CN102112265A - 薄膜基材的加工方法以及薄膜基材的加工装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及针对去除加工中产生的无用物进行处理的薄膜基材的加工方法以及薄膜基材的加工装置，本发明的薄膜基材的加工方法，包括：去除加工工序，在薄膜基材上形成孔；和加热熔融工序，利用激光对薄膜基材进行加热熔融处理，将在形成上述孔时产生的无用物(毛刺或碎片)封固在该薄膜基材内。

Description

薄膜基材的加工方法以及薄膜基材的加工装置

技术领域

本发明涉及薄膜基材的加工方法以及薄膜基材的加工装置，尤其涉及针对切割、冲孔、沟槽加工等去除加工中产生的无用物的薄膜基材的加工方法以及薄膜基材的加工装置。

背景技术

例如在使用具有柔软性薄膜基材的产品的制造工艺中，用于薄膜的间距移动或者输送的导孔(贯通孔)或者从一张基板中形成多腔压铸模的产品的外形部分上形成的孔等是通过基于金属加工的冲孔或者激光加工来形成的。

图1A、1B表示在薄膜基材上形成孔16的冲孔装置1。图1A表示在单层的薄膜基材10上形成孔16的状态，图1B表示在双层薄膜基材11上形成孔16的状态。

冲孔装置1由载置薄膜基材10的冲压台3、将薄膜基材10固定在冲压台3上的压盖4、针对薄膜基材10进行孔16的形成的金属模冲头(die punch)2构成。金属模冲头2能在图中的上下方向上自由移动，并且在冲压台3上形成有金属模冲头2能进入的型腔。通过在冲压台3上安装薄膜基材10或者双层薄膜基材11，并用压盖4将它们固定了的状态下向下移动金属模冲头2，在薄膜基材10、11上形成孔16。

另一方面，在基于激光加工的孔形成中采用如下形成孔的方法：向薄膜基材的孔形成位置照射汇聚后的激光，利用其热能使薄膜基材蒸发气化，以形成孔(参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开平07-022472号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，作为薄膜基材10、11的主材料的树脂材料由于粘性高，因而不能在使用冲压台3的冲孔装置1中均匀剪切，会产生显著的断裂或毛刺等(在图1A、1B中用单点划线表示的A1、A2区域内产生)。再有，很多情况下薄膜基材10、11是由硬度、粘度不同的导电膜、涂层、保护层等层叠的多层膜结构，在这种多层膜结构中很难用冲孔装置1控制剪切面。所以，在使用冲孔装置1的去除加工处理中出现了毛刺或碎片(以下称这些为无用物)等问题。

另一方面，在基于激光加工的去除加工中由于给予局部性的高能量，因而薄膜基材蒸发气化，并且薄膜构成材料的粒子或者碎片(以下也称这些为无用物)飞散或者附着在加工面上(参照上述的专利文献1)。再加上由于加工面容易碳化且不同构成材料的吸收率不同，因而很难形成均匀的加工面，由此也会导致无用物残留在加工面上。

若如上述在薄膜基材10、11的去除加工位置上残留无用物，则在去除加工之后实施的工序中担心出现附着在去除加工位置上的无用物脱落或者飞散的情况发生。所以，例如将形成有导电膜的薄膜基材10、11使用在柔性薄型显示装置的情况下，如上所述的无用物脱落或者飞散，附着在导电膜图案间时会在导电膜间导致短路。并且，当无用物进入到柔性薄型显示装置的显示区的情况下会出现显示不良等问题。

因此以往在去除加工之后，对附着在加工位置上的无用物(毛刺或碎片)进行液体清洗或者湿法腐蚀处理，由此去除上述无用物(参照上述的专利文献1)。然而在液体清洗或者湿法腐蚀处理中，由于要使薄膜基材10、11浸渍在清洗液或者腐蚀液内，因而会在薄膜基材10、11上产生污点，或者在形成有导电膜或者涂层的情况下会由于该清洗液或者腐蚀液而变质。

用于解决课题的方案

本发明的目的在于提供解决上述以往的技术问题并且有效改良的薄膜基材的加工方法以及薄膜基材的加工装置。

本发明更为详细的目的在于提供可靠地防止无用物的脱落或者飞散的薄膜基材的加工方法以及薄膜基材的加工装置。

如果从本发明的第一观点出发，可以通过具有对薄膜基材进行去除加工的去除加工工序和通过对上述薄膜基材进行加热熔融处理而将在上述去除加工工序中产生的无用物封固在该薄膜基材内的加热熔融工序的薄膜基材的加工方法来解决该目的。此时，在上述加热熔融工序中，优选的是使用激光来对上述薄膜基材进行加热熔融。

并且，如果从本发明的另一观点出发可以通过薄膜基材的加工装置来达到上述课题，该薄膜基材的加工装置设有：去除加工装置，其对薄膜基材进行去除加工；加热装置，其通过对上述薄膜基材进行加热熔融处理，将在上述去除加工中产生的无用物封固在该薄膜基材内；和输送装置，其将上述薄膜基材从上述去除加工装置输送至上述加热装置。

发明的效果

根据本发明，由于通过对薄膜基材进行加热熔融而去除加工中产生的无用物封固在薄膜基材内，因而可以在后工序中防止无用物从薄膜基材脱落和飞散的情况发生。

附图说明

图1A是表示在单层的薄膜基材上形成孔的状态的图。

图1B是表示在双层薄膜基材上形成孔的状态的图。

图2A是用于说明作为本发明一实施例的薄膜基材的加工方法的图(在焦点之前的加热处理)。

图2B是放大表示图2A中针对薄膜基材的激光照射位置的图。

图3A是用于说明作为本发明一实施例的薄膜基材的加工方法的图(在焦点之后的加热处理)。

图3B是放大表示图3A中针对薄膜基材的激光照射位置的图。

图4A是表示对上层为低熔点材料层且下层为高熔点材料层的双层薄膜基材照射激光的状态的图。

图4B是表示在上层为低熔点材料层且下层为高熔点材料层的双层薄膜基材内封固有无用物的状态的图。

图5A是表示对上层为高熔点材料层且下层为低熔点材料层的双层薄膜基材照射激光的状态的图。

图5B是表示在上层为高熔点材料层且下层为低熔点材料层的双层薄膜基材内封固有无用物的状态的图。

图6是作为本发明一实施例的薄膜基材加工装置的结构图。

图7是表示作为本发明一实施例的薄膜基材加工装置的控制***的图。

图8是表示作为本发明一实施例的薄膜基材加工装置的动作的流程图。

图9是表示图6所示的薄膜基材加工装置的变形例的结构图。

图10是表示图6所示的薄膜基材加工装置变形例的控制***的图。

附图标记说明

1、33A、33B冲孔装置

10薄膜基材

11双层薄膜基材

12低熔点材料层

13高熔点材料层

16孔

17无用物

20聚光透镜

21反射板

30A、30B薄膜基材加工装置

31供给装置

32卷绕装置

34加热装置

35激光照射装置

36高度传感器

37至39升降装置

40控制装置

具体实施方式

下面参照图对本发明的实施方式进行说明。

图2A、图2B、图3A、图3B、图4A、图4B、图5A、图5B是用于说明作为本发明一实施例的薄膜基材的加工方法的图。本实施例中的加工对象是例如聚碳酸酯等具有柔软性的树脂薄膜材料。

该薄膜基材可以使用如图2A、图2B、图3A、图3B所示的单层的薄膜基材(以下称单层的薄膜基材为薄膜基材10)，或者也可以使用如图4A、图4B、图5A、图5B所示的层叠低熔点材料层12和高熔点材料层13(以下称该薄膜基材为双层薄膜基材11)的薄膜基材。再有如后所述，作为薄膜基材也可以使用聚碳酸酯和铟类氧化物的多层膜薄膜。

本实施例的薄膜基材的加工方法具有去除加工工序和加热熔融工序。对薄膜基材进行去除加工的去除加工工序可以采用通过图1A、图1B所说明的冲孔装置1对孔16的进行去除加工的方法以及利用激光进行去除加工的方法中的任何一种方法。但是，进行如上所述的去除加工时，在去除加工位置上产生无用物(毛刺或碎片)的情况如上面所述。

由此产生的无用物17如图2B以及图3B所示。所述各图是放大表示孔16附近的图。如各图所示，孔16的内壁具有复杂的凹凸形状，且在该凹凸内附着有无用物17。

并且，在本实施例中举例说明在薄膜基材10内形成孔16的工序。然而在切割薄膜基材的剪切加工中也担心产生无用物。因此，在本说明书中的所述的去除加工还包括大范围剪切加工(切割、打眼、沟槽加工等)。

上述的去除加工工序结束后接着进行加热熔融工序。在该加热熔融工序中，通过加热熔融薄膜基材10来实施将前工序即去除加工工序中产生的无用物17封固在薄膜基材10的处理。在本实施例中，作为加热熔融薄膜基材10的方法举例说明利用激光的例。

在这里说明本发明中针对无用物17的基本定期处理的方法。附着在薄膜基材10上的无用物17(毛刺或碎片)原来是构成薄膜基材10的材料的一部分。因此，只要是维持该无用物17附着在孔16内的状态，即只要能维持无用物17没有从薄膜基材10脱落或者飞散的状态，则不需要去除无用物17也能避免发生上述的导电膜间的短路或者显示不良等问题。

所以在本发明中没有从薄膜基材10去除无用物17，而是通过将无用物17封固在薄膜基材10内，使得无用物17不会从薄膜基材10脱落或者飞散。具体地，局部性或者部分地加热附着有无用物17的孔16的形成位置，以熔融、熔敷薄膜基材10，将无用物17封固在薄膜基材10内。这样一来，能可靠地防止无用物17从薄膜基材10脱落或者飞散的情况发生。

此时，由于基于无用物17(毛刺或碎片)的大小、薄膜基材10的材质等的熔点的差异，需要进行温度控制。因此，在薄膜基材10的加热熔融中最好使用能容易进行温度控制的基于激光的加热处理。并且，该激光加热处理不需要像基于激光贯通孔等成形加工(一次加工)一样的高能量，只需能进行加热熔融薄膜基材10且相比一次加工更低的能量的加热处理即可。

并且，如上所述在本发明中最好使用基于激光的加热处理，但是加热熔融薄膜基材10的方法不限定于利用激光。例如可以利用热空气或电子束等其他加热方法来代替激光加热处理。

下面，具体说明利用激光对薄膜基材10的孔16的形成位置进行加热处理的具体方法。

图2A、图2B表示通过激光(图中用符号L表示)对薄膜基材10的孔16的形成位置进行加热处理的一个实施例。在该图所示的例中，在薄膜基材10的上表面侧以相对的方式配置有未图示的激光照射装置。从该激光照射装置照射出激光L被聚光透镜20汇聚后照射到加工有薄膜基材10的孔的去除加工位置上。此时，由于在去除加工位置上直接照射有从激光照射装置照射出的激光L，因而将该激光L特别称为直接光L1。

并且，在本实施例中薄膜基材10的下表面侧上配置有反射板21。该反射板21例如是铜等金属板，对其上表面进行过镜面化处理。因此，如图2B所示，从激光照射装置照射出来并通过薄膜基材10的孔16的激光L被反射板21反射后，照射到薄膜基材10的下表面。因此将被反射板21反射后照射到薄膜基材10的下表面的激光L称为反射光L2。

这样一来，通过在薄膜基材10的下表面侧配置反射板21，使得对加工有孔16的去除加工位置中在薄膜基材10的上表面照射有直接光L1，并对下表面上照射有反射光L2。由于同时从上表面以及下表面侧对薄膜基材10进行加热熔融处理，因而无用物17成为被熔融了的薄膜基材10包覆的状态，能有效地防止无用物17从孔16脱落或者飞散。

并且，聚光透镜20以及反射板21可以相对薄膜基材10沿上下方向移动。因此，可以调整聚光透镜20相对薄膜基材10的相隔距离以及反射板21相对薄膜基材10的相隔距离。由此一来，可以控制直接光L1以及反射光L2对薄膜基材10的照射状态。

在本实施例中作为照射状态，控制直接光L1以及反射光L2向薄膜基材10照射的光斑直径。具体地，针对照射在薄膜基材10的上表面上的直接光L1的光斑直径D1，可以通过相对薄膜基材10移动聚光透镜20来调整两者间的相隔距离。同样地，针对照射在薄膜基材10的下表面上的反射光L2的光斑直径D2，可以通过相对薄膜基材10移动反射板21来调整两者间的相隔距离。

在本实施例中调整各相隔距离，以使照射在薄膜基材10的上表面上的直接光L1的光斑直径D1和照射在薄膜基材10的下表面上的反射光L2的光斑直径D2相等(D1＝D2)。由于进行调整而使得各光斑直径D1、D2相等，因而能用相同的加热程度同时对薄膜基材10的表里进行加热加工。所以，由此也可以使无用物17以包覆在熔融了的薄膜基材10内的方式封固，可以有效防止无用物17从孔16脱落或者飞散。

另一方面，通过如上所示的相对薄膜基材10能移动聚光透镜20，会出现聚光透镜20的焦点(图中用Fo表示)的位置位于薄膜基材10的下表面侧的情况和位于薄膜基材10的上表面侧的情况。图2A、图2B表示聚光透镜20的焦点Fo位于薄膜基材10的下表面侧的情况，图3A、图3B表示聚光透镜20的焦点Fo位于薄膜基材10的上表面侧的情况。不管是哪种情况，都可以对薄膜基材10的去除加工位置进行加热熔融处理。

即，如图2A、图2B所示的焦点Fo位于薄膜基材10的下表面侧的情况下，在激光L被聚光透镜20汇聚之前对薄膜基材10的上表面照射直接光L1。因此，通过控制聚光透镜20和薄膜基材10之间的相隔距离，就能进行控制而对孔16的整个外周上照射直接光L1。并且，激光L中通过孔16的部分在交点Fo位置汇聚之后重新扩散入射到反射板21中，并在此处被反射。通过控制反射板21与薄膜基材10之间的相隔距离，使该反射光L2以如上所述的基于直接光L1的光斑直径D1和D2相等的方式照射在薄膜材料10的下表面侧。

另外，如图3A、图3B所示的焦点Fo位于薄膜基材10的上表面侧的情况下，来自聚光透镜20的激光L在焦点Fo汇聚后重新扩散照射到薄膜基材10的上表面侧的去除加工位置上。此时，通过控制聚光透镜20与薄膜基材10之间的相隔距离，能进行控制而对孔16的整个外周照射直接光L1。并且，激光L中通过孔16的部分扩散后入射到反射板21中，并在此处被反射。通过控制反射板21与薄膜基材10之间的相隔距离，使该反射光L2以如上所述的基于直接光L1的光斑直径D3和D4相等的方式照射在薄膜基材10的下表面侧。

另外，基于薄膜基材的构成也能有效地对照射在薄膜基材上的激光L进行控制。图4A、图4B表示利用直接光L1对上层为低熔点材料层12且下层为高熔点材料层13的双层薄膜基材11进行加热熔融处理的方法。

在这种情况下，通过调整聚光透镜20相对薄膜基材10的相隔距离来控制照射在低熔点材料层12的直接光L1的能量，以使其成为能熔融低熔点材料层12的温度。这种情况下不需要考虑反射光L2对于高熔点材料层13的处理，并且不需要一定设置反射板21。

这样一来，向薄膜基材10照射激光L的情况下，只对低熔点材料层12进行加热熔融处理。因此如图4B所示，熔融了的低熔点材料层12以将无用物17封固在内部的同时覆盖高熔点材料层13的方式流动。这样一来，可以使无用物17可靠地封固在低熔点材料层12内。

根据本方法，双层薄膜基材11的加热温度设为可以熔融低熔点材料层12的温度即可，没有必要提高到能熔融高熔点材料层13的高温，因此可以减小对低熔点材料层12的损伤。并且，由于能减小激光L的输出功率，因此可以减少运行成本。

对此，图5A、图5B表示了利用直接光L1对上层为高熔点材料层13且下层为低熔点材料层12的双层薄膜基材11进行加热熔融处理的方法。

在这种情况下，通过调整聚光透镜20相对薄膜基材10的相隔距离来控制照射到上层的高熔点材料层13上的直接光L1的能量，使其成为能熔融高熔点材料层13的温度。并且，如上所述调整的高能量的激光L2照射到低熔点材料层12上时担心损伤到低熔点材料层12，因而通过调整反射板21与薄膜基材10之间的相隔距离来控制反射光L2，以使其能量变弱(具体地，调整相隔距离使反射光L2的光斑直径变大)。

这样一来，向薄膜基材10照射激光L的情况下，加热到最适合同时熔融低熔点材料层12以及高熔点材料层13的温度。所以如图5B所示，熔融了的低熔点材料层12以及高熔点材料层13分别熔融后将无用物17封固在其内部。由此一来可以将无用物17可靠地封固在双层薄膜基材11内。

并且，作为基于直接光L1的加热温度的其他控制方法，可以考虑根据无用物17(毛刺或碎片)的大小、孔16的形状等来适当变更激光输出功率、照射距离、光斑直径、照射时间、扫描速度等的方法。

接下来说明使用了上述薄膜基材10的加工方法的薄膜基材加工装置。

图6是作为本发明一实施例的薄膜基材加工装置30A的结构图，并且图7是表示作为本发明一实施例的薄膜基材加工装置30A的控制***的图。

其中，在图6以及图7中，针对与图1A至图5B所示的结构相对应的结构用相同的附图标记表示，以适当省略其说明。并且在以下的说明中，对将薄膜基材加工装置30A应用在电子纸的制造工艺中的例子进行说明。并且，作为薄膜基材10使用聚碳酸酯和铟类氧化物的多层薄膜基材。

薄膜基材加工装置30A大致由供给装置31、卷绕装置32、冲孔装置33A、加热装置34、激光照射装置35以及高度传感器36等构成。供给装置31以及卷绕装置32发挥输送薄膜基材10的输送装置的功能(在图中用箭头表示输送方向)。在形成孔16之前的薄膜基材10被卷绕在供给装置31，从该供给装置31送出之后由卷绕装置32卷绕的期间，实施用于孔16的形成处理以及封固无用物17的加热熔融处理。

冲孔装置33A分别配置在薄膜基材10的输送路径中途的两侧位置。该冲孔装置33A具有和图1A所示的结构大致相同的结构，其通过升降装置37(表示在图7中)使金属模冲头41进行升降动作。并且，通过金属模冲头41贯通薄膜基材10，以在薄膜基材10上形成孔16。在本实施例中，在冲孔装置33A上设有一个金属模冲头41，所以每次形成一个孔16(单孔式)。在形成该孔16时孔16内附着无用物17的情况和上面所述的情况相同。

加热装置34配置在相对薄膜基材10的输送方向上相比冲孔装置33A的配置位置更下游侧的位置上。该加热装置34由反射板21、激光照射装置35以及升降装置38(表示在图7中，相当于本发明中的第1升降装置)等构成。

激光照射装置35分别配置在与输送过来的薄膜基材10上形成的孔16相对的位置上。该激光照射装置35用于向薄膜基材10的去除加工位置照射激光L。基于来自该激光照射装置35的激光L的照射，薄膜基材10的去除加工位置被加热熔融，成为附着在孔16内的无用物17封固在薄膜基材10内的状态。

另外，在激光照射装置35的与薄膜基材10相对的前端部附近设有聚光透镜20。该激光照射装置35可以利用升降装置38自由升降。因此激光照射装置35利用升降装置38下降时，薄膜基材10与聚光透镜20之间的相隔距离变短，相反激光照射装置35利用升降装置38上升时，薄膜基材10与聚光透镜20之间的相隔距离变长。

反射板21设置在薄膜基材10的下表面侧。并且以和2台激光照射装置35的各照射位置相对的方式选择该反射板21的配置位置。该反射板21是与薄膜基材10相对的面经过镜面处理的金属板(例如铜板)。该反射板21可以利用升降装置39(表示在图7中，相当于，本发明中的第2升降装置)自由升降。

该反射板21可以利用升降装置39自由升降。所以，反射板21利用升降装置39上升时，薄膜基材10与反射板21之间的相隔距离变短，相反激光照射装置35利用升降装置39下降时，薄膜基材10与反射板21之间的相隔距离变长。

高度传感器36分别配置在冲孔装置33A和加热装置34之间且薄膜基材10的输送路径中途的两侧位置上。该高度传感器36是用于测定薄膜基材10相对已定基准位置的高度变化的传感器。

一般地，使用金属模冲头41形成孔16时会在薄膜基材10上出现弯曲。若发生这种弯曲，即使控制了加热装置34中聚光透镜20与薄膜基材10之间的相隔距离，和该弯曲相对应的高度部分还会变为误差(以下称高度误差)，使得不能对加热温度进行适当的控制。因此，根据高度传感器36的检测结果来计算出产生在薄膜基材10上的高度误差，并使其反映在聚光透镜20以及反射板21的高度位置的控制中。通过该结构可以提高薄膜基材10的加热控制的精度。

上述的供给装置31、卷绕装置32、激光照射装置35、高度传感器36以及升降装置37至39与控制装置40相连接。控制装置40用于全面控制薄膜基材加工装置30A。

具体地，控制装置40通过控制驱动供给装置31以及卷绕装置32，以使薄膜基材10以一定的间隔输送(分级进给)的方式进行控制。并且，控制装置40通过控制升降装置37，使得以一定的间隔形成孔16地进行控制。并且，控制装置40根据预先输入的薄膜基材10的材质或者结构来进行激光照射装置35的输出控制。再有，控制装置40根据来自高度传感器36的高度检测信号来运算出高度误差，并基于该高度误差控制升降装置38、39，以控制基于激光L的薄膜基材10的去除加工位置的加热温度。

下面说明具有上述结构的薄膜基材加工装置30A的动作。图8表示控制装置40对薄膜基材10实施薄膜基材加工处理的流程图。

若开始进行薄膜基材加工处理时，控制装置40首先在步骤10(在图中将步骤简称为S)中驱动供给装置31以及卷绕装置32，并使薄膜基材10从供给装置31向卷绕装置32只输送预定量。在本实施例中由于冲孔装置33A是单孔式的，所以薄膜基材10的输送只进行相当于孔16的1个间距的距离。

在接下来的步骤20中，控制装置40通过驱动冲孔装置33A的升降装置37，以利用金属模冲头41在薄膜基材10上形成孔16。在该去除加工期间，供给装置31以及卷绕装置32停止工作，从而薄膜基材10的输送停止。

另外由于步骤10中薄膜基材10的输送，已经在薄膜基材10中基于冲孔装置33A形成的孔16向加热装置34方向移动。在步骤30中输送该薄膜基材10的同时输送高度传感器36检测出薄膜基材10中产生的高度误差。由该高度传感器36检测出的高度误差发送至控制装置40。

控制装置40根据从该高度传感器36发送的高度误差信号以及预先输入的薄膜基材10的材质等情报，运算能使薄膜基材10的孔16的加工位置变为最适合的加热温度的聚光透镜20与薄膜基材10之间的相隔距离以及反射板21与薄膜基材10之间的相隔距离(以下称适合相隔距离)。并且，与此同时，控制装置40运算适合将无用物17熔融封固的激光照射装置35照射的激光L的输出功率、光斑直径、照射时间等。

并且，控制装置根据该计算结果驱动升降装置39进行调整控制，使得薄膜基材10与反射板21之间的相隔距离成为上述适合相隔距离(步骤40)。并且控制装置40驱动升降装置38进行调整控制，使得薄膜基材10与聚光透镜20之间的相隔距离成为上述适合相隔距离(步骤50)。

另一方面，为了对薄膜基材10进行孔16的加工，在停止薄膜基材10的输送时，使激光照射装置35也和已在薄膜基材10上加工的孔16相对地进行设定。因此，如上所述在聚光透镜20以及反射板21的上述适合相隔距离的调整结束的时间点，控制装置40利用激光照射装置35向孔16照射激光L(步骤60)。在本实施例中如上所述由于冲孔装置33A是单孔式的，因而薄膜基材10停止的同时照射激光L。由此一来孔16内的无用物17封固在薄膜基材10内。

该无用物17的封固処理结束时，在步骤70中控制装置40重新驱动供给装置31以及卷绕装置32，并将薄膜基材10输送只相当于孔16的1个间距的距离。此后重复实施上述处理。

如上所述，在薄膜基材10的加工处理中，控制装置40能改变所照射的激光输出功率、照射距离、光斑直径、照射时间等，以控制熔融无用物17(毛刺或碎片)所需的加热温度。根据本发明人的实验，作为薄膜基材10使用厚度为120μm左右的聚碳酸酯和铟类氧化物的多层膜薄膜，并对此加工φ0.5mm左右的孔16后用等幅振荡的直接光L1对该孔16处产生的无用物17进行加热加工时，通过在焦点Fo之前配置薄膜基材10，并使聚光透镜20与薄膜基材10之间的相隔距离为9mm且薄膜基材10与反射板21之间的间隔为6.5mm、激光输出功率为5W、照射时间为1秒，就可以可靠地将附着在孔16上的无用物17(毛刺或碎片)熔融、熔敷。

另外，由于聚碳酸酯的熔点为250℃左右且铟类氧化物的熔点为160℃左右，因而可以用160℃左右的温度加热铟类氧化物，使铟类氧化物熔融以包覆聚碳酸酯的方式附着。

图9以及图10表示作为图6以及图7所示的薄膜基材加工装置30A的变形例的薄膜基材加工装置30B。其中，在图9以及图10中对与图6以及图7中示出的结构相对应的结构标注相同的附图标记以省略其说明。

图6以及图7所示的薄膜基材加工装置30A用单孔式(一个金属模冲头41)的冲孔装置33A加工出孔16。与此相反，薄膜基材加工装置30B用具有多个金属模冲头41的多孔式的冲孔装置33B同时加工出多个孔16。

通过该结构可以提高孔16的加工效率。并且在本变形例的情况下，通过如下方式实现向孔16照射来自激光照射装置35的激光L：设置能检测数孔16的检测传感器，在孔16刚好通过激光照射装置35的正下方位置时照射激光L。以上详细说明了本发明的优选实施例，但是本发明不限于上述特定的实施方式，在技术方案所记载的本发明的主旨范围内可以进行各种变形、变更。

Claims (12)

1.一种薄膜基材的加工方法，其特征在于，包括：

去除加工工序，对薄膜基材进行去除加工；和

加热熔融工序，通过对上述薄膜基材进行加热熔融处理，将在上述去除加工工序中产生的无用物封固在该薄膜基材内。

2.一种薄膜基材的加工方法，其特征在于，

包括：

去除加工工序，对薄膜基材进行去除加工，和

加热熔融工序，通过对上述薄膜基材进行加热熔融处理，将在上述去除加工工序中产生的无用物封固在该薄膜基材内；

在上述加热熔融工序中，利用激光对上述薄膜基材进行加热熔融处理。

3.根据权利要求2所述的薄膜基材的加工方法，其特征在于，

在上述薄膜基材的下表面侧设置有反射板，

对上述薄膜基材的上表面照射上述激光的直接光，

对上述薄膜基材的下表面照射上述激光被上述反射板反射的反射光。

4.根据权利要求3所述的薄膜基材的加工方法，其特征在于，

通过调整配置在上述薄膜基材的上表面侧的用于汇聚上述激光的聚光透镜与上述薄膜基材之间的相隔距离，控制上述直接光对上述薄膜基材的上表面的照射状态，

通过调整上述反射板与上述薄膜基材之间的相隔距离，控制上述反射光对上述薄膜基材的下表面的照射状态。

5.根据权利要求3所述的薄膜基材的加工方法，其特征在于，调整上述聚光透镜与上述薄膜基材之间的相隔距离以及上述反射板与上述薄膜基材之间的相隔距离，使得照射在上述薄膜基材的上表面上的上述直接光的直径和照射在上述薄膜基材的下表面上的上述反射光的直径相等。

6.根据权利要求1或2所述的薄膜基材的加工方法，其特征在于，上述去除加工是剪切加工。

7.根据权利要求1或2所述的薄膜基材的加工方法，其特征在于，上述无用物是在上述薄膜基材的去除加工位置产生的毛刺或碎片。

8.一种薄膜基材的加工装置，其特征在于，设有：

去除加工装置，其对薄膜基材进行去除加工；

加热装置，其通过对上述薄膜基材进行加热熔融处理，将在上述去除加工中产生的无用物封固在该薄膜基材内；和

输送装置，其将上述薄膜基材从上述去除加工装置输送至上述加热装置。

9.一种薄膜基材的加工装置，其特征在于，

设有：

去除加工装置，其对薄膜基材进行去除加工，

加热装置，其通过对上述薄膜基材进行加热熔融处理，将在上述去除加工中产生的无用物封固在该薄膜基材内，和

输送装置，其将上述薄膜基材从上述去除加工装置输送至上述加热装置；

上述加热装置包括：

激光照射装置，

聚光透镜，其配置在上述激光照射装置与上述薄膜基材的加工位置之间，用于对上述激光照射装置所照射的激光进行汇聚，和

反射板，其相对上述薄膜基材的加工位置，设在与上述激光照射装置的配置位置相反的一侧的位置上，用于反射上述激光。

10.根据权利要求9所述的薄膜基材的加工装置，其特征在于，还包括：

高度测定装置，其用于测定从上述加工装置向上述去除加工装置输送的上述薄膜基材的高度变化；

第1升降装置，其使上述聚光透镜相对上述加工位置进行升降动作；

第2升降装置，其使上述反射板相对上述加工位置进行升降动作；和

控制装置，其根据上述高度测定装置检测出的上述薄膜基材的高度变化结果，控制驱动上述第1及第2升降装置，使得照射在上述薄膜基材的上表面上的直接光的直径和照射在上述薄膜基材的下表面上的反射光的直径相等。

11.根据权利要求9所述的薄膜基材的加工装置，其特征在于，上述去除加工装置是剪切加工装置。

12.根据权利要求9所述的薄膜基材的加工装置，其特征在于，上述无用物是在上述薄膜基材的去除加工位置产生的毛刺或碎片。

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