CN102063909A - 使具有官能化聚合物的表面平坦化的***、方法和设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供使具有官能化聚合物的表面平坦化的***、方法和设备。硬盘驱动器的磁介质盘的表面通过表面接枝的聚合物链平坦化，该表面接枝的聚合物链形成均匀的、自限制厚度的单层厚的膜。该厚度由所选的聚合物的分子量控制。聚合物膜可以通过溶剂蒸汽膨胀，以填充在形貌上可变宽度的间隙。聚合物可以通过辐射或热处理适当地交联。

Description

使具有官能化聚合物的表面平坦化的***、方法和设备

技术领域

本发明总地涉及硬盘驱动器，具体地，涉及用于使硬盘驱动器的磁介质盘上的表面平坦化的改进的***、方法和设备。

背景技术

用于硬盘驱动器(HDD)的磁介质存储盘需要非常平坦的表面，以从气垫实现最佳的升力，该气垫通过使磁头滑块在盘表面上飞行而产生。具体地，超平坦的盘表面有助于保持滑块的读和写元件相对于盘的恒定的飞行高度。平面性最小化了磁盘与滑块中的磁元件之间的磁间隔(magnetic spacing)的起伏，从而产生更稳定的性能。

离散轨道介质(DTM)和位图案化介质(BPM)都是用于包括非平面盘表面形貌的HDD的有前途的磁记录技术。这些技术将需要增强的表面平坦化技术以实现不变的飞行高度。在DTM中，各数据轨道物理地图案化在盘上。对于BPM，各个位被物理地图案化以在数据轨道或数据位之间产生纳米尺度(nanometer-scale)的间隙、沟槽和凹槽。需要合适的盘表面平坦化技术来填充这样的形貌间隙。改善的平面化对气垫面提供适当的支撑而不损害磁间隔。

传统的基于聚合物的平坦化方法通常包括浸渍涂布(dip coating)或者纳米压印平坦化的技术。浸渍涂布技术依靠毛细作用来填充介质元件之间的间隙。该工艺通常受到形成限定曲率的弯月面特征(meniscus feature)的限制，这可能与平坦化规范不符。当试图填充同一盘上各种尺寸的间隙时，浸渍涂布也面临挑战。

另一方面，纳米压印平坦化工艺面临膜均匀性的挑战。纳米压印工艺留下厚度在整个盘上变化的残留层。该残留层在随后的步骤中被蚀刻掉，但是只有当原始的残留层为均匀厚度时才能得到最终的平坦表面。纳米压印平坦化还面临着由于压印工具的高成本而在经济上被限制在生产线上实施。因此，期望一种改善的用于平坦化磁介质盘的表面的方法。

发明内容

这里公开了用于平坦化硬盘驱动器的磁介质盘表面的***、方法和设备的实施例。一些实施例使用表面接枝(surface-grafted)的聚合物链来平坦化盘的表面，该表面接枝聚合物链形成均匀、自限制厚度的单层厚度的膜。

例如，该膜可以通过将聚合物接枝到表面或者从表面生长聚合物来形成。该膜可以用官能化聚合物链接枝到盘，该官能化聚合物链具有结合到盘表面的基团(radical group)。该技术形成均匀、自限定厚度的单层膜。在可选的实施例中，该技术包括表面引发聚合(surface initiated polymerization)，该表面引发聚合从盘生长聚合物并且还形成均匀厚度的单层膜。

聚合物单层的厚度可以通过选择聚合物的分子量来控制。如果要被平坦化的盘中的间隙或沟槽是聚合物单层厚度两倍的量级，则共形的聚合物层填充在间隙中以平坦化表面。该平坦化工艺不依靠毛细作用(也就是，它没有弯月面轮廓(meniscus profile))。膜厚度被自限制到单个分子层，导致盘上均匀的厚度。然而，盘中的某些沟槽和间隙具有变化的宽度或非均匀的间隙。对于这些盘，聚合物膜可以通过溶剂蒸汽(solvent vapor)膨胀以填充变化宽度的间隙。然后，通过辐射或者热处理使聚合物适当地交联。

结合所附权利要求书和附图，考虑到以下对本发明的详细描述，本发明的前述和其它的目标以及优点对于本领域的技术人员将变得明显。

附图说明

参考附图中图解的实施例，可以实现获得本发明特征和优点的方式以及对上述发明内容的更加详细的描述。然而，附图仅示出了本发明的某些实施例，因此附图不能被理解为限制本发明的范围，因为本发明可以允许其它等同效果的实施例。

图1示出了介质盘的俯视图和放大俯视图，其示意地示出位图案化介质和离散轨道介质；

图2是图1的介质沿着图1的线2-2剖取的示意性截面侧视图；

图3A-3C是根据本发明用于平坦化介质盘表面的工艺的一个实施例的示意性顺序截面的侧视图；

图4A-4D是根据本发明用于平坦化介质盘表面的工艺的另一个实施例的示意性顺序截面的侧视图；

图5A-5C是根据本发明用于平坦化介质盘表面的工艺的再一个实施例的示意性顺序截面的侧视图；

图6A-6C是根据本发明用于平坦化介质盘表面的工艺的又一个实施例的示意性顺序截面的侧视图；以及

图7是根据本发明构造的盘驱动器的示意图。

在不同附图中采用的相同的附图标记表示相似或相同的元件。

具体实施方式

图1-图6示出了用于平坦化硬盘驱动器的磁介质盘表面的改进***、方法和设备的实施例。本发明的实施例为了表面平坦化使用官能化聚合物，以通过最小的额外厚度来改善盘的平面度。

图1和图2示意性地示出具有同心的数据轨道13的磁介质盘11。图1还公开了离散轨道介质(DTM)15和位图案化介质(BPM，bit patterned media)17的结构示例。在DTM 15中，图案化的盘11包含通过凹槽19彼此隔离的数据轨道13a。在BPM 17中，各个位形成纳米尺度的柱21的行13b，纳米尺度的柱21通过宽度为“W”的径向的沟槽或间隙19b彼此分开(例如，在图1中的水平方向上)。每一行13b中的柱21还纵向地彼此分开(例如，在图1中的垂直方向上)。这样的几何形状使BPM的数据介质的表面面积小于DTM的数据介质的表面面积。所公开的实施例用于平坦化两种类型介质的凹槽或沟槽19(图2)与数据轨道13。

为了表面平坦化，官能化聚合物链的实施例包含用于将聚合物接枝到盘表面的基团(radical group)。例如，一些实施例采用诸如官能化聚苯乙烯(例如，端羟基聚苯乙烯链)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚氧化乙烯(polyethylene oxide)、聚二甲基硅氧烷(poly dimethylsiloxane)，或者可以使用聚二羟基苯甲醇(poly dihydroxybenzyl alcohol)。在其它的实施例中，官能团可以包括氢氧基、羧酸基(carboxilic group)、硫醇(thiol)或甲酯(methyl ester)。聚合物还可以包括枝状聚合物结构和至少一个官能团，或者全氟聚醚。

在一些实施例中(例如，见图3A)，包含功能聚合物的溶液31用于通过例如旋涂或者浸渍浇铸(dip casting)在盘11的表面上沉积膜。根据应用，该膜可以经受用于使官能团结合到表面的热退火。在后续的步骤中(例如，见图3B)，通过用适当的溶剂漂洗，去除在第一单层溶液上面没有结合到表面的多余材料。例如，对于包括聚苯乙烯的聚合物，可以采用甲苯或者PGMEA。

在漂洗之后，仅保留结合到表面的第一单层33，留下均匀厚度的膜。例如，可以选择聚合物链的长度，使得第一单层的厚度在被平坦化的沟槽19中的间隙宽度“W”的大约一半的量级。当单层形成在沟槽19的两侧时，该膜合拢了间隙以平坦化该表面，如图3B所示。在图3C中，使用诸如反应离子蚀刻(RIE)的材料去除工艺以去除聚合物膜的顶部，直到暴露盘的初始顶表面。因此，如图3C所示，在数据轨道13的侧表面上安置单层的工艺使膜35与数据轨道13的表面齐平。

在可选的实施例中(例如，见图4)，聚合物可以直接生长在盘表面上以形成平坦的聚合物层。例如，聚合物可以通过诸如原子转移自由基聚合(ATRP)或氮氧稳定自由基聚合(NMRP)的活性表面聚合从官能化的表面生长。

如图4A所示，盘11的表面可以提供有引发剂(initiator)41。引发剂41可以是盘的固有材料(例如，官能化润滑剂)或者沉积在其表面上(例如，官能化自组装单层(SAM))。然后，该盘暴露到单体前驱物(monomer precursor)43(图4B)选定的一段时间，以基于引发剂41与前驱物43之间的化学反应而直接在盘表面上生长聚合物。去除前驱物(图4C)在盘表面上留下聚合物膜45。然后，可以蚀刻所得到的单聚合物层45(图4D)，直到盘表面如这里所述地齐平且暴露。引发剂和前驱物的示例包括对于ATRP的溴化SAM和对于NMRP的氮氧官能化SAM。

在其它的实施例中(例如，见图5A)，盘11的表面具有数据轨道13，数据轨道在其顶表面上形成有第一材料51(夸大地示出)，且在沟槽19的侧壁上形成有第二材料53。对于此变型(version)，聚合物溶液55的官能团(图5B)仅接枝到侧壁，而不接枝到顶部。该盘在漂洗没有结合到表面的多余材料之后被平坦化。通过某些技术，聚合引发剂仅结合到沟槽的侧壁。因此，聚合仅发生在沟槽侧壁内而不发生在顶表面上，以形成与膜57基本齐平的盘表面(图5C)。这些实施例避免使用材料去除或蚀刻步骤。

这些实施例通常通过用于BPM和DTM的两种工艺之一制造。在第一类型的工艺(在下文称为″蚀刻后的介质″)中，形成磁记录介质的层首先沉积在平坦的基板上，随后被研磨或蚀刻以形成限定DTM的轨道或者BPM的位的凹槽和沟槽。在该第一工艺中，外涂层或顶层可以选择为第一材料51，平坦化聚合物的官能团不与第一材料51反应。

在第二类型的工艺中(在下文称为″预图案化基板″)，该基板首先构造成具有形成DTM或BPM结构的岸台(land)和凹槽，随后沉积形成磁记录介质的材料。在″预图案化″的基板中，岸台和凹槽都由相同的材料覆盖。然后，不同的顶层51通过掠射角(grazing angle)沉积(例如，蒸发、电子束蒸发、离子束沉积、溅射等)来沉积，在掠射角沉积中沉积的物质以相对于基板小的角度到达。在该技术中，材料仅沉积在“岸台”的顶部上而不在“凹槽”中。

在某些应用中，盘表面具有宽度上不完全相同的间隙。在另一些应用中(例如，见图6)，沟槽19的宽度可以远大于聚合物的单层厚度(例如，为其两倍)。在某些实施例中，聚合物可以如这里所述地接枝到盘，直到漂洗步骤(例如，见图3B、4C)，多余的材料才被清洗掉而留下单层厚的膜61，如图6A所示。

聚合物膜随后通过溶剂退火或者类似的方法(其中样品暴露到包含适当溶剂蒸汽的受控气氛)而膨胀(图6B)以形成膨胀的聚合物链63(夸大地示出)。膨胀的聚合物63延伸直到间隙19合拢并至少被平坦化。为了固定膨胀结构中的聚合物，膜通过辐射交联65或者热交联。在交联之后，盘从受控气氛中移出。接着进行诸如反应离子蚀刻(RIE)的材料去除工艺(图6C)以蚀刻聚合物膜的顶部，直到盘的原始顶表面被暴露并且剩下的膜67与其齐平。该相同的技术可以用于采用这里描述的生长方法(例如，见图4)产生的聚合物层。

在根据这些实施例的溶剂膨胀或退火中，根据所使用的聚合物和所期望的膨胀程度来选择溶剂。例如，对于聚苯乙烯聚合物，溶剂可以包括甲苯、丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或者其它类型的溶剂。

本发明形成聚合物单层所采用的分子在尺寸上远大于传统平坦化材料中采用的分子。部分聚合物分子与盘材料反应以形成永久的结合。只有聚合物的官能部分与盘反应且保留为粘结到盘。

现在参照图7，其示出了根据本发明构造的硬盘驱动器组件100的示意图。硬盘驱动器组件100通常包括如这里所述的一个或多个盘，该盘包括磁记录介质11，在操作期间通过主轴电机(未示出)高速旋转。同心的数据轨道13形成在任一或两个盘表面上以接收和存储磁信息。

读/写头110可以通过致动器组件106而在盘表面上移动，以允许头110从特定的轨道13读取磁数据或者将磁数据写入特定的轨道13。致动器组件106可以在枢轴114上枢转。致动器组件106可以形成闭环反馈***的一部分，称为伺服控制，其动态地定位读/写头110以补偿磁记录介质11的热膨胀以及振动和其它干扰。该伺服控制***中还涉及由微处理器、数字信号处理器或模拟信号处理器116执行的复杂计算算法，从相关的计算机接收数据地址信息、将其转换为磁记录介质11上的位置并相应地移动读/写头110。

具体地，读/写头110周期性地参考记录在盘上的伺服图案(servo pattern)以保证精确地定位头110。伺服图案可以用于保证读/写头110精确地跟随特定的轨道，并控制和监测头110从一个轨道13到另一个的转移。在参考伺服图案时，读/写头110获得头位置信息，以保证控制电路116能随后重新对准头110以校正任何检测错误。

伺服图案可以包含在设计的伺服扇区112(其嵌入在多个数据轨道13内)中，以允许频繁地采样伺服图案来优化盘驱动器性能。在典型的磁记录介质11中，嵌入的伺服扇区112基本上从磁记录介质11的中心径向地延伸，如同来自轮子中心的轮辐。然而，与轮辐不同的是，伺服扇区112形成精细的弧形路径，该路径被校准为与读/写头110的移动范围基本匹配。

从而，某些实施例可以包括具有平坦化的磁介质盘的硬盘驱动器，该磁介质盘具有轴和同心数据轨道的磁元件。同心的数据轨道通过间隙彼此分离。磁元件具有顶表面，间隙具有与磁元件的顶表面轴向间隔开的间隙表面。间隙被填充，并通过官能化聚合物实现平坦化，使得该间隙与该顶表面基本齐平，并暴露该顶表面。致动器具有用于从磁介质盘读取数据的磁转换器，并且致动器相对于磁介质盘可移动。

在其它的实施例中，每个间隙具有在1至100nm范围内的宽度。官能化聚合物可以形成单层膜，该单层膜具有在间隙宽度的10％至200％范围内的单分子厚度。官能化聚合物可以是官能化聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚氧化乙烯、聚二甲基硅氧烷或聚二羟基苯甲醇，并且官能团可以是氢氧基、羧酸基或硫醇和甲酯。官能化聚合物可以具有分枝状聚合物结构和至少一个官能团。官能化聚合物的至少一部分可以包括全氟聚醚。磁元件可以包括DTM，并且间隙包括使DTM彼此隔离的凹槽。磁元件还可以是BPM，BPM具有形成为多行纳米尺度的柱的各个位，多行的纳米尺度的柱通过间隙彼此分离，并且每行中的柱也在横向方向上彼此分离。

在其它实施例中，平坦化磁介质盘的表面的方法包括：提供图案化基板，该图案化基板具有轴和同心数据轨道的磁元件，该同心数据轨道通过间隙彼此分离，并且磁元件具有顶表面，间隙具有与磁元件的顶表面轴向间隔开的间隙表面；在图案化基板上沉积包含官能化聚合物的溶液以在图案化基板上形成膜；从图案化基板去除超过第一单层溶液而没有结合到图案化基板的任何溶液，第一单层溶液包括单个分子层，使得膜包括均匀的厚度；然后去除(例如，蚀刻)膜的顶部，使得间隙被官能化聚合物填充，间隙与该顶表面基本齐平，并且顶表面被暴露，从而平坦化图案化介质的表面。

在另外的实施例中，沉积步骤包括旋涂或浸渍浇铸，并且去除步骤包括用溶剂漂洗。可以选择聚合物链的长度使得第一单层的厚度约为间隙宽度的一半。第一单层可以形成在磁元件的侧壁上以合拢相邻磁元件之间的间隙，从而平坦化该图案化介质的表面。该方法还可以包括，在沉积步骤之后，使膜经受热退火以将官能团结合到图案化基板。蚀刻可以包括反应离子蚀刻，并且官能化聚合物可以直接生长在图案化基板上以形成平坦的聚合物层。

在某些实施例中，间隙不必在宽度上相同，并且在去除步骤之后，该方法还可以包括：使膜膨胀以延伸到间隙中并合拢间隙；以及使膜交联以将聚合物固定在膨胀结构中。间隙的宽度可以约为聚合物单层厚度的两倍，膜通过溶剂退火膨胀，将该图案化基板暴露到包含溶剂蒸汽的受控气氛以形成膨胀的聚合物链，并通过辐射交联或热交联。该方法还可以进一步包括从受控气氛取出图案化基板，并执行去除步骤。膨胀和交联步骤可以使图案化介质的表面平坦化，从而不需要额外的去除步骤。

在另外的实施例中，官能化聚合物通过原子转移自由基聚合或氮氧稳定自由基聚合从官能化表面生长。该方法可以进一步包括：向图案化介质的表面提供引发剂；将图案化介质暴露到前驱物选定的一段时间，以基于引发剂与前驱物之间的化学反应直接在表面上生长官能化聚合物；去除前驱物以在表面上形成膜；以及去除膜的一部分直到使表面被平坦化。

引发剂可以是图案化介质的固有材料或者沉积在表面上。磁元件的顶表面可以由第一材料形成，并且磁元件的侧壁和间隙由第二材料形成，使得聚合物的官能团仅接枝到侧壁和间隙而不接枝到顶表面，从而形成平坦化的表面而不用去除步骤。在某些实施例中，图案化介质的平坦化表面具有不超过5nm的最大变化。

这些实施例的应用可以包括各种规程中所用的表面修正层，范围为电气和光学装置的有机或无机界面、纳米制造、MEMS、液晶、生物结构和生物感应聚合物的模板、自组装等。由于所有这些和其它新规范要求纳米尺度的更加复杂的结构，与表面修正层结合的平坦化方案可以在硬盘驱动器范围外发现在这些类型的技术中的应用。

该书面描述使用示例来公开本发明，包括优选实施方式，并且使得本领域技术人员能够实施和应用本发明。本发明的专利范围由权利要求书限定，并且可以包括本领域技术人员想到的其它示例。这样的其它示例，如果它们的结构原理与权利要求的文字内容没有区别，或者如果它们包括与权利要求的文字内容没有实质差别的等同结构元件，则旨在落入权利要求书的范围内。

Claims (25)

1.一种硬盘驱动器，包括：

磁介质盘，具有轴和同心数据轨道的磁元件，该同心数据轨道通过间隙彼此分离，所述磁元件具有顶表面，所述间隙具有与所述磁元件的顶表面轴向间隔开的间隙表面，并且所述间隙被官能化聚合物填充，使得所述间隙与所述顶表面基本齐平并暴露所述顶表面；以及

致动器，具有用于从所述磁介质盘读取数据的磁转换器，该致动器相对于所述磁介质盘可移动。

2.根据权利要求1所述的硬盘驱动器，其中每个所述间隙具有在1至100nm范围内的宽度。

3.根据权利要求2所述的硬盘驱动器，其中所述官能化聚合物形成单层膜，该单层膜具有在所述间隙的宽度的10％至200％的范围内的单分子厚度。

4.根据权利要求1所述的硬盘驱动器，其中所述官能化聚合物是官能化聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚氧化乙烯、聚二甲基硅氧烷、聚二羟基苯甲醇之一，并且官能团是氢氧基、羧酸基、硫醇和甲酯之一。

5.根据权利要求1所述的硬盘驱动器，其中所述官能化聚合物具有分枝状聚合物结构和至少一个官能团。

6.根据权利要求1所述的硬盘驱动器，其中所述官能化聚合物的至少一部分包括全氟聚醚。

7.根据权利要求1所述的硬盘驱动器，其中所述磁元件是离散轨道介质，并且所述间隙包括使离散轨道介质彼此隔离的凹槽。

8.根据权利要求1所述的硬盘驱动器，其中所述磁元件是位图案化介质，该位图案化介质具有形成为多行纳米尺度的柱的各个位，多行纳米尺度的柱通过间隙彼此分离，并且每行中的该柱也在横向方向上彼此分离。

9.一种平坦化磁介质盘的表面的方法，包括：

(a)提供图案化基板，该图案化基板具有轴和同心数据轨道的磁元件，该同心数据轨道通过间隙彼此分离，该磁元件具有顶表面，该间隙具有与该磁元件的顶表面轴向间隔开的间隙表面；

(b)在所述图案化基板上沉积包含官能化聚合物的溶液，以在所述图案化基板上形成膜；

(c)从该图案化基板去除超过第一单层溶液的没有结合到图案化基板的任何溶液，该第一单层溶液包括单个分子层，使得所述膜具有均匀的厚度；以及然后

(d)去除所述膜的顶部，使得所述间隙被所述官能化聚合物填充，所述间隙与所述顶表面基本齐平，并且所述顶表面被暴露，从而使图案化介质的表面平坦化。

10.根据权利要求9所述的方法，其中步骤(b)包括旋涂或浸渍浇铸，步骤(c)包括用溶剂漂洗。

11.根据权利要求9所述的方法，其中选择聚合物链的长度，使得所述第一单层的厚度约为所述间隙的宽度的一半。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一单层形成在所述磁元件的侧壁上以合拢相邻磁元件之间的间隙，从而平坦化所述图案化介质的表面。

13.根据权利要求9所述的方法，还包括，在步骤(b)之后，使所述膜经受热退火，以将官能团结合到所述图案化基板。

14.根据权利要求9所述的方法，其中材料去除工艺包括反应离子蚀刻，并且所述官能化聚合物直接生长在所述图案化基板上以形成平坦的聚合物层。

15.根据权利要求9所述的方法，其中所述间隙在宽度上不同，并且在步骤(c)之后还包括：

使所述膜膨胀以延伸到所述间隙中并合拢该间隙；

使所述膜交联以将所述聚合物固定在膨胀的结构中；并且其中

所述间隙的宽度约为所述聚合物的单层厚度的两倍，所述膜通过溶剂退火及将所述图案化基板暴露到受控气氛而膨胀，该受控气氛包含溶剂蒸汽以形成膨胀的聚合物链，并且所述交联是通过辐射或热交联。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括从受控气氛移出所述图案化基板以及执行去除步骤，并且其中所述膨胀和交联步骤平坦化了所述图案化介质的表面，而不需要额外的去除步骤。

17.根据权利要求9所述的方法，其中所述官能化聚合物通过原子转移自由基聚合或氮氧稳定自由基聚合从官能化表面生长，并且所述图案化介质的平坦化表面具有不大于5nm的最大变化。

18.根据权利要求9所述的方法，还包括：向所述图案化介质的表面提供引发剂；将所述图案化介质暴露到前驱物选定的一段时间，以基于所述引发剂与所述前驱物之间的化学反应直接在该表面上生长所述官能化聚合物；去除所述前驱物以在该表面上形成所述膜；以及去除所述膜的一部分直到该表面被平坦化。

19.根据权利要求9所述的方法，其中所述磁元件的顶表面由第一材料形成，并且所述磁元件的侧壁和所述间隙由第二材料形成，使得所述聚合物的官能团仅接枝到所述侧壁和所述间隙，而不接枝到所述顶表面，从而形成平坦的表面而不用去除步骤。

20.一种磁介质盘，包括：

具有轴和同心数据轨道的磁元件的基板，该同心数据轨道通过径向间隙彼此分离，该磁元件具有顶表面，该间隙具有与该磁元件的该顶表面轴向间隔开的间隙表面，并且该间隙被官能化聚合物填充，使得该间隙被平坦化且与该顶表面齐平。

21.根据权利要求20所述的磁介质盘，其中每个所述间隙具有在1至100nm范围内的宽度，该官能化聚合物形成具有单分子厚度的单层膜，该单分子厚度在所述间隙的宽度的10％至200％的范围内，并且所述磁元件的顶表面被暴露。

22.根据权利要求20所述的磁介质盘，其中所述官能化聚合物是官能化聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚氧化乙烯、聚二甲基硅氧烷、聚二羟基苯甲醇之一，并且所述官能团是氢氧基、羧酸基、硫醇和甲酯之一。

23.根据权利要求20所述的磁介质盘，其中所述官能化聚合物具有分枝状聚合物结构和至少一个官能团。

24.根据权利要求20所述的磁介质盘，其中所述官能化聚合物的至少一部分包括全氟聚醚，并且所述磁元件是离散轨道介质，所述间隙包括使离散轨道介质彼此隔离的凹槽。

25.根据权利要求20所述的磁介质盘，其中所述磁元件是位图案化介质，位图案化介质具有形成为多行纳米尺度的柱的各个位，多行纳米尺度的柱通过间隙彼此分离，并且每行中的柱也在横向方向上彼此分离。

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