CN102184938A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种彩色有机电致发光器件,包括:基板;第一电极;第二电极;和设置于该第一和第二电极之间的有机功能层,该有机功能层至少包括红、绿、蓝三种亚像素有机功能区,其中至少一种亚像素有机功能区包括:磷光发光层,该磷光发光层为非蓝光发光层;和蓝光发光层,其中,该蓝光发光层覆盖该磷光发光层。本发明还涉及一种彩色有机电致发光器件的制备方法,其中利用精密掩模在磷光亚像素部分进行磷光发光层的制备,且利用第三开放式掩模进行制备蓝光发光层,该蓝光发光层覆盖磷光亚像素和蓝光亚像素。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件,尤其是彩色有机电致发光器件,以及这种有机电致发光器件的制备方法。
背景技术
近年来,有机发光二极管(OLED)显示器在平板显示领域受到极大关注,展现出非常广阔的应用前景,这是因为它与传统的液晶显示器相比,具备很多独特优点,如,自发光、低功耗、广视角、响应速度快、宽色域、可制备成柔性显示器等。OLED实现彩色化的方法很多,包括RGB三原色法、色转换法、彩色滤光片法、微共振腔调节法等,其中RGB三原色法是目前最为成熟的方法,也被国内外厂商所使用。其制备过程要求,在蒸镀共用的层时需要开放式掩模(open mask),比如,蒸镀共用的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)材料,以及蒸镀金属电极。另外,在蒸镀非共用的红绿蓝发光层时,需要三次精确对位,也需要三个精密掩模(shadow mask)。随着对显示器像素分辨率的越来越高的要求,对OLED蒸镀设备的对位***和精密掩模也提出了更高的挑战,高精度对位***的设备和高精度掩模都非常昂贵,大大增加了OLED的制作成本。
发明内容
本发明的目的是要提出一种有机电致发光器件,其具有制造成本低且发光效率高的优点。
根据本发明的一方面,本发明提供一种彩色有机电致发光器件,包括:基板;第一电极;第二电极;和设置于该第一和第二电极之间的有机功能层,该有机功能层至少包括红、绿、蓝三种亚像素有机功能区,其中至少一种亚像素有机功能区包括:磷光发光层,该磷光发光层为非蓝光发光层;和蓝光发光层,其中,该蓝光发光层覆盖该磷光发光层。
另一方面,磷光发光层包括红光发光层或绿光发光层。
另一方面,蓝光发光层包括蓝光荧光发光层。
另一方面,有机电致发光器件为底发光的有机电致发光器件。
另一方面,第一电极为阳极,第二电极为阴极。
另一方面,有机功能层包括:空穴注入层/空穴传输层/磷光发光层/蓝光荧光层/电子传输层和/或电子注入层。
另一方面,有机功能层包括:空穴注入层/空穴传输层/蓝光荧光层/磷光发光层/电子传输层和/或电子注入层。
另一方面,该有机电致发光器件为顶发光的有机电致发光器件。
另一方面,第一电极为反射阳极,第二电极为透射阴极。
另一方面,有机功能层包括:空穴注入层/空穴传输层/磷光发光层/蓝光荧光发光层/电子传输层和/或电子注入层。
另一方面,有机功能层包括:空穴注入层/空穴传输层/蓝光荧光发光层/磷光发光层/电子传输层和/或电子注入层。
另一方面,蓝光荧光发光层和磷光发光层之间具有阻挡层。
另一方面,阻挡层的材料的三线态能级大于或等于磷光发光层的材料的三线态能级。
另一方面,阻挡层的材料为电子性质或空穴性质。
另一方面,蓝光发光层的性质为电子性质或空穴性质。
根据本发明的另一方面,本发明提供一种制备彩色有机电致发光器件的方法,至少包括步骤:a)在基板上制备阳极层;b)在阳极层上制备绝缘层,形成多个发光像素,每个像素内包括磷光亚像素和蓝光亚像素;c)将上述基板传送至蒸镀设备的等离子处理腔室,进行等离子处理;d)将上述基板,装上第一开放式掩模进行空穴注入层的制备;e)将上述基板,装上第二开放式掩模进行空穴传输层的制备;f)利用精密掩模在磷光亚像素部分进行磷光发光层的制备,且利用第三开放式掩模进行制备蓝光发光层,该蓝光发光层覆盖磷光亚像素和蓝光亚像素;g)将上述基板,装上第四开放式掩模进行电子传输层的制备;h)将上述基板,装上第五开放式掩模进行阴极的制备;i)封装。
另一方面,磷光亚像素包括红光亚像素和绿光亚像素。
另一方面,利用第一精密掩模制备红光发光层,该第一精密掩模的镂空部分对应红光亚像素;利用第二精密掩模制备绿光发光层,该第二精密掩模的镂空部分对应绿光亚像素。
另一方面,该方法还包括在磷光发光层和蓝光发光层之间制备阻挡层的步骤。
另一方面,阻挡层的材料的三线态能级大于或等于所述磷光发光层的材料的三线态能级。
附图说明
图1示意性地示出了现有技术的彩色有机电致发光器件的结构图;
图2示意性地示出了图1的器件的制备工艺;
图3示意性地示出了根据本发明的彩色有机电致发光器件的结构图;
图4示意性地示出了图3的器件的制备工艺。
附图标记
01’基板
02’阳极
03’阴极
04’空穴注入层
05’空穴传输层
06’发光层
08’电子传输层
101’精密掩模
102’精密掩模
103’精密掩模
01基板
02阳极
03阴极
04空穴注入层
05空穴传输层
06磷光发光层
07蓝光发光层
08’电子传输层
101精密掩模
102精密掩模
103开放式掩模
104精密掩模
105开放式掩模
具体实施方式
首先说明本申请的主要化学物质的结构式如下:
本发明的有机电致发光器件的一般结构
本发明的有机电致发光器件的基本结构如图3所示,其中包括:基板01,该基板01可为玻璃或柔性基片,柔性基片采用聚酯类、聚酰胺类化合物中的一种材料;阳极层02,可采用无机材料或有机导电聚合物,优选采用无机材料氧化铟锡(简称ITO);阴极层03,一般采用锂、钙、锶、铝、铟等功函数较低的金属或它们与铜、金、银的合金,或者金属与金属氟化物交替形成的电极层,优选为依此的LiF层、Al层。
图3中的有机电致发光器件还包括有机功能层,该有机功能层包括红、绿、蓝三种亚像素有机功能区。其中,红光和绿光亚像素有机功能区包括空穴注入层(HIL)04、空穴传输层(HTL)05、磷光发光层06(该磷光发光层可以包括黄光发光层(对应于非蓝光亚像素部分),或者包括红光发光层和绿光发光层(分别对应于像素的红光亚像素和绿光亚像素部分))、覆盖红、绿和蓝亚像素部分的蓝光发光层07(可以为荧光发光层)、电子传输层(ETL)08。其中,蓝光亚像素有机功能区包括空穴注入层(HIL)04、空穴传输层(HTL)05、蓝光发光层07、电子传输层(ETL)08,且蓝光发光层07覆盖红、绿和蓝亚像素部分,可以为荧光发光层。红光、绿光亚像素有机功能区和蓝光亚像素有机功能区有共同的空穴注入层(HIL)04、空穴传输层(HTL)05、蓝光发光层07、电子传输层(ETL)08。尽管未示出,还可以包括电子注入层EIL。
图3中示出了对应于红光亚像素和绿光亚像素有机功能区的结构,其中,磷光发光层06靠近阳极层02一侧,蓝光发光层07靠近阴极层03一侧,在这种情况下要求蓝光发光层为电子性质,即,蓝光发光层的电子迁移率大于空穴迁移率,优选的,至少大于一个数量级。在另一实施例中,磷光发光层靠近阴极一侧,而蓝光发光层靠近阳极一侧,在这种情况下要求蓝光发光层为空穴性质,即,蓝光发光层的空穴迁移率大于电子迁移率,优选的,至少大于一个数量级。
当磷光发光层06与蓝光发光层07直接接触,且磷光发光层06靠近阳极一侧,蓝光发光层07靠近阴极一侧时,为了实现更高的效率,优选的,该磷光发光层的主体材料为电子性质的材料。更优选的,蓝光发光层的HOMO能级低于磷光发光层的HOMO能级。
磷光发光层06与蓝光发光层07也可以不直接接触,在磷光发光层和蓝光发光层之间具有阻挡层BL,该阻挡层的电子迁移率大于空穴迁移率,阻挡层的材料的三线态能级大于等于磷光发光层主体材料的三线态能级。由于单独的阻挡层的存在,对蓝光发光层的材料的HOMO能级没有限制,就可以实现更高的器件效率。
下面将重点针对非蓝光亚像素有机功能区结构进行阐述,分别列举底发光和顶发光两种类型,并介绍其制备方法。
底发光类型的有机电致发光器件的具体结构和制备方法
底发光类型的有机电致发光器件的具体结构为:阳极/空穴注入层/空穴传输层/磷光发光层/蓝光荧光发光层/电子传输层和/或电子注入层/阴极;或阳极/空穴注入层/空穴传输层/蓝光荧光发光层/磷光发光层/电子传输层和/或电子注入层/阴极。
其中磷光发光层为非蓝光发光层,优选为红光、橙红、黄光、黄绿光、绿光的磷光发光层。
当磷光层与蓝光荧光层之间没有阻挡层时,要求:
当磷光发光层靠近阳极一侧,蓝光荧光发光层靠近阴极一侧时,磷光发光层的主体材料的电子迁移率大于空穴迁移率,优选的,至少一个数量级以上。当磷光发光层靠近阴极一侧,蓝光荧光发光层靠近阳极一侧时,磷光发光层的空穴迁移率大于电子迁移率,优选的,至少一个数量级以上。
当磷光发光层和蓝光荧光发光层之间具有阻挡层时,要求:
当磷光发光层靠近阳极一侧,蓝光荧光发光层靠近阴极一侧时,阻挡层的电子迁移率大于空穴迁移率,优选的,至少一个数量级以上;当磷光发光层靠近阴极一侧,蓝光荧光发光层靠近阳极一侧时,阻挡层的空穴迁移率大于电子迁移率,优选的,至少一个数量级以上,且阻挡层材料的三线态能级大于等于磷光层主体材料的三线态能级。
上述器件结构的电致发光光谱中没有蓝光荧光的发射。
上述器件结构中的磷光发光层的主体材料可以为一种材料,也可以为两种或两种以上材料,磷光发光层的染料也可以为一种或两种或两种以上材料,其阻挡层也可以为一种材料或两种或两种以上材料。
对比例1和实施例1:
表1-1对比例1和实施例1的器件结构
本技术方案采用的器件结构为:
阳极/空穴注入层/空穴传输层/磷光发光层/电子传输层/电子注入层/阴极(对比例1-1)
阳极/空穴注入层/空穴传输层/磷光发光层/蓝光荧光发光层/电子传输层/电子注入层/阴极(实施例1-1)
阳极/空穴注入层/空穴传输层/磷光发光层/阻挡层/蓝光荧光发光层/电子传输层/电子注入层/阴极(实施例1-2至1-5)
实施例1-2的制备步骤如下:
①利用煮沸的洗涤剂超声和去离子水超声的方法对玻璃基板01进行清洗,并放置在红外灯下烘干。在玻璃上溅射一层ITO作为阳极02,膜厚为180nm;
②把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内,抽真空至1×10-5Pa,在上述阳极层膜上采用双源共蒸的方法继续蒸镀一层空穴注入层04,速率为0.1nm/s,蒸镀膜厚为150nm;
③在上述空穴注入层膜上,继续蒸镀一层空穴传输层05,速率为0.1nm/s,蒸镀膜厚为20nm;
④再采用双源共蒸的方法,进行磷光发光层06的蒸镀;
⑤在上述磷光发光层之上,继续蒸镀一层阻挡层;
⑥再采用双源共蒸的方法,进行蓝光荧光发光层07的蒸镀;
⑦在蓝光荧光发光层之上,继续蒸镀一层电子传输材料作为电子传输层08;
⑧最后,在上述发光层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层03,其中LiF层的蒸镀速率为0.01~0.02nm/s,厚度为0.7nm,Al层的蒸镀速率为2.0nm/s,厚度为150nm。
表1-2对比例1和实施例1的器件性能
对比例1-1是单独的黄光器件,器件的电致发光光谱中只有染料YD-1的发射。对比例1-1作为单纯黄光器件的标准器件,用来与其余器件进行对比。实施例1-1中,在黄光磷光层之后直接加入了蓝光荧光层BH-1:BD-1,器件的光谱中依然只有黄光的发射,没有蓝光的发射,色坐标与对比例基本一致。这是因为:黄光磷光层的主体材料的性质为电子性质,其电子迁移率大于空穴迁移率,而蓝光层的主体材料也为电子性质,所以其复合区域偏向于黄光层内靠近阳极一侧的区域内,以及黄光层和空穴传输层界面,在黄光层与蓝光层界面,没有有效复合,所以器件的光谱中没有蓝光的发射,只有单纯黄光的发射。且由于加入了一层额外的蓝光层,器件内部的空穴和电子更加平衡,器件的效率得到了提高。
实施例1-2中,在黄光层和蓝光层之间加入了5nm的电子性质的阻挡层Bphen,器件的光谱中也没有蓝光的发射,和单独黄光器件对比例1-1的光谱一致。薄薄的5nm的阻挡层的加入,依然没有改变器件的色坐标,并且效率得到了进一步提高,这是因为:由于阻挡层和黄光磷光层主体材料的性质都为电子性质,所以此时,其复合区域依然位于黄光层内靠近阳极一侧的区域内,以及黄光层和空穴传输层界面,在阻挡层和蓝光层的界面,没有有效复合,所以蓝光就没有实现发光,保证了黄光的色纯度。
实施例1-3,将Bphen更换为TPBI,并且将黄光层主体材料更换为CBP,TPBI具有的性质和Bphen一样,即,高的电子迁移率和高的三线态能级,结果达到了同样的效果,器件的光谱中只有黄光的发射,没有蓝光的发射。但是与实施例1-2不同的是,此时由于黄光层主体材料的性质为双极性,所以其复合区域位于黄光层内,以及黄光层与阻挡层的界面。实施例1-4使用了Bphen和TPBI的掺杂形式,依然可以达到同样的效果。这说明只要阻挡层具备电子性质,就可以应用在此方案中,材料的种类宽泛。
实施例1-5在CBP中掺入了浓度40%的TPBI后,与实施例1-4相比,更换了阻挡层的材料,但是只要保证阻挡层的性质为电子性质,依然可以达到实施例1-4同样的效果。
综上说明,在磷光发光层之后覆盖一层蓝光荧光层,可以使得器件的效率更高,并且器件的色坐标基本不变。上述结果是通过复合区域的调节来实现的。优选的,在磷光发光层与蓝光荧光层之间加入一层阻挡层,效率提升的幅度更大,效果更优。
并且,无论是蓝光荧光发光层覆盖磷光层时,或磷光层覆盖蓝光荧光发光层时,与单独只有磷光发光层的器件相比,效率均可以得到提升,色坐标均可以保持一致。
之所以优选在蓝光荧光发光层与磷光层之间加入阻挡层,是因为:
在磷光层与蓝光荧光层之间有一层单独的阻挡层,此阻挡层具备高的三线态能级,其三线态能级高于荧光层和磷光层的三线态能级,从而阻止了磷光层材料的三线态能量传递到蓝光荧光层上,避免了三线态激子能量的浪费,改善了器件效率。另外,由于单独HBL层的作用,复合区域可以位于EML/HBL界面,这样也可以避免激子在HTL附近复合,从而进一步提升了器件效率,且对器件的稳定性也有改善作用。再者,载流子的平衡,可以通过阻挡层厚度来进行调节,还可以通过阻挡层材料载流子迁移率的大小来进行调节,所以载流子更加容易平衡,也使得器件的效率得到提升。
对比例2和实施例2
对比例2-1,以及实施例2-1至2-4的制备过程同实施例1-2的制备过程相同,除了将黄光层双源蒸镀改为三源蒸镀。
实施例2-1至2-4,其机理和实施效果与实施例1-1至1-5,基本一致。
由对比例2和实施例2可以说明,本技术方案不仅适用于单主体器件,也适用于双主体器件。
表2-1对比例2和实施例2的器件结构
表2-2对比例2和实施例2的器件性能
对比例3和实施例3
对比例3-1,以及实施例3-1至3-3的制备过程同实施例1-2的制备过程相同,除了将黄光层材料改为绿光层材料。
实施例3-1至3-3,其机理和实施效果与实施例1-1至1-5,基本一致。
由对比例3和实施例3可以说明,本技术方案不仅适用于黄色器件,也适用于其它颜色,如绿光器件。
表3-1对比例3和实施例3的器件结构
表3-2对比例3和实施例3的器件性能
对比例4和实施例4
对比例4-1,以及实施例4-1至4-3的制备过程同实施例1-2的制备过程相同,除了将黄光层材料改为红光层材料。
实施例4-1至4-3,其机理和实施效果与实施例1-1至1-5,基本一致。
由对比例4和实施例4可以说明,本技术方案不仅适用于黄色、绿色器件,也适用于其它颜色,如红光器件。
表4-1对比例4和实施例4的器件结构
表4-2对比例4和实施例4的器件性能
对比例5和实施例5
对比例5-1,以及实施例5-1至5-3的制备过程同实施例1-2的制备过程相同,除了将黄光层由单一黄光染料改为绿光敏化红光的结构。
实施例5-1至5-3,其机理和实施效果与实施例1-1至1-5,基本一致。
由对比例5和实施例5可以说明,本技术方案不仅适用于黄色、绿色、红色等单一染料结构的单色器件,也适用于敏化结构的器件。
表5-1对比例5和实施例5的器件结构
表5-2对比例5和实施例5的器件性能
针对于顶发光OLED的具体对比例与实施例
所述顶发光器件结构中,反射阳极的特征是反射率>90%,以反射率>95%为优选。所用材料包括银(Ag)及其合金、铝(Al)及其合金,例如银(Ag)、银和铅的合金(Ag:Pb)、铝和钕的合金(Al:Nd)、银铂铜的合金(Ag:Pt:Cu)等。当使用Ag及其合金作为反射层时,在反射层与基板之间可以包括一层ITO。
所述顶发光器件结构中,阴极的透光率在30%-90%,优选50%-80%。在该透光率的条件下,既能够实现光学谐振腔,又能够获得好的出射光效率。所用的材料为在全波段范围内消光系数小于4.5的金属,在蓝光波段范围之内,优选地消光系数小于2.75,在绿光波段范围之内优选地消光系数小于3.5,在红光波段范围之内优选地消光系数小于4.2。满足上述消光系数的材料,可以避免发射光通过时的损失。选用上述材料的阴极之上还可以包括一层增透层,其折射率>1.6,优选折射率>1.8的材料,以增强透射光强调,并调节光谱。
表6-1对比例6和实施例6的器件结构
表6-2对比例6和实施例6的器件性能
亮度(cd/m2) | 电压(V) | 电流效率(cd/A) | 色坐标(x,y) | |
对比例6 | 1000 | 3.56 | 13.7 | (0.66,0.33) |
实施例6 | 1000 | 3.6 | 15.6 | (0.66,0.33) |
对比例6和实施例6说明,本技术方案适用于红光顶发光结构,且效率得到了提升,色度可以维持不变。
表7-1对比例7和实施例7的器件结构
表7-2对比例7和实施例7的器件性能
亮度(cd/m2) | 电压(V) | 电流效率(cd/A) | 色坐标(x,y) | |
对比例7 | 1000 | 3.24 | 74 | (0.29,0.67) |
实施例7 | 1000 | 3.15 | 82 | (0.27,0.71) |
对比例7和实施例7说明,本技术方案适用于绿光顶发光结构,且效率得到了提升,且色度可以调节的更纯,这对于顶发光结构来制备有机电致发光二极管(AMOLED)来说,可以提高色域,使得整个AMOLED显示屏显示的色彩更加纯正。
表8-1对比例8和实施例8-9的器件结构
表8-2对比例8和实施例8-9的器件性能
亮度(cd/m2) | 电压(V) | 电流效率(cd/A) | 色坐标(x,y) | |
对比例8 | 1000 | 3.05 | 65 | (0.52,0.47) |
实施例8 | 1000 | 3.1 | 14 | (0.65,0.33) |
实施例9 | 1000 | 3.12 | 71 | (0.30,0.67) |
对比例8和实施例8说明,本技术方案适用于绿光敏化红光的顶发光结构,器件的光谱中不仅有红光的波峰,还有绿光的波峰,当调节光程时,可以使用此结构,分别得到单纯的红光或绿光。这对于制备顶发光结构彩屏时,可以增加开口率,简化工艺,节省成本。
以上对比例和实施例均为本发明可采取的实施方式。
下面结合图4描述本发明的有机电致发光器件的一种制备工艺,为了清楚,图中仅示出了进行红光、绿光和蓝光发光层的蒸镀示意图。该制备工艺包括步骤。
1)在基板01上制备ITO薄膜;
2)刻蚀ITO阳极图形;
3)ITO上制备绝缘层,形成多个发光像素,每个像素内有红、绿、蓝三个亚像素;
4)将上述基板传送至蒸镀设备的等离子处理腔室,进行等离子处理;
5)将上述基板,装上开放式掩模传送至第一有机腔室,进行HIL层的蒸镀;
6)将上述基板,装上开放式掩模传送至第二有机腔室,进行HTL层的蒸镀;
7)将上述基板,装上精密掩模101,传送至第三有机腔室,然后进行精确对位,将精密掩模101的镂空部分正好覆盖了基板的红色亚像素部分,然后进行红光发光层蒸镀;
8)将上述基板,装上精密掩模102,传送至第四有机腔室,然后进行精确对位,将精密掩模102的镂空部分正好覆盖了基板的绿色亚像素部分,然后进行绿光发光层蒸镀;
将9)将上述基板,装上开放式掩模103,传送至第五有机腔室,进行蓝光发光层的蒸镀,此层的蒸镀不需要精密掩模;
10)将上述基板,装上开放式掩模传送至第六有机腔室,进行ETL层的蒸镀;
11)将上述基板,装上电极开放式掩模传送至电极腔室,进行阴极的蒸镀;
12)将上述蒸镀完毕的基板,传送至手套箱,进行封装。
经过上述步骤后,完成了根据本发明的一种有机电致发光器件的制备过程。
当有机电致发光器件具有阻挡层时,可在上述步骤7)和8)中进行阻挡层的蒸镀。
Claims (20)
1.一种彩色有机电致发光器件,包括:
基板;
第一电极;
第二电极;和
设置于该第一和第二电极之间的有机功能层,该有机功能层至少包括红、绿、蓝三种亚像素有机功能区,其中至少一种亚像素有机功能区包括:
磷光发光层,该磷光发光层为非蓝光发光层;和
蓝光发光层,
其中,该蓝光发光层覆盖该磷光发光层。
2.如权利要求1所述的彩色有机电致发光器件,其中,所述磷光发光层包括红光发光层或绿光发光层。
3.如权利要求1所述的彩色有机电致发光器件,其中,所述蓝光发光层包括蓝光荧光发光层。
4.如权利要求1-3中任一项所述的彩色有机电致发光器件,其中,所述有机电致发光器件为底发光的有机电致发光器件。
5.如权利要求4所述的彩色有机电致发光器件,其中,所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极。
6.如权利要求5所述的彩色有机电致发光器件,其中,所述至少一种亚像素有机功能区包括:
空穴注入层/空穴传输层/磷光发光层/蓝光荧光层/电子传输层和/或电子注入层。
7.如权利要求5所述的彩色有机电致发光器件,其中,所述至少一种亚像素有机功能区包括:
空穴注入层/空穴传输层/蓝光荧光层/磷光发光层/电子传输层和/或电子注入层。
8.如权利要求1-3中任一项所述的彩色有机电致发光器件,其中,该有机电致发光器件为顶发光的有机电致发光器件。
9.如权利要求8所述的彩色有机电致发光器件,其中,所述第一电极为反射阳极,所述第二电极为透射阴极。
10.如权利要求9所述的彩色有机电致发光器件,其中,所述至少一种亚像素有机功能区包括:
空穴注入层/空穴传输层/磷光发光层/蓝光荧光发光层/电子传输层和/或电子注入层。
11.如权利要求9所述的彩色有机电致发光器件,其中,所述至少一种亚像素的有机功能区包括:
空穴注入层/空穴传输层/蓝光荧光发光层/磷光发光层/电子传输层和/或电子注入层。
12.如权利要求6、7、10和11中任一项所述的彩色有机电致发光器件,其中,所述蓝光荧光发光层和磷光发光层之间具有阻挡层。
13.如权利要求12所述的彩色有机电致发光器件,其中,所述阻挡层的材料的三线态能级大于或等于所述磷光发光层的材料的三线态能级。
14.如权利要求12所述的彩色有机电致发光器件,其中,所述阻挡层的材料为电子性质或空穴性质。
15.如权利要求1所述的彩色有机电致发光器件,其中,所述蓝光发光层的性质为电子性质或空穴性质。
16.一种制备彩色有机电致发光器件的方法,至少包括步骤:
a)在基板上制备阳极层;
b)在阳极层上制备绝缘层,形成多个发光像素,每个像素内包括磷光亚像素和蓝光亚像素;
c)将上述基板传送至蒸镀设备的等离子处理腔室,进行等离子处理;
d)将上述基板,装上第一开放式掩模进行空穴注入层的制备;
e)将上述基板,装上第二开放式掩模进行空穴传输层的制备;
f)利用精密掩模在磷光亚像素部分进行磷光发光层的制备,且利用第三开放式掩模进行制备蓝光发光层,该蓝光发光层覆盖磷光亚像素和蓝光亚像素;
g)将上述基板,装上第四开放式掩模进行电子传输层的制备;
h)将上述基板,装上第五开放式掩模进行阴极的制备;
i)封装。
17.如权利要求16所述的方法,其中,所述磷光亚像素包括红光亚像素和绿光亚像素。
18.如权利要求17所述的方法,其中,利用第一精密掩模制备红光发光层,该第一精密掩模的镂空部分对应红光亚像素;利用第二精密掩模制备绿光发光层,该第二精密掩模的镂空部分对应绿光亚像素。
19.如权利要求16至18中任一项所述的方法,还包括在磷光发光层和蓝光发光层之间制备阻挡层的步骤。
20.如权利要求19所述的方法,其中,阻挡层的材料的三线态能级大于或等于所述磷光发光层的材料的三线态能级。
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