的锂电池保护芯片而言，其充放电控制芯片1及放电开关M1所在的回路均和地管脚GND相连(与大地相连)，即所在回路为共地电路，因此对充放电控制芯片1及放电开关M1的相关参数进行测试时，可以采用ATE中的共地源测试装置进行相应的测试。但是对于充电开关M2而言，由于其所在回路并未和地管脚GND相连，即所在回路为浮地电路，如果要对其的相关参数进行测试，需要采用浮地源测试装置对其进行测试，然而对于大部分的ATE来讲，其内部所带的DC测试装置均为共地源测试装置，此时若采用浮地源测试装置进行测试会导致测试成本的增加。

于是，发明人考虑，是否可以在不增加测试成本的情况下，采用简单的测试方法和测试电路来测试待测芯片的相关参数。因此，发明人提出，在对待测芯片进行测试时，应尽量减小未被测试的芯片对待测芯片的影响，并使用共地源测试装置来对待测芯片的相关参数进行测试。

请参见图2，图2为本发明实施方式的芯片测试方法流程图，所述芯片管脚包括地管脚，所述芯片包括第一芯片单元和第二芯片单元，所述第一芯片单元与所述地管脚连接，所述第二芯片单元不与所述地管脚连接，所述芯片测试方法包括如下步骤：

S101：先使所述地管脚悬空。

S102：再采用共地源测试装置对所述第二芯片单元进行测试。

实施例一

为了能够更好的说明本发明的技术方案，现结合图1所示锂电池保护芯片的原理图及图3所示的锂电池保护芯片的测试电路图对本发明实施方式的芯片测试方法进行详细的说明。也即在本实施例中，所述芯片为锂电池保护芯片，所述第一芯片单元包括充放电控制芯片1和放电开关M1，所述第二芯片单元包括充电开关M2。而在其他实施例中所述第一芯片单元可以包括多个与地管脚相连的芯片，也即所述第一芯片单元所在的电路为共地电路；所述第二芯片单元可以包括多个与地管脚不相连的芯片，也即所述第二芯片单元所在的电路为浮地电路。

本实施例中以对充电开关M2的源漏极击穿电压(BVDSS)或漏极饱和电流(IDSS)参数的测试为例对本发明实施方式的芯片测试方法进行详细的说明。

请参见图3，图3为本发明实施例的锂电池保护芯片的测试电路图，如图3所示，所述锂电池保护芯片2的管脚包括：电源管脚VCC、地管脚GND、检测电流/电压输入管脚CS、电源负极/负载输入管脚BATT-、公共漏极管脚D12。

结合图2和图3，执行S101：先使所述地管脚GND悬空。

本实施例中所述地管脚GND通过第一开关单元10与大地连接，具体地，所述第一开关单元10包括双刀双掷的继电器K1_1和K1_2，其中，继电器K1_1的第一端与地管脚GND相连，第二端悬空，第三端与共地源测试装置的地端GND_S相连；继电器K1_2的第一端与地管脚GND相连，第二端悬空，第三端与共地源测试装置的地端GND_F相连。继电器K1_1的第三端和K1_2的第三端分别与共地源测试装置的地端GND_S和GND_F连接以确保测试大电流参数的准确性，其中F代表FORCE(施加)，S代表SENSE(检测)。本实施例中采用此连接方式一方面可以用于本实施例中充电开关M2的参数测试，另一方面上述连接方式还可以用于其它大电流参数的测试，如：导通电阻RDSON。在其他实施例中所述第一开关单元10也可以包括两个单刀单掷的继电器，且所述两个单刀单掷的继电器分别连接共地源测试装置的地端GND_S及GND_F。

通常情况下继电器K1_1和K1_2的第一端和第三端相连，处于将所述地管脚GND与地端GND_S和GND_F连通的状态，也即接地状态，本实施例中为了对充电开关M2的BVDSS或IDSS进行测试，首先需要使所述地管脚GND悬空，即将双刀双掷的继电器K1_1和K1_2的第一端和第二端相连，使得地管脚GND悬空。

由图1可知，本实施例中第一芯片单元包括充放电控制芯片1及放电开关M1，二者均与地管脚GND相连，为了减小在对充电开关M2的BVDSS或IDSS进行测试时，充放电控制芯片1及放电开关M1对其的影响，采用将双刀双掷的继电器K1_1和K1_2的第一端和第二端相连以悬空地管脚GND可以使得充放电控制芯片1和放电开关M1停止工作。而且，由图1中也可以获知，在充放电控制芯片1及放电开关M1工作时，要想对充电开关M2的相关参数进行测试，只能通过浮地源测试装置进行测试，这是因为若想通过共地源测试装置来测试充电开关M2的BVDSS，会在V_GS＝0的前提下向公共漏极管脚D12灌电流来测试M2的BVDSS，由于放电开关M1也接地，因此无法获知究竟是测试放电开关M1还是充电开关M2的BVDSS，故通常情况下只能采用浮地源测试装置来测试充电开关M2的BVDSS，导致测试成本高。

继续结合图2和图3，执行S102：再采用共地源测试装置对所述第二芯片单元进行测试。

对MOSFET管的BVDSS进行测试，就是在V_GS＝0、I_D为一定值的情况下，测试源漏两端的电压。而对于MOSFET管的IDSS进行测试，则是在V_GS＝0、源漏极之间施加一定的电压值的情况下来测试IDSS。由锂电池保护芯片的数据手册可知I_D＝250μA，源漏极之间施加的电压值为16V。

本实施例中，为了使得充电开关M2的V_GS＝0，将所述地管脚GND通过第三开关单元30与所述电源管脚VCC连接，通过第三开关单元30、第四开关单元40与所述检测电流/电压输入管脚CS连接并将所述电源管脚VCC悬空，使得所述地管脚GND、电源管脚VCC及检测电流/电压输入管脚CS的电位相同。具体地，所述第三开关单元30、第四开关单元40可以分别为单刀单掷的继电器K3、K4。所述地管脚GND通过继电器K3与所述电源管脚VCC连接，通过继电器K3和K4与所述检测电流/电压输入管脚CS连接且所述电源管脚VCC悬空。需要说明的是，图3中，电源管脚VCC还通过电容C1与地连接，主要用于滤除电源中的噪声，因而并不影响电源管脚VCC的悬空状态。

通常情况下继电器K3、K4处于开启状态，测试充电开关M2的过程中，闭合继电器K3、K4，由于继电器K3、K4闭合且电源管脚VCC悬空，故地管脚GND、电源管脚VCC和检测电流/电压输入管脚CS的电位被拉平，进而使得V_GS＝0。

请参见图1，由图1可知充电开关M2的源极与所述电源负极/负载输入管脚BATT-连接，本实施例中为了能够采用共地源测试装置对所述充电开关M2的BVDSS或IDSS进行测试，故将所述电源负极/负载输入管脚BATT-通过第二开关单元20与大地连接。

具体地，所述第二开关单元20包括单刀单掷的继电器K2_1和K2_2，所述电源负极/负载输入管脚BATT-通过继电器K2_1和K2_2分别与共地源测试装置的地端GND_S和GND_F连接。通常情况下，继电器K2_1和K2_2处于开启状态，也即断开所述电源负极/负载输入管脚BATT-与地之间的连接，测试充电开关M2的过程中，闭合继电器K2_1和K2_2以使得电源负极/负载输入管脚BATT-与地连接。

此外，在测试过程中所述电源负极/负载输入管脚BATT-还需通过电阻R1(通常阻值为1KΩ)及双刀双掷的继电器K5与检测电流/电压输入管脚CS相连，且继电器K5处于闭合状态即使得电源负极/负载输入管脚BATT-与检测电流/电压输入管脚CS之间连通(可参见锂电池保护芯片的数据手册)。

本实施例中，通过将所述公共漏极管脚D12与第一共地源测试装置101连接，即通过第一共地源测试装置101向公共漏极管脚D12提供电流I_D。所述第一共地源测试装置101可以为多路电流电压源，本实施例中为二路电压电流源DVI(DVI，dual chunnel V/I source)，实际测试过程中通过DVI的第一路通道DVI1向公共漏极管脚D12提供250μA的电流以测试充电开关M2的BVDSS。

也即在实际测试过程中，将继电器K1_1和K1_2的第一端和第二端相连，使得所述地管脚GND悬空，闭合继电器K2_1、K2_2、K3、K4，通过第一共地源测试装置DVI1提供250μA的电流即可测试测试充电开关M2的BVDSS。

需要说明的是，在其他实施例中，所述电源管脚VCC也可以与第二共地测试源装置102连接(参见图3所示的虚线部分)以向电源管脚VCC提供0V电压。所述第二共地源测试装置102可以为多路电压电流源，如为八路电压电流源OVI(OVI，octad chunnel V/I source)，实际测试过程中可以将电源管脚VCC和OVI的第零路通道OVI0连接，具体地，所述电源管脚VCC与第二共地源测试装置OVI的OVI0_S连接，所述OVI0_S通过电阻R2和OVI的OVI0_F连接。此处，在电源管脚VCC与OVI0_F之间串接电阻R2用于保护锂电池保护芯片。因此，通过闭合继电器K3、K4且通过第二共地源测试装置102的OVI0_S和OVI0_F向电源管脚VCC提供0V电压，以使得地管脚GND、电源管脚VCC和检测电流/电压输入管脚CS的电压均为0V，进而使得V_GS＝0。

同样地，还可以结合图3中所示的锂电池保护芯片的测试电路图和图2中的芯片测试方法来测试充电开关M2的IDSS。即可以通过将继电器K1_1和K1_2的第一端和第二端相连使得地管脚悬空，闭合继电器K2_1、K2_2、K3、K4、将电源管脚VCC悬空，且通过第一共地源测试装置DVI1与所述公共漏极管脚D12连接以提供16V的电压来测试充电开关M2的IDSS。或者，也可以通过将继电器K1_1和K1_2的第一端和第二端相连使得地管脚悬空，闭合继电器K2_1、K2_2、K3、K4，且通过第二共地源测试装置OVI的OVI0_S、OVI_F给电源管脚VCC提供0V电压，并通过第一共地源测试装置DVI1与所述公共漏极管脚D12连接以提供16V的电压来测试充电开关M2的IDSS。

至此，通过图3所示的锂电池保护芯片的测试电路图及图2所示的芯片测试方法即可以对上述的充电开关M2的BVDSS和IDSS进行测试，节约了测试成本，且上述测试电路简单，易于实现。

请参见图4，图4为本实施例的锂电池保护芯片的测试流程图，以下结合图3和图4对本实施例充电开关M2的BVDSS和IDSS的实际测试过程进行简要说明。所述测试过程包括如下步骤：

S11：将地管脚GND悬空，将地管脚GND与电源管脚VCC及检测电流/电压输入管脚CS相连接，将电源负极/负载输入管脚BATT-接地。

具体地，先将继电器K1_1和K1_2的第一端和第二端相连使得地管脚悬空，闭合继电器K2_1、K2_2使得电源负极/负载输入管脚BATT-接地，闭合继电器K3和K4，使得地管脚GND、电源管脚VCC和检测电流/电压输入管脚CS的电位相同进而使得V_GS＝0。

S12：使得充电开关M2的I_D为250μA，测试充电开关M2的BVDSS。

具体地，利用第一共地源测试装置DVI1给公共漏极管脚D12灌250μA的电流以测试充电开关M2的BVDSS。

S13：如果测试结果判断为FAIL，停止测试。

本实施例中，对于锂电池保护芯片而言其充电开关M2的最小BVDSS为22.2V，若经过测试获得的BVDSS小于22.2V，则停止测试。

S14：将第一共地源测试装置DVI1复位至0V，预备切换量程。

一般来讲，将共地源测试装置复位到0V时，其输出的电流和电压都为0V，但是由于上述测试过程中是通过第一共地源测试装置的DVI1提供恒定的电流，故第一共地源测试装置DVI1仍处于恒流测试模式，因此，应对第一共地源测试装置DVI1的量程进行切换使其处于恒压测试模式。

S15：使得充电开关M2的V_DS＝16V，测试充电开关M2的IDSS。

具体地，利用第一共地源测试装置DVI1给公共漏极管脚D12和充电开关M2的源极之间提供16V电压以测试充电开关M2的IDSS。

S16：如果测试结果判断为FAIL，停止测试。

本实施例中，对于锂电池保护芯片而言其充电开关M2的最大IDSS为0.9μA，若经过测试获得的IDSS大于0.9μA，则停止测试。

S17：将第一共地源测试装置DVI1复位至0V，预备切换量程。

S18：将继电器K1_1、K1_2的第一端和第三端相连使锂电池保护芯片地管脚GND电位复位。

需要说明的是，本发明提供的芯片测试方法不仅仅局限于上述的锂电池保护芯片中充电开关M2的测试，对于与锂电池保护芯片类似的其他的“二芯合一”的芯片的测试，均可以采用本发明的测试方法，且针对具体的芯片采用共地源测试装置对与地管脚不相连的待测芯片的相关参数进行测试时，应根据被测参数来改变所述芯片的相应管脚的电位。

此外，本实施例中若需要对充放电控制芯片1及放电开关M1进行测试，则需要将继电器K11和K12的第一端和第三端相连，使得所述充放电控制芯片1及放电开关M1与地相连，并且针对所要测试的参数改变锂电池保护芯片各个管脚的电位，采用共地源测试装置对相关参数进行测试即可。

实施例二

为了对本发明的芯片测试方法有更深入的了解，本实施例以内部集成了2种不同功能的芯片单元：LED DRIVER和可调稳压器的芯片为例对本发明实施方式的芯片测试方法进行说明。

请参见图5，图5是本实施例的“二芯合一”芯片的测试线路图，所述芯片为DFN10封装。其中，电源管脚VCC是LED DRIVER与可调稳压器的公共电源脚；地管脚GND是LED DRIVER的地脚；管脚D1、D2、D3及ISET是LED DRIVER的功能管脚；管脚ENABLE用于同时控制LED DRIVER与可调稳压器的工作；管脚VOUT与ADJ是可调稳压器的功能脚。

通常为了精确测试可调稳压器的管脚ADJ对零电位的电流IADJ，会在电源管脚VCC与管脚VOUT之间跨接一个浮地源测试装置，即图5中虚线所示的浮地源测试装置DVI1_H与DVI1_L，通过所述浮地源测试装置DVI1_H与DVI1_L来设定浮地抽取电流；然后将地管脚GND通过继电器K1与大地连接；用共地源测试装置DVI的DVI0给电源管脚VCC置一个共地电源电压，并确保钳位电流不能太大(太大会影响IADJ的量值)，用共地源测试装置DVI的DVI5(图中虚线所示)提供给管脚ENABLE一个与电源管脚VCC同样大的共地电源电压，使得可调稳压器工作；最后用共地源测试装置DVI的DVI2提供给管脚ADJ 0V的共地电源电压以测试IADJ。

然而，采用浮地源测试装置对芯片的相关参数进行测试成本较高，且由上述可知，ATE中的测试源大部分为共地源测试装置，此时可以采用本发明实施方式的芯片测试方法对IADJ进行测试。本实施例中第一芯片单元为LEDDRIVER，其与地管脚GND连接，第二芯片单元为可调稳压器，其不与地管脚连接。

首先使地管脚GND悬空，使得LED DRIVER停止工作，以减小LEDDRIVER对可调稳压器的影响。

然后，再采用共地源测试装置对可调稳压器的IADJ进行相应的测试。本实施例中，将电源管脚VCC与管脚ENABLE通过继电器K2连接(此时不再需要共地源测试装置DVI5给管脚ENABLE提供共地源电压)，使这两个管脚的电位被拉平，利用共地源测试装置DVI的DVI0给电源管脚VCC提供一个共地电源电压，以使得可调稳压器工作，由于地管脚GND悬空，也避免了共地抽取大电流时电流从地管脚GND旁路，然后在管脚VOUT端用共地源测试装置DVI的DVI1设置共地抽取电流；最后用共地源测试装置DVI的DVI2给管脚ADJ提供一个0V的共地电源电压以测试其管脚ADJ的电流IADJ。

至此，通过上述的先将地管脚GND悬空，然后再根据可调稳压器的待测参数来改变所述芯片相应管脚的电位即可以采用共地源测试装置来对可调稳压器的参数进行测试。

综上所述，本实施例提供的芯片测试方法，通过将芯片的地管脚悬空使得第一芯片单元停止工作，在很大程度上降低了第一芯片单元对第二芯片单元的影响，仅通过改变芯片相应管脚的电位，采用共地源测试装置对第二芯片单元进行测试，方法简单，容易实现。而且采用共地源测试装置对第二芯片单元进行测试，无需对现有的ATE增加新的测试源装置，降低了芯片测试的成本。

本实施例提供的锂电池保护芯片的测试电路可以先通过第一开关单元将锂电池保护芯片的地管脚与大地断开连接以使共地的充放电控制芯片及放电开关停止工作，由此减小了在对浮地的充电开关测试时充放电控制芯片及放电开关对充电开关的影响，可以通过使锂电池保护芯片的电源管脚悬空或置零，以及通过采用第一共地源测试装置向锂电池保护芯片的公共漏极管脚提供电流或电压来实现对充电开关的参数测试，减小了测试成本，且测试电路简单易于实现。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims

1.一种芯片测试方法，所述芯片管脚包括地管脚，所述芯片包括第一芯片单元和第二芯片单元，所述第一芯片单元与所述地管脚连接，所述第二芯片单元不与所述地管脚连接，其特征在于，所述芯片测试方法包括如下步骤：

先使所述地管脚悬空；

再采用共地源测试装置对所述第二芯片单元进行测试。

2.如权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，所述采用共地源测试装置对所述第二芯片单元进行测试包括根据所述第二芯片单元的待测参数来设置相应的芯片管脚的电位。

3.如权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，所述芯片为锂电池保护芯片，所述芯片管脚还包括电源管脚、检测电流/电压输入管脚、公共漏极管脚和电源负极/负载输入管脚，

所述第一芯片单元包括充放电控制芯片，所述第二芯片单元包括MOS管，其中，

所述充放电控制芯片与所述电源管脚、地管脚、检测电流/电压输入管脚相连，所述充放电控制芯片包括充电开关控制端；所述MOS管的栅极与所述充放电控制芯片的充电开关控制端连接，漏极与公共漏极管脚连接，源极与电源负极/负载输入管脚连接。

4.如权利要求3所述的芯片测试方法，其特征在于，采用共地源测试装置对所述MOS管进行测试包括：采用共地源测试装置测试所述MOS管的源漏极击穿电压或漏极饱和电流。

5.如权利要求4所述的芯片测试方法，其特征在于，所述采用共地源测试装置测试所述MOS管的源漏极击穿电压包括：将所述锂电池保护芯片的电源管脚、检测电流/电压输入管脚及地管脚相连并将所述电源管脚悬空或置零，将电源负极/负载输入管脚接地，通过共地源测试装置向公共漏极管脚提供电流以测试所述MOS管的源漏极击穿电压。

6.如权利要求4所述的芯片测试方法，其特征在于，所述采用共地源测试装置测试所述MOS管的漏极饱和电流包括：将所述锂电池保护芯片的电源管脚、检测电流/电压输入管脚及地管脚相连并将所述电源管脚悬空或置零，将电源负极/负载输入管脚接地，通过共地源测试装置向公共漏极管脚提供电压以测试所述MOS管的漏极饱和电流。

7.一种锂电池保护芯片的测试电路，所述锂电池保护芯片的管脚包括电源管脚、地管脚、检测电流/电压输入管脚、电源负极/负载输入管脚、公共漏极管脚，其特征在于，所述测试电路包括第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第一共地源测试装置，其中，

所述电源管脚悬空；

所述电源负极/负载输入管脚通过第二开关单元与大地连接；

所述公共漏极管脚与第一共地源测试装置连接。

8.如权利要求7所述的锂电池保护芯片的测试电路，其特征在于，所述第一共地源测试装置适于向公共漏极管脚提供电流或电压。

9.一种锂电池保护芯片的测试电路，所述锂电池保护芯片的管脚包括电源管脚、地管脚、检测电流/电压输入管脚、电源负极/负载输入管脚、公共漏极管脚，其特征在于，所述测试电路包括第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第一共地源测试装置和第二共地源测试装置，其中，

所述电源负极/负载输入管脚通过第二开关单元与大地连接；

所述公共漏极管脚与第一共地源测试装置连接。

10.如权利要求9所述的锂电池保护芯片的测试电路，其特征在于，所述第一共地源测试装置适于向公共漏极管脚提供电流或电压。