CN102140594B - 一种高强高导高韧铜合金及其制备方法 - Google Patents
一种高强高导高韧铜合金及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102140594B CN102140594B CN201110058012A CN201110058012A CN102140594B CN 102140594 B CN102140594 B CN 102140594B CN 201110058012 A CN201110058012 A CN 201110058012A CN 201110058012 A CN201110058012 A CN 201110058012A CN 102140594 B CN102140594 B CN 102140594B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- copper
- copper alloy
- alloy
- electrolytic
- preparation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
本发明涉及一种高强高导高韧铜合金及其制备方法。所述高强高导高韧铜合金,按重量百分比计,包括成分为:Ni(镍),1.5-4.5%;Si(硅),0.5-0.8%;Ce(铈),0.01-0.3%;Hf(铪),0.05-0.5%;余量为铜和不可避免的杂质。该铜合金组分合理,制备获得的铜合金具有强度高、导电性好、韧性强等优点,铜合金可用于集成电路,特别是大规模和超大规模集成电路框架以及各种电子产品接插件。所述铜合金的制备方法包括配料、真空熔炼、浇铸、冷轧和时效处理步骤。该制备方法排除了热轧工序,使加工工序更为简单。
Description
技术领域
本发明属于金属材料技术领域,具体是涉及一种高强高导高韧铜合金及其制备方法。
背景技术
国内外用于集成电路和半导体的引线框架材料分为铁镍合金(Fe42Ni)和铜合金两大类。铁镍合金的强度和软化温度很高,但电导率和热导率很低,主要用于陶瓷和玻璃封装。铜合金由于优良的导电性和低廉的价格,进入二十一世纪以来,铜合金引线框架的消耗已占总量的90%。
对引线框架,电子设备的各种端子,连接件等所使用的铜合金除了要求具备高强度和高导电性外,更由于各种端子,连接器上引线数量的增加,小节距化的进展较快,要求电子部件具有高密度组装性和高可靠性。因此对电子部件所使用的材料也提出了加工性优良的要求。
在这些合金中,CuNiSi时效硬化型合金是典型的代表性合金,例如:C70250合金(Cu-3Ni-0.65Si-0.1Mg)、KLF1合金(Cu-3.2Ni-0.75Si-0.3Zn)、KLF125合金(Cu-3.2Ni-0.7Si-1.25Sn)等。这些合金典型的工艺一般为:铸锭-热轧-固溶处理-冷轧-时效处理,其加工工艺比较复杂,加工工艺的好坏直接影响产品的性能。
为了提高产品的性能,不少专利提出添加不同微量元素的方法:如WO2008123433A提出在CuNiSi合金基体上加入0.003-0.3%Cr;WO 2009123140Al提出在CuNiSi合金基体上加入<0.2%Mg,0.2-1%Sn,0.2-1%Zn,1-1.5%Co,0.05-0.2%Cr。WO 2006101172A1提出在CuNiSi合金基体上加入0.5-2%Co;WO2008099892A1提出在CuNiSi合金基体中加入至少下列元素中的一种元素:0.1-0.3%Sn,0.085-0.2%Mg,0.01-5%Zn,0.01-0.5%Mn,0.001-0.3%Cr;US2010037996提出在CuNiSi合金基体中加入1-5%Zn,0.1-0.5%Sn,0.003-0.3%P;WO 2009123159提出在CuNiSi合金基体中加入0.01-0.2%Mg;0.05-1.5%Sn,0.2-1.5%Zn。这些微量元素的加入虽然在一定程度上改进了含金的性能,但由于没有改变合金的加工工艺,尚不足以使合金的性能有质的飞跃,无法在强度、导电性和韧性三个方面都达到足够的程度。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的不足,提供一种强度高、导电性好、韧性强的铜合金及其制备方法,该铜合金主要用于集成电路,特别是大规模和超大规模集成电路框架以及各种电子产品接插件。
按照本发明提供的技术方案:
一种高强高导高韧铜合金,其特征在于:按重量百分比计,所述铜合金包括成分为:Ni(镍),1.5-4.5%;Si(硅),0.5-0.8%;Ce(铈),0.01-0.3%;Hf(铪),0.05-0.5%;余量为铜和不可避免的杂质。
作为本发明的进一步改进,按重量百分比计,所述铜合金包括成分为:Ni(镍),2-4%;Si(硅),0.4-0.6%;Ce(铈),0.02-0.15%;Hf(铪),0.1-0.2%;余量为铜和不可避免的杂质。
本发明所述铜合金的特点在于:在CuNiSi合金基体上加入微量的Ce和Hf,Ce在合金中作用是:Ce进入铜液后能与合金中的部分元素反应,形成高熔点化合物,并以极细小的高熔点化合物颗粒悬浮于熔体之中,形成弥散的结晶核心,使晶粒变多、变小,从而细化晶粒;由于Ce的原子半径比铜原子大,比较容易填补铜或铜合金生长过程中晶粒新相的表面缺陷,生成能阻碍晶粒继续生长的膜,从而起细化晶粒的作用。同时Ce与铜中的杂质也会起反应,生产高熔点稀土化合物,进一步达到净化晶体和晶界的作用。Hf的作用与Ce类似,但两者共同作用的结果更为显著,从而可以大大改善了铜合金的整体性能,使其具有高的强度、良好的导电性和韧性。
一种高强高导高韧铜合金的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
(1)配料:称取原材料,所述原材料中含有的化学成分及其重量百分比如下:Ni,1.5-4.5%;Si,0.5-0.8%;Ce,0.01-0.3%;Hf,0.05-0.5%;余量为铜;
(2)真空熔炼:将步骤(1)中称取的原材料放入真空熔炼设备中,在真空度为10-10-2Pa,温度为1250-1300℃的条件下真空熔炼,形成铜合金熔体;
(3)浇铸:将步骤(2)中获得的铜合金熔体浇注成扁锭,并快速冷却(水冷)到室温,以达到固溶处理的目的;
(4)冷轧:将步骤(3)中获得的扁锭冷轧成厚度为0.2-0.4mm的带材;
(5)、时效处理:将步骤(4)中获得的带材在400-500℃的温度下时效处理1-5小时。
作为本发明的进一步改进,所述配料步骤中的原材料包括:电解镍,其提供Ni元素;多晶硅,其提供Si元素;中间合金CuCe,其提供Ce元素和部分铜元素;中间合金CuHf,其提供Hf元素和部分铜元素;电解铜,其提供其余的铜元素。
作为本发明的进一步改进,所述真空熔炼步骤中的真空熔炼设备是真空感应炉。
作为本发明的进一步改进,所述真空熔炼步骤详细操作如下:将电解铜、电解镍和多晶硅加入真空熔炼设备中,调节真空熔炼设备的真空度至10-10-2Pa,然后加热至1250℃-1300℃下保温20-30分钟,使电解铜、电解镍和多晶硅完全熔融;然后加入中间合金CuCe和CuHf,继续保温8~12分钟,形成铜合金熔体。
本发明与现有技术相比,优点在于:合金组分合理,制备获得的铜合金具有强度高、导电性好、韧性强等优点,铜合金可用于集成电路,特别是大规模和超大规模集成电路框架以及各种电子产品接插件。本发明铜合金的制备方法排除了热轧工序,使加工工序更为简单。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
一种铜合金,按重量百分比计,包括的化学成分如下:Ni,3%;Si,0.6%;Ce,0.04%;Hf,0.1%;余量为铜和不可避免的杂质。
所述铜合金的制备方法如下:
(1)配料:根据上述的各化学成分的重量百分比,经计算,称取相应重量的电解铜、电解镍、多晶硅、中间合金CuCe(85Cu-15Ce)和中间合金CuHf(90Cu-10Hf);
(2)真空熔炼:将称取的电解铜、电解镍和多晶硅加入真空感应炉中,调节真空感应炉的真空度至0.5Pa,然后加热至1250℃下保温25分钟,使电解铜、电解镍和多晶硅完全熔融;然后加入中间合金CuCe和CuHf,继续保温10分钟,形成铜合金熔体;
(3)浇注:将上一步骤获得的铜合金熔体浇铸在铸膜内,快速冷却(水冷)到室温,以达到固溶处理的目的,获得厚度为40mm,宽度为105mm铸锭;
(4)冷轧:将上一步骤获得的铸锭冷轧成厚度为0.3mm的带材;
(5)时效处理:将冷轧后的带材在450℃下时效处理150分钟,获得最终的铜合金。
对上述制备获得的铜合金进行测试,其性能如下:抗拉强度σb为720-750MPa,屈服强度σs为620-660MPa,延伸率δ为12-13%,弹性模量E为135-139KN/mm2,导电率为54.2%IACS。
实施例2
一种铜合金,按重量百分比计,包括的化学成分如下:Ni,2.6%;Si,0.75%;Ce,0.07%;Hf,0.15%;余量为铜和不可避免的杂质。
所述铜合金的制备方法如下:
(1)配料:根据上述的各化学成分的重量百分比,经计算,称取相应重量的电解铜、电解镍、多晶硅、中间合金CuCe(85Cu-15Ce)和中间合金CuHf(90Cu-10Hf);
(2)真空熔炼:将称取的电解铜、电解镍和多晶硅加入真空感应炉中,调节真空感应炉的真空度至10Pa,然后加热至1250℃下保温30分钟,使电解铜、电解镍和多晶硅完全熔融;然后加入中间合金CuCe和CuHf,继续保温10分钟,形成铜合金熔体;
(3)浇注:将上一步骤获得的铜合金熔体浇铸在铸膜内,快速冷却(水冷)到室温,以达到固溶处理的目的,获得厚度为40mm,宽度为105mm铸锭;
(4)冷轧:将上一步骤获得的铸锭冷轧成厚度为0.4mm的带材;
(5)时效处理:将冷轧后的带材在420℃下时效处理300分钟,获得最终的铜合金。
对上述制备获得的铜合金进行测试,其性能如下:抗拉强度σb为730-750MPa,屈服强度σs为650-680MPa,延伸率δ为11.5-12.5%,弹性模量E为135KN/mm2,导电率为56%IACS。
实施例3
一种铜合金,按重量百分比计,包括的化学成分如下:Ni,3.3%;Si,0.55%;Ce,0.1%;Hf,0.12%;余量为铜和不可避免的杂质。
所述铜合金的制备方法如下:
(1)配料:根据上述的各化学成分的重量百分比,经计算,称取相应重量的电解铜、电解镍、多晶硅、中间合金CuCe(85Cu-15Ce)和中间合金CuHf(90Cu-10Hf);
(2)真空熔炼:将称取的电解铜、电解镍和多晶硅加入真空感应炉中,调节真空感应炉的真空度至0.01Pa,然后加热至1300℃下保温20分钟,使电解铜、电解镍和多晶硅完全熔融;然后加入中间合金CuCe和CuHf,继续保温10分钟,形成铜合金熔体;
(3)浇注:将上一步骤获得的铜合金熔体浇铸在铸膜内,快速冷却(水冷)到室温,以达到固溶处理的目的,获得厚度为40mm,宽度为105mm铸锭;
(4)冷轧:将上一步骤获得的铸锭冷轧成厚度为0.2mm的带材;
(5)时效处理:将冷轧后的带材在500℃下时效处理60分钟,获得最终的铜合金。
对上述制备获得的铜合金进行测试,其性能如下:抗拉强度σb为700-730MPa,屈服强度σs为630-660MPa,延伸率δ为12-14%,弹性模量E为140KN KN/mm2,导电率为56%IACS。
上述实施例1~3获得铜合金与现有的C70250铜合金(抗拉强度σb>655Mpa;屈服强度σs>580Mpa;弹性模量E=132KN/mm2;延伸率δ>7%;导电率>40%IACS)相比,已达到C70250铜合金的强度和导电性能,在加工工艺过程方面,取消了热轧和固溶处理,使加工工艺更为简便。
Claims (1)
1.一种高强高导高韧铜合金的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
(1)配料:称取原材料,所述原材料中含有的化学成分及其重量百分比如下:Ni,1.5-4.5%;Si,0.5-0.8%;Ce,0.01-0.3%;Hf,0.05-0.5%;余量为铜;
所述原材料包括:电解镍,其提供Ni元素;多晶硅,其提供Si元素;中间合金CuCe,其提供Ce元素和部分铜元素;中间合金CuHf,其提供Hf元素和部分铜元素;电解铜,其提供其余的铜元素;
(2)真空熔炼:将步骤(1)中称取的电解铜、电解镍和多晶硅加入真空感应炉中,调节真空熔炼设备的真空度至10-10-2Pa,然后加热至1250℃-1300℃下保温20-30分钟,使电解铜、电解镍和多晶硅完全熔融;然后加入中间合金CuCe和CuHf,继续保温8~12分钟,形成铜合金熔体;
(3)浇铸:将步骤(2)中获得的铜合金熔体浇注成扁锭,并快速冷却到室温,以达到固溶处理的目的;
(4)冷轧:将步骤(3)中获得的扁锭冷轧成厚度为0.2-0.4mm的带材;
(5)时效处理:将步骤(4)中获得的带材在420-500℃的温度下时效处理1-5小时。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110058012A CN102140594B (zh) | 2011-03-11 | 2011-03-11 | 一种高强高导高韧铜合金及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110058012A CN102140594B (zh) | 2011-03-11 | 2011-03-11 | 一种高强高导高韧铜合金及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102140594A CN102140594A (zh) | 2011-08-03 |
CN102140594B true CN102140594B (zh) | 2012-10-03 |
Family
ID=44408388
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110058012A Active CN102140594B (zh) | 2011-03-11 | 2011-03-11 | 一种高强高导高韧铜合金及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102140594B (zh) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102560192B (zh) * | 2011-12-31 | 2016-11-23 | 无锡日月合金材料有限公司 | 一种高强高塑性铜合金及其制备方法 |
CN102864333A (zh) * | 2012-09-10 | 2013-01-09 | 顾建 | 一种铜稀土合金材料 |
CN102864331A (zh) * | 2012-09-10 | 2013-01-09 | 顾建 | 一种铜合金材料 |
CN102855957A (zh) * | 2012-09-10 | 2013-01-02 | 顾建 | 一种用于导线的铜合金材料 |
CN102864332A (zh) * | 2012-09-10 | 2013-01-09 | 任静儿 | 一种铜稀土合金 |
CN102867562A (zh) * | 2012-09-10 | 2013-01-09 | 任静儿 | 一种铜合金 |
CN102851536A (zh) * | 2012-09-10 | 2013-01-02 | 任静儿 | 一种用于导线的铜合金 |
CN103146950A (zh) * | 2013-01-11 | 2013-06-12 | 中南大学 | 一种CuNiSi系弹性铜合金及其制备方法 |
CN104046843A (zh) * | 2014-06-30 | 2014-09-17 | 中色奥博特铜铝业有限公司 | 一种含有稀土铈的铜镍硅合金材料、引线框架带材及其制备方法 |
CN109175782B (zh) * | 2018-10-31 | 2021-02-26 | 无锡日月合金材料有限公司 | 一种新型抗氧化多元合金钎料 |
CN110952045A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-03 | 安徽旭晶粉体新材料科技有限公司 | 一种高性能的合金铜粉及其制备方法 |
CN112359247B (zh) * | 2020-11-16 | 2021-11-09 | 福州大学 | 一种Cu-Hf-Si-Ni-Ce铜合金材料及其制备方法 |
CN112725654B (zh) * | 2020-12-23 | 2021-12-24 | 无锡日月合金材料有限公司 | 一种集成电路用高强高导高韧铜钛合金及其制备方法 |
CN112725655B (zh) * | 2020-12-23 | 2021-12-17 | 无锡日月合金材料有限公司 | 一种高功率器件用高强高导铜铬合金及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1436868A (zh) * | 2003-01-01 | 2003-08-20 | 江西省科学院应用物理研究所 | 铜基高强高导性材料及其制备工艺 |
CN101166840A (zh) * | 2005-02-28 | 2008-04-23 | 古河电气工业株式会社 | 铜合金 |
CN101974726A (zh) * | 2010-11-11 | 2011-02-16 | 中国计量学院 | 直接时效法制备高强高导Cu-Fe-Al导体材料 |
-
2011
- 2011-03-11 CN CN201110058012A patent/CN102140594B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1436868A (zh) * | 2003-01-01 | 2003-08-20 | 江西省科学院应用物理研究所 | 铜基高强高导性材料及其制备工艺 |
CN101166840A (zh) * | 2005-02-28 | 2008-04-23 | 古河电气工业株式会社 | 铜合金 |
CN101974726A (zh) * | 2010-11-11 | 2011-02-16 | 中国计量学院 | 直接时效法制备高强高导Cu-Fe-Al导体材料 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102140594A (zh) | 2011-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102140594B (zh) | 一种高强高导高韧铜合金及其制备方法 | |
CN101974709B (zh) | 特软铝合金导体及其制备方法 | |
CN104946936B (zh) | 一种架空导线用高导电率稀土硬铝单丝材料 | |
CN111733372B (zh) | 一种弹性铜钛合金及其制备方法 | |
CN102703754B (zh) | 一种Cu-Ni-Si基合金及其制备方法 | |
CN102912178B (zh) | 一种高强高导稀土铜合金及其制备方法 | |
CN102560191A (zh) | 一种高性能弹性铜合金及其制备和加工方法 | |
US4466939A (en) | Process of producing copper-alloy and copper alloy plate used for making electrical or electronic parts | |
CN101225488A (zh) | 一种引线框架用铜合金材料及其制备方法 | |
CN106636734A (zh) | 高强度、高导电、高抗应力松弛铜合金弹性材料及其制备方法 | |
CN101709401B (zh) | 硼、银、稀土元素添加Cu-Cr原位复合材料及其制备方法 | |
CN108193080A (zh) | 高强度、高导电耐应力松弛铜镍硅合金材料及其制备方法 | |
CN107034381A (zh) | 一种Cu‑Ni‑Co‑Sn‑P铜合金及其制备方法 | |
CN102560192B (zh) | 一种高强高塑性铜合金及其制备方法 | |
CN108315581A (zh) | 一种高强度高软化温度的低铍铜合金及其制备方法 | |
JP4642119B2 (ja) | 銅合金及びその製造方法 | |
CN106399751A (zh) | 一种高强高导铜合金的制备方法 | |
CN101148717A (zh) | 一种高性能钇基重稀土铜合金模具材料及其制备方法 | |
CN113981267B (zh) | 一种铜合金引线框架材料 | |
CN101250644A (zh) | 可用作引线框架材料的铜基合金及其制备方法 | |
CN111020277A (zh) | 一种高强导电、抗软化、抗应力松弛的Cu-Fe-Co-Ti合金 | |
CN111519061A (zh) | 一种稀土掺杂的Cu-Cr-Zr合金材料及其制备方法和应用 | |
CN115652134A (zh) | 一种高强度高折弯性铜镍硅合金及其制备方法 | |
JPS63111151A (ja) | 電気および電子部品用銅合金及びその製造方法 | |
CN106567022A (zh) | 一种稀土铜合金材料及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |