CN102130214A - 一种湿法刻蚀监控方法 - Google Patents

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叶权华
杨文侃
杨延德
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Abstract

本发明提供一种湿法刻蚀监控方法，包括如下步骤：第一步、用印刷或喷涂的方法在硅片表面的掩膜区制备出非掩膜区图形；第二步、把非掩膜区图形部分的掩膜刻蚀形成非掩膜区；第三步、用四探针探头测量非掩膜区的方块电阻，非掩膜区的方块电阻的阻值为90～160Ω。本发明利用在掩膜区挖出一定区域的非掩膜区，监控该非掩膜区的方块电阻来控制刻蚀工艺点，本发明可以使工艺控制有依据，方便对刻蚀过程的控制。

Description

一种湿法刻蚀监控方法
技术领域
本发明涉及高效太阳能电池制造的技术领域，尤其涉及一种湿法刻蚀监控方法。
背景技术
太阳能电池的发展是低成本、高效率，而选择性发射极结构是PN结晶体硅太阳能电池生产工艺中实现高效率的方法。采用HF/HNO3体系，对太阳电池PN结进行刻蚀形成选择性发射极，而刻蚀多少为恰到好处，目前还没有一个很有效的监控方法。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：为克服上述问题，本发明提供了一种可以有效控制太阳能电池PN结刻蚀工艺点的湿法刻蚀监控方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种湿法刻蚀监控方法，包括如下步骤：
第一步、用印刷或喷涂的方法在硅片表面的掩膜区制备出非掩膜区图形；
第二步、把非掩膜区图形部分的掩膜刻蚀形成非掩膜区；
第三步、用四探针探头测量非掩膜区的方块电阻，非掩膜区的方块电阻的阻值为90～160Ω。
所述的非掩膜区位于电极栅线位置。
所述的四探针探头边缘与同侧非掩膜区边缘之间的距离为相邻两个探针之间间距的15倍。
所述的四探针探头的相邻两个探针之间的间距相等。
本发明的有益效果是：本发明利用在掩膜区挖出一定区域的非掩膜区，监控该非掩膜区的方块电阻来控制刻蚀工艺点，本发明可以使工艺控制有依据，方便对刻蚀过程的控制。
附图说明
下面结合附图对本发明进一步说明。
图1是本发明的方法的工艺示意图。
图2是本发明中四探针探头测试方块电阻的工艺示意图。
其中：1.掩膜区，2.非掩膜区，3.电极栅线，4.方阻测试仪，5.探针。
具体实施方式
现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
如图1图2所示，一种湿法刻蚀监控方法，包括如下步骤：
第一步、用印刷或喷涂的方法在硅片表面的掩膜区1制备出非掩膜区图形；
第二步、把非掩膜区图形部分的掩膜刻蚀形成非掩膜区2；
第三步、用四探针探头测量非掩膜区2的方块电阻，非掩膜区2的方块电阻的阻值为90～160Ω。
四探针探头边缘与同侧非掩膜区边缘之间的距离为相邻两个探针5之间间距的15倍，因此，根据探针间距可以确定所需非掩膜区图形的大小。
如图1所示，涂有抗蚀剂的太阳能电池片的掩膜区1为高阻区，无法用任何仪器测得其阻值，只有电极栅线3为非高阻区，但由于电极栅线宽度有限，也无法实际测得数值，所以选择电极栅线上部分位置挖除掩膜，形成非掩膜区2，这样就确定了所需非掩膜区图形的位置，然后用四探针探头测非掩膜区2的方块电阻。
如图1所示，常规选5个点来测试，非掩膜区2为在电极栅线上的5个长方形。
如图2所示，四探针探头由四根探针5组成，探针5之间距离相等，这样可减小比例测试误差。四根探针5由四根引线连接到方阻测试仪4上，当探针5压在非掩膜区的测试材料上，方阻测试仪4就能立即显示出材料的方阻值，具体原理是外端的两根探针5产生电流场，内端上两根探针5测试电流场在这两个探点上形成的电势。因为方阻越大，产生的电势也越大，因此就可以测出测试材料的方阻值。采用四探针探头测量非掩膜区2的方块电阻，各种不同规格的太阳能电池片的阻值均在90～160Ω范围内。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (4)

1.一种湿法刻蚀监控方法，用于对太阳电池PN结的湿法刻蚀程度进行监控，其特征在于：包括如下步骤：
第一步、用印刷或喷涂的方法在硅片表面的掩膜区制备出非掩膜区图形；
第二步、把非掩膜区图形部分的掩膜刻蚀形成非掩膜区；
第三步、用四探针探头测量非掩膜区的方块电阻，非掩膜区的方块电阻的阻值为90～160Ω。
2.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀监控方法，其特征在于：所述的非掩膜区位于电极栅线位置。
3.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀监控方法，其特征在于：所述的四探针探头边缘与同侧非掩膜区边缘之间的距离为相邻两个探针之间间距的15倍。
4.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀监控方法，其特征在于：所述的四探针探头的相邻两个探针之间的间距相等。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102354663A (zh) * 2011-11-08 2012-02-15 浚鑫科技股份有限公司 一种硅片刻蚀方法
WO2013086920A1 (zh) * 2011-12-13 2013-06-20 无锡华润上华半导体有限公司 一种硅湿法腐蚀深度的监控结构及监控方法
CN103235185A (zh) * 2013-04-18 2013-08-07 常州天合光能有限公司 用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法
CN111180361A (zh) * 2019-12-13 2020-05-19 贵州航天计量测试技术研究所 一种塑封器件湿法开封方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006042698A1 (de) * 2004-10-14 2006-04-27 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Verfahren zur kontakttrennung elektrisch leitfähiger schichten auf rückkontaktierten solarzellen und entsprechende solarzelle
CN100570495C (zh) * 2007-04-06 2009-12-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种检验刻蚀液是否有效的方法
CN101878536A (zh) * 2008-11-04 2010-11-03 Lg电子株式会社 硅太阳能电池及其制造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006042698A1 (de) * 2004-10-14 2006-04-27 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Verfahren zur kontakttrennung elektrisch leitfähiger schichten auf rückkontaktierten solarzellen und entsprechende solarzelle
CN100570495C (zh) * 2007-04-06 2009-12-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种检验刻蚀液是否有效的方法
CN101878536A (zh) * 2008-11-04 2010-11-03 Lg电子株式会社 硅太阳能电池及其制造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102354663A (zh) * 2011-11-08 2012-02-15 浚鑫科技股份有限公司 一种硅片刻蚀方法
WO2013086920A1 (zh) * 2011-12-13 2013-06-20 无锡华润上华半导体有限公司 一种硅湿法腐蚀深度的监控结构及监控方法
US9006867B2 (en) 2011-12-13 2015-04-14 Csmc Technologies Fabi Co., Ltd. Monitoring structure and monitoring method for silicon wet etching depth
CN103235185A (zh) * 2013-04-18 2013-08-07 常州天合光能有限公司 用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法
CN103235185B (zh) * 2013-04-18 2015-09-09 常州天合光能有限公司 用于选择性发射电极电池制备过程中的测试方阻的方法
CN111180361A (zh) * 2019-12-13 2020-05-19 贵州航天计量测试技术研究所 一种塑封器件湿法开封方法

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