CN102103324A - 一种光学邻近效应修正方法 - Google Patents
一种光学邻近效应修正方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102103324A CN102103324A CN2009102013594A CN200910201359A CN102103324A CN 102103324 A CN102103324 A CN 102103324A CN 2009102013594 A CN2009102013594 A CN 2009102013594A CN 200910201359 A CN200910201359 A CN 200910201359A CN 102103324 A CN102103324 A CN 102103324A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- optical proximity
- proximity effect
- pattern
- effect correction
- product
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
本发明提供一种光学邻近效应修正方法，包括以下步骤：设计用于建立光学邻近效应修正模型的测试图形，包括建模图形和验模图形，测试图形包括非对称分布的光刻图形；将测试图形制成测试光刻掩模板，使用测试光刻掩模板在晶片上曝光形成曝光图案，获得建模图形曝光图案与建模图形间的图形差异信息，建立光学邻近效应修正模型；使用验模图形验证光学邻近效应修正模型的精准度，确认此模型满足产品工艺需求；应用光学邻近效应修正模型对产品设计版图数据库中的产品设计版图进行修正，获得修正后的产品设计版图数据库；制成产品光刻掩模板，程序结束。本发明方法简化了光学邻近效应修正程序，提高了修正精度，缩短了产品在OPC模段的研发至量产周期。
Description
技术领域
本发明涉及一种光学邻近效应修正方法，特别涉及一种适用于具有不对称图形的掩膜的光学邻近效应修正方法。
背景技术
在现有的技术中，半导体都要经过光刻流程，光刻流程就是光线通过掩膜对抗蚀剂进行曝光，掩膜上的图案被转移而形成抗蚀图案的过程。如果掩膜图案的尺寸非常小，掩膜图案的尺寸会接近形成杭蚀图案的光线的波长，从而产生光学临近效应(Optical Proximity Effect，OPE)，掩膜上的图案就会在转移时变形，而且掩膜图案上相部图案区域的光刻质量受光学邻近效应的影响越来越大。一般光学邻近效应的消除方法是采用光学邻近效应修正(Optical ProximityCorrections，OPC)对半导体某一特定层形成修正图案进行修正。即将欲曝光在晶片的半导体基底上的原始图案，利用计算机和套装软件运算加以计算修正，得到与原始图案不同的结果图形，再将此结果图形输入计算机存档。根据光学邻近效应修正(OPC)所得到的结果图形制作于光罩上，光束透过此光罩投影在半导体基底上的图案可与原始图案几乎相同。
现有技术中针对90nm及90nm以上的半导体器件制造通常采用的光学邻近效应修正方法如图1所示：
S11.设计用于建立光学邻近效应修正模型的测试图形，所述测试图形包括建模图形和验模图形，所述建模图形和验模图形均为对称分布的光刻图形；S12.将所述测试图形制成测试光刻掩模板，使用所述测试光刻掩模板在晶片上曝光形成曝光图案，量测收集晶片上形成的所述建模图形曝光图案的尺寸和形状，获得建模图形曝光图案与建模图形本身间的图形差异信息；S13.依据所述差异信息建立光学邻近效应修正模型；S14.使用验模图形验证所述光学邻近效应修正模型的精准度，确认此模型满足产品工艺需求；S15.应用所述光学邻近效应修正模型对产品设计版图数据库中的产品设计版图进行修正，获得修正后的产品设计版图数据库；S16.制成产品光刻掩模板，使用所述产品光刻掩膜板在晶片上形成曝光图形，验证形成的曝光图形与预期图形之间的偏差信息，若偏差值符合器件制造的精度要求则该光学邻近效应修正程序结束；若偏差值不符合器件制造的精度要求则重新从S14步骤开始执行。
在现有技术中，为建立光学邻近效应修正模型，通常设计的测试图形，均为对称分布的光刻图形，即建模图形和验模图形均为均匀对称分布的图形。但通过该种测试图形建立的光学邻近效应修正模型一旦应用于对非对称布局的光刻图形进行修正时，则在密集图案区将无法获得与原始图案相近的结果。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种光学邻近效应修正方法，以解决现有技术的光学邻近效应修正方法适用于非对称布局的光刻图形时在密集图案区将无法获得与原始图案相近的结果的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种光学邻近效应修正方法，包括以下步骤：
设计用于建立光学邻近效应修正模型的测试图形，所述测试图形包括建模图形和验模图形，所述建模图形和验模图形均包括对称分布的光刻图形和非对称分布的光刻图形；
将所述测试图形制成测试光刻掩模板，使用所述测试光刻掩模板在晶片上曝光形成曝光图案，量测收集晶片上形成的所述建模图形曝光图案的尺寸和形状，获得建模图形曝光图案与建模图形本身间的图形差异信息；
依据所述差异信息建立光学邻近效应修正模型；
使用验模图形验证所述光学邻近效应修正模型的精准度，确认此模型满足产品工艺需求；
应用所述光学邻近效应修正模型对产品设计版图数据库中的产品设计版图进行修正，获得修正后的产品设计版图数据库；
制成产品光刻掩模板，至此光学邻近效应修正程序结束。
可选的，所述测试图形包括一维图形和二维图形。
可选的，所述非对称分布的光刻图形为接近真实产品设计图案的大小及分布不规则的图形。
可选的，所述使用验模图形验证所述光学邻近效应修正模型的精准度的步骤包括：量测收集晶片上形成的所述验模图形曝光图案的尺寸和形状，使用所述光学邻近效应修正模型模拟得出所述验模图形的曝光尺寸和形状，将二者进行对比，验证所述光学邻近效应修正模型的精准度。
本发明的光学邻近效应修正方法在设计测试图形时，在建模图形和验模图形中均设计了非对称分布的图形，在通过建模图形建立光学邻近效应修正模型的时候采集了非对称分布的，更为接近真实产品设计的图形的曝光图形与原始图形间的差异信息，在建立的光学邻近效应修正模型进行精准度验证时也使用保护非对称图形的验模图形进行验证，因此最终得到的修正模型可对光刻图形中环境图形不对称的目标图形进行精确修正，从而省去了现有技术的修正方法中，在利用验证过后的修正模型对产品图形修正后还需将修正后的图形在晶片上曝光，以最终验证修正精度的步骤，本发明的修正方法简化了光学邻近效应修正程序，提高了修正精度，缩短了产品在OPC模段的研发至量产周期，且该方法可使用于90nm以下的半导体器件制造中。
附图说明
图1为现有技术的光学邻近效应修正方法示意图；
图2为本发明的光学邻近效应修正方法示意图；
图3为测试图形中包含的大小不一致且非对称分布的光刻图形的示例图；
图4为测试图形中包含的大小不一致且非对称分布的光刻图形的另一示例图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
本发明所述的光学邻近效应修正方法可利用多种替换方式实现，下面是通过较佳的实施例来加以说明，当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的普通技术人员所熟知的一般的替换无疑涵盖在本发明的保护范围内。
其次，本发明利用示意图进行了详细描述，在详述本发明实施例时，为了便于说明，示意图不依一般比例局部放大，不应以此作为对本发明的限定。
请参阅图2，图2为本发明的光学邻近效应修正方法示意图。如图2所示，本发明的光学邻近效应修正方法包括以下步骤：
S21.设计用于建立光学邻近效应修正模型的测试图形，所述测试图形包括建模图形和验模图形，所述建模图形和验模图形均包括对称分布的光刻图形和非对称分布的光刻图形，所述非对称分布的光刻图形为接近真实产品设计图案的大小及分布不规则的图形；所述测试图形包括一维图形和二维图形；
S22.将所述测试图形制成测试光刻掩模板，使用所述测试光刻掩模板在晶片上曝光形成曝光图案，量测收集晶片上形成的所述建模图形曝光图案的尺寸和形状，获得建模图形曝光图案与建模图形本身间的图形差异信息；
S23.依据所述差异信息建立光学邻近效应修正模型；
S24.使用验模图形验证所述光学邻近效应修正模型的精准度，确认此模型满足产品工艺需求；具体的，量测收集晶片上形成的所述验模图形曝光图案的尺寸和形状，使用所述光学邻近效应修正模型模拟得出所述验模图形的曝光尺寸和形状，将二者进行对比，验证所述光学邻近效应修正模型的精准度；
S25.应用所述光学邻近效应修正模型对产品设计版图数据库中的产品设计版图进行修正，获得修正后的产品设计版图数据库；
S26.制成产品光刻掩模板，至此光学邻近效应修正程序结束。
由于现有技术的光学邻近效应修正方法只收集大小一致均匀且对称分布的测试图形建立修正模型，对于90nm及以下的半导体器件制造而言，通过该方法对初始光刻图形进行修正通常可达到修正精度要求，但该方法若用于65nm或45nm的半导体器件制造中则无法达到要求的修正精度，尤其是适用于如图3和图4所示的不对称分布的测试图形时，即要进行修正的目标图形100周围的环境图形110的大小不一致，分布不对称时，采用现有技术的修正方法对目标图形100进行修正后无法获得与其原始图案相近的结果。本发明的修正方法则很好的克服了这一点，其采集了非对称分布的，更为接近真实产品设计图案的建模图形的曝光图形与建模图形本身间的差异信息建立光学邻近效应修正模型，在建立的光学邻近效应修正模型进行精准度验证时也使用保护非对称图形的验模图形进行验证，因此最终得到的修正模型可对光刻图形中环境图形不对称的目标图形进行精确修正，从而省去了现有技术的修正方法中，在利用验证过后的修正模型对产品图形修正后还需将修正后的图形在晶片上曝光，以最终验证修正精度的步骤，本发明的修正方法简化了光学邻近效应修正程序，提高了修正精度，缩短了产品在OPC模段的研发至量产周期，且该方法可使用于90nm以下的半导体器件制造中。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (4)
1.一种光学邻近效应修正方法，包括以下步骤：
设计用于建立光学邻近效应修正模型的测试图形，所述测试图形包括建模图形和验模图形，所述建模图形和验模图形均包括对称分布的光刻图形和非对称分布的光刻图形；
将所述测试图形制成测试光刻掩模板，使用所述测试光刻掩模板在晶片上曝光形成曝光图案，量测收集晶片上形成的所述建模图形曝光图案的尺寸和形状，获得建模图形曝光图案与建模图形本身间的图形差异信息；
依据所述差异信息建立光学邻近效应修正模型；
使用验模图形验证所述光学邻近效应修正模型的精准度，确认此模型满足产品工艺需求；
应用所述光学邻近效应修正模型对产品设计版图数据库中的产品设计版图进行修正，获得修正后的产品设计版图数据库；
制成产品光刻掩模板，至此光学邻近效应修正程序结束。
2.如权利要求1所述的光学邻近效应修正方法，其特征在于，所述测试图形包括一维图形和二维图形。
3.如权利要求1所述的光学邻近效应修正方法，其特征在于，所述非对称分布的光刻图形为接近真实产品设计图案的大小及分布不规则的图形。
4.如权利要求1所述的光学邻近效应修正方法，其特征在于，所述使用验模图形验证所述光学邻近效应修正模型的精准度的步骤包括：量测收集晶片上形成的所述验模图形曝光图案的尺寸和形状，使用所述光学邻近效应修正模型模拟得出所述验模图形的曝光尺寸和形状，将二者进行对比，验证所述光学邻近效应修正模型的精准度。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009102013594A CN102103324A (zh) | 2009-12-17 | 2009-12-17 | 一种光学邻近效应修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009102013594A CN102103324A (zh) | 2009-12-17 | 2009-12-17 | 一种光学邻近效应修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102103324A true CN102103324A (zh) | 2011-06-22 |
Family
ID=44156194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009102013594A Pending CN102103324A (zh) | 2009-12-17 | 2009-12-17 | 一种光学邻近效应修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102103324A (zh) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103365071A (zh) * | 2012-04-09 | 2013-10-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 掩膜板的光学邻近校正方法 |
| CN103777460A (zh) * | 2014-03-04 | 2014-05-07 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种提高光学邻近效应修正模型精度的方法 |
| CN106353964A (zh) * | 2015-07-16 | 2017-01-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于评估光学邻近修正模型的精度的方法 |
| CN106980719A (zh) * | 2017-03-21 | 2017-07-25 | 上海华力微电子有限公司 | 版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法 |
| CN110716386A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-01-21 | 中国科学院微电子研究所 | 一种光学临近效应的修正方法、修正装置及掩模 |
| CN110780533A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-02-11 | 联合微电子中心有限责任公司 | 一种新型opc模型的校正方法 |
| CN111158210A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-05-15 | 长江存储科技有限责任公司 | 光掩模的光学邻近校正方法及光掩模、半导体的制造方法 |
| CN111446179A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-24 | 中国科学院微电子研究所 | 一种晶圆测试方法及装置 |
| CN111796480A (zh) * | 2019-04-08 | 2020-10-20 | 无锡华润上华科技有限公司 | 光学邻近修正方法 |
| CN112415847A (zh) * | 2020-11-20 | 2021-02-26 | 长江存储科技有限责任公司 | 光学邻近校正方法 |
| CN113495425A (zh) * | 2020-04-03 | 2021-10-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种光学临近修正方法及装置 |
| CN112433442B (zh) * | 2020-12-01 | 2024-06-21 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 掩模版图案修正方法、装置、计算机设备及可读存储介质 |
-
2009
- 2009-12-17 CN CN2009102013594A patent/CN102103324A/zh active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103365071A (zh) * | 2012-04-09 | 2013-10-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 掩膜板的光学邻近校正方法 |
| CN103777460A (zh) * | 2014-03-04 | 2014-05-07 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种提高光学邻近效应修正模型精度的方法 |
| CN106353964A (zh) * | 2015-07-16 | 2017-01-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于评估光学邻近修正模型的精度的方法 |
| CN106353964B (zh) * | 2015-07-16 | 2019-12-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于评估光学邻近修正模型的精度的方法 |
| CN106980719A (zh) * | 2017-03-21 | 2017-07-25 | 上海华力微电子有限公司 | 版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法 |
| CN106980719B (zh) * | 2017-03-21 | 2020-07-31 | 上海华力微电子有限公司 | 版图重复单元光学邻近效应修正一致性检查方法 |
| CN111796480A (zh) * | 2019-04-08 | 2020-10-20 | 无锡华润上华科技有限公司 | 光学邻近修正方法 |
| CN110716386B (zh) * | 2019-10-29 | 2023-10-20 | 中国科学院微电子研究所 | 一种光学临近效应的修正方法、修正装置及掩模 |
| CN110716386A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-01-21 | 中国科学院微电子研究所 | 一种光学临近效应的修正方法、修正装置及掩模 |
| CN110780533A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-02-11 | 联合微电子中心有限责任公司 | 一种新型opc模型的校正方法 |
| CN111158210A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-05-15 | 长江存储科技有限责任公司 | 光掩模的光学邻近校正方法及光掩模、半导体的制造方法 |
| CN111446179A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-24 | 中国科学院微电子研究所 | 一种晶圆测试方法及装置 |
| CN111446179B (zh) * | 2020-03-31 | 2022-11-01 | 中国科学院微电子研究所 | 一种晶圆测试方法及装置 |
| CN113495425A (zh) * | 2020-04-03 | 2021-10-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种光学临近修正方法及装置 |
| CN112415847A (zh) * | 2020-11-20 | 2021-02-26 | 长江存储科技有限责任公司 | 光学邻近校正方法 |
| CN112433442B (zh) * | 2020-12-01 | 2024-06-21 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 掩模版图案修正方法、装置、计算机设备及可读存储介质 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102103324A (zh) | 一种光学邻近效应修正方法 | |
| CN101311825B (zh) | 修正光学邻近效应的方法 | |
| CN103513507B (zh) | 用于邻近修正的方法 | |
| JP5398502B2 (ja) | パターン作成方法、プロセス決定方法およびデバイス製造方法 | |
| US8166424B2 (en) | Method for constructing OPC model | |
| CN101750878B (zh) | 光学邻近校正方法 | |
| CN108828896B (zh) | 添加亚分辨率辅助图形的方法及该方法的应用 | |
| CN104516206B (zh) | 一种优化光学临近修正拟合结果的方法 | |
| CN106773544B (zh) | 一种控制辅助图形信号误报率的opc建模方法 | |
| CN103149792A (zh) | 一种光学邻近修正方法 | |
| CN103186030A (zh) | 光学邻近修正方法 | |
| CN104749896A (zh) | 光学邻近修正方法 | |
| US10908495B2 (en) | Photolithography process and photolithography apparatus | |
| CN103163727B (zh) | 一种掩膜图案的修正方法 | |
| US20100003819A1 (en) | Design layout data creating method, computer program product, and method of manufacturing semiconductor device | |
| US20060195808A1 (en) | Method for correcting the optical proximity effect | |
| CN103576444B (zh) | 一种掩膜版的光学临近修正方法 | |
| CN101458719B (zh) | 校验光学邻近修正方法 | |
| CN103365071A (zh) | 掩膜板的光学邻近校正方法 | |
| CN104570585A (zh) | 光学邻近修正方法 | |
| CN103777457A (zh) | 一种用于接触孔图形设计的光学邻近修正的方法 | |
| US8443309B2 (en) | Multifeature test pattern for optical proximity correction model verification | |
| JP2004302263A (ja) | マスクパターン補正方法およびフォトマスク | |
| CN104698761A (zh) | 基于面积的opc模型校准方法 | |
| KR20100071409A (ko) | 취약 지점 검출 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20110622 |