CN102099848B - 有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法 - Google Patents

有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种有源矩阵基板。有源矩阵基板(101A)具备：透明基板(10)；形成于透明基板上的布线(LG、LD、LP、L1、L2等)；覆盖该布线的至少一部分的透明半导体层(44)；及覆盖布线及透明半导体层的至少一部分的透明绝缘膜。布线包括：作为主布线的第一金属布线(41M)；及从主布线分支而作为副布线的透明布线(41、42、43等)。作为主布线的第一金属布线，至少一部分使用比作为副布线的布线具备更高导电性的材料而形成。

Description

有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法
技术领域
本发明涉及有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法，且是关于包括晶体管元件，尤其是包括薄膜晶体管(Thin FilmTransistor：TFT)元件的有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法。
背景技术
近年来，由于已能够实现低耗电化、低驱动电压化及省空间化等，而盛行开发由液晶显示(Liquid Crystal Display：LCD)装置及有机EL(ElectroLuminescence)显示装置等所代表的平板显示器(Flat Panel Display：FPD)装置。
在FPD装置中，例如液晶显示装置及有机EL显示装置等的驱动方式，大致可区别为静态(static)驱动方式与动态(dynamic)驱动方式，其中被分类为动态驱动方式的有源矩阵驱动方式，由于可降低像素间的串扰(cross talk)，且能进行更为清晰的影像再生，故受到瞩目。
在实现有源矩阵驱动方式时，一般而言，是使用按每个像素具备有1个以上开关元件及电容器元件等的被称为所谓阵列基板的电路基板。在本说明中，将此种基板称为有源矩阵基板。
例如以液晶显示装置的情形而言，在有源矩阵基板与对置基板之间设置液晶元件。在此，从装置内的光源所发出的光，可隔着有源矩阵基板、液晶元件与对置基板来辨认，此时，通过对液晶元件赋予适当电压来控制液晶分子排列而呈现作为影像的色调、灰度等。
此外，例如以有机EL显示装置的情形而言，在有源矩阵基板的主面中的一面侧设置每个像素的有机发光二极管。在此，来自有机发光二极管的光，可隔着有源矩阵基板(背面发光型/底发射(bottom emission)型)、或不隔着有源矩阵基板(上面发光型/顶发射(top emission)型)来辨认，此时，通过控制流通于有机发光二极管的电流量而呈现作为影像的色调、灰度。
根据以上的构成，有源矩阵基板成为决定液晶显示装置及有机EL显示装置等FDP中的面板部分的厚度的重要因素。因此，在此有源矩阵基板中的开关元件中，因意识到面板部分的薄型化，而一般使用晶体管元件，尤其是TFT元件等薄膜元件。
在此情形中，已可通过电极材料、半导体材料及绝缘膜材料等的开发，而形成透明的TFT(参照例如以下所示的非专利文献1)。
非专利文献1：神谷利夫等人，“非晶质氧化物半导体的设计与高性能可挠性薄膜晶体管的室温形成”，第19次尖端技术大奖应征论文，[online]、[2008年4月9日检索]、因特网<URL：http://www.fbi-award.jp/sentan/jusyou/2005/toko_canon.pdf>
发明内容
在此，作为决定液晶显示装置及有机EL显示装置等的性能的一个要素，存在有源矩阵基板的开口率。该开口率是用以实现更高密度化、更高对比度及亮度等的重要因素，开口率愈大，则愈可实现高积体化、高对比度及高亮度化等。
然而，在上述以往的技术中，有源矩阵基板中的晶体管元件虽已可透明化，但布线部分的透明化则尚未能实现。对于布线，为了实现液晶显示装置及有机EL显示装置等的耗电及驱动电压的降低，要求大至一定程度的截面积。因此，布线部分不透明，对于以往的有源矩阵基板中的开口率提高造成了限制。
另一方面，以往一般使用的铟锡氧化物(Indium Tin Oxide：ITO)等透明电极材料，电阻率比例如金属等导电体大。因此，若将所有布线以透明的电极材料来形成，则可能会产生有源矩阵基板的驱动电力增加，结果使得耗电增加的问题。
因此，本发明鉴于上述问题而实现，其目的在提供一种可提高开口率及降低耗电的有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法。
为了达成此目的，根据本发明，提供如下方案：
[1]、一种有源矩阵基板，具备多个晶体管元件，还具备：基板，能够透过可见光；布线，包括形成在所述基板上的主布线、及形成在所述基板上且用以连接所述主布线与所述晶体管元件的副布线；半导体层，从所述基板的厚度方向观察与所述布线的至少一部分重叠，并且能够透过可见光；和绝缘膜，覆盖所述布线及半导体层的至少一部分，能够透过可见光；所述副布线由能够透过可见光的导电体材料构成；所述主布线，至少一部分由具备比所述副布线更高的导电性的导电体材料构成。
[2]、根据上述[1]所述的有源矩阵基板，其中，所述半导体层由主成分与所述副布线中的导电体材料的主成分相同的半导体材料构成。
[3]、根据上述[1]或[2]所述的有源矩阵基板，其中，所述副布线中的导电体材料及所述半导体层中的半导体材料的各自的主成分是无机氧化物。
[4]、根据上述[1]至[3]中任一项所述的有源矩阵基板，其中，所述副布线由锌锡氧化物所构成的导电体材料构成；所述半导体层由锌锡氧化物所构成的半导体材料构成，该半导体材料的载流子浓度比所述副布线低。
[5]、根据上述[1]至[4]中任一项所述的有源矩阵基板，其中，所述主布线的至少一部分由金属或合金构成。
[6]、根据上述[1]至[5]中任一项所述的有源矩阵基板，其中，所述副布线的一部分发挥作为所述晶体管元件中的电极的功能。
[7]、根据上述[1]至[6]中任一项所述的有源矩阵基板，其中，所述副布线的一部分发挥作为所述晶体管元件中的栅电极、源电极及漏电极的功能，所述绝缘膜的一部分发挥作为所述晶体管元件中的栅极绝缘膜的功能。
[8]、根据上述[1]至[7]中任一项所述的有源矩阵基板，其中，具备第一及第二晶体管以及电容器；所述主布线构成1条以上扫描线的至少一部分、1条以上数据线的至少一部分及1条以上驱动线的至少一部分；所述第一晶体管的控制端子连接于所述扫描线，输入端子连接于所述数据线；所述第二晶体管的控制端子连接于所述第一晶体管的输出端子，输入端子连接于所述驱动线；所述电容器的一个电极连接于所述驱动线，另一个端子连接于所述第二晶体管的控制端子。
[9]、根据上述[1]至[7]中任一项所述的有源矩阵基板，其中，具备第一晶体管及电容器；所述主布线构成1条以上扫描线的至少一部分、1条以上数据线的至少一部分及1条以上电容线的至少一部分；所述第一晶体管的控制端子连接于所述扫描线，输入端子连接于所述数据线；所述电容器的一个端子连接于所述晶体管的输出端子。
[10]、一种显示面板，具备：上述[1]至[8]中任一项所述的有源矩阵基板；第一电极，形成于所述有源矩阵基板上，能够透过可见光；有机膜，形成于所述第一电极上；及第二电极，形成于所述有机膜上。
[11]、根据上述[10]所述的显示面板，其中，所述第二电极能够透过可见光。
[12]、根据上述[11]所述的显示面板，其中，具备与所述第二电极电连接的辅助电极。
[13]、根据上述[12]所述的显示面板，其中，所述辅助电极是能够透过可见光的电极。
[14]、根据上述[10]至[13]中任一项所述的显示面板，其中，具备相对于所述有机膜形成于上层及下层的任一方或双方的过滤膜。
[15]、一种显示面板，具备：上述[1]至[7]及[9]中任一项所述的有源矩阵基板；对置基板，能够透过可见光；及液晶元件，包括：液晶层；双层取向膜，用以包夹该液晶层；和像素电极及公共电极，用以包夹由所述液晶层与所述双层取向膜构成的层叠体；所述像素电极及公共电极能够透过可见光；所述像素电极与所述有源矩阵基板中的所述布线电连接；所述液晶元件由所述有源矩阵基板与所述对置基板所包夹。
[16]、根据上述[15]所述的显示面板，其中，具备两片偏光板，用以包夹由所述有源矩阵基板、所述液晶元件与所述对置基板构成的层叠体。
[17]、根据上述[15]或[16]所述的显示面板，其中，具备：遮光膜，形成于所述公共电极上；及过滤膜，至少形成于所述公共电极上，用以透过预定波段的波长。
[18]、一种显示装置，具备[10]至[17]中任一项所述的显示面板。
[19]、一种有源矩阵基板的制造方法，包括：主布线形成工序，在能够透过可见光的基板上形成主布线；第一副布线形成工序，在所述基板上形成第一副布线，该第一副布线与所述主布线电连接，且一部分中包含用以形成晶体管元件的电极，并能够透过可见光；第一绝缘膜形成工序，在所述基板上形成第一绝缘膜，该第一绝缘膜覆盖所述主布线及所述第一副布线的至少一部分，且一部分中包含用以构成所述晶体管元件的绝缘膜，并能够透过可见光；第二布线形成工序，在所述第一绝缘膜上，形成一部分中包含用以构成所述晶体管元件的电极且能够透过可见光的第二副布线；半导体层形成工序，在所述第一绝缘膜上，形成覆盖所述第二副布线的至少一部分且能够透过可见光的半导体层；和第二绝缘膜形成工序，在所述第一绝缘膜上，形成覆盖所述半导体层及所述第二副布线的至少一部分且能够透过可见光的第二绝缘膜；使用具备比所述第一及/或第二副布线更高导电性的材料来形成所述主布线的至少一部分。
[20]、根据上述[19]所述的有源矩阵基板的制造方法，其中，所述半导体层使用主成分与所述第二副布线的主成分相同的半导体材料形成。
[21]、根据上述[19]或[20]所述的有源矩阵基板的制造方法，其中，所述第二副布线中的导电体材料及所述半导体层中的半导体材料的各自的主成分是无机氧化物。
[22]、根据上述[19]至[21]中任一项所述的有源矩阵基板的制造方法，其中，使用由锌锡氧化物所构成的导电体材料来形成所述第二副布线；及使用由可将载流子浓度降为比所述第二副布线低的锌锡氧化物构成的半导体材料来形成所述半导体层。
[23]、根据上述[19]至[22]项中任一项所述的有源矩阵基板的制造方法，其中，使用金属或合金而形成所述主布线的至少一部分。
[24]、根据上述[19]至[23]中任一项所述的有源矩阵基板的制造方法，其中，在所述半导体层形成工序中，通过在所述第一绝缘膜上形成覆盖所述第二副布线的半导体膜，且以所述第二副布线不会露出的方式蚀刻该半导体膜，来形成所述半导体层。
[25]、根据上述[19]至[24]中任一项所述的有源矩阵基板的制造方法，其中，在所述主布线形成工序、所述第一布线形成工序、所述第一绝缘膜形成工序、所述第二布线形成工序、所述半导体层形成工序及所述第二绝缘膜形成工序中的至少一个工序中，使用印刷法或喷墨印刷(inkjetprinting)法来形成所述主布线、所述第一副布线、所述第一绝缘膜、所述第二副布线、所述半导体层或所述第二绝缘膜。
(发明效果)
根据本发明，由于使用透明的材料形成元件与布线的至少一部分，因此可实现提高了开口率的有源矩阵基板。此外，根据本发明，由于使用导电性比副布线高的材料来形成主布线的至少一部分，因此可降低布线的电阻值。由于这些理由，根据本发明，可实现开口率提高及耗电降低的有源矩阵基板。由于同样的理由，根据本发明，可制造能够实现开口率提高及耗电降低的有源矩阵基板。再者，通过使用本发明的有源矩阵基板，能够实现开口率提高及耗电降低的显示面板及显示装置。
附图说明
图1是表示本发明实施方式1的有机EL显示装置的概略性构成的框图。
图2是表示本发明实施方式1的各像素的概略性电路构成的示意图。
图3是用以说明本发明实施方式1的各像素中的有源矩阵基板的布局构造的概略性俯视图。
图4是用以说明本发明实施方式1的各像素中的层构造的概略性剖视图。
图5-1是表示本发明实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其1)。
图5-2是表示本发明实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其2)。
图5-3是表示本发明实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其3)。
图5-4是表示本发明实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其4)。
图5-5是表示本发明实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其5)。
图5-6是表示本发明实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其6)。
图5-7是表示本发明实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其7)。
图5-8是表示本发明实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其8)。
图5-9是表示本发明实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其9)。
图5-10是表示本发明实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其10)。
图5-11是表示本发明实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其11)。
图6是用以说明本发明实施方式2的各像素中的层构造的概略性剖视图。
图7是表示本发明实施方式3的液晶显示装置的概略性构成的框图。
图8是表示本发明实施方式3的各像素的概略性电路构成的示意图。
图9是用以说明本发明实施方式3的各像素中的有源矩阵基板的布局构造的概略性俯视图。
图10是用以说明本发明实施方式3的各像素中的层构造的概略性剖视图。
图11-1是表示本发明实施方式3的液晶显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其1)。
图11-2是表示本发明实施方式3的液晶显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其2)。
图12-1是表示本发明实施方式3的液晶显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其3)。
图12-2是表示本发明实施方式3的液晶显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其4)。
图12-3是表示本发明实施方式3的液晶显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其5)。
图12-4是表示本发明实施方式3的液晶显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其6)。
图12-5是表示本发明实施方式3的液晶显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其7)。
图12-6是表示本发明实施方式3的液晶显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其8)。
图13是表示本发明实施方式3的液晶显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖视图(其9)。
图中：10、320-透明基板；11、21、15-栅电极；12、22、16-栅极绝缘膜；13、23、17-透明半导体层；14d、18d、24d-漏电极；14s、18d、24s-源电极；31、35-下部电极；32、36-电容绝缘膜；33、37-上部电极；40、50-层间绝缘膜；41-透明布线；41a-冗余布线；41M-第一金属布线；42-接触孔内布线；42M-接触孔内金属布线；43-第二布线层；43M-第二金属布线；44-透明半导体层；51-接触插塞；61-阳极电极；62-有机层；63、65-阴极电极；64-滤色器；66-辅助电极；70-隔壁；80-钝化膜；100-有机EL显示装置；100a-下表面；101、301-显示面板；101A、301A-有源矩阵基板；101a、201a、301a-像素；200a、300a-上表面；300-液晶显示装置；302A-对置基板；311-像素电极；312-液晶层；313-公共电极；314、315-取向膜；316-电介质突起；317-间隔件；321-遮光膜；330、340-偏光板；C1-电容器；C31-蓄积电容器；D1、D2-有机发光二极管；E31-液晶元件；LD-数据线；LG-扫描线；LP-驱动线；LC-电容线；L1、L2、L31-布线；Q1、Q31-开关晶体管；Q2-驱动晶体管；RC、RCM-立体布线。
具体实施方式
以下参照附图详细说明用以实施本发明的最佳形态。另外，本发明并不限定于以下的实施方式。此外，在以下的说明中，各图仅是概略性表示可理解本发明的内容程度的形状、大小及位置关系，因此，本发明非仅限定于各图例所示的形状、大小及位置关系。再者，在各图中，为使构成明了化，省略剖面中的阴影的一部分。此外，后述中所例示的数值，仅是本发明的较佳例，因此本发明并不限定于例示的数值。
<实施方式1>
首先，作为本发明实施方式1的显示装置，以有机EL显示装置100为例进行说明。图1是表示有机EL显示装置100的概略性构成的框图。另外，在本实施方式中，以可经由元件基板(参照例如图4中的有源矩阵基板101A)将来自发光元件(参照例如图4中的有机发光二极管D1)的光，从该基板的下表面(参照例如图4中的下表面100a)输出至外部的所谓背面发光型(bottom emission type)的有机EL显示装置100为例。
(整体构成)
如图1所示，有机EL显示装置100具备：包括排列成二维矩阵状的像素(PX)101a的显示面板101、与该显示面板101连接的扫描驱动部103、数据驱动部104、电容线驱动部105及驱动信号生成部106、以及用以控制各部的信号控制部102。另外，显示面板101具备分别关于红色(R)、绿色(G)及蓝色(B)的三原色的各色的像素101a。
在此，显示面板101包括：连接于扫描驱动部103，分别传递扫描信号的扫描线LG1、LG2、…、LGn(以下将任意的扫描线设为LG)；连接于数据驱动部104，分别传递数据信号的数据线LD1、LD2、LD3、…、LDm(以下将任意的数据线设为LD)；连接于电容线驱动部105，分别传递电容线驱动信号的电容线LC1、LC2、LC3、…、LCm(以下将任意的电容线设为LC)；及连接于驱动信号生成部106，分别传递驱动信号的驱动线LP1、LP2、LP3、…、LPm(以下将任意的驱动线设为LP)。
各扫描线LG1至LGn朝图中大致行方向延伸，各数据线LD1至LDm朝图中大致列方向延伸。因此，扫描线LG1至LGn与数据线LD1至LDm交叉成二维矩阵状。各像素101a分别配置在此二维矩阵中的交叉部分，与对应的扫描线LG及数据线LD连接。此外，各电容线LC1至LCm与数据线LD1至LDm大致平行延伸，与配置于各交叉部分的像素101a连接。同样，各驱动线LP1至LPm与数据线LD1至LDm大致平行延伸，与配置于各交叉部分的像素101a连接。本实施方式中，分别在扫描线LG、数据线LD、电容线LC与驱动线LP中，将彼此交叉地沿行列方向延伸的布线部分作为主布线，将从此主布线分支而与各像素101a中的开关元件Q1、驱动晶体管Q2、电容器C1(参照例如图2)等元件连接的布线部分作为副布线。此外，以连接各元件间的布线(L1、L2等)作为副布线。
信号控制部102根据从外部输入的视频信号R、G、B及用以控制其显示的输入控制信号(数据使能(enable)信号DE、水平同步信号Hsync、垂直同步信号Vsync、主时钟(main clock)MCLK等)，产生用以控制影像再生的扫描控制信号CONT1、数据控制信号CONT2、电容线控制信号CONT3、发光控制信号CONT4及视频数据信号DAT等。
产生的扫描控制信号CONT1输入于扫描驱动部103。扫描控制信号CONT1包括：指示后述的栅极导通电压Von的输出开始的垂直同步开始信号、控制栅极导通电压Von的输出时序(timing)的栅极时钟信号、及控制栅极导通电压Von的输出期间的输出使能信号等。此外，在扫描驱动部103中，还输入有用以使各像素101a所含的开关晶体管Q1(参照图2)导通·截止的栅极导通电压Von与栅极截止电压Voff。扫描驱动部103依据扫描控制信号CONT1，从栅极导通电压Von与栅极截止电压Voff产生扫描信号，且将此扫描信号输入于扫描线LG。
此外，数据控制信号CONT2及视频数据信号DAT，输入于数据驱动部104。数据控制信号CONT2包括：指示视频数据信号DAT的输入开始的水平同步开始信号、用以输入数据信号至数据线LD的载入(load)信号等。数据驱动部104依据数据控制信号CONT2，将所接收的视频数据信号DAT锁存(latch)之后，适当产生与视频数据信号DAT对应的数据信号，且将该信号输入于数据线LD。
此外，电容线控制信号CONT3输入于电容线驱动部105。电容线控制信号CONT3是用以产生电容线LC驱动用的电容线驱动信号的信号。电容线驱动部105依据电容线控制信号CONT3而产生用以驱动电容线LC的电容线驱动信号，且将该信号输入于电容线LC。
此外，发光控制信号CONT4输入于驱动信号生成部106。发光控制信号CONT4是用以产生有机发光二极管D1(参照图2)驱动用的驱动信号的信号。驱动信号生成部106依据发光控制信号CONT4使有机发光二极管D1发光，或产生用以设为非发光的驱动信号，且将该信号输入于驱动线LP。
另外，驱动信号输入于后述的有机发光二极管D1的阳极。此外，对于有机发光二极管D1的阴极输入公共电压Vcom(参照图2)。因此，在本实施方式中，通过将使有机发光二极管D1发光的期间的驱动信号的电压电平设为比公共电压Vcom的电压电平高，而其以外期间的驱动信号的电压电平设为与公共电压Vcom相同或比其低，来控制有机发光二极管D1的发光/非发光。在此，公共电压Vcom例如可设为接地电位。此外，也可使用电源线以取代驱动线LP。此时，驱动信号生成部106被省略，对电源线施加电源电压。
(像素构成)
接着使用图2说明各像素101a的概略性构成及其动作。另外，在以下说明中，对于R、G、B中的任一像素101a均相同。
图2是表示像素101a的概略性电路构成的示意图。如图2所示，像素101a包括：开关晶体管Q1、驱动晶体管Q2、电容器C1、及有机发光二极管D1。
开关晶体管Q1例如为n型TFT，其源极S例如与在节点(node)N4从数据线LD的主布线分支的副布线连接，而漏极D经由包括节点N1的布线L1而与驱动晶体管Q2的栅极G连接。此外，开关晶体管Q1的栅极G，例如与在节点N3从扫描线LG的主布线分支的副布线连接。因此，开关晶体管Q1依据扫描信号的电压电平Vg(扫描控制电压)使数据线LD及节点N1间导通或截止。
电容器C1的一个端子例如经由在节点N1分支的布线部分(这也包含于布线L1)与布线L1连接。电容器C1的另一个端子，例如与在节点N5从电容线LC的主布线分支的副布线连接。对于电容线LC，从上述的电容线驱动部105赋予电容线驱动信号。此电容线驱动信号的电压电平Vc(电容线驱动电压)，例如可设为接地电位。换言之，电容线LC可设为接地线。此时，可省略电容线驱动部105。
在此，当输入于扫描线LG的扫描信号的电压电平Vg(扫描控制电压)成为高电平时，开关晶体管Q1成为导通状态，经由该开关晶体管Q1对驱动晶体管Q2的栅极G注入与数据信号的电压电平Vd(数据驱动电压)对应的电荷。结果，驱动晶体管Q2成为导通状态，使节点N3及有机发光二极管D1间导通。
在此，电容器C1在从扫描线LG的电压电平Vg成为低电平而开关晶体管Q1完全成为截止状态之后，到接着电压电平Vg成为高电平而开关晶体管Q1成为导通状态并且输入下一个数据信号为止的期间，发挥维持驱动晶体管Q2中的栅极G的电位的作用。即，电容器C1将输入于数据线LD的数据信号保持预定期间。
驱动晶体管Q2例如为n型TFT，其漏极D例如连接于在节点N6从驱动线LP的主布线分支的副布线，源极S经由节点N2与有机发光二极管D1的阳极连接。另外，对于有机发光二极管D1的阴极，施加公共电压Vcom(例如接地电位GND)。因此，驱动晶体管Q2成为导通状态，当对于阳极施加电源电压VDD时，由于电流I流通于有机发光二极管D1，因此有机发光二极管D1以与电流I的电流量对应的亮度发光。另一方面，驱动晶体管Q2处于截止状态时，由于电流不流通于有机发光二极管D1，因此不发光。
接着使用图3及图4详细说明各像素101a的布局构造及层构造。图3是用以说明像素101a中的有源矩阵基板101A(参照例如图4)的布局构造的概略性俯视图。此外，图4是用以说明像素101a的层构造的概略性剖视图。另外，在图3中，为了简化说明，省略了透明基板10、层间绝缘膜40及50等的结构(参照例如图4)。此外，图4是连续性表示在图3的A-A′的切断端面的像素101a的概略性层构造。再者，在以下的说明中，为了说明的明确化，对于相同层的相同种类的膜赋予相同符号。
如图3或图4所示，像素101a具备：作为阵列基板的有源矩阵基板101A(参照例如图4)、及有源矩阵基板101A上的有机发光二极管D1(参照例如图4)。有源矩阵基板101A例如包括：扫描线LG、数据线LD、电容线LC、驱动线LP、布线L1及L2、开关晶体管Q1、驱动晶体管Q2、及电容器C1。有机发光二极管D1包括由阳极电极61及阴极电极63所包夹的有机膜62，例如经由布线L2连接于驱动晶体管Q2的源电极24s。另外，也可相对于有机发光二极管D1在光的取出侧设置滤色器。
扫描线LG例如由包括透明基板10上的第一金属布线41M(主布线)及透明布线41(副布线)的第一布线层所构成(参照例如图3)。数据线LD及驱动线LP是例如分别由包括透明基板10上的第一金属布线41M及透明布线41的第一布线层、层间绝缘膜40上的第二布线层43、形成于层间绝缘膜40的接触孔(contact)内的接触孔内布线42、用以连接相邻的像素101a间的第一金属布线41M的接触孔内金属布线42M及第二金属布线43M所组成的立体布线RCM所构成。布线L1及L2例如分别由透明基板10上的第一布线层与层间绝缘膜40上的第二布线层43、及形成于层间绝缘膜40的接触孔内的接触孔内布线42所构成。此外，在布线L2中例如还包括接触插塞(contact plug)51，用以将第二布线层43电连接于有机发光二极管D1的阳极电极61，该第二布线层43连接于驱动晶体管Q2的源电极24s。再者，图2所示的各节点N1、N2、N3、N4、N5及N6例如分别可定义于图3所示的各位置。
在第一布线层中，朝大致行方向或大致列方向延伸的第一金属布线41M，分别相当于扫描线LG、数据线LD或驱动线LP的主布线部分。此外，透明布线41是从主布线分支用以连接该主布线与各像素101a中的元件(Q1、Q2、C1等)的布线部分，相当于各布线(LG、LD、LP等)的副布线部分。另外，关于电容线LC，朝大致列方向延伸的部分相当于主布线部分，而从其分支的部分相当于副布线部分。然而，不限于此，关于电容线LC，也可由第一金属布线41M形成朝大致列方向延伸的主布线部分。
此外，接触孔内布线42及第二布线层43例如为用以将数据线LD、电容线LC或驱动线LP电性引导于层间绝缘膜40上的布线部分，包含于各布线(LG、LD、LP等)的副布线部分。然而，构成用以电连接电容线LC的主布线间的立体布线RC的接触孔内布线42及第二布线层43包含于主布线部分。
再者，接触孔内金属布线42M及第二金属布线43M是跨越朝与各布线(LD、LP等)大致垂直方向延伸的扫描线LG，而用以将各布线(LD、LP等)的主布线间电连接的立体布线RCM，包含于各布线(LD、LP等)的主布线部分。
如此，通过使用形成于层间绝缘膜40(参照例如图4)内的接触孔内布线42或接触孔内金属布线42M，将层间绝缘膜40下的透明布线41或第一金属布线41M与层间绝缘膜40上的第二布线层43或第二金属布线43M电连接，能够使各信号线(LG、LD、LP等)立体交叉。由此，可将各布线(LG、LD、LP等)的较多区域形成于单一层(在本实施方式中是透明基板10上的层)，因此可使有源矩阵基板101A的层构造简化及布线布局明确化等，并且可提高形成于位于更上层的层上表面的平坦性。
此外，在透明基板10上，在未形成有各种布线(LG、LD、LC、LP、L1、L2等)及各种元件(Q1、Q2、C1等)的区域，例如通过将第一布线层中的透明布线41的一部分形成冗余的冗余布线41a(参照例如图3)，而提高形成于透明基板10上的层上表面的平坦性。
开关晶体管Q1例如为所谓底栅极(bottom gate)构造的薄膜晶体管(TFT)(参照例如图4)，该薄膜晶体管例如由下述所构成：透明基板10上的栅电极11、覆盖栅电极11的栅极绝缘膜12、栅极绝缘膜12上的源电极14s与漏电极14d、以及源电极14s与漏电极14d间的栅极绝缘膜12上的透明半导体层13。
栅电极11可使用例如构成扫描线LG的第一布线层中的透明布线41的一部分。栅极绝缘膜12可使用例如层间绝缘膜40的一部分。透明半导体层13可使用例如透明半导体层44的一部分。源电极14s可使用例如构成数据线LD的一部分的第二布线层43的一部分。漏电极14d可使用例如构成布线L1的一部分的第二布线层43的一部分。然而，本发明并不限定于此，例如，也可设为对栅电极11使用第二布线层43的一部分，对源电极14s及漏电极14d使用第一布线层中的透明布线41的一部分的所谓顶栅极(top gate)构造的薄膜晶体管(TFT)。
同样，驱动晶体管Q2例如为所谓的底栅极构造的薄膜晶体管(TFT)(参照例如图4)，该薄膜晶体管例如由下述所构成：透明基板10上的栅电极21、覆盖栅电极21的栅极绝缘膜22、栅极绝缘膜22上的源电极24s与漏电极24d、以及漏电极24d与源电极24s间的栅极绝缘膜22上的透明半导体层23。
栅电极21可使用例如构成布线L1的一部分的第一布线层中的透明布线41的一部分。栅极绝缘膜22可使用例如层间绝缘膜40的一部分。透明半导体层23可使用例如透明半导体层44的一部分。漏电极24d可使用例如构成驱动线LP的一部分的第二布线层43的一部分。源电极24s可使用例如构成布线L2的一部分的第二布线层43的一部分。然而，本发明并不限定于此，例如，也可设为栅电极21使用第二布线层43的一部分，漏电极4d及源电极24s分别使用第一布线层中的透明布线41的一部分的所谓顶栅极(top gate)构造的薄膜晶体管(TFT)。
另外，本实施方式的有源矩阵基板101A是称为所谓的阵列基板的基板，具备作为晶体管元件的TFT。
电容器C1例如由透明基板10上的下部电极31、下部电极31上的上部电极33、及下部电极31与上部电极33间的电容绝缘膜32所构成(参照例如图4)。下部电极31可使用例如构成电容线LC的一部分的第一布线层中的透明布线41的一部分。电容绝缘膜32可使用例如层间绝缘膜40的一部分。上部电极33可使用例如构成驱动线LP的第二布线层43的一部分。
此外，有源矩阵基板101A上的有机发光二极管D1例如由阳极电极61、阳极电极61上的有机膜62、及有机膜62上的阴极电极63所构成(参照例如图4)。另外，在相对于有机发光二极管D1为取出光侧的层，可配置滤色器或波长移换器(shifter)等色转换膜。在图4中以空心箭头表示发光方向(光的取出方向)。
在相邻的像素101a间，形成有例如用以按每一像素划分滤色器64、阳极电极61与有机膜62的隔壁70(参照例如图4)。在层间绝缘膜50上，形成用以保护有机发光二极管D1及下层的各元件以及各布线的钝化膜80(参照例如图4)。
在此，透明基板10可使用玻璃基板。然而，并不限定于此，例如可使用玻璃基板或石英基板或塑料基板等各种透明的绝缘性基板。此外，通过使用挠性的基板作为透明基板10，也可实现挠性的有机EL显示装置100。另外，在本发明中，所谓透明是指至少相对于包含在可见光波段的波长的光为透明或半透明。
透明布线41、接触孔内布线42及第二布线层43以及接触插塞51，使用以锌锡氧化物(Zinc Tin Oxide：ZTO)为主成分的导电体材料而形成。然而并不限定于此，例如也可使用例如铟锡氧化物(Indium Tin Oxide：ITO)的含铟氧化物或其它导电性无机氧化物导电体材料、或以有机物材料等可获得透明导电性膜的导电体材料而形成。另外，ZTO材料例如可通过将Sn的(摩尔)量增加为比Zn多(例如Zn∶Sn的摩尔比为1∶2等)，而作为导电体材料来使用。此外，作为导电体材料的ITO通常In∶Sn的摩尔比为0.9∶0.1左右，而作为导电体材料的IZO通常In∶Zn的摩尔比为0.9∶0.1左右。
尤其，ZTO导电性膜可形成作为非晶膜，因此具有可实现挠性的透明布线41、第二布线层43、接触孔内布线42及接触插塞51的优点。再者，非晶的ZTO导电性膜可低温形成，因此例如在将塑料基板等耐高温性低的基板作为透明基板10时，还具有易于形成的优点。从这些优点观察，使用ZTO导电性膜形成透明布线41、第二布线层43、接触孔内布线42及接触插塞51，可谓适用于形成挠性的有机EL显示装置100之际。
第一金属布线41M是具备比上述透明布线41更高导电性的布线。此第一金属布线41M例如可使用比ZTO导电体材料具备更高导电性的铝(Al)来形成。然而并不限定于此，例如也可使用包含铝(Al)或银(Ag)或铜(Cu)或钼(Mo)等导电性比透明布线41更高的金属材料或其合金材料之中的1种以上的一层以上的导电体膜、或是包含导电性比透明布线41更高的其它导电性材料的一层以上的导电体膜来形成。
如此，通过使用具备比其它布线(副布线)更高的导电性的材料来形成主布线的至少一部分，可缩窄主布线的截面积(尤其宽度)，因此可降低有源矩阵基板101A中主布线部分相对于光取出面所占比例，结果，可提高有源矩阵基板101A的开口率。此外，通过以导电性高的第一金属布线41M形成主布线，可降低主布线部分的电阻值，且可降低有源矩阵基板101A的驱动电压，因此结果可降低有机EL显示装置100的耗电。
此外，连接第一金属布线41M间的接触孔内金属布线42M及第二金属布线43M，与第一金属布线41M同样，例如可使用具备比ZTO导电体材料更高的导电性的铝(Al)来形成。然而，不限定于此，例如也可使用包含铝(Al)或银(Ag)或铜(Cu)或钼(Mo)等金属材料或其合金材料之中的1种以上的一层以上的导电体膜、或是包含其它导电体材料的一层以上的导电体膜来形成。由此，可进一步降低主布线的电阻值。另外，也可取代接触孔内金属布线42M及第二金属布线43M，在此部分形成接触孔内布线42及第二布线层43。此时，此部分的接触孔内布线42及第二布线层43也可由例如透明半导体层44所覆盖。
层间绝缘膜40及50例如可使用由SOG(Spin On G1ass)或氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)等硅系氧化物或氧化铝(Al2O3)等铝氧化物或二氧化铪(HfO2)等铪氧化物或氧化钇(Y2O3)等钇氧化物或La2O3等镧氧化物等、或可使用如透明的感光性树脂等能够通过涂敷工序成膜的绝缘物所构成的透明的绝缘性单层膜、或包含这些的1个以上的透明的绝缘性多层膜。在本实施方式中，以例如包含氧化铝(Al2O3)膜与二氧化铪(HfO2)膜的多层构造的绝缘膜形成层间绝缘膜40，且以例如由感光性树脂所构成的单层构造的绝缘膜形成层间绝缘膜50。另外，在本实施方式中，层间绝缘膜40及50除可发挥作为用以绝缘各层间的绝缘膜功能外，尚可发挥作为用以确保各层平坦性的平坦化膜的功能。
在层间绝缘膜40上形成有透明半导体层44，用以覆盖第二布线层43及接触孔内布线42。在后述的制造工序中例如蚀刻工序时，透明半导体层44可发挥作为降低位于下层的第二布线层43及接触孔内布线42等受到的工艺损害的保护膜等功能。在本实施方式中，作为透明半导体层44的例子，使用能够使载流子浓度降低为比所述导电体材料(ZTO导电体材料、含铟氧化物导电体材料)所构成的布线更低的半导体材料，且为由ZTO或含铟氧化物所构成的半导体材料所构成的透明半导体层。另外，ZTO材料例如可通过将Zn的(摩尔)量增为比Sn更多(例如Zn∶Sn的摩尔比为2∶1等)，而可使用作为半导体材料。此外，在此ZTO半导体层成膜时，能以增加气氛的氧浓度等方式，进行降低半导体层的载流子浓度的调整。此外，与由上述ZTO导电体材料所构成的ZTO导电性膜相同，ZTO透明半导体层也可形成为非晶膜，因此可实现挠性的透明半导体层44，而可适于形成挠性的有机EL显示装置100。此外，本发明并不限定于此种ZTO半导体材料，也可使用含铟氧化物半导体材料(例如In∶Zn的摩尔比为4∶6的IZO等)等透明无机氧化物半导体材料、及其它包含并五苯(pentacene)或四苯并卟啉(Tetrabenzoporphyrin)的前驱物等的透明有机半导体材料等各种透明半导体材料。
另外，在本实施方式中，对于形成透明半导体层44的导电体材料的主成分、及各元件中形成与此透明电极接触的电极部分的导电体材料的主成分使用相同种类的材料。因此，在本实施方式中，用以ZTO为主成分的ZTO导电性膜形成包含源电极14s及漏电极14d以及源电极24s及漏电极24d的第二布线层43，而透明半导体层44则是由以ZTO为主成分，且载流子浓度比第二布线层43的浓度大的ZTO半导体膜形成。如此，通过以相同种类的材料形成两者，即可例如使开关晶体管Q1中的源电极14s或漏电极14d与透明半导体层13进行欧姆接触。同样，可使驱动晶体管Q2中的漏电极24d或源电极24s与透明半导体层23进行欧姆接触。由此，降低各TFT元件(Q1、Q2等)中的电阻成分，因此可降低各TFT元件的驱动电力，结果可降低有机EL显示装置100的耗电。
隔壁70可例如由感光性树脂所构成的单层构造的绝缘膜形成。然而，不限定于此，例如可使用由SOG或SiO2、SiNx等硅系绝缘物、Al2O3等铝氧化物、HfO2等铪氧化物、Y2O3等钇氧化物、La2O3等镧氧化物等、或可使用如透明的感光性树脂等能够通过涂敷工序成膜的绝缘物所构成的透明的绝缘性单层膜、或包含这些的1个以上的透明的绝缘性多层膜。
此外，开关晶体管Q1、驱动晶体管Q2及电容器C1可使用上述的第一布线层、第二布线层43及层间绝缘膜40的一部分而构成，因此其材料也可设为与上述部件相同。然而，也可在各电极上形成用以使电极低电阻化的透明的导电体膜等方式，予以适当变形。
此外，在有机发光二极管D1中，有机膜62例如为包含空穴注入层、空穴输送层、有机发光层、电子输送层、电子注入层及空穴障壁层的多层构造的层叠膜。在有机膜62中，于有机发光层的主体(host)材料中，可根据与空穴输送层等的组合或目标波长等，使用例如聚芴(polyfluorene)、其衍生物及共聚物、聚次芳基(polyarylene)、其衍生物及共聚物、聚芳香烃乙烯(polyarylenevinylene)、其衍生物及共聚物、或聚烯丙胺(poly allylamine)、其衍生物及共聚物等高分子材料、及其它荧光性或磷光性的各种低分子发光材料或高分子材料等各种发光材料。
在配置于光取出侧的阳极电极61中，例如可使用ZTO或ITO等氧化物导电体材料、或银(Ag)或铝(Al)等金属材料所构成的透明单层膜、或是包含这些单层膜的多层构造的透明层叠膜。另外，使用金属材料时，包含此材料的层作成能够透过光的程度的薄层膜。在本实施方式中，以使用ZTO/Ag/ZTO的层叠膜，且以光透过的程度的薄膜形成其中的Ag膜的情形为例。再者，阴极电极63可使用银(Ag)或铝(Al)或镁(Mg)等兼具高导电性与反射率的金属或合金等导电性材料。在本实施方式中，以使用Mg与Ag的合金膜的情形为例。
钝化膜80例如可使用以CVD法成膜的SiO2膜或SiNx膜等的多层膜而形成。在本实施方式中，以使用SiO2膜或SiNx膜的多层膜的情形为例。
由以上可明了，本实施方式的有机EL显示装置100，主布线的至少一部分具备比其它布线更大的导电性，因此可将相对于主布线部分的发光方向为垂直方向的宽度缩窄，由此，即可将主布线部分相对于有源矩阵基板101A的光取出面所占的比例降低，结果，可提高有源矩阵基板101A的开口率。此外，通过以导电性较高的第一金属布线41M形成主布线，可降低主布线部分的电阻值，由此，可降低有源矩阵基板101A的驱动电压，结果，可降低有机EL显示装置100的耗电。
(制造方法)
接着参照附图详细说明本实施方式的有机EL显示装置100的制造方法。图5-1至第5-12图是表示本实施方式的有机EL显示装置100中的显示面板101的制造方法的工序剖视图。另外，在第5-1至第5-12图中，表示在图3所示的A-A′切断的连续的端面。
在本制造方法中，首先，准备透明基板10，在与该基板的厚度方向垂直的面的2个主面中的一个主面(以下将此称为上表面)上，例如可使用溅镀法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法或真空蒸镀法等堆积ZTO/Al层叠膜，由此形成透明非晶状的ZTO导电性膜与Al金属膜的ZTO/Al层叠膜。接下来，例如使用光刻法(photolithography)(在本说明书中，在“光刻法”中有包括如蚀刻工序的图案化工序的情况)，仅将该ZTO/Al层叠膜中的Al膜图案化，由此在下层的ZTO导电性膜上，形成作为主布线的第一金属布线41M(主布线形成工序其1)。然而，不限定于此，例如也可使用利用金属纳米微粒子分散液的印刷技术或喷墨印刷技术等涂敷工艺技术等来形成第一金属布线41M。接下来，例如使用光刻法将该ZTO导电性膜进行图案化，由此在透明基板10上，形成包含栅电极11及21、下部电极31、以及冗余布线41a(参照图3)等的透明布线41(第一副布线形成工序)。然而，不限定于此，例如也可使用利用溶胶凝胶(sol gel)法的涂敷工艺技术等来形成透明布线41。另外，通过此工序，如图5-1所示，在透明基板10上，形成由透明布线41及第一金属布线41M所构成的第一布线层。
接着，在形成有各电极及布线(11、21、31、41、41a、41M等)的透明基板10上表面上，例如使用溅镀法、CVD法或真空蒸镀法等而依次堆积氧化铝(Al2O3)与二氧化铪(HfO2)，由此形成由透明的绝缘性层叠膜所构成的层间绝缘膜40(第一层间绝缘膜形成工序)。接下来，例如使用光刻法将该层间绝缘膜40图案化，由此如图5-2所示，在层间绝缘膜40内，形成使透明布线41及第一金属布线41M中的电极部分以外的一部分露出的接触孔ap1及ap2。然而，不限定于此，例如也可使用上述的涂敷工艺技术等而形成具备接触孔ap1及ap2的层间绝缘膜40。另外，本工序中所形成的层间绝缘膜40之中，至少栅电极11上的层间绝缘膜40，发挥作为开关晶体管Q1的栅极绝缘膜12的功能，至少栅电极21上的层间绝缘膜40，发挥作为驱动晶体管Q2的栅极绝缘膜22的功能，至少下部电极31上的层间绝缘膜40，发挥作为电容器C1的电容绝缘膜32的功能。再者，接触孔ap2是在之后工序中用以形成与第一布线层的透明布线41电连接的接触插塞51的一部分的接触孔。
接着，在形成有接触孔ap1及ap2的层间绝缘膜40上，例如使用溅镀法、CVD法或真空蒸镀法等堆积ZTO，由此形成透明的非晶状的ZTO导电性膜。此时，也可在接触孔ap2内形成ZTO导电性膜。接下来，例如使用光刻技术、蚀刻技术而将该ZTO导电性膜进行图案化。此时，也将使作为主布线的第一金属布线41M露出的接触孔ap1内及其周围的ZTO导电性膜去除。由此，如图5-3所示，在层间绝缘膜40上形成源电极14s及漏电极14d、漏电极24d及源电极24s、上部电极33、以及第二布线层43等，并且在层间绝缘膜40的接触孔ap1内形成与透明布线41电连接的接触孔内布线42(第二副布线形成工序)。然而，不限定于此，例如也可使用上述的涂敷工艺技术等来形成源电极14s及漏电极14d、漏电极24d、源电极24s、上部电极33、接触孔内布线42及第二布线层43。另外，在此工序中，接触孔ap2内的ZTO导电性膜可以不必完全去除。
接着，在形成有各电极及布线(14s、14d、24d、24s、33、42、42a、43、43a等)的层间绝缘膜40上，例如使用溅镀法、CVD法或真空蒸镀法等而堆积Al，由此形成Al膜。接下来，例如使用光刻法而将该Al膜进行图案化，由此如图5-4所示，在层间绝缘膜40上，形成用以连接作为主布线的第一金属布线41M间的第二金属布线43M，并且在使第一金属布线41M露出的接触孔ap1内，形成与作为主布线的第一金属布线41M电连接的接触孔内金属布线42M(主布线形成工序其2)。然而，不限定于此，例如也可使用上述的涂敷工艺技术等来形成接触孔内金属布线42M及第二金属布线43M。
接着，在形成有各电极及布线(14s、14d、24d、24s、33、42、43、42M、43M等)的层间绝缘膜40上，例如使用溅镀法、CVD法或真空蒸镀法等而堆积ZTO，由此形成载流子浓度比ZTO导电性膜的载流子浓度低的ZTO半导体膜(半导体层形成工序)。此时，也可在接触孔ap2内形成ZTO半导体膜。另外，如上所述，通过控制Zn与Sn的组成比，ZTO半导体膜可作成其载流子浓度比构成第一布线层的透明布线41或第二布线层43等的ZTO导电性膜低的透明半导体膜。接下来，例如使用光刻技术、蚀刻技术将该ZTO半导体膜进行图案化，由此如图5-5所示，在层间绝缘膜40上，形成覆盖各电极及布线(14s、14d、24d、24s、33、42、43等)的透明半导体层44。此时，优选过蚀刻(over etch)至完全去除接触孔ap2内的ZTO半导体膜的程度。另外，所形成的透明半导体层44之中，至少源电极14s及漏电极14d间的透明半导体层44，发挥具有作为开关晶体管Q1的沟道形成层功能的透明半导体层13的功能，至少漏电极24d及源电极24s间的透明半导体层44，发挥具有作为驱动晶体管Q2的沟道形成层功能的透明半导体层23的功能。
在此，在本实施方式中，由于使用相同种类的材料形成透明半导体层44与第二布线层43及接触孔内布线42，因此难以获得透明半导体层44与第二布线层43等的蚀刻中的选择比。因此，如本实施方式所示，以覆盖第二布线层43及接触孔内布线42的方式构成图案化后的透明半导体层44，由此，由于蚀刻中第二布线层43及接触孔内布线42不会暴露于蚀刻气氛中，因此能够在不考虑与第二布线层43等的选择比的情况下将透明半导体层44进行图案化。然而，不限定于此，也可例如使用上述的涂敷工艺技术等来形成透明半导体层44。此时，由于不再需要通过蚀刻等将所形成的透明半导体层进行图案化，因此透明半导体层44可不一定需要覆盖第二布线层43及接触孔内布线42。此外，在本实施方式中，由于可获得第二金属布线43M及接触孔内金属布线42M与透明半导体层44在蚀刻中的选择比，因此第二金属布线43M及接触孔内金属布线42M可以不被透明半导体层44覆盖。
如上所述，当形成透明半导体层(13、23、44等)时，接着在形成有透明半导体层(13、23、44等)的层间绝缘膜40上，例如旋涂感光性阻剂(resist)液，且将其进行曝光及显影，由此如图5-6所示，形成具备与层间绝缘膜40的接触孔ap2相连接的接触孔ap3，且由透明的感光性树脂所构成的层间绝缘膜50(第二层间绝缘膜形成工序)。然而，不限定于此，例如也可使用上述的涂敷工艺技术等来形成具备接触孔ap3的层间绝缘膜50。
接着，在形成有接触孔ap3的层间绝缘膜50上，例如使用溅镀法、CVD法或真空蒸镀法等而堆积ZTO，由此如图5-7所示，至少在层间绝缘膜50的接触孔ap3内及层间绝缘膜40的接触孔ap2内形成与第一布线层的透明布线41电连接的透明的非晶状的接触插塞51。另外，此时形成的层间绝缘膜50上的不需要的ZTO导电性膜，例如使用深蚀刻(etchback)等的技术等去除。然而，不限定于此，也可例如使用上述的涂敷工艺技术等在层间绝缘膜40及50内形成接触插塞51。
经由以上所说明的工序，在本实施方式中，制得所谓作为阵列基板的有源矩阵基板101A。
接着，在有源矩阵基板101A上，例如使用溅镀法、CVD法或真空蒸镀法等而依次堆积ZTO与Ag与ZTO，由此形成具备与接触插塞51电性接触的接点的透明的ZTO/Ag/ZTO层叠膜。接下来，例如使用光刻法将该ZTO/Ag/ZTO层叠膜进行图案化，由此如图5-8所示，在层间绝缘膜50上，形成与接触插塞51电连接的阳极电极61。然而，不限定于此，例如也可使用上述的涂敷工艺技术等来形成阳极电极61。
接着，在形成有阳极电极61的有源矩阵基板101A上，例如旋涂感光性阻剂液，且将其进行曝光及显影，由此如图5-9所示，在划分有源矩阵基板101A上的各像素101a的区域，形成由透明的感光性树脂所构成的隔壁70。然而，不限定于此，也可例如使用上述的涂敷工艺技术等来形成隔壁70。
接着，至少在阳极电极61上，例如使用既有的成膜技术依次层叠形成空穴注入层、空穴输送层、有机发光层、电子输送层、电子注入层及空穴障壁层，由此如图5-10所示，将有机膜62形成于由隔壁70所划分的阳极电极61上。另外，在有机膜62中，例如空穴注入层与空穴输送层与电子输送层与电子注入层与空穴障壁层，可使用例如使用高分子聚合物溶液的印刷技术或喷墨印刷技术等涂敷工序来形成。然而，不限定于此，也可例如使用由真空蒸镀法所代表的网板(shadow mask)蒸镀法或由转印法所代表的激光热转印法(LITI法)、激光再蒸镀法(RIST法、LIPS法)等来依次使空穴注入层、空穴输送层、有机发光层、电子输送层、电子注入层及空穴障壁层成膜，由此形成与像素101a对应的有机膜62。此外，在阳极电极61使用例如ITO/PEDOT(3，4-亚乙二氧基噻吩，3，4-ethylenedioxythiophene)：PSS(Polystyrene sulfonate，聚苯乙烯磺酸盐)等无机氧化物导电体膜与导电性高分子聚合物膜的层叠膜时，可将有机膜62从下层例如作成空穴注入层/有机发光层/电子注入层的层叠膜。
接着，在形成了有机膜62及隔壁70的有源矩阵基板101A上的整体，例如使用真空蒸镀法等堆积Mg与Ag的合金材料，由此形成具有导电性的合金膜。此时，使用网板法而防止在所希望区域以外蒸镀多余的合金膜，由此如图5-11所示，至少在像素(101a)的整个排列区域形成阴极电极63。然而，不限定于此，也可例如使用上述的涂敷工艺技术等来形成阴极电极63。
接着，在形成有由隔壁70所划分的阳极电极61及有机膜62与阴极电极63所构成的有机发光二极管D1的有源矩阵基板101A的整个上表面，使用CVD法等而形成SiO2及SiNx的多层膜，由此形成保护下层的各元件(Q1、Q2、C1、D1等)及布线(LG、LD、LC、LP、L1、L2等)的钝化膜80。再者，最后在位于其上表面的基板101A的相反侧贴附基板而密封，或是通过溅镀法或CVD法形成膜而进行密封。经由以上的工序，制造包含具备图4所示的层构造的像素101a的显示面板101。此时，基板101A相反侧的基板，例如有以玻璃、PET等为代表的透明聚合物薄膜、及为了提高薄膜的阻障(barrier)性而以溅镀法或CVD法等将有机膜与无机膜交替层叠形成的密封膜等。
之后，将按以上方式制造的显示面板101，安装到搭载有信号控制部102、扫描驱动部103、数据驱动部104、电容线驱动部105、驱动信号生成部106及其它零件的框体，由此制造本实施方式的有机EL显示装置100。
另外，在以上的制造工序中，虽适当包含清洗基板的工序等，但在此为了简化说明而省略这些工序。
如以上所说明，本实施方式的有机EL显示装置100，由于主布线的至少一部分具备比其它布线更大的导电性，因此可将主布线的截面积(尤其宽度)缩窄，由此，可将主布线部分相对于有源矩阵基板101A的光取出面所占的比例降低，结果，可提高有源矩阵基板101A的开口率。此外，通过以导电性高的第一金属布线41M形成主布线，可降低主布线部分的电阻值，且可降低有源矩阵基板101A的驱动电压，因此，结果可降低有机EL显示装置100的耗电。
此外，通过采用这样提高了开口率的构成，可提高发光元件(在本实施方式中是有机发光二极管D1)的配置自由度，因此可实现设计自由度大的有机EL显示装置100。
再者，在本实施方式的制造方法中，由于在制造工序中接触孔内布线42及第二布线层43等被透明半导体层44所覆盖，因此可降低在之后蚀刻工序等中各布线(42、43等)受到的工艺损害。
再者，此外，在上述的实施方式中，构成有机EL显示装置100的各层也可使用挠性的材料来形成。
另外，在上述的本发明实施方式1中，虽是以发光层(在本实施方式中是有机膜62)为由有机材料所形成的有机EL显示装置100为例进行了说明，但本发明并不限定于此，例如也可作成发光层由无机材料所形成的无机EL显示装置。
<实施方式2>
接着，作为本发明实施方式2的显示装置，以有机EL显示装置为例进行说明。另外，在本实施方式中，以可将来自发光元件(参照例如图6中的有机发光二极管D2)的光从显示面板101的上表面(参照例如图6中的上表面200a)及下表面(参照例如图6中的下表面100a)的双方输出至外部的有机EL显示装置为例。在图6中，以空心箭头表示发光方向(光的取出方向)。即，本实施方式的有机EL显示装置，是兼具上面发光型(top emission type)与背面发光型的双方的所谓两面发光型的有机EL显示装置。此外，在以下说明中，关于与本发明实施方式1相同的构成，为了使说明更为明确，赋予相同符号，并省略其详细的说明。
本实施方式的有机EL显示装置的概略方块构成，与图1所示的有机EL显示装置100的概略方块构成相同。然而，在本实施方式中，将图1中的像素101a置换为像素201a。此外，像素201a的概略电路构成，与图2所示的像素101a的概略电路构成相同。然而，在本实施方式中，将图2中的有机发光二极管D1置换为有机发光二极管D2。
(像素构成)
接着详细说明各像素201a的布局构造及层构造。本实施方式的像素201a中的有源矩阵基板101A的布局构造，与图3所示的像素101a的布局构造相同。然而，本实施方式的像素201a的概略性层构造，成为图6所示者。另外，图6与图4同样是将像素201a在与图3的A-A′相同位置切断的连续端面所表示的概略性剖视图。
比较图6与图4可明了，本实施方式的有机EL显示装置，在与本发明实施方式1的有机EL显示装置100相同的构成中，将阴极电极63(参照例如图4)置换为由透明的电极材料所形成的阴极电极65，并且在阴极电极65上设有用以降低有机发光二极管D2中的阴极的电阻值的辅助电极66。
阴极电极65例如与阳极电极61同样可使用能够透过可见光的电极材料来形成。此电极材料例如可使用如ZTO或ITO等的氧化物导电体材料、或是由银(Ag)或铝(Al)等金属材料所构成的透明单层膜、或是包含这些单层膜的多层构造的透明层叠膜。另外，使用金属材料时，包含此金属材料的层作成能够透过光的程度的较薄的半透过膜。在本实施方式中，以使用Mg与Ag合金膜，且由能够透过光的程度的薄膜形成的情形为例进行说明。如此，通过在本发明实施方式1的底发射型的构成的基础上，以透明的电极构成阴极电极65，由此实现可从显示面板101的下表面100a及上表面200a双方取出光的所谓两面发光型的有机EL显示装置。
此外，阴极电极65上的辅助电极66，例如形成于用以划分有源矩阵基板101A上的各像素201a的区域(例如隔壁70上方)。此辅助电极材料例如可使用如ZTO或ITO等无机氧化物导电体材料、或由银(Ag)或铝(Al)等金属材料所构成的单层膜、或是包含这些单层膜的多层构造的层叠膜。然而，如本实施方式将辅助电极66配置于各像素201a的各区域上时，辅助电极66未必需要使用透明的电极材料来形成，例如也可以具备例如Al或Ag等较高导电性的材料来形成。在本实施方式中，以使用由ZTO所构成的导电性单层膜形成辅助电极66的情形为例进行说明。如此，通过设置降低有机发光二极管D2中的阴极的电阻值的辅助电极66，可降低有机发光二极管D2的驱动电压，因此结果可降低有机EL显示装置的耗电。
(制造方法)
此外，本实施方式有机EL显示装置的制造方法，在与本发明实施方式1的有机EL显示装置100的制造方法相同的制造方法中，将图5-11所示的阴极电极63的形成工序，变成为透明的阴极电极65的形成工序，并且添加了在阴极电极65上形成辅助电极66的工序。另外，其它制造工序与本发明实施方式1中使用图5-1至图5-10及图4所说明的工序相同，故在此省略详细的说明。
在阴极电极65的形成工序中，在使用图5-1至图5-10所制造的有源矩阵基板101A上的整体，使用真空蒸镀法等堆积Mg与Ag的合金薄膜，由此形成透明的阴极电极65。此时，通过使用网板法，在所希望的区域整体形成阴极电极65。
此外，在辅助电极66的形成工序中，在如上述工序那样形成阴极电极65之后，至少在阴极电极65上，使用例如利用网板法的溅镀法、CVD法或真空蒸镀法等来堆积ZTO或ITO等氧化物导电材料或Ag、Al、Cu等低电阻率的金属，由此在例如阴极电极65上表面中的隔壁70上方的区域形成辅助电极66。
之后，与本发明实施方式1相同，在形成钝化膜80之后，将所制造的显示面板101，安装在搭载有信号控制部102、扫描驱动部103、数据驱动部104、电容线驱动部105、驱动信号生成部106及其它零件的框体，由此制造本实施方式的有机EL显示装置。
另外，在以上的制造工序中，虽适当包括清洗基板的工序等，但在此为了简化说明而省略这些工序。
如以上所说明，本实施方式的有机EL显示装置与本发明实施方式1相同，由于主布线的至少一部分具备比其它布线更大的导电性，因此可将主布线的截面积(尤其宽度)缩窄，由此，可降低主布线部分相对于有源矩阵基板101A的光取出面所占比例，结果，可提高有源矩阵基板101A的开口率。此外，通过以导电性高的第一金属布线41M形成主布线，可降低主布线部分的电阻值，从而可降低有源矩阵基板101A的驱动电压，结果，可降低有机EL显示装置100的耗电。
此外，通过采用这样提高了开口率的构成，可提高发光元件(在本实施方式中是有机发光二极管D2)的配置自由度，因此可实现设计自由度大的有机EL显示装置。再者，由于本实施方式的有机EL显示装置具备用以降低阴极电极65的电阻值的辅助电极66，因此可降低有机发光二极管D2的驱动电压，结果，可降低有机EL显示装置的耗电。再者，此外，本实施方式的有机EL显示装置，可作为例如贴附在车辆的窗户或玻璃窗或玻璃制水槽等的透明面所使用的显示器等各种目的来使用。
再者，在本实施方式的制造方法中，与本发明实施方式1同样，由于制造工序中接触孔内布线42及第二布线层43等被透明半导体层44覆盖，因此可降低在之后的蚀刻工序等中各布线(42、43等)受到的工艺损害。
再者，此外，在上述的实施方式中，也可使用挠性材料来形成构成有机EL显示装置100的各层。
另外，本实施方式与本发明实施方式1同样，也可设计成例如以无机材料来形成发光层的无机EL显示装置。此外，在本实施方式中，也可通过在一方的光取出侧的上下任一侧的层设置例如反射膜(reflector)，而实现亮度等提高的上面发光型或背面发光型的有机EL显示装置。
<实施方式3>
接着，作为本发明实施方式3的显示装置，以液晶显示装置300为例进行说明。图7是表示液晶显示装置300的概略性构成的框图。另外，在本实施方式中，以在称为所谓背光等的光源(参照例如图10中的光源350)与液晶元件(参照例如图10中的液晶元件E31)之间夹设元件基板(参照例如图10中的有源矩阵基板301A)的构成的液晶显示装置300为例。此外，在本实施方式中，关于与本发明实施方式1或2相同的构成，赋予相同符号，并省略其详细的说明。
(整体构成)
如图7所示，液晶显示装置300具备：包括排列成二维矩阵状的像素(PX)301a的显示面板301；与该显示面板301连接的扫描驱动部103、数据驱动部104及电容线驱动部105；以及用以控制各部的信号控制部102。另外，显示面板301具备关于红色(R)、绿色(G)及蓝色(B)三原色中的各色的像素301a。
在此，信号控制部102、扫描驱动部103、数据驱动部104及电容线驱动部105的构成与本发明实施方式1相同。此外，关于扫描控制信号CONT1、数据控制信号CONT2、电容线控制信号CONT3及视频数据信号DAT，也适当作为与液晶元件的驱动方式匹配的信号而生成并输出。然而，在本实施方式中，可省略驱动线LP、驱动信号生成部106及发光控制信号CONT4。
此外，显示面板301连接于扫描线LG、数据线LD与电容线LC。另外，在本实施方式中，在扫描线LG、数据线LD与电容线LC各个中，以延伸成彼此交叉的布线部分为主布线，且以从此主布线分支而与各像素301a中的开关晶体管Q31及蓄积电容器C31(参照例如图8)连接的布线为副布线。此外，以连接各元件间的布线部分为副布线。此外，其它构成与本发明实施方式1相同，因此在此省略详细的说明。
(像素构成)
接着使用图8说明各像素301a的概略构成及其动作。另外，以下的说明也适用于R、G、B中的任一像素301a。
图8是表示像素301a的概略电路构成的示意图。如图8所示，像素301a包括：开关晶体管Q31、蓄积电容器C31、及液晶元件E31。
开关晶体管Q31是例如为n型TFT，其源极S例如与在节点N34处从数据线LD的主布线分支的副布线连接，漏极D与包括节点N31的布线L31连接。此外，开关晶体管Q31的栅极G，例如与在节点N33处从扫描线LG的主布线分支的副布线连接。因此，开关晶体管Q31根据扫描信号的电压电平Vg(扫描控制电压)使数据线LD及节点N31间导通或断开。
蓄积电容器C31的一个端子例如经由在节点N31处分支的布线部分(这也包含于布线L31)而与布线L31连接。此外，蓄积电容器C31的另一个端子，例如与在节点N35处从电容线LC的主布线分支的副布线连接。与本发明实施方式1同样，对电容线LC赋予从电容线驱动部105输出的电容线驱动信号。此电容线驱动信号的电压电平Vc(电容线驱动电压)例如可设为接地电位。例如，与液晶元件Cpx(E31)连接于相同的公共电极即GND(Vcom)端子。换言之，电容线LC可设为接地线。此时，可省略电容线驱动部105。
此外，在布线L31上，还连接有液晶元件E31的一个电极(参照例如图10中的像素电极311)。液晶元件E31的另一个电极是公共电极(参照例如图10中的公共电极313)。因此，液晶元件E31在电路上发挥作为所谓液晶电容器Cpx的功能。如图7或图8所示，对此公共电极313施加公共电压Vcom。从以上的连接关系观察，蓄积电容器C31与液晶元件E31，发挥作为并联连接于开关晶体管Q31的输出端子的负载电容器的功能。另外，公共电压Vcom例如可设为接地电位GND。
在此，当输入于扫描线LG的扫描信号的电压电平Vg(扫描控制电压)成为高电平时，开关晶体管Q31成为导通状态，经由该开关晶体管Q31而电荷注入至液晶元件E31的像素电极311(参照例如图10)。结果，像素电极311的电位成为数据信号的电压电平Vd，在与公共电极313(参照例如图10)之间产生电位差(Vd-Vcom)，从而使液晶元件E31的分子排列变化。
在此，蓄积电容器C31在从扫描线LG的电压电平Vg成为低电平而开关晶体管Q31完全成为截止状态之后，接着电压电平Vg成为高电平而开关晶体管Q31成为导通状态并且输入下一个数据信号为止的期间，发挥维持像素电极311的电位的作用。即，蓄积电容器C31将输入于数据线LD的数据信号SD保持预定期间。
另外，在本实施方式中，例如也可采用所谓的反转驱动方式，使输入于数据线LD的数据信号的极性与输入于电容线LC的电容线驱动信号的电位按预定期间反转。作为反转驱动方式，存在点(dot)反转驱动方式及线反转驱动方式等，可采用任一种反转驱动方式。
接着，使用图9及图10详细说明各像素301a的布局构造及层构造。图9是用以说明像素301a中的有源矩阵基板301A(参照例如图10)的布局构造的概略性俯视图。此外，图10是用以说明像素301a的层构造的概略性剖视图。另外，在图9中，为了简化说明，省略了透明基板10、层间绝缘膜40及50、以及对置基板302A等的构成(参照例如图10)。此外，图10是连续显示在图9的B-B′的切断剖面的像素301a的概略性层构造。
如图9及图10所示，像素301a具备：作为阵列基板的有源矩阵基板301A(参照例如图10)；与此基板对置的对置基板302A(参照例如图10)；及配置在有源矩阵基板301A与对置基板302A之间的液晶元件E31(参照例如图10)。有源矩阵基板301A例如包括：扫描线LG、数据线LD、电容线LC、布线L31、开关晶体管Q31及蓄积电容器C31。在对置基板302A中具备：作为用以防止不需要的光泄漏的黑矩阵(black matrix)的遮光膜321；及用以按每个像素301a透过适当的波段的波长的滤色器64。液晶元件E31包括将液晶层312包夹的像素电极311与公共电极313、以及将这些再予以包夹的取向膜314及315，例如以经由布线L31连接于开关晶体管Q31及蓄积电容器C31的方式配置于有源矩阵基板301A上。另外，对置基板302A与有源矩阵基板301A一同以包夹液晶元件E31的方式配置。再者，由有源矩阵基板301A与液晶元件E31与对置基板302A所形成的层叠构造体，例如由用以仅使朝预定方向振动的光透过的偏光板330及340包夹。
扫描线LG、数据线LD、电容线LC及布线L31与本发明实施方式1同样，分别例如由包括第一金属布线41M及透明布线41的第一布线层、接触孔内布线42、第二布线层43、接触孔内金属布线42M、第二金属布线43M、及接触插塞51中的至少一部分形成。开关晶体管Q31是由以下部分构成：构成扫描线LG的第一布线层中的透明布线41的一部分即栅电极15；层间绝缘膜40的一部分即栅极绝缘膜16；构成数据线LD的一部分的第二布线层43的一部分即源电极18s；构成布线L31的一部分的第二布线层43的一部分即漏电极18d；及透明半导体层44的一部分即透明半导体层17。再者，蓄积电容器C31由以下部分构成：构成布线L31的第一布线层的一部分即下部电极35；层间绝缘膜40的一部分即电容绝缘膜36；及构成电容线LC的第二布线层43的一部分即上部电极37。再者，此外，图8所示的各节点N31、N33至N35分别可定义于例如图9所示的各位置。
此外，本实施方式的开关晶体管Q31与本发明实施方式1的开关晶体管Q1同样，为所谓的底栅极构造的TFT，但本发明并不限定于此，也可例如设为顶栅极构造的TFT。再者，本实施方式的有源矩阵基板301A与本发明实施方式1的有源矩阵基板101A同样是被称为所谓的阵列基板的基板。
在透明基板10上，在未形成各种布线(LG、LD、LC、L31等)及各种元件(Q31、C31等)的区域，与本发明的实施方式1同样，例如形成第一布线层中的透明布线41的一部分冗余的冗余布线41a(参照例如图9)，由此提高形成于透明基板10上的层上表面的平坦性。再者，在本实施方式中，透明半导体层44不仅发挥作为各元件(例如开关晶体管Q31)的沟道层的功能，也可发挥作为用以降低位于下层的第二布线层43及接触孔内布线42等受到的工艺损害的保护膜功能。
此外，具备上述构成的有源矩阵基板301A上的液晶元件E31，例如由像素电极311、像素电极311上的液晶层312、液晶层312上的公共电极313、从上下包夹液晶层312的取向膜314及315所构成(参照例如图10)。另外，在液晶元件E31中，也可在液晶层312的上部设置大致三角形的电介质突起316(参照例如图10)。此外，相对于液晶元件E31在取出光的一侧，也可配置用以防止来自光源350的不需要的光的泄漏的黑色矩阵、滤色器或波长位移器等颜色转换膜。在本实施方式中，以在公共电极313与对置基板302A之间配置作为黑色矩阵的遮光膜321及滤色器64的情形为例。
此外，在有源矩阵基板301A及对置基板302A的更外侧，设有将这些基板包夹的偏光板330及340。此外，光源350例如配置于有源矩阵基板301A下。因此，来自光源350的光，经由偏光板330、有源矩阵基板301A、液晶元件E31、滤色器64、对置基板302A及偏光板340，从作为显示面板301的光取出面的上表面300a输出至外部。另外，在图10中，以空心箭头表示发光方向(光的取出方向)。
在此，包括第一金属布线41M及透明布线41的第一布线层、层间绝缘膜40、透明半导体层44及第二布线层43，可使用与本发明实施方式1同样的材料来形成。因此，开关晶体管Q31及蓄积电容器C31也可使用与上述相同的材料来形成。此外，透明基板10、接触孔内布线42、接触孔内金属布线42M、第二金属布线43M、接触插塞51、层间绝缘膜50及滤色器64也可使用与本发明实施方式1相同的材料来形成。
对于滤色器64，可按照根据R、G、B各个像素301a透过适当的波段的波长的方式使用混合了预定颜料的感光性树脂等各种过滤材料来形成。在本实施方式中，以使用根据各个像素301a混合了预定颜料的透明感光性树脂而形成的情形为例。
在有源矩阵基板301A上的液晶元件E31中，对于液晶层312的母材，可例如使用酯系、联苯(biphenyl)系、苯基环己烷(phenylcyclohexane)系、环己烷(cyclohexane)系、苯基嘧啶(phenylpyrimidine)系、或二氧六环(dioxane)系的材料等各种材料。液晶层312通过在上述的母材中混合与目的相符的材料来形成。
在像素电极311中，可使用例如ZTO或ITO等氧化物导电体材料。在本实施方式中，以使用ZTO的透明导电膜的情形为例进行说明。再者，公共电极313与像素电极311同样，例如可使用如ZTO或ITO等氧化物导电体材料。在本实施方式中，以使用ZTO的透明导电膜的情形为例进行说明。
取向膜314及315是分别为用以使液晶层312的分子排列朝一定方向排齐的膜，且根据使用于液晶层312的材料而适当通过例如聚酰亚胺(polyimide)等材料来形成。
电介质突起316用以控制向液晶层312施加偏压电压时的液晶分子的排列方向，例如以隔着液晶层312而与像素电极311的中央部对置的方式从液晶层312上表面朝向内部突出设置。此种电介质突起316可使用例如感光性树脂等电介质材料来形成。
遮光膜321例如可使用如铬(Cr)等金属膜或由如碳黑(carbon black)所代表的分散有遮光性分散颜料的黑色阻剂的感光性阻剂膜来形成。在本实施方式中，以使用Cr所形成的情形为例。
间隔件(spacer)317是用以在源矩阵基板301A与对置基板302A之间确保密封液晶的空间的构件，例如可使用感光性树脂等来构成。然而，并不限定于此。
此外，偏光板330及340是与光的行进方向垂直且用以使朝特定的方向强烈振动的光透过的滤光器，例如可使用吸附碘(I)的聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，PVA)等的膜来形成。然而，并不限定于此。
此外，对置基板302A例如由透明基板320所构成。在此透明基板320中，可使用例如玻璃基板或石英基板或塑料基板等各种透明的绝缘性基板。另外，也可使用挠性基板作为透明基板320。
(制造方法)
接着参照附图详细说明本实施方式的液晶显示装置300的制造方法。图11-1及图11-2、图12-1至图12-6、以及图13是表示本发明实施方式的液晶显示装置300中的显示面板301的制造方法的工序图。另外，在图11-1及图11-2、图12-1至图12-6以及图13中，表示在与图9中的B-B′相同位置切断的连续的端面。
在本制造方法中，首先，使用与在本发明实施方式1中使用图5-1至图5-7所说明的各工序相同的工序，来制造包含开关晶体管Q31与蓄积电容器C31的有源矩阵基板301A。
接着，在有源矩阵基板301A上，例如使用溅镀法、CVD法等使ZTO成膜，形成具备与接触插塞51电性接点的透明ZTO膜。接下来，例如使用光刻法将该ZTO膜进行图案化，如图11-1所示，在层间绝缘膜50上，形成与接触插塞51电连接的像素电极311。然而，并不限定于此，例如也可使用利用了溶胶凝胶法的印刷技术或喷墨印刷技术等的涂敷工艺技术来形成像素电极311。
接着，在形成有像素电极311的有源矩阵基板301A上，例如旋涂聚酰亚胺溶液，且使其干燥且固化之后，例如使用磨擦(rubbing)法摩擦聚酰亚胺膜，由此如图11-2所示，在有源矩阵基板301A上，形成覆盖像素电极311的取向膜314。然而，并不限定于此，例如也可使用如上所述的涂敷工艺技术等来形成取向膜314，且将此取向膜314以磨擦法等来处理。
之后，在有源矩阵基板301A中的像素301a的排列区域周围，形成用以防止液晶材料流出的密封件。另外，也可视需要进行涂敷转移剂(transfer)等各种工序。
此外，在本制造方法中，准备对置基板302A用的透明基板320，且在与该基板的厚度方向垂直的两个主面中的一个主面(以下将此面称为上表面)上，例如使用溅镀法、CVD法或真空蒸镀法等堆积Cr，由此形成具备遮光性的铬膜。接下来，例如使用光刻法将该铬膜进行图案化，由此如图12-1所示，在例如划分有源矩阵基板301A上的各像素301a的区域，形成作为有源矩阵的具备遮光性的遮光膜321。然而，并不限定于此，也可使用黑色阻剂及光刻法来形成遮光膜321。
接着，在形成有遮光膜321的对置基板302A上，例如反复进行旋涂根据R、G、B而混合了预定颜料的感光性阻剂液且将其曝光及显影的工序，如图12-2所示，根据R、G、B各个像素301a，形成使适当波段波长透过的滤色器64。然而，并不限定于此，也可使用例如如上所述的涂敷工艺技术等，按R、G、B各个像素301a来形成滤色器64。另外，例如遮光膜321位于相邻的滤色器64间的边界面下。
接着，在形成有滤色器64的对置基板302A上，例如通过使用溅镀法、CVD法等使ZTO成膜来形成透明的ZTO膜。接下来，例如使用光刻法将多余的ZTO膜去除，由此如图12-3所示，在至少与像素(301a)的排列区域对置的整体区域形成公共电极313。然而，并不限定于此，也可例如使用如上所述的涂敷工艺技术等来形成公共电极313。
接着，在形成有公共电极313的对置基板302A上，例如旋涂聚酰亚胺溶液，且使其干燥且固化之后，例如使用磨擦法摩擦聚酰亚胺膜，由此如图12-4所示形成取向膜315。然而，并不限定于此，也可例如使用如上所述的涂敷工艺技术等来形成取向膜315，且将此膜以磨擦法等进行处理。
接着，在形成有取向膜315的对置基板302A上，旋涂感光性阻剂液，且将其进行曝光及显影之后，将所形成的树脂膜的角落部分，例如通过提高后烘(post-bake)的温度，由此如图12-5所示在取向膜315上形成三角形的电介质突起316。然而，并不限定于此，也可例如使用如上所述的涂敷工艺技术等来形成预定形状的电介质突起316，也可以光刻法使用半色调屏蔽(halftone mask)将图案进行三维加工。
接着，在形成有电介质突起316的对置基板302A上，例如旋涂感光性阻剂液，且将其进行曝光及显影，由此如图12-6所示，在划分对置基板302A上的各像素301a的区域的至少一部分，形成由感光性树脂所构成的间隔件317。然而，并不限定于此，也可例如使用如上所述的涂敷工艺技术等来形成间隔件317。或是，也可使用散布球体状的间隔件的方式来确保密封液晶层312的空间。
综上所述，当制造形成有像素电极311及取向膜314的有源矩阵基板301A、及形成有遮光膜321、滤色器64、公共电极313、取向膜315、电介质突起316及间隔件317的对置基板302A时，接着在对置基板302A中的由密封件所包围的区域填充液晶之后，如图13所示，通过将该有源矩阵基板301A与对置基板302A贴合，将液晶层312密封于有源矩阵基板301A与对置基板302A之间。
接着，准备例如吸附有碘(I)的聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，PVA)等的偏光板330及340，且按照包夹用以密封液晶层312的有源矩阵基板301A及对置基板302A的方式分别将这些偏光板贴合。由此，来制造包含图7所示的层构造的像素301a的显示面板301。
之后，将以上方式制造的显示面板301，安装在搭载有信号控制部102、扫描驱动部103、数据驱动部104、电容线驱动部305及其它零件的框体，由此来制造本实施方式的液晶显示装置300。
另外，在以上的制造工序中，虽适当包括清洗基板的工序等，但在此为了简化说明而省略了这些工序。
如以上所说明，本实施方式的液晶显示装置300与本发明实施方式1或3同样，由于主布线的至少一部分具备比其它布线更大的导电性，因此可将主布线的截面积(尤其宽度)缩窄，由此，可降低主布线部分相对于有源矩阵基板301A的光取出面所占比例，结果，可提高有源矩阵基板301A的开口率。此外，通过以导电性高的第一金属布线41M来形成主布线，可降低主布线部分的电阻值，且可降低有源矩阵基板301A的驱动电压，结果可降低液晶显示装置300的耗电。
此外，通过采用按上述方式提高了开口率的构成，液晶元件E31及光源350的配置自由度提高，因此可实现设计自由度大的液晶显示装置300。
再者，在本实施方式的制造方法中，与本发明实施方式1或2同样，由于在制造过程中接触孔内布线42及第二布线层43等被透明半导体层44所覆盖，因此可降低在之后蚀刻工序等中各布线(42、43等)受到的工艺损害。
另外，上述各实施方式仅是用以实施本发明的例，本发明并不限定于这些实施例，视规格等进行各种变形也均属本发明的范围，再者在本发明的范围内，当然也可进行其它各种实施方式。

Claims (20)

1.一种有源矩阵基板，具备多个晶体管元件，其中，
该有源矩阵基板还具备：
基板，能够透过可见光；
布线，包括形成在所述基板上的主布线、及形成在所述基板上且用以连接所述主布线与所述晶体管元件的副布线，所述副布线由锌锡氧化物所构成的能够透过可见光的导电体材料构成；
半导体层，从所述基板的厚度方向观察与所述布线的至少一部分重叠，并且能够透过可见光，所述半导体层由锌锡氧化物所构成的半导体材料构成，该半导体材料的载流子浓度比所述副布线低；和
绝缘膜，覆盖所述布线及半导体层的至少一部分，能够透过可见光；
所述主布线，至少一部分由具备比所述副布线更高的导电性的导电体材料构成；
所述副布线的一部分发挥作为所述晶体管元件中的电极的功能。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其中，
所述布线是非晶质布线；
所述半导体层是非晶质层。
3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其中，
所述主布线的至少一部分由金属或合金构成。
4.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其中，
所述副布线的一部分发挥作为所述晶体管元件中的栅电极、源电极及漏电极的功能，所述绝缘膜的一部分发挥作为所述晶体管元件中的栅极绝缘膜的功能。
5.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其中，
具备第一及第二晶体管以及电容器；
所述主布线构成1条以上扫描线的至少一部分、1条以上数据线的至少一部分及1条以上驱动线的至少一部分；
所述第一晶体管的控制端子连接于所述扫描线，输入端子连接于所述数据线；
所述第二晶体管的控制端子连接于所述第一晶体管的输出端子，输入端子连接于所述驱动线；
所述电容器的一个电极连接于所述驱动线，另一个端子连接于所述第二晶体管的控制端子。
6.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其中，
具备第一晶体管及电容器；
所述主布线构成1条以上扫描线的至少一部分、1条以上数据线的至少一部分及1条以上电容线的至少一部分；
所述第一晶体管的控制端子连接于所述扫描线，输入端子连接于所述数据线；
所述电容器的一个端子连接于所述晶体管的输出端子。
7.一种显示面板，具备：
权利要求1所述的有源矩阵基板；
第一电极，形成在所述有源矩阵基板上，能够透过可见光；
有机膜，形成在所述第一电极上；和
第二电极，形成在所述有机膜上。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，
所述第二电极能够透过可见光。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，
具备与所述第二电极电连接的辅助电极。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其中，
所述辅助电极是能够透过可见光的电极。
11.根据权利要求7所述的显示面板，其中，
具备相对于所述有机膜形成于上层及下层的任一方或双方的过滤膜。
12.一种显示面板，具备：
权利要求1所述的有源矩阵基板；
对置基板，能够透过可见光；和
液晶元件，包括：液晶层；双层取向膜，用以包夹该液晶层；和像素电极及公共电极，用以包夹由所述液晶层与所述双层取向膜构成的层叠体；
所述像素电极及公共电极能够透过可见光；
所述像素电极与所述有源矩阵基板中的所述布线电连接；
所述液晶元件被所述有源矩阵基板和所述对置基板所包夹。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其中，
具备两片偏光板，用以包夹由所述有源矩阵基板、所述液晶元件及所述对置基板构成的层叠体。
14.根据权利要求12所述的显示面板，其中，具备：
遮光膜，形成在所述公共电极上；和
过滤膜，至少形成在所述公共电极上，用以透过预定波段的波长。
15.一种显示装置，具备权利要求7所述的显示面板。
16.一种有源矩阵基板的制造方法，包括：
主布线形成工序，在能够透过可见光的基板上形成主布线；
第一副布线形成工序，在所述基板上形成第一副布线，该第一副布线与所述主布线电连接，且一部分中包含用以形成晶体管元件的电极，并且所述第一副布线由锌锡氧化物所构成的能够透过可见光的导电体材料构成；
第一绝缘膜形成工序，在所述基板上形成第一绝缘膜，该第一绝缘膜覆盖所述主布线及所述第一副布线的至少一部分，且一部分中包含用以构成所述晶体管元件的绝缘膜，并能够透过可见光；
第二布线形成工序，在所述第一绝缘膜上，形成一部分中包含用以构成所述晶体管元件的电极的第二副布线，所述第二副布线由锌锡氧化物所构成的能够透过可见光的导电体材料构成；
半导体层形成工序，在所述第一绝缘膜上，形成覆盖所述第二副布线的至少一部分且能够透过可见光的半导体层，所述半导体层由锌锡氧化物所构成的半导体材料构成，该半导体材料的载流子浓度比所述第一及第二副布线低；和
第二绝缘膜形成工序，在所述第一绝缘膜上，形成覆盖所述半导体层及所述第二副布线的至少一部分且能够透过可见光的第二绝缘膜；
使用具备比所述第一及／或第二副布线更高导电性的材料来形成所述主布线的至少一部分。
17.根据权利要求16所述的有源矩阵基板的制造方法，其中，
使用金属或合金来形成所述主布线的至少一部分。
18.根据权利要求16所述的有源矩阵基板的制造方法，其中，
在所述半导体层形成工序中，通过在所述第一绝缘膜上形成覆盖所述第二副布线的半导体膜，且以所述第二副布线不会露出的方式蚀刻该半导体膜，来形成所述半导体层。
19.根据权利要求16所述的有源矩阵基板的制造方法，其中，
在所述主布线形成工序、所述第一副布线形成工序、所述第一绝缘膜形成工序、所述第二布线形成工序、所述半导体层形成工序及所述第二绝缘膜形成工序中的至少一个工序中，使用印刷法来形成所述主布线、所述第一副布线、所述第一绝缘膜、所述第二副布线、所述半导体层或所述第二绝缘膜。
20.根据权利要求19所述的有源矩阵基板的制造方法，其中，
所述印刷法是喷墨印刷法。
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