CN102169261A - 液晶显示面板的薄膜晶体管基板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种液晶显示面板的薄膜晶体管基板,包括一基板、多条栅极线、多条数据线、多条储存电极线、多条遮蔽导线以及多个像素电极。数据线与栅极线在基板上定义出多个呈阵列排列的像素区。各储存电极线贯穿相对应的像素区且将这些像素区划分为一第一区域与一第二区域。遮蔽导线分别设置于像素区内,其中各遮蔽导线包括一位于第一区域内的第一遮蔽导线段以及一位于第二区域内的第二遮蔽导线段。像素电极分别设置于各像素区内,且分别与对应的第一遮蔽导线段与第二遮蔽导线段电性连接。
Description
技术领域
本发明涉及一种液晶显示面板的薄膜晶体管基板,尤指一种在像素区内设置有贯穿像素区的储存电极线以及位于储存电极线的两侧且与像素电极电性连接的遮蔽导线的液晶显示面板的薄膜晶体管基板。
背景技术
请参考图1,图1绘示了公知液晶显示面板的薄膜晶体管基板示意图。如图1所示,公知液晶显示面板的薄膜晶体管基板1包括一基板10、多条栅极线11、多条数据线12与多条储存电极线13。各栅极线11沿一第一方向S1(例如一水平方向)延伸,且栅极线11彼此平行设置于基板10上,各数据线12沿大体上沿一第二方向S2(例如一垂直方向)延伸,第二方向S2垂直于第一方向S1,且数据线12彼此平行设置于基板10上。此外,栅极线11与数据线12交错设置于基板10上,并定义出多个像素区P。此外,储存电极线13与数据线12平行交替设置于基板10上,且各储存电极线13贯穿相邻的二条数据线12与栅极线11所定义的像素区P。其中,储存电极线13具有多条第一储存电极线段131与多条第二储存电极线段132。
在公知液晶显示面板的薄膜晶体管基板中,栅极线11的两侧会产生水平电场而影响液晶分子的排列,进而造成漏光问题。由于储存电容值的考虑,第二储存电极线段132仅位于栅极线11的其中一侧,因此位于栅极线11的其中一侧的区域的漏光可被第二储存电极线段132阻挡,而位于栅极线11的另一侧的区域的漏光必须通过液晶显示面板的彩色滤光片基板上的黑色矩阵(图未示)来阻挡。然而,由于黑色矩阵的精细度较储存电极线13的精细度低,加上薄膜晶体管基板与彩色滤光片基板之间于组装时会有对位误差的产生,因此会造成栅极线11的另一侧的区域产生漏光问题。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种在像素区内设置有贯穿像素区的储存电极线以及位于储存电极线的两侧且与像素电极电性连接的遮蔽导线的液晶显示面板的薄膜晶体管基板,借此避免液晶显示面板的薄膜晶体管基板的漏光问题。
本发明的一较佳实施例提供一种液晶显示面板的薄膜晶体管基板,包括一基板、多条栅极线、多条数据线、多条储存电极线、多条遮蔽导线以及多个像素电极。其中栅极线沿一第一方向延伸且彼此平行设置于该基板上,数据线沿一第二方向延伸且彼此平行设置于该基板上,第二方向大体上垂直第一方向,且数据线与栅极线为交叉设置并定义出多个呈阵列排列的像素区。各储存电极线贯穿相对应的像素区且将相对应的像素区划分为一第一区域与一第二区域。各遮蔽导线分别设置于各像素区内,其中各遮蔽导线包括一位于第一区域内的第一遮蔽导线段以及一位于第二区域内的第二遮蔽导线段。像素电极分别设置于各像素区内,且分别与对应的该遮蔽导线的该第一遮蔽导线段与该第二遮蔽导线段电性连接。
本发明所提供的液晶显示面板的薄膜晶体管基板,在由栅极线与数据线所定义出的像素区内设置贯穿像素区的储存电极线以及位于储存电极线的两侧且与像素电极电性连接的遮蔽导线,借此达成提升薄膜晶体管基板的遮光效果并同时达到降低储存电极线的电阻值的功效。
为了使本领域技术人员能更进一步了解本发明的特征及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图。然而所附附图仅供参考与辅助说明用,并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1绘示了公知液晶显示面板的薄膜晶体管基板示意图;
图2A绘示了本发明的一较佳实施例的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的俯视示意图;
图2B绘示了沿图2A的A-A’剖线与B-B’剖线绘示的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的剖面示意图;
图3绘示了本发明的另一较佳实施例的剖面示意图;
图4A绘示了本发明的又一较佳实施例的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的俯视意图;
图4B绘示了沿图4A的A-A’剖线与B-B’剖线绘示的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的剖面示意图;
图5A绘示了本发明的第二较佳实施例的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的俯视示意图;
图5B绘示了沿图5A的A-A’剖线与B-B’剖线绘示的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的剖面示意图。
其中,附图标记
1液晶显示面板的薄膜晶体管基板 10基板
20液晶显示面板的薄膜晶体管基板 21基板
13、CS储存电极线 22像素电极
CST T形储存电极线段 CSS直线形储存电极线段
CST1第一直线形储存电极线 CST2第二直线形储存电极线
11、GL栅极线 12、DL数据线
131第一储存电极线段 132第二储存电极线段
M1第一图案化金属层 M2第二图案化金属层
M3第三图案化金属层 TH接触孔
SM遮蔽导线 SM1第一遮蔽导线段
SM2第二遮蔽导线段 S1、D1第一方向
S2、D2第二方向 P像素区
P1第一区域 P2第二区域
23绝缘层 TFT薄膜晶体管
D漏极
具体实施方式
为使本领域普通技术人员能更近一步了解本发明,下文特列举本发明的较佳实施例,并配合所附附图,详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。
请参考图2A与图2B,图2A绘示了本发明的一较佳实施例的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的俯视示意图,图2B绘示了沿图2A的A-A’剖线与B-B’剖线绘示的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的剖面示意图。如图2A与图2B所示,本实施例的液晶显示面板的薄膜晶体管基板20包括一基板21、多条栅极线GL、多条数据线DL、多条储存电极线CS、多条遮蔽导线SM以及多个像素电极22。栅极线GL沿一第一方向D1延伸(例如图2A的水平方向),且栅极线GL彼此平行排列并设置于基板21上,数据线DL沿第二方向D2延伸(例如图2A的垂直方向),第二方向D2大体上垂直第一方向D1,且数据线DL彼此平行排列并设置于基板21上。此外,数据线DL与栅极线GL为交错设置并定义出多个大体上为长方形且呈阵列排列的像素区P,且各像素区P设置有一薄膜晶体管TFT。在本实施例中,以三栅极(tri-gate)型液晶显示面板为例说明,也就是说,在解析度为n*m的状况下,数据线DL的数目为m,而栅极线GL的数目为3n,且各数据线DL对应于各像素区P的短边,以及各栅极线GL对应于各像素区P的长边。
在本实施例中,储存电极线CS与数据线DL平行且交替地设置于基板20上。换句话说,储存电极线CS亦沿第二方向D2延伸而设置于基板21上。此外,各储存电极线CS贯穿相邻的二条数据线DL与所有的栅极线GL所构成的像素区P,且将被贯穿的像素区P被划分为一第一区域P1与一第二区域P2。在本实施例中,各储存电极线CS包括多条T形储存电极线段CST,分别位于各像素区P内。其中,各T形储存电极线段CST更包括一第一直条形储存电极线段CST1以及一第二直条形储存电极线段CST2。第一直条形储存电极线段CST1沿第二方向D2延伸设置并位于各像素区P的第一区域P1与第二区域P2之间,第一直条形储存电极线段CST1沿第二方向D2彼此平行排列,且相邻的像素区P内的第一直条形储存电极线段CST1彼此电性连接。第二直条形储存电极线段CST2沿第一方向D1设置并位于各像素区P的一侧,且第二直条形储存电极线段CST2与对应的第一直条形储存电极线段CST1电性连接。第二直条形储存电极线段CST2除了具有储存电容之功能外,由于其设置于栅极线GL的一侧,因此亦可阻挡因栅极线GL产生的水平电场导致的漏光,而提升液晶显示面板的薄膜晶体管基板20的遮光能力。
遮蔽导线SM分别设置于各像素区P内,其中各遮蔽导线SM包括一位于第一区域P1内的第一遮蔽导线段SM1以及一位于第二区域P2内的第二遮蔽导线段SM2。在本实施例中,各第一遮蔽导线段SM1大体上设置于各第一区域P1内相对于T形储存电极线段CST之外的另二边,且各第二遮蔽导线段SM2大体上设置于各第二区域P2中相对应于T形储存电极线段CST之外的另二边,但并不以此为限。精确地说,在本实施例中,遮蔽导线SM设置于栅极线GL的一侧以及数据线DL的一侧,因此可阻挡此区域的漏光。也就是说,T形储存电极线段CST与第一遮蔽导线段SM1两者大体上共同环绕了第一区域P1的四周,而可阻挡第一区域P1的周边的漏光,而同理T形储存电极线段CST与第二遮蔽导线段SM2两者大体上共同环绕了第二区域P2的四周,而可阻挡第一区域P2的周边的漏光。此外,由于遮蔽导线SM与像素电极22电性连接,因此不会产生水平电场而可避免影响液晶分子的排列。
在本实施例中,像素电极22分别设置于各像素区P上,且液晶显示面板的薄膜晶体管基板20另包括一绝缘层23设置于像素电极22与遮蔽导线SM之间。在各像素区P内,绝缘层23分别包括至少二接触孔TH,其中各接触孔TH分别设置于各像素区P的第一区域P1与第二区域P2内。在本实施例中,各像素电极22分别通过绝缘层23的两个接触孔TH与对应的第一遮蔽导线段SM1与第二遮蔽导线段SM2电性连接。此外,第二遮蔽导线段SM2举例可为薄膜晶体管TFT的漏极D的延伸部分。
请再参考图2B,在本实施例中,栅极线GL由一第一图案化金属层M1所构成,而数据线DL、储存电极线CS与遮蔽导线SM则由一第二图案化金属层M2所构成,且第一图案化金属层M1与该第二图案化金属层M2为不同膜层。在本实施例中,第一图案化金属层M1为在第二图案化金属层M2的下方,但并不以此为限。此外,由于栅极线GL与遮蔽导线SM由不同膜层所构成,因此遮蔽导线SM与栅极线GL的距离可较靠近,而可增加开口率。在本发明中,遮蔽导线SM并不限定由第二图案化金属层M2所构成,而可视设计不同加以变更。请参考图3,图3本发明的另一较佳实施例的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的剖面示意图。如图3所示,在本实施例中,栅极线GL与遮蔽导线SM由一第一图案化金属层M1构成,而数据线DL与储存电极线CS由一第二图案化金属层M2构成,且第一图案化金属层M1与第二图案化金属层M2为不同膜层。此外,在本实施例中,由第一图案化金属层M1所构成的遮蔽导线SM通过接触洞TH与像素电极22电性连接。此外,在本实施例中,第一图案化金属层M1位于第二图案化金属层M2的下方,但并不以此为限。
请另参考图4A与图4B。图4A绘示了本发明的又一较佳实施例的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的俯视示意图,图4B绘示了沿图4A的A-A’剖线与B-B,剖线绘示的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的剖面示意图。如图4A与图4B所示,在本实施例中,栅极线GL由一第一图案化金属层M1构成,数据线DL与储存电极线CS由一第二图案化金属层M2构成,而遮蔽导线SM的第一遮蔽导线段SM1由一设置于像素电极22上的第三图案化金属层M3构成,其中第一图案化金属层M1、第二图案化金属层M2与第三图案化金属层M3为不同膜层。例如在本实施例中,第二图案化金属层M2位于第一图案化金属层M1之上,且第三图案化金属层M3位于第二图案化金属层M2与像素电极22之上并直接与像素电极22接触。通过上述配置,在本实施例中,各遮蔽导线SM可不须通过接触孔即可与各像素电极22电性连接,而像素电极22则仍通过接触孔TH与薄膜晶体管TFT的漏极D电性连接。值得说明的是第三图案化金属层M3亦可位于例如像素电极22的下方并直接与像素电极22接触,借此遮蔽导线SM仍可不须通过接触孔与像素电极22电性连接。
本发明的液晶显示面板的薄膜晶体管基板并不以上述实施例为限,而可具有其他不同的实施型态。为了简化说明并易于比较,在下文的第二较佳实施例中,对于相同元件沿用相同的符号表示,并仅对两实施例的相异处进行详述。请参考图5A与图5B,图5A与图5B绘示了本发明的第二较佳实施例的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的俯视示意图,图5B绘示了沿图5A的A-A’剖线与B-B’剖线绘示的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的剖面示意图。如图5A与图5B所示,在本实施例中,储存电极线CS包括多条直条形储存电极线段CSS,直条形储存电极线段CSS分别沿第二方向D2延伸设置且位于由相邻的二数据线DL与所有的栅极线GL所构成的各像素区P内,并位于各像素区P的第一区域P1与第二区域P2之间,且相邻的像素区P内的直条形储存电极线段CSS彼此电性连接。此外,在本实施例中,各遮蔽导线SM的第一遮蔽导线段SM1大体上设置于各像素区P的第一区域P1内,并设置于相对于直条形储存电极线段CSS之外的另三边,以及各遮蔽导线SM的第二遮蔽导线段SM2大体上设置于各像素区P的第二区域P2内,并设置于相对于直条形储存电极线段CSS之外的另三边。也就是说,第一遮蔽导线段SM1与第二遮蔽导线段SM2分别具有一类马蹄形的图案。通过此种设计,直条形储存电极线段CSS与第一遮蔽导线段SM1两者大体上共同环绕了第一区域P1的四周,而可阻挡第一区域P1的周边的漏光,而同理直条形储存电极线段CSS与第二遮蔽导线段SM2两者大体上共同环绕了第一区域P2的四周,而可阻挡第二区域P2的周边的漏光。值得说明的是,在本实施例中,栅极线GL由第一图案化金属层M1所构成,而数据线DL、储存电极线CS与遮蔽导线SM则由第二图案化金属层M2所构成,且第一图案化金属层M1与该第二图案化金属层M2为不同膜层。此外,栅极线GL、数据线DL、储存电极线CS与遮蔽导线SM等导线的膜层并不以此为限,而可如图3与图4A及图4B的实施例所示加以变更,在此不再赘述。
综上所述,本发明的液晶显示面板的薄膜晶体管基板于像素区内设置于像素区内设置有贯穿像素区的储存电极线以及位于储存电极线的两侧且与像素电极电性连接的遮蔽导线,借此可减少液晶显示面板的漏光情形。此外,由于储存电极线可包括直条形储存电极线段,因此亦可降低储存电极线的电阻值,而可减少电阻-电容负载。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种液晶显示面板的薄膜晶体管基板,其特征在于,包括:
一基板;
多条栅极线,各该栅极线大体沿一第一方向延伸而设置于该基板上;
多条数据线,各该数据线大体沿一第二方向延伸而设置于该基板上,该第二方向大体上垂直于该第一方向,这些数据线与这些栅极线交叉设置并于基板上定义出多个像素区,且这些像素区呈阵列排列;
多条储存电极线,与这些数据线平行交替设置,且各该储存电极线贯穿相对应的这些像素区且将相对应的这些像素区划分为一第一区域与一第二区域;
多条遮蔽导线,设置于该基板上并分别设置于各该像素区内,其中各该遮蔽导线包括一第一遮蔽导线段位于各该像素区的该第一区域内,以及一第二遮蔽导线段位于各该像素区的该第二区域内;以及
多个像素电极,分别设置于各该像素区内,且各该像素电极分别与对应的该遮蔽导线的该第一遮蔽导线段与该第二遮蔽导线段电性连接。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板的薄膜晶体管基板,其特征在于,各该像素区包括一长方形区,该长方形区的一长边平行于该第一方向,且该长方形区的一短边平行于该第二方向。
3.根据权利要求1所述的液晶显示面板的薄膜晶体管基板,其特征在于,各该储存电极线包括多条T形储存电极线段,分别设置于各该像素区内,各该T形储存电极线段包括一第一直条形储存电极线段以及一第二直条形储存电极线段,该第一直条形储存电极线段沿该第二方向设置并位于该第一区域与该第二区域之间,且这些第一直条形储存电极线段彼此电性连接,该第二直条形储存电极线段沿该第一方向设置并位于该第一区域与该第二区域的一侧,且第二直条形储存电极线段与第一直条形储存电极线段电性连接。
4.根据权利要求3所述的液晶显示面板的薄膜晶体管基板,其特征在于,各该遮蔽导线的该第一遮蔽导线段大体上对应于该第一区域相对于该T形储存电极线段之外的二边,且各该遮蔽导线的该第二遮蔽导线段大体上对应于该第二区域相对于该T形储存电极线段之外的二边。
5.根据权利要求1所述的液晶显示面板的薄膜晶体管基板,其特征在于,各该储存电极线包括多条直条形储存电极线段,该些直条形储存电极线段分别沿该第二方向延伸且设置于相对应的该像素区内并位于该第一区域与该第二区域之间,且这些直条形储存电极线段彼此电性连接。
6.根据权利要求5所述的液晶显示面板的薄膜晶体管基板,其特征在于,各该遮蔽导线的该第一遮蔽导线段大体上对应于该第一区域相对于该直条形储存电极线段之外的三边,且各该遮蔽导线的该第二遮蔽导线段大体上对应于该第二区域相对于该直条形储存电极线段之外的三边。
7.根据权利要求1所述的液晶显示面板的薄膜晶体管基板,其特征在于,这些栅极线与这些储存电极线由一第一图案化金属层构成,且这些数据线由一第二图案化金属层构成,该第一图案化金属层与该第二图案化金属层为不同膜层。
8.根据权利要求1所述的液晶显示面板的薄膜晶体管基板,其特征在于,这些栅极线由一第一图案化金属层构成,且这些数据线与这些储存电极线由一第二图案化金属层构成,该第一图案化金属层与该第二图案化金属层为不同膜层。
9.根据权利要求1所述的液晶显示面板的薄膜晶体管基板,其特征在于,这些栅极线由一第一图案化金属层构成,这些数据线由一第二图案化金属层构成,且这些储存电极线由一第三图案化金属层构成,该第一图案化金属层、该第二图案化金属层与该第三图案化金属层为不同膜层。
10.根据权利要求1所述的液晶显示面板的薄膜晶体管基板,其特征在于,另包括一绝缘层设置于这些像素电极与这些遮蔽导线之间,且该绝缘层具有多个接触孔,分别位于各该像素区的该第一区域与该第二区域内,用以电性连接各该像素电极与相对应的该第一遮蔽导线段以及该第二遮蔽导线段。
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