CN102074446B - 一种复合轨迹可调式磁电管 - Google Patents
一种复合轨迹可调式磁电管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102074446B CN102074446B CN2010105886256A CN201010588625A CN102074446B CN 102074446 B CN102074446 B CN 102074446B CN 2010105886256 A CN2010105886256 A CN 2010105886256A CN 201010588625 A CN201010588625 A CN 201010588625A CN 102074446 B CN102074446 B CN 102074446B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- magnetron
- rotary drive
- sputtering target
- drive assembly
- assembly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims abstract description 60
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims abstract description 39
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 10
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 10
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 13
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 210000000515 tooth Anatomy 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及一种用于控制磁电管运动的机械装置,特别涉及一种复合轨迹可调式磁电管。该装置包括主旋转驱动组件、从旋转驱动组件和磁电管组件,采用一个主旋转电机和一个从旋转电机控制磁电管的复合运动,主旋转电机控制磁电管绕溅射靶轴心转动,从旋转电机控制磁铁组件实现轨迹可调式复合运动,磁电管组件中心点花瓣形运动轨迹,能实现磁场对溅射靶表面的全覆盖。在此基础上适当调整磁电管组件的扫描速度,则可以使得溅射靶表面磁场既有较高覆盖率,又有较高均匀性和较高刻蚀效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于控制磁电管运动的机械装置,特别涉及一种复合轨迹可调式磁电管。
背景技术
溅射是自20世纪初开始逐渐得到发展与应用的一种PVD技术。溅射作为一种镀膜技术,由于它比蒸发镀膜方法的台阶覆盖性能好,比电子束缚蒸发方法的辐射缺陷少,而在集成电路电性互联等制造工艺中常被采用。
溅射过程中先用真空泵把溅射腔室抽成高真空,然后充入如氩气等惰性气体,并且在溅射靶上施加几百伏的负偏置电压,使惰性气体与电子碰撞后电离导致辉光放电形成等离子体,正离子在电场加速作用下撞击溅射靶表面,入射正离子与溅射靶中原子发生连锁碰撞,使溅射靶表面的原子获得动能脱离晶格束缚,飞溅沉积到被溅射材料的表面形成薄膜。在溅射时,通常利用磁电管在溅射靶表面形成一个磁场,以加速电子运动,增加它们与惰性气体原子碰撞产生正离子的几率,这种工艺被称为磁控溅射。
一个理想的磁控溅射***,形成的平行于溅射靶表面的磁场分量应均匀地覆盖在溅射靶表面,因为只有水平分量才能提高溅射效率。由于结构尺寸、重量、制造工艺与成本、功耗、维护等因素的限制,实际上的磁控溅射***中溅射靶表面磁场的均匀性和覆盖率很难达到上述理想状态。从溅射靶材利用率指标就可以反映出溅射靶表面磁场与上述理想状态的差距,目前常规磁控溅射***的溅射靶材利用率是30%左右,某些优化的磁控溅射***的溅射靶材利用率可能达到60-70%。需要指出的是,提高平行于溅射靶表面的磁场分量均匀性和覆盖率,不仅可以提高溅射靶材利用率,而且对提高沉积在被溅射材料表面上薄膜厚度的均匀性、台阶覆盖率等镀膜质量具有重要作用。
通常采用优化磁电管的结构及控制磁场随时间变化的规律来提高平行于溅射靶表面磁场分量的均匀性和覆盖率。前者通过改变磁电管的空间几何结构及排列,提高溅射靶表面磁场覆盖率和均匀性;后者通过在溅射靶周围布置电磁线圈,或者采用机械装置使磁电管在溅射靶背后进行旋转等运动,达到提高溅射靶表面磁场覆盖率和均匀性的目的。
采用机械装置使磁电管在溅射靶背后进行旋转等运动,来提高溅射靶表面磁场覆盖率和均匀性的相关专利较多。
例如浙江大学王德苗和任高潮的中国专利ZL87106947提出了一种“分离磁体式平面磁控溅射源”。王德苗和任高潮设计了旋转式磁电管,其磁电管有三种结构形式:1)由V形外磁铁(N极)、扇形偏心内磁铁(S极)和圆心位于转动中心的O形外磁环(N极)组成;2)由辐射状外磁铁(N极)、与外磁铁个数相对应的扇形偏心内磁铁(S极)和圆心位于转动中心的O形外磁环(N极)组成,例如辐射状外磁铁为X形时,有4个扇形偏心内磁铁;3)由两个ω外磁铁(N极)、一个圆心位于转动中心且形状与外磁铁形状相匹配内磁铁(S极)、一个圆心位于转动中心的O形外磁环(N极)组成。王德苗和任高潮设计的旋转式磁电管最主要的特点是磁电管的N极是分离式的,由外磁铁和外磁环两部分构成,外磁环固定不动,外磁铁和内磁铁做旋转运动。
又例如应用材料股份有限公司伊扬·理查德·洪等人的中国专利ZL03816946.0提出了一种“小行星式磁电管”:第一旋转臂由电机直接驱动,绕溅射靶轴心转动,电机除直接驱动第一旋转臂外,还经机械传动驱动第二旋转臂转动;第二旋转臂的转动中心位于第一旋转臂上,在第二旋转臂上安装一个由圆柱状内磁铁和圆环状外磁铁组成的磁电管。第一旋转臂与第二旋转臂的转速比小于1,且非整数,其给出的一具体实施例中转速比为1.03比6。伊扬·理查德·洪等人设计的小行星式磁电管的主要特点是利用简单形状的磁电管,可以实现高溅射靶表面磁场覆盖率和均匀性,这样有利于降低磁电管制造与维护的成本。
与专利ZL87106947发明类似的仅有偏心旋转一个转动的磁电管,其磁场不是没有覆盖溅射靶表面中心区域,就是在溅射靶表面中心区域造成过度刻蚀,也就是说这种方式不能同时在溅射靶表面中心区域具有较高覆盖率和较高均匀性。专利ZL03816946.0发明的行星式磁电管,尽管在选择合适磁电管参数和转速比的情况下,可以得到较高覆盖率和较高均匀性的磁场,但是其刻蚀效率比较低。
针对现有磁控溅射设备中磁电管在溅射靶表面形成的磁场的覆盖率和均匀性偏低或刻蚀效率不高的不足,本发明提出了一种复合轨迹可调式磁电管。本发明采用两个旋转电机,主旋转电机控制磁电管绕溅射靶轴心转动,从旋转电机控制磁铁组件实现轨迹可调式复合运动,使得溅射靶表面磁场有较高覆盖率和较高均匀性的同时,又有较高的刻蚀效率。
用于提高溅射靶表面磁场分布均匀性,继而提高溅射靶的利用率。本发明的机械装置主要用于表面镀膜的磁控溅射设备,尤其是半导体集成电路制造用的物理气相沉积(简称PVD)设备。
发明内容
本发明针对现有磁控溅射设备中磁电管在溅射靶表面形成的磁场的覆盖率和均匀性偏低和刻蚀效果不高的不足,提出了一种复合轨迹可调式磁电管。
本发明的结构包括主旋转驱动组件、从旋转驱动组件和磁电管组件。
所述主旋转驱动组件安装在PVD设备的上盖上,起到支撑从旋转驱动组件和磁电管组件且使其绕溅射靶轴心转动的作用;其具体结构为:钢轮的内齿与柔轮的外齿啮合,柔轮内装有波发生器;所述钢轮由螺钉固定在减速器外壳上,所述柔轮通过柔轮定位销固定在中间内套上,减速器外壳经两个轴承与中间内套构成转动副,即减速器外壳、波发生器、钢轮、柔轮、轴承、中间内套、柔轮定位销和轴承端盖构成谐波减速器;直流伺服电机输出轴的下端与所述波发生器的内孔利用顶丝固定,作为旋转驱动的输入;中间内套是主旋转驱动组件的运动输出端,其下端悬挂变偏心距组件。
所述从旋转驱动组件安装在主旋转驱动组件旋转运动的输出端,起到支撑磁电管组件和实现轨迹可调式复合运动的作用;其结构为:下底板的一端通过螺栓与主旋转驱动组件连接,下底板的中部设置内置编码器伺服电机,下底板的另一端设置与内置编码器伺服电机输出端连接传动齿轮组,构成从旋转驱动组件的输出端。
所述磁电管组件安装在从旋转驱动组件的输出端,在溅射靶表面形成磁场,以提高溅射靶材利用率和被溅射材料表面沉积薄膜的质量;其具体结构为:内磁极和外磁极经螺钉固定在磁轭上,磁轭经螺栓固定在从旋转组件的磁电管基座上。
磁电管组件随主旋转驱动组件绕溅射靶轴心进行转动的同时,又随从旋转组件进行旋转运动,两个运动的叠加实现复合运动。
所述直流伺服电机输出轴的上端安装有检测电机位置的编码器,用于对直流伺服电机进行反馈控制,使磁电管按照工艺需要的转速进行转动。
本发明的有益效果为:
本发明提出的复合轨迹可调式磁电管采用一个主旋转电机和一个从旋转电机控制磁电管的复合运动,主旋转电机控制磁电管绕溅射靶轴心转动,从旋转电机控制磁铁组件实现轨迹可调式复合运动,磁电管组件中心点花瓣形运动轨迹,能实现磁场对溅射靶表面的全覆盖。在此基础上适当调整磁电管组件的扫描速度,则可以使得溅射靶表面磁场既有较高覆盖率,又有较高均匀性和较高刻蚀效率。
附图说明
图1是复合轨迹可调式磁电管安装在熟知的PVD设备的剖面示意图;
图2是主旋转驱动组件的结构剖面示意图;
图3是从旋转驱动组件的结构剖面示意图;
图4是磁电管组件的结构剖面示意图;
图5是磁电管中心点第一种运动轨迹图;
图6是磁电管中心点的运动速度曲线图;
图7是磁电管中心点第二种运动轨迹图;
图8是磁电管中心点第三种运动轨迹图。
附图标记说明:
1-支撑架;2-溅射靶;3-密封环;4-溅射腔体;5-屏蔽罩;6-晶片卡夹;
7-晶片;8-工作气源;9-射频源;10-晶片支座;11-真空泵;12-螺栓组件;
100-主旋转驱动组件;101-编码器;102-直流伺服电机;103-钢轮;
105-减速器外壳;106-旋臂;107-柔轮;108-轴承;109-中间内套;
110-柔轮定位销;111-轴承端盖;113-波发生器;200-从旋转驱动组件;
201-内置编码器伺服电机;204-减速齿轮;206-下底板;207-大齿轮轴;
300-磁铁组件;301-外磁极;302-内磁极。
具体实施方式
本发明提供了一种复合轨迹可调式磁电管,下面结合附图和具体实施方式对本发明作详细的说明。
本发明的核心构思在于,采用一个主旋转电机和一个从旋转电机分别控制磁电管的主旋转和从旋转运动,主旋转电机控制磁电管绕溅射靶轴心转动,从旋转电机控制磁电管绕旋臂端部转动。合理调整两电机的转速可以实现我们需要的复合运动轨迹,而且这种运动轨迹具有可调性。首先通过调整电机转速实现花瓣形运动轨迹,当整周的花瓣数为非整数时,就能得到均匀的运动轨迹。接下来我们可以调整磁铁组件中心点瞬时的运动速率,使得磁铁组件再通过花瓣外缘时速度慢点,而通过花瓣中心时速度快点,这样就能得到靶材表面较均匀的刻蚀。因此我们设计的磁电管可以使得溅射靶表面磁场有较高覆盖率和较高均匀性的同时,又有较高刻蚀效率。
图1是本发明设计的复合轨迹可调式磁电管一个具体实例,安装在一个熟知PVD设备中的剖面示意图。本发明设计的复合轨迹可调式磁电管由主旋转驱动组件100、从旋转驱动组件200和磁铁组件300组成。主旋转驱动组件100通过减速器外壳105,由旋转件螺栓组件12固定在支撑架1上,将复合轨迹可调式磁电管安装在溅射靶2正上方,并使旋转驱动组件100中的直流伺服电机102的旋转轴通过溅射靶2的轴心;从旋转驱动组件200中的内置编码器伺服电机201通过联接螺栓203固定在旋臂106上,其产生的转动通过减速齿轮204传给磁铁组件300,减速齿轮204安装在下底板206上;磁铁组件300中的外磁极301、内磁极302经螺钉固定磁轭上,磁轭通过联接螺母固定在大齿轮轴207上;溅射靶2固定在PVD上盖上支撑架1的底部;溅射靶2经密封圈3安装在溅射腔体4上;晶片7位于溅射靶2的正下方,溅射时在晶片7和溅射靶2之间形成等离子体;晶片7安装在晶片支座10上,晶片支座10安装在溅射腔体4的底部,并在晶片支座10的底部连接射频源9;在晶片7的上边缘有一个环状的晶片卡夹6,用来固定晶片7;在溅射腔体4内侧有屏蔽罩5,用来保护溅射腔体4,使溅射过程中溅射靶2的原子不能沉积在溅射腔体4的内表面;真空泵11连接在溅射腔体4的底部,在进行溅射之前由真空泵11将溅射腔体4、溅射靶2和密封环3构成的密闭腔室抽成10-8Torr或更低压力;工作气源8连接在溅射腔体4的底部,在进行溅射时工作气源8提供氩气等惰性气体作为工作气体,在溅射过程中,工作气体放电成为等离子体,带有正电的氩离子轰击溅射靶2的下表面,将溅射靶2的原子沉积到晶片7的上表面;在溅射过程中,将溅射腔体4和屏蔽罩5接地,作为等离子体放电的阳极,将溅射靶2接-600伏直流偏置电压,作为等离子体放电的阴极。
图2是主旋转驱动组件100的结构剖面图。在直流伺服电机102轴的上输出端安装一个编码器101,直流伺服电机102为旋臂及其联接的组件提供旋转运动的动力,编码器101用于旋转运动的反馈控制;在直流伺服电机102轴的下输出端与波发生器113的内孔配合,直流伺服电机102带动波发生器113转动;直流伺服电机102外壳经电机螺钉组固定在减速器外壳105上,作为复合轨迹可调式磁电管机架;柔轮107的内孔与波发生器113配合,柔轮107的外齿与钢轮103内齿啮合;钢轮103经螺钉固定在减速器外壳105上,柔轮107经柔轮定位销110定位且经定位销螺钉组固定在中间内套109上;中间内套109经轴承108和轴承端盖111与减速器外壳105构成转动副。实际上,减速器外壳105、波发生器113、钢轮103、柔轮107、轴承108、中间内套109、柔轮定位销110和轴承端盖111构成一个典型的谐波减速器,其中波发生器113是输入,柔轮107是输出。
参考图3是从旋转驱动组件200的结构剖面图和三维组装示意图。内置编码器伺服电机201的外壳经电机螺钉组固定在旋臂106上,电机将转动传给减速齿轮204,减速齿轮204以底板206为支架,两齿轮轴由轴承与底板206相连,小齿轮的齿轮轴与电机输出轴相连,大齿轮的轴与磁铁组件300相连,减速齿轮将转动传给磁铁组件300,使磁铁组件300相对底板206旋转。实际上,旋转臂106、伺服电机201、减速齿轮204、底板206和磁铁基座301构成一个旋转运动平台,其中,旋臂106是机架,伺服电机201是动力源,磁铁基座301是输出。
参考图4是磁铁组件300的结构剖面图和三维组装示意图。磁铁组件300是一个磁铁组件,其外磁极301和内磁极302都是环状磁铁,外磁极301和内磁极302固定在同一磁轭上,磁铁组件300通过联接螺母与大齿轮轴相连。
当直流伺服电机102和内置编码器伺服电机201速度匹配合适后,磁电管中心点运动轨迹如图5所示,花瓣形运动轨迹可以保证刻蚀跑道在靶材表面实现均匀地扫描,研究磁电管中心点的运动速度后发现,其运动速度如图6所示,发生周期性变化,最大值与最小值之间约为3∶1,最大值发生在轨迹线较密区域,使磁电管迅速通过该区域,避免靶材被过度刻蚀,最小值发生在轨迹线较疏区域,使磁电管缓慢通过该区域,使靶材得到充分刻蚀,这有助于进一步提高靶材的利用率。另外,还可以通过调节两电机的转速,使轨迹线形状与疏密程度实现可调,如图7、图8所示,为了清晰起见我们只取部分花瓣予以说明,图7的花瓣较图8更为稀疏,这种可调性使我们发明的装置可以用在不同的场合,通过合理调节两电机的转速,实现具体问题的最优化解。
另一个双电机方案为:一个电机旋转,另外一个电机直线运动实现偏心可调。这两种方案有着本质的区别,双电机旋转方案实现的是行星机构运动,一个电机旋转另外一个电机直线运动方案实现的是可调偏心的旋转运动。双电机旋转方案实现特定复杂运动无需繁琐和频繁的电机调控,方便了使用的同时,尽可能减少了设备的故障率,使得本发明更具优势。
以上实施方式仅用于说明本发明,而并非对本发明的限制,有关技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可以做出各种变化和变型。
Claims (2)
1.一种复合轨迹可调式磁电管,包括主旋转驱动组件(100)、从旋转驱动组件(200)和磁电管组件(300),其特征在于,
所述主旋转驱动组件(100)安装在PVD设备的上盖上,起到支撑从旋转驱动组件(200)和磁电管组件(300)且使其绕溅射靶轴心转动的作用;其具体结构为:钢轮(103)的内齿与柔轮(107)的外齿啮合,柔轮(107)内装有波发生器(113);所述钢轮(103)由螺钉固定在减速器外壳(105)上,所述柔轮(107)通过柔轮定位销固定在中间内套(109)上,减速器外壳(105)经两个轴承与中间内套(109)构成转动副,即减速器外壳(105)、波发生器(113)、钢轮(103)、柔轮(107)、轴承、中间内套(109)、柔轮定位销和轴承端盖构成谐波减速器;直流伺服电机(102)输出轴的下端与所述波发生器(113)的内孔利用顶丝固定,作为旋转驱动的输入;中间内套(109)是主旋转驱动组件(100)的运动输出端,其下端悬挂变偏心距组件;
所述从旋转驱动组件(200)安装在主旋转驱动组件(100)旋转运动的输出端,起到支撑磁电管组件(300)和实现轨迹可调式复合运动的作用;其结构为:下底板(206)的一端通过螺栓与主旋转驱动组件(100)连接,下底板(206)的中部设置内置编码器伺服电机(201),下底板(206)的另一端设置与内置编码器伺服电机(201)输出端连接传动齿轮组,构成从旋转驱动组件(200)的输出端;
所述磁电管组件(300)安装在从旋转驱动组件(200)的输出端,在溅射靶表面形成磁场,以提高溅射靶材利用率和被溅射材料表面沉积薄膜的质量;其具体结构为:内磁极(302)和外磁极(301)经螺钉固定在磁轭上,磁轭经螺栓固定在从旋转组件(200)的磁电管基座上;
磁电管组件(300)随主旋转驱动组件(100)绕溅射靶轴心进行转动的同时,又随从旋转组件(200)进行旋转运动,两个运动的叠加实现复合运动。
2.根据权利要求1所述的一种复合轨迹可调式磁电管,其特征在于,所述直流伺服电机(102)输出轴的上端安装有检测电机位置的编码器(101),用于对直流伺服电机进行反馈控制,使磁电管按照工艺需要的转速进行转动。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010105886256A CN102074446B (zh) | 2010-12-08 | 2010-12-08 | 一种复合轨迹可调式磁电管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010105886256A CN102074446B (zh) | 2010-12-08 | 2010-12-08 | 一种复合轨迹可调式磁电管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102074446A CN102074446A (zh) | 2011-05-25 |
CN102074446B true CN102074446B (zh) | 2012-07-25 |
Family
ID=44032945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010105886256A Expired - Fee Related CN102074446B (zh) | 2010-12-08 | 2010-12-08 | 一种复合轨迹可调式磁电管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102074446B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9449799B2 (en) | 2013-12-30 | 2016-09-20 | Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. | Film deposition device |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103184420B (zh) * | 2011-12-28 | 2014-12-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 用于驱动磁控管的扫描机构、磁控源和磁控溅射设备 |
CN103422065B (zh) * | 2012-05-16 | 2016-08-31 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 磁控溅射设备及磁控管控制方法 |
CN113699493B (zh) * | 2021-08-30 | 2023-10-10 | 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院) | 一种实现宽幅纳米颗粒束流的团簇束流沉积设备 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1890399A (zh) * | 2003-12-12 | 2007-01-03 | 应用材料公司 | 磁电管及溅镀靶间的间距补偿 |
CN101410546A (zh) * | 2006-03-28 | 2009-04-15 | 贝卡尔特股份有限公司 | 溅射装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60197874A (ja) * | 1984-03-21 | 1985-10-07 | Shinku Kikai Kogyo Kk | マグネトロンスパツタ装置 |
US6835290B2 (en) * | 2002-02-13 | 2004-12-28 | Seagate Technology Llc | System and method for controlling thin film defects |
-
2010
- 2010-12-08 CN CN2010105886256A patent/CN102074446B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1890399A (zh) * | 2003-12-12 | 2007-01-03 | 应用材料公司 | 磁电管及溅镀靶间的间距补偿 |
CN101410546A (zh) * | 2006-03-28 | 2009-04-15 | 贝卡尔特股份有限公司 | 溅射装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9449799B2 (en) | 2013-12-30 | 2016-09-20 | Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. | Film deposition device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102074446A (zh) | 2011-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100392147C (zh) | 一种对靶孪生磁控溅射离子镀沉积装置 | |
CN102074446B (zh) | 一种复合轨迹可调式磁电管 | |
TWI496927B (zh) | 物理氣相沉積系統、用於一物理氣相沉積系統之磁電管及用於使一磁電管運作以提供一可調整對稱磁軌之方法 | |
CN101239334B (zh) | 一种等离子体辅助高能滚筒球磨装置 | |
CN101447274B (zh) | 磁路机构和具有该机构的磁控溅射阴极及制造方法 | |
CN102064076B (zh) | 一种变偏心距式磁电管 | |
CN102534529B (zh) | 磁控溅射源及磁控溅射设备 | |
CN110760808B (zh) | 一种曲面屏磁控溅射组件 | |
CN101638774B (zh) | 一种磁控溅射装置的可旋转样品位 | |
JP2023539381A (ja) | イオンビームエッチング機及びその昇降回転テーブル装置 | |
CN103938171B (zh) | 提高溅射阴极靶材利用率和镀层均匀性的装置及方法 | |
KR20130112057A (ko) | 마그네트론 소스, 마그네트론 스퍼터링 장치 및 마그네트론 스퍼터링 방법 | |
CN211734462U (zh) | 一种曲面屏磁控溅射组件 | |
CN102465268B (zh) | 磁控源和磁控溅射设备、以及磁控溅射方法 | |
CN213113477U (zh) | 一种真空镀膜机的靶挡板机构 | |
JPH11189873A (ja) | スパッタリング装置及び方法 | |
CN203794978U (zh) | 提高溅射阴极靶材利用率和镀层均匀性的装置 | |
CN103147056A (zh) | 一种动磁场真空镀膜磁控溅射源 | |
CN110911263A (zh) | 用于磁控溅射工艺腔室的磁场分布均匀化装置 | |
CN209428589U (zh) | 一种电弧离子镀膜装置 | |
CN109576652A (zh) | 一种电弧离子镀膜装置 | |
CN103924200B (zh) | 一种薄膜沉积装置 | |
CN115786861A (zh) | 旋转修正挡板机构和磁控溅射镀膜设备 | |
CN210215522U (zh) | 磁性材料表面蒸发镀铽或镝的设备 | |
CN201336198Y (zh) | 磁路机构及具有该磁路机构的磁控溅射阴极 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120725 Termination date: 20171208 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |