CN102194930B - 用于制造发光器件的基板和用于制造发光器件的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供用于制造发光器件的基板和用于制造发光器件的方法。用于制造发光器件的方法包括：在生长衬底上形成具有小于激光的能量的带隙能的牺牲层；在牺牲层上形成生长层；在生长层上形成发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层；以及将激光穿过生长衬底照射到牺牲层上，从而剥离生长衬底。

Description

用于制造发光器件的基板和用于制造发光器件的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2010年3月9日提交的韩国专利申请No.10-2010-0020648的优先权，在此全部引用以供参考。
技术领域
实施例涉及用于制造发光器件的基板和用于制造发光器件的方法。
背景技术
发光二极管(LED)是一种用于将电能转换为光的半导体发光器件。与诸如荧光灯和白炽灯泡的现有技术的光源相比较，LED具有诸如低功耗、半永久寿命周期、快速响应时间、安全、以及环境友好的优点。为了将现有技术的光源替换为LED，已经进行许多研究。而且，根据作为诸如多种灯和街灯的照明装置、液晶显示装置的照明单元、以及室内和室外位置处的记分牌的光源的趋势，LED的使用正日益增加。
发明内容
实施例提供用于制造具有提高的可靠性的发光器件的基板和用于制造发光器件的方法。
实施例还提供用于制造能够容易剥离生长衬底的发光器件的基板。
实施例还提供用于制造能够容易制造发光结构的发光器件的基板。
在一个实施例中，一种用于制造发光器件的方法，包括：在生长衬底上形成具有小于激光的能量的带隙能的牺牲层；在牺牲层上形成生长层；在生长层上形成发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层；以及将激光穿过生长衬底照射到牺牲层上，从而剥离生长衬底。
在另一实施例中，一种用于制造发光器件的基板，包括：生长衬底；具有小于用于去除生长衬底的激光的能量的带隙能的牺牲层；牺牲层上的生长层；以及生长层上的发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层。
在附图和下面的描述中，阐述一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图，以及根据权利要求书，其它的特征将会是显而易见的。
附图说明
图1是根据实施例的用于制造发光器件的基板的侧截面图。
图2至图7是示出根据实施例的使用用于制造发光器件的基板制造发光器件的工艺的视图。
图8是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图。
图9是根据实施例的显示装置的分解透视图。
图10是根据实施例的显示装置的视图。
图11是根据实施例的照明装置的透视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，应该理解的是，当层(或膜)、区域、图案、或结构被称为在基板、层(或膜)、区域、焊盘或图案“上”时，它可以“直接”或“间接”在另一层或者基板上，或者也可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为是在另一层“下”时，它能够直接地在另一层下，并且也可以存在一个或者多个中间层。此外，将会基于附图给出关于在每层“上”和“下”的参考。
在下文中，将参考附图描述实施例。在附图中，为了描述的方便和清楚起见，每层的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性示出。而且，每个元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。
图1是根据实施例的用于制造发光器件的基板的侧截面图。
参考图1，根据实施例的用于制造发光器件的基板100可以包括生长衬底110、生长衬底110上的牺牲层105、牺牲层105上的具有多晶体结构的生长层120、以及生长层120上以产生光的发光结构145，该发光结构145包括第一导电类型半导体层130、有源层140、以及第二导电类型半导体层150。
例如，生长衬底110可以包括从由Al2O3、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、以及Ge组成的组中选择的至少一个，但是实施例不限于此。
牺牲层105可以设置在生长衬底110上。例如，牺牲层105可以具有范围从大约1.0eV至大约7.0eV的带隙。例如，牺牲层105可以包括从由ITO、MoxOy、WxOy、NiOx、TiOx、AlN、以及GaN组成的组中选择的至少一个。例如，牺牲层105可以具有大约10nm至大约100μm的厚度，但是其不限于此。
例如，使用溅射工艺、电子束沉积工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、以及原子层沉积(ALD)工艺中的一个，可以形成牺牲层105。
通过在用于层压生长衬底110的激光剥离(LLO)工艺中使用的激光的能量，可以分解牺牲层105。
因此，当牺牲层105具有大于大约100μm的厚度时，它可能花费长的时间来通过激光的照射分解牺牲层105。而且，当牺牲层105具有小于大约10μm的厚度时，由于它的薄的厚度可能很难形成层。
激光可以是准分子激光或者固态激光，但是其不限于此。准分子激光可以具有大约10ns至大约20ns的脉冲持续时间。另外，准分子激光可以在其中脉冲重复频率是处于大约1Hz至大约500Hz的范围中产生具有强大的能量的脉冲。每脉冲的能量可能大约是1J，并且平均功率可以在大约20W至大约100W的范围内变化，但是其不限于此。
牺牲层105可以具有小于生长衬底110的能量的带隙能。因此，当执行LLO工艺时，由于通过激光的能量可以分解牺牲层105，所以可以容易剥离生长衬底110。
通过生长衬底110和发光结构145之间的生长层120和牺牲层105，可以最小化由LLO工艺产生、并且被传送到发光结构145的冲击，以提高制造工艺的可靠性。
生长层120可以设置在牺牲层105上。生长层120可以由通过其容易生长发光结构145的材料形成。
例如，使用溅射工艺、ALD工艺、以及电子束沉积工艺中的一个，可以形成生长层120。例如，生长层120可以由具有多晶体结构的Al2O3形成。然而，为了在生长层120上生长具有高质量的发光结构145，生长层120具有与单晶结构相类似的结构可能是有利的。因此，在形成生长层120之后，可以在大约900℃至大约1100℃的高温对生长层120进行热处理，以提高生长层120的结晶性，但是其不限于此。可以在氮、氧、氢、以及氨气气氛中的至少一个气氛中执行热处理。
生长层120可以具有大约10nm至大约100μm的厚度，特别地，具有大约100nm至大约10μm的厚度。由于通过蚀刻工艺能够容易去除具有处于前述范围内的厚度的生长层120，所以可以提高加工性。
可以对生长层120的顶表面进行垂直地构图或者倾斜地构图，以有效地生长发光结构145。
缓冲层(未示出)可以设置在生长层120上。缓冲层可以减小第一导电类型半导体层130和生长层120之间的晶格常数。例如，缓冲层可以包括从由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN、以及InN组成的组中选择的至少一个。
例如，发光结构145可以包括第一导电类型半导体层130、第一导电类型半导体层130上的有源层140、有源层140上的第二导电类型半导体层。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺、或者氢化物气相外延(HVPE)工艺，前述的层可以形成在生长层120上，但是其不限于此。
第一导电类型半导体层130可以仅包括单个导电类型半导体层，或者可以进一步包括单个导电类型半导体层下的缓冲层(未示出)和未掺杂的半导体层(未示出)，但是其不限于此。
例如，第一导电类型半导体层130可以是n型半导体层。n型半导体层可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成，例如，n型半导体层包括从由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN、以及InN组成的组中选择的至少一个。在此，n型半导体层掺杂有诸如Si、Ge、以及Sn的n型掺杂物。
由于未掺杂的半导体层没有被掺杂有导电类型掺杂物，所以未掺杂的半导体层具有显著地小于第一导电类型半导体层130的导电性。因此，可以生长未掺杂的半导体层，以提高第一导电类型半导体层的结晶性。
有源层140可以设置在第一导电类型半导体层130上。在有源层140中，通过第一导电类型半导体层130注入的电子(或者空穴)和通过第二导电类型半导体层150注入的电子(或者空穴)可以相互复合。由于复合，可以发射具有与取决于有源层140的形成材料的能带的带隙的波长相对应的波长的光。
有源层140可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构、以及量子点结构中的一个，但是其不限于此。
有源层140可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。当有源层140具有MQW结构时，多个阱层和多个阻挡层可以堆叠以形成有源层140。例如，有源层140可以由InGaN阱层/GaN阻挡层、InGaN阱层/AlGaN阻挡层、或者InGaN阱层/InGaN阻挡层的循环形成。阻挡层可以具有大于阱层的带隙。
其中掺杂有n型或者p型掺杂物的包覆层(未示出)可以设置在有源层140上/下。通过AlGaN层或者InAlGaN层，可以实现包覆层(未示出)。包覆层可以具有大约有源层140的阻挡层的带隙。
第二导电类型半导体层150可以设置在有源层140上。例如，第二导电类型半导体层150可以是其中掺杂有p型掺杂物的p型半导体层。P型半导体层可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成，例如，P型半导体层包括从由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN、以及InN组成的组中选择的至少一个。而且，p型半导体层可以掺杂有诸如Mg、Zn，等等的p型掺杂物。
不同于前述的描述，第一导电类型半导体层130可以是p型半导体层，而第二导电类型半导体层150可以是n型半导体层。而且，其中掺杂有n型掺杂物的n型半导体层或者其中掺杂有p型掺杂物的p型半导体层(未示出)可以设置在第二导电类型半导体层150上。因此，发光器件100可以具有np结结构、pn结结构、npn结结构、以及pnp结结构中的一个。第一导电类型半导体层130和第二导电类型半导体层150可以在其中具有导电类型掺杂物的均匀或者非均匀的掺杂浓度。即，发光结构145可以具有各种结构，但是其不限于此。
图2至图7是示出根据实施例的使用用于制造发光器件的基板制造发光器件的工艺的视图。
参考图2，沟道层155可以形成在用于制造发光器件的基板的顶表面的圆周区域上。使用沉积工艺，可以形成沟道层155，但是其不限于此。
沟道层155可以防止发光结构145和电极(稍后将会描述)相互电气地短路，以提高发光器件的可靠性。
沟道层155可以由具有绝缘性的材料，例如，从由SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、以及TiO2组成的组中选择的至少一个形成。
参考图3，欧姆接触层156可以形成在发光结构145上，并且反射层157可以形成在欧姆接触层156和沟道层155上。即，欧姆接触层156可以形成在第一导电类型半导体层的顶表面上和沟道层155的内部中。
欧姆接触层156可以由透明金属氧化物或者金属氮化物形成。例如，欧姆接触层156可以包括从由ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga ZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、以及Ni/IrOx/Au/ITO组成的组中选择的至少一个。或者，欧姆接触层156可以由具有大约数个纳米至大约数十个纳米的厚度的金属薄膜形成以传输光。在这样的情况下，欧姆接触层156可以包括从由Ni、Pt、Ir、Rh、以及Ag组成的组中选择的至少一个。
根据发光器件的设计，可以在形状上不同地改变欧姆接触层156，但是其不限于此。
反射层157可以形成在欧姆接触层156和沟道层155上。例如，反射层157可以由Ag、Al、Pd、Cu、以及Pt的至少一个金属或者其合金形成。
可以不形成反射层157和欧姆接触层156，或者可以仅形成反射层157和欧姆接触层156中的一个，但是其不限于此。
参考图4，第一电极160可以形成在反射层157上。
第一电极160可以支撑在其下的多层，并且用作电极。
第一电极160可以包括从由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、以及Mo组成的组中选择的至少一个，或者可以是其中注入杂质的半导体基板，但是其不限于此。
第一电极160可以被镀和/或沉积在发光结构145上或者可以以片的形式附着到发光结构145，但是其不限于此。
第一电极160可以支撑发光结构145，并且第一电极160和稍后将会形成的第二电极(未示出)可以向发光结构145供应电力。
参考图5，生长衬底110可以被上下颠倒，然后，生长衬底110可以被去除。
通过激光剥离(LLO)工艺，可以去除生长衬底110。特别地，当激光照射到生长衬底110的顶表面上时，通过激光的能量可以分解牺牲层105。因此，生长衬底110可以被层压。
因此，为了通过激光的能量分解牺牲层105，牺牲层105应具有小于生长衬底110的能量的带隙能。
当生长衬底110被去除时，牺牲层的一部分105a可以存在于生长层120上。
由于生长层120和牺牲层105设置在生长衬底110和发光结构145之间，所以可以最小化由于在生长衬底去除工艺中产生的冲击而导致的发光结构145的损坏。
参考图6，可以去除牺牲层的一部分105a和生长层120。
通过蚀刻工艺，可以去除牺牲层的一部分105a和生长层120。特别地，由于生长层120具有大约10nm至大约100μm的非常薄的厚度，所以通过蚀刻工艺可以容易去除生长层120。
参考图7，沿着边界区域147可以对发光结构145执行隔离蚀刻工艺，以暴露沟道层155。通过蚀刻工艺，发光结构可以具有台面形状。接下来，第二电极170可以形成在发光结构145上，特别地，可以形成在第一导电类型半导体层130的一部分上，以制造具有垂直型电极结构的发光器件100A。
通过隔离蚀刻工艺，多个发光器件100A可以相互分开。
第二电极170可以具有从由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、以及Mo组成的组中选择的至少一个的单或者多层结构，但是其不限于此。使用沉积或者镀工艺，可以形成第二电极170。
粗糙或者不平坦的图案135可以形成在发光结构145的第一导电类型半导体层130的顶表面上，以提高光提取效率。粗糙或者不平坦图案135中的每一个可以具有随机的形状，或者粗糙或者不平坦图案135在其间可以具有预定的距离。
图8是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图。
参考图8，根据实施例的发光器件封装30包括：封装主体20；第一和第二引线电极31和32，该第一和第二引线电极31和32至少设置在封装主体20的横向表面的顶表面和圆周上；根据实施例的发光器件100A，该发光器件100A设置在封装主体20上的第一和第二引线电极31和32上，并且电气地连接到第一和第二引线电极31和32；以及成型构件40，该成型构件40包围发光器件100A。
封装主体20可以是由硅材料、合成树脂材料或者金属材料形成。而且，当从顶部观察时，封装主体20含有具有倾斜表面53的空腔50。
第一和第二引线电极31和32相互电气地分开，并且向发光器件100A供应电力。而且，第一和第二引线电极31和32可以用作反射板和散热板，所述反射板反射在发光器件100A中产生的光以提高光效率，而所述散热板将在发光器件100A中产生的热释放到外部。
第一引线电极31和/或第二引线电极32可以穿过封装主体20。由于这可以根据发光器件100A的电极结构进行变化，所以本公开不限于此。
发光器件100A可以设置在封装主体20上或者设置在第一和第二引线电极31和32中的任何一个上。
使用倒装芯片或者贴片方法，发光器件100A可以电气地连接到第一和第二引线电极31和32中的一个。例如，发光器件100A的第一电极160可以电气地连接到第二引线电极32，并且发光器件100A的第二电极170可以电气地连接到第一引线电极31。
成型构件40可以包围发光器件100A。成型构件40可以包含磷光体，以变化从发光器件100A发射的光的波长。
发光器件封装30可以安装至少一个或者多个上述发光器件100A上，但是其不限于此。
发光器件封装30可以具有板上芯片(COB)型。即，根据COB型，封装主体20可以具有平顶表面，并且多个发光器件100A可以设置在封装主体20上。
根据实施例的发光器件或者发光器件封装可以被应用于照明单元。照明单元具有其中排列有多个发光器件或者发光器件封装的结构。因此，照明单元可以包括在图9和图10中所示的显示装置和图11中所示的照明装置。另外，照明单元可以包括照明灯、交通灯、车辆前灯、以及标识牌。
图9是根据实施例的显示装置的分解透视图。
参考图9，显示单元1000可以包括：导光板1041；发光模块1031，该发光模块1031用于向导光板1041提供光；反射构件1022，该反射构件1022位于导光板1041下；光学片1051，该光学片1051位于导光板1041上；显示面板1061，该显示面板1061位于光学片1051上；以及底盖1011，该底盖1011容纳导光板1041、发光模块1031、以及反射构件1022，但是其不限于此。
底盖1011、反射构件1022、导光板1041以及光学片1051可以被限定为照明单元1050。
导光板1041使由发光模块1031提供的光扩散，以产生平面光。导光板1041可以由透明材料形成。例如，导光板1041可以由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸基树脂材料、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物(COC)树脂，以及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)树脂中的一个形成。
发光模块1031设置在导光板1041的至少一个横向表面上，以向导光板1041的至少一个横向表面提供光。因此，发光模块1031可以用作显示装置的光源。
至少一个发光模块1031可以设置在导光板1041的一个横向表面上，以直接或者间接提供光。发光模块1031可以包括根据实施例的发光器件封装30和基板1033。发光器件封装30可以以预定的距离排列在基板1033上。基板1033可以是印制电路板(PCB)，但是其不限于此。而且，基板1033可以包括金属芯PCB或者柔性PCB，但是其不限于此。当发光器件封装30安装在底盖1011的横向表面上或者安装在散热板上时，基板1033可以被去除。在此，散热板的一部分可以接触底盖1011的顶表面。因此，在发光器件封装30中产生的热可以经由散热板释放到底盖1011。
可以安装多个发光器件封装30，以允许发光表面与导光板1041隔开预定的距离，通过该发光表面在基板1033上发射光，但是其不限于此。发光器件封装30可以向光入射表面直接或者间接提供光，该光入射表面是导光板1041的侧面，但是其不限于此。
反射构件1022可以设置在导光板1041下。由于反射构件1022反射入射到导光板1041的下表面上的光，以向显示面板1061提供光，可以提高显示面板1061的亮度。例如，反射构件1022可以由PET、PC、以及PVC中的一个形成，但是其不限于此。反射构件1022可以是底盖1011的顶表面，但是其不限于此。
底盖1011可以容纳导光板1041、发光模块1031、以及反射构件1022。为此，底盖1011可以包括容纳部件1012，该容纳部件1012具有带有开口的上侧的盒形状，但是其不限于此。底盖1011能够与顶盖(未示出)耦合，但是其不限于此。
底盖1011可以由金属材料或者树脂材料形成。而且，可以使用冲压成型工艺或者挤压成型工艺制造底盖1011。底盖1011可以由具有优异的导热性的金属或者非金属材料形成，但是其不限于此。
例如，显示面板1061可以是液晶显示(LCD)面板，并且包括由透明材料形成的第一和第二基板以及第一和第二基板之间的液晶层。偏振板可以附着到显示面板1061的至少一个表面。本公开不限于偏振板的所附着的结构。显示面板1061传输或者阻挡由发光模块1031提供的光，以显示信息。显示单元1000可以应用于各种便携式终端、用于笔记本电脑的显示器、用于膝上型电脑的显示器、电视，等等。
光学片1051能够设置在显示面板1061和导光板1041之间，并且包括至少一个透射片。例如，光学片1051可以包括扩散片、水平和垂直棱镜片以及亮度增强片，等等中的至少一个。扩散片使入射光扩散，而水平或/和垂直棱镜片向显示区域收集入射光。另外，亮度增强片重新使用丢失的光，以提高亮度。而且，保护片可以设置在显示面板1061上，但是其不限于此。
诸如导光板1041和光学片1051的光学构件可以设置在发光模块1031的光学路径上，但是其不限于此。
图10是示出根据实施例的显示装置的视图。
参考图10，显示单元1100包括底盖1152、其上排列有上述发光器件封装30的基板1120、光学构件1154、以及显示面板1155。
基板1120和发光器件封装30可以被限定为发光模块1060。底盖1152、至少一个发光模块1060、以及光学构件1154可以被限定为照明单元。
底盖1152可以包括容纳部件1153，但是其不限于此。
光学构件1154可以包括透镜、导光板、扩散片、水平和垂直棱镜片、以及亮度增强片中的至少一个。导光板可以由PC材料或者PMMA材料形成。在这样的情况下，导光板可以被去除。扩散片使入射光扩散，水平和垂直棱镜片向显示面板1155收集入射光。亮度增强片重新使用丢失的光，以提高亮度。
光学构件1154设置在发光模块1060上，以使用从发光模块1060发射的光产生平面光，或者扩散并且收集从发光模块1060发射的光。
图11是根据实施例的照明装置的透视图。
参考图11，照明装置1500包括：外壳1510；外壳1510中的发光模块1530；以及连接端子1520，该连接端子1520设置在外壳1510中以接收来自外部电源的电力。
外壳1510优选由具有良好热屏蔽特性的材料形成，例如，由金属材料或者树脂材料形成。
发光模块1530可以包括基板1532，和安装在基板1532上的发光器件封装30。可以提供多个发光器件封装30，并且多个发光器件封装30可以以矩阵的形状排列或者相互隔开预定的距离。
基板1532可以是其上印制有电路图案的绝缘体基板，并且可以包括，例如，普通的印制电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB，FR-4，等等。
而且，基板1532可以由有效地反射光的材料形成，并且其表面可以以能够有效地反射光的颜色形成。例如，基板可以是具有白色或者银色的涂层。
至少一个发光器件封装30可以安装在基板1532上。每个发光器件封装30可以包括至少一个发光二极管(LED)芯片。LED芯片可以包括发射具有红、绿、蓝或者白光的有色LED，和发射紫外(UV)射线的UV LED。
发光模块1530可以具有数个发光器件封装30的组合，以获得所想要的颜色和亮度。例如，发光模块1530可以具有白光LED、红光LED以及绿光LED的组合，以获得高显色指数(CRI)。
连接端子1520可以电气地连接到发光模块1530以供应电力。可以将连接端子1520以插口的类型旋拧且联接到外部电源，但是其不限于此。例如，连接端子1520可以以插头的形式制成并且***到外部电源，或者可以通过线连接到外部电源。
根据实施例，由于具有小于用于去除生长衬底的激光的能量的带隙能的牺牲层设置在生长衬底上，所以通过激光的能量可以分解牺牲层以容易剥离生长衬底。
根据实施例，生长层可以设置在牺牲层和发光结构之间，以最小化由LLO工艺产生、并且被传送到发光结构的冲击，从而提高制造工艺的可靠性。
根据实施例，生长层可以设置在牺牲层和发光结构之间，以由于生长层的去除而完全地去除在生长衬底的剥离工艺之后剩余的牺牲层的部分。
根据实施例，由于生长层被热处理以形成单晶体结构，所以可以容易制造发光结构。
根据实施例，由于生长层具有大约10nm至大约100μm的薄厚度，所以通过是后工艺的蚀刻工艺可以容易去除生长层。
根据实施例，生长的顶表面可以被构图或者缓冲层设置在生长层上，从而容易制造发光结构。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的任何引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到许多落入本公开的原理的精神和范围内的其它修改和实施例。更加具体地，在本公开、附图和所附权利要求书的范围内，主题组合布置的组成部件和/或布置方面的各种变化和修改都是可能的。除了组成部件和/或布置方面的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。

Claims (7)

1.一种用于制造发光器件的方法，所述方法包括：
在生长衬底上形成具有小于激光的能量的带隙能的牺牲层；
在所述牺牲层上直接形成生长层；
对所述生长层的顶表面进行构图；
在所述生长层上形成发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层；
将激光穿过所述生长衬底照射到所述牺牲层上，从而剥离所述生长衬底以及分解所述牺牲层的一部分；以及
在剥离所述生长衬底之后，使用蚀刻工艺去除所述牺牲层的剩余部分和所述生长层，
其中，所述生长层为单层，并且所述牺牲层为单层，
其中，所述生长衬底由具有单晶体结构的蓝宝石(Al2O3)形成，并且所述生长层由具有单晶体结构的蓝宝石(Al2O3)形成，
其中，所述生长层在900℃至1100℃的高温进行热处理，以及
其中，在形成所述生长层之后，执行所述生长层的热处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述生长层具有10nm至100μm的厚度。
3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述发光结构上形成第一电极。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层具有1.0eV至7.0eV的带隙。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层包括从由ITO、MoxOy、WxOy、NiOx、TiOx、AlN、以及GaN组成的组中选择的至少一个。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层具有10nm至100μm的厚度。
7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在形成所述生长层之后，在所述生长层上形成缓冲层。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8513688B2 (en) * 2009-12-02 2013-08-20 Walsin Lihwa Corporation Method for enhancing electrical injection efficiency and light extraction efficiency of light-emitting devices
DE102010040839B4 (de) * 2010-09-15 2013-10-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektronsichen Bauelements und elektronisches Bauelement
DE102011012928A1 (de) * 2011-03-03 2012-09-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterkörpers und Dünnfilm-Halbleiterkörper
KR101878748B1 (ko) 2012-12-20 2018-08-17 삼성전자주식회사 그래핀의 전사 방법 및 이를 이용한 소자의 제조 방법
US9698053B2 (en) 2013-11-25 2017-07-04 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Laser liftoff of epitaxial thin film structures
KR102295476B1 (ko) 2015-03-31 2021-08-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판의 제조 방법
CN105428481B (zh) 2015-12-14 2018-03-16 厦门市三安光电科技有限公司 氮化物底层及其制作方法
JP2017135283A (ja) * 2016-01-28 2017-08-03 ローム株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US10008503B1 (en) 2016-12-27 2018-06-26 Micron Technology, Inc. Memory devices which include memory arrays
KR102633033B1 (ko) * 2017-01-24 2024-02-02 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
CN108054182B (zh) * 2017-12-19 2024-04-12 苏州矩阵光电有限公司 一种化合物半导体硅基混合器件及其制备方法
CN112993116A (zh) * 2020-12-09 2021-06-18 重庆康佳光电技术研究院有限公司 发光器件制作方法、发光器件以及显示器件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101459214A (zh) * 2003-04-15 2009-06-17 发光装置公司 制造发光装置的方法
CN101494267A (zh) * 2008-11-24 2009-07-29 厦门市三安光电科技有限公司 一种基于衬底剥离的氮化镓基发光器件的制作方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07235690A (ja) 1994-02-23 1995-09-05 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2000261088A (ja) 1999-03-05 2000-09-22 Hitachi Ltd 発光素子
JP3801125B2 (ja) * 2001-10-09 2006-07-26 住友電気工業株式会社 単結晶窒化ガリウム基板と単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法および単結晶窒化ガリウム基板の製造方法
JP4218597B2 (ja) * 2003-08-08 2009-02-04 住友電気工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
US7825006B2 (en) * 2004-05-06 2010-11-02 Cree, Inc. Lift-off process for GaN films formed on SiC substrates and devices fabricated using the method
KR100631905B1 (ko) * 2005-02-22 2006-10-11 삼성전기주식회사 질화물 단결정 기판 제조방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자 제조방법
US7244630B2 (en) * 2005-04-05 2007-07-17 Philips Lumileds Lighting Company, Llc A1InGaP LED having reduced temperature dependence
KR100767398B1 (ko) 2005-10-08 2007-10-17 삼성전자주식회사 발광 소자용 구조체 및 이를 이용한 발광 소자의 제조 방법
KR100832102B1 (ko) 2005-11-14 2008-05-27 삼성전자주식회사 발광소자용 구조체 및 발광소자의 제조 방법
CN101882657A (zh) 2005-10-29 2010-11-10 三星电子株式会社 半导体器件及其制造方法
KR100867518B1 (ko) 2006-09-06 2008-11-07 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
KR100843408B1 (ko) 2006-12-01 2008-07-03 삼성전기주식회사 반도체 단결정 및 반도체 발광소자 제조방법
KR20090096759A (ko) 2008-03-10 2009-09-15 장수만 그룹 3족 질화물계 반도체 박막 성장용 기판, 그의 제조방법 및 이를 이용한 광전자 소자 제조 방법
JP5220916B2 (ja) * 2008-04-02 2013-06-26 ソン，ジュンオ 発光素子及びその製造方法
KR20100030472A (ko) * 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법, 상기 방법을 이용하여 제조한 발광 소자 및 발광 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101459214A (zh) * 2003-04-15 2009-06-17 发光装置公司 制造发光装置的方法
CN101494267A (zh) * 2008-11-24 2009-07-29 厦门市三安光电科技有限公司 一种基于衬底剥离的氮化镓基发光器件的制作方法

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US20110220938A1 (en) 2011-09-15
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EP2365535A3 (en) 2012-10-10

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