CN102115870A - 溅镀装置 - Google Patents
溅镀装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102115870A CN102115870A CN2009103127179A CN200910312717A CN102115870A CN 102115870 A CN102115870 A CN 102115870A CN 2009103127179 A CN2009103127179 A CN 2009103127179A CN 200910312717 A CN200910312717 A CN 200910312717A CN 102115870 A CN102115870 A CN 102115870A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- inlet pipe
- target
- sputtering
- web plate
- conducting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
一种溅镀装置,包括一溅镀室、一设置于该溅镀室上用于向溅镀室内输入气体的进气管、以及一导流件,该导流件收容于溅镀室内且连接于该进气管上,该导流件上设有一与进气管连通的开口以及一与开口连通的流道,溅镀时该流道正对靶材从而将进气管的气体导引至靶材,在靶材的表面形成保护层,避免反应气体在发生化学反应时毒化靶材,有效提升靶材的寿命,进而提升镀膜品质。
Description
技术领域
本发明涉及镀膜加工技术领域,特别涉及一种溅镀装置。
背景技术
溅镀是利用离子撞击靶材,将靶材内的原子撞出而沉积在基材表面堆积成膜。在溅镀化合物薄膜时,若直接以化合物做为靶材,溅镀出的薄膜成份会与靶材成份相差很大,故一般在溅镀化合物薄膜时,通常将反应气体混合于放电气体中,以控制化合物薄膜的组成与性质,此种溅镀方法称为反应性溅镀。然而,现有反应性溅镀中,气体是在靶材表面附近混合,反应气体在靶材表面附近发生大量的化学反应,因此靶材的表面容易产生毒化问题,严重影响靶材寿命。另外,靶材的毒化会造成溅镀速率变慢、形成弧面等问题,影响镀膜品质。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种能有效避免靶材毒化的溅镀装置。
一种溅镀装置,包括一溅镀室、一设置于该溅镀室上用于向溅镀室内输入气体的进气管、以及一导流件,该导流件收容于溅镀室内且连接于该进气管上,该导流件上设有一与进气管连通的开口以及一与开口连通的流道,溅镀时该流道正对靶材从而将进气管的气体导引至靶材。
与现有技术相比,本发明溅镀装置通过导流件将惰性气体导引至靶材的表面,从而在靶材的表面形成保护层,避免反应气体在发生化学反应时毒化靶材,有效提升靶材的寿命,进而提升镀膜品质。
附图说明
下面参照附图结合实施例对本发明作进一步说明。
图1为本发明溅镀装置一较佳实施例的结构示意图。
图2为溅镀装置的导流件的立体结构示意图。
主要元件符号说明
具体实施方式
如图1所示,本发明一较佳实施例的溅镀装置包括溅镀室10、设置于该溅镀室10内的靶材20、待镀工件30以及导流件60。其中该待镀工件30通过支撑件50置于溅镀室10内,靶材20通过连接件40置于溅镀室10内,且与待镀工件30相对设置,作为对待镀工件30进行溅镀的溅射源。
该溅镀室10设有靶材20的一侧设有进气管12以及输气管14,该进气管12与输气管14相平行,分别设置于靶材20的相对两端,且均与靶材20相垂直。其中该进气管12用于向溅镀室10内输入溅镀所需的惰性气体,如氩气。该输气管14用于向溅镀室10内输入溅镀所需反应气体,该反应气体与撞击出来的靶材20原子进行化学反应,从而生成化合物沉积于待镀工件30上形成膜层。
如图2所示,该导流件60设置于待镀工件30与靶材20之间,用于将惰性气体导引至靶材20的表面,从而在靶材20的表面形成保护层,避免靶材20被毒化。该导流件60为绝缘材料,可避免靶材20与待镀工件30之间短路。
该导流件60包括一连接板62、一基板64、两侧壁68、以及一端板66。其中该连接板62与基板64均呈薄板状结构,且呈平行间隔设置,连接板62的长度小于基板64的长度,连接板62的左端与基板64的左端对齐,连接板62的右端大致处于基板64的中央位置处。连接板62上靠近其左端的位置处形成一开口620,该开口620在厚度方向上贯穿该连接板62。
所述两侧壁68连接于连接板62与基板64之间,且相互间隔平行设置,两侧壁68均呈纵长结构,侧壁68的长度小于基板64的长度但是大于连接板62的长度,两侧壁68的左端均与连接板62以及基板64的左端对齐,两侧壁68的右端则处于连接板62的右端与基板64的右端之间。一流道69形成于连接板62、基板64与两侧壁68之间,且与连接板62上的开口620相连通。该端板66连接于连接板62、基板64以及侧壁68的左端,将流道69的左端封闭。
组装时,该导流件60结合于溅镀室10的进气管12上,导流件60的连接板62与进气管12相连,连接板62上的开口620与进气管12连通,导流件60的流道69则与进气管12相垂直,流道69未被端板66封闭的一侧正对靶材20。当进行溅镀时,惰性气体与反应气体分别由进气管12与输气管14输入至溅镀室10内,由于导流件60的设置,惰性气体由导流件60的开口620进入导流件60并沿流道69流向靶材20,从而在靶材20的表面形成保护层,当反应气体发生化学反应时,由于该保护层的存在,靶材20的表面得到有效的保护而避免被毒化,从而可有效延长靶材20的使用寿命,进而提升镀膜质量。
另外,本发明溅镀装置中,反应气体与惰性气体分别由不同的管路输入至溅镀室10内,反应气体与惰性气体的输入可以分别控制,因此该溅镀装置用于进行一般性的溅镀时,只需将输气管14关闭即可,不需要进行残余气体的排除,缩短了反应性溅镀与一般性溅镀之间的转换时间,而由于靶材20的表面得到有效的保护,在进行反应性溅镀与一般性溅镀的转换时,还可缩短清靶时间。
Claims (9)
1.一种溅镀装置,包括一溅镀室及一设置于该溅镀室上用于向溅镀室内输入气体的进气管,其特征在于:还包括一导流件,该导流件收容于溅镀室内且连接于该进气管上,该导流件上设有一与进气管连通的开口以及一与开口连通的流道,溅镀时该流道正对靶材从而将进气管的气体导引至靶材。
2.如权利要求1所述的溅镀装置,其特征在于:该流道与进气管垂直。
3.如权利要求1或2所述的溅镀装置,其特征在于:该溅镀室上还设有一输气管,该进气管用于向溅镀室内输入惰性气体,输气管用于向溅镀室内输入反应气体。
4.如权利要求3所述的溅镀装置,其特征在于:该进气管与输气管设置于溅镀室的同一侧,一连接件连接于该溅镀室上用于支撑靶材,该连接件位于进气管与输气管之间。
5.如权利要求4所述的溅镀装置,其特征在于:还包括一连接于溅镀室内的支撑件,该支撑件与连接件相对设置,用于安装待镀工件。
6.如权利要求1所述的溅镀装置,其特征在于:该导流件包括一连接于进气管上的连接板以及一与连接板间隔平行设置的基板,所述开口形成于连接板上,所述流道形成于连接板与基板之间,该基板的长度大于连接板的长度。
7.如权利要求6所述的溅镀装置,其特征在于:该导流件还包括连接于连接板与基板之间的两侧壁,该两侧壁间隔平行设置,侧壁的长度小于基板的长度而大于连接板的长度。
8.如权利要求7所述的溅镀装置,其特征在于:该导流件还包括一连接于连接板、基板以及侧壁的一端的端板,该端板封闭流道与靶材相对的一端。
9.如权利要求1所述的溅镀装置,其特征在于:该导流件由绝缘材料制成。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009103127179A CN102115870A (zh) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | 溅镀装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009103127179A CN102115870A (zh) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | 溅镀装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102115870A true CN102115870A (zh) | 2011-07-06 |
Family
ID=44214792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2009103127179A Pending CN102115870A (zh) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | 溅镀装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102115870A (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6256570A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-12 | Tdk Corp | 反応性スパツタリング方法 |
JPS6353721A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 酸化物薄膜の作製法 |
JPH0967669A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-11 | Sony Corp | スパッタリング装置 |
TW524869B (en) * | 1999-04-15 | 2003-03-21 | Ulvac Corp | Sputtering device |
CN100545297C (zh) * | 2004-08-26 | 2009-09-30 | 日立环球储存科技荷兰有限公司 | 超薄金属氧化物膜的反应溅射沉积方法 |
-
2009
- 2009-12-30 CN CN2009103127179A patent/CN102115870A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6256570A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-12 | Tdk Corp | 反応性スパツタリング方法 |
JPS6353721A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 酸化物薄膜の作製法 |
JPH0967669A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-11 | Sony Corp | スパッタリング装置 |
TW524869B (en) * | 1999-04-15 | 2003-03-21 | Ulvac Corp | Sputtering device |
CN100545297C (zh) * | 2004-08-26 | 2009-09-30 | 日立环球储存科技荷兰有限公司 | 超薄金属氧化物膜的反应溅射沉积方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8097083B2 (en) | Operating method for a large dimension plasma enhanced atomic layer deposition cavity and an apparatus thereof | |
SG38929A1 (en) | High flow gas manifold for high rate off-axis sputter deposition | |
EP1628324A3 (en) | Magnetron sputtering device | |
KR20140088040A (ko) | 기판 프로세싱 챔버들에 대한 가스 공급 시스템들 및 그의 방법들 | |
CN103177925B (zh) | 一种用于等离子体处理装置的可调节约束环 | |
US20070227882A1 (en) | Sputter chamber for coating a substrate | |
KR20170108916A (ko) | 성막 장치 및 배기 장치 및 배기 방법 | |
US20150068600A1 (en) | Chemical vapor deposited film formed by plasma cvd method | |
KR20140027202A (ko) | 개선된 리튬 균일성 제어 방법 | |
US20150368783A1 (en) | Deposition apparatus with gas supply and method for depositing material | |
CN202595259U (zh) | 磁控溅射设备 | |
US20050236276A1 (en) | Method for coating substrates in inline installations | |
SG153011A1 (en) | Methods for adjusting critical dimension uniformity in an etch process | |
CN108396311A (zh) | 高通量pecvd装置和方法 | |
CN102534538A (zh) | 一种真空腔室间气氛隔离装置 | |
CN102115870A (zh) | 溅镀装置 | |
WO2008033724A3 (en) | Enhanced virtual anode | |
WO2020218598A1 (ja) | スパッタリング装置 | |
JP4969919B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
CN103031527A (zh) | 磁控溅射镀膜装置 | |
JP2011513588A (ja) | 背面被覆防止装置、背面被覆防止装置を備えた被覆チャンバ及び被覆方法 | |
CN208791745U (zh) | 用于涂布基板的设备 | |
CN208791746U (zh) | 用于涂布基板的设备 | |
CN111549325B (zh) | 一种磁控溅射设备 | |
US20030143134A1 (en) | Supplying and exhausting system in plasma polymerizing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20110706 |