CN102013803B - 升压/升降压变换器以及用于控制其的方法 - Google Patents

Abstract

一种能够基于D.C.输入电压提供两个已调整电压的电源电路，包括升压变换器和升降压变换器，该电路包括升压变换器和升降压变换器共用的单个电感元件。

Description

升压/升降压变换器以及用于控制其的方法

技术领域

本发明涉及电压变换器，特别地，涉及能够转换可转换模式的电压升高或增强类型，同时转换可转换模式的电压倒置类型(参考基准电压，通常是接地)(升降)的变换器。

背景技术

图1部分且示意性地示出了本发明具体应用类型的单色LCD屏的像素1或彩色LCD屏的子像素。每个像素1由控制开关M(一般是薄膜MOS晶体管，TFT)和作为存储单元的电容C1组成。开关M的第一导电端连接到显示屏列中所有开关共有的列导线Co1。开关M的另一个导电端连接到像素电容C1的第一电极，电容C1的第二电极接地，电容C1的电介质由显示屏使用的液晶和并联的存储电容(未示出)组成。开关M的栅极连接到成行的行导线Row。开关M的存在在其栅极和源极之间产生了密勒效应电容元件C，从而该密勒效应电容元件C位于行Row和单元1的电容C1的第一电极之间。列导线Co1由通常用于设置亮度基准电平的列控制电路2(C驱动器)驱动，而行导线Row在扫描模式中由行控制电路3(R驱动器)驱动。

对于彩色显示屏，每个单元1形成彩色像素的子像素，并且该色彩由排列在每个子像素前相应的彩色滤波器(RGB)提供。

图2示意且部分地示出了液晶显示器10及其行驱动器的等效电路图。在图2的例子中，只示出了两列，Col_i和Col_i+1。同样地，只示出了5行，Row₁、Row₂、Row₃、Row_n-1和Row_n。集成在基板上通常由玻璃制成的显示屏不再限于单元而且涉及行驱动器。对于每个行，这些驱动器包括RS型的触发器B1、B2、B3、......Bn-1和Bn，并且Bn具有直接输出端Q，直接输出端Q用于控制放置在每个行导线上的开关KR1、KR2、KR3、KRn-1、KRn以在其上产生电源电压。第一触发器B1的S激活输入端接收扫描开始信号Start。触发器B2的S激活输入端连接到行Row₁，关于电源的开关KR1的下行，触发器B3的S激活输入端连接到行Row₂，开关KR2的下行，等等，直到触发器Bn的S激活输入端连接到行Row_n-1，开关KRn-1的下行。触发器的R复位输入端分别连接到下一排列的行导线，相应触发器的下行KR，直到最后一个触发器Bn的R输入端回送到行Row₁上。

行通常由行扫描供电。奇数排列的行Row₁，Row₃，......，Row_n-1都连接开关KR1，KR3，......，KRn-1的上行到端子32，而偶数排列的行Row2，......，Rown都连接它们各自开关的上行到端子33。端子32和33分别连接到开关对Q1和Q2，Q3和Q4的接点，串联连接在分别施加高接通电压V_ON的端子和低断开电压V_OFF的端子之间。

逐行执行扫描，例如，通过接通开关Q1和Q4并且断开开关Q2和Q3从奇数行开始扫描，从而同时为这个奇数行供电并且强制断开下一排列的偶数行。施加给第一触发器B1的S激活输入端的信号Start启动自动行扫描。偶数行的选址通过断开开关Q1和Q4并且接通开关Q2和Q3对称地执行。从而以电路5(CTRL)控制下的行扫描速率转换开关Q1和Q4。

为了避免功率损耗太高，通常提供电量恢复阶段，对于每列，电量恢复阶段能够使用存储在正在被选址的行中要被断开的像素中的电量，从而有助于点亮下一行的像素。为了这个目的，端子32和33通常通过两个反向并联的二极管D1和D2组连接，每个端子串联连接电阻R1和R2以及由电路5控制的开关S1和S2。

在屏幕上电之前，信号Start被激活以初始化所有的触发器B1到Bn，在该信号消失之后开始扫描。为了接通第一奇数行的像素，开关Q1和Q4被接通，这使得电压V_ON施加在端子32上并且电压V_OFF施加在端子33上。于是电流能够流动从而对第一行像素的电容进行充电。在寻址周期结束时，晶体管Q1和Q4断开，在称做电力恢复或转移阶段期间，开关S1接通并且开关S2断开，这使得通过对正在被寻址的奇数行进行放电来对下一(偶数)行进行预先充电。这个阶段调整第一奇数和偶数行到一个中间平衡电压。然后，开关Q2和Q3接通，从而使偶数行的电压拉升到V_ON电平并且最后对第一奇数行进行放电到V_OFF电平。在第一偶数行点亮结束时，开关Q2和Q3断开，开关S2接通并且开关S1断开，使得对下一奇数行进行预先充电，从而通过接通开关Q1和Q4恢复操作。

对于相同的屏幕分辨率，即，行数量和列数量之间的比率相同，通常期望增加行数量而减少列数量。实际上，控制电源的行驱动器通常比控制数据的列驱动器简单，此外，由于成本原因，行驱动器通常集成在玻璃上。然而，使用多个集成在玻璃上的行控制电路意味着所需的电源能够提供相当大的功率。

从而期望从单个D.C.电压提供能够产生电压V_ON和V_OFF并且能够提供高功率的电源。为了这个目的，已知的是使用能转换升压或停止类型的或转换升降压类型的断路器或可转换模式的设备。

图3说明基于D.C.输入信号V_in能够产生电压V_ON和V_OFF的已知电路40。电路40包括提供用于产生电压V_ON的升压变换器的第一部分42和形成用于产生电压V_OFF的升降压变换器的第二部分44。42和44两部分并联连接在输入信号V_in上。

升压变换器42包括在施加电压V_in的端子之间的串联连接的电感L_b和由信号K_b控制的开关M_b，该开关的一个端子接地。二极管D_b的阳极连接到电感L_b和开关M_b的接点，阴极连接到电容C_b的第一端子，第二端子接地的电容C_b并联连接开关M_b。变换器42的电容C_b两端的输出电压V_ON被测量。

升降压变换器44包括在两端施加电压V_in的端子之间的串联连接的由信号K_bb控制的开关M_bb和其中一个端子接地的电感L_bb。二极管D_bb的阴极连接到开关M_bb和电感L_bb的接点，阳极连接到电容C_bb的第一端子，第二端子接地的电容C_bb并联连接电感L_bb。电容元件C_bb两端的电压V_OFF被测量。

为了通过断路来执行转换，开关M_b和M_bb被控制来以高频断开和接通，通常从几十到几百千赫，当关联的开关接通时能够在每个电感L_b和L_bb中存储磁功率，当关联的开关断开时能够从变换器42和44输出这个功率。连续地，升压变换器42传送值大于电压V_in的电压V_ON，升降压变换器44传送值小于电压V_in的电压V_OFF和负电压。

诸如图3所示电路的缺点在于包括了作为扩展电子元件的两个电感元件，该电路使用了集成电路技术或集成在玻璃上，因此成本昂贵。从而，需要一种电路，能够从单个的D.C.电压产生更高值的调整电压和符号与使用单个电感元件的D.C.电压相反的调整电压。

发明内容

本发明实施例的一个目的是提供一种电路，能够通过两个可转换模式的变换器从D.C.输入信号提供两个已调整信号，其中一个信号具有比输入信号更高的值而另一个信号具有关于基准值的负数值，该电路包括单个电感元件。

本发明实施例的另一个目的是提供一种电路，包括当与其中一个变换器关联的负载不需要电源时能够禁止这个变换器的操作并且提供未使用的电源给另一个变换器的元件。

因而，本发明一个实施例的目的是提供一种能够基于D.C.输入电压提供两个已调整电压的电源电路，包括升压变换器和升降压变换器，该电路包括升压变换器和升降压变换器共用的单个电感元件。

根据本发明一个实施例，该电路进一步包括用于改变两个变换器之间的断路周期的装置。

根据本发明一个实施例，当与一个变换器关联的负载不需要电源时，该装置分配它的断路周期给另一个变换器以提供存储在电感元件中的电能给该变换器。

根据本发明一个实施例，每个变换器包括单向偶极子、电容元件和断路器开关，每个断路器开关由能够控制已调整电压的控制电路控制。

根据本发明一个实施例，该控制电路包括逻辑电路和用于比较已调整电压与基准已调整电压的电路。

根据本发明一个实施例，该比较电路包括：第一和第二比较器，分别比较第一已调整电压与第一基准已调整电压以及第二已调整电压与第二基准已调整电压，并且提供第一和第二比较信号；斜坡发生器；第三和第四比较器，分别比较第一比较信号与斜坡发生器产生的信号以及第二比较信号与斜坡发生器产生的信号，第三和第四比较器的输出端连接到逻辑电路的输入端；以及第五和第六比较器，分别比较第一比较信号与第一基准禁止信号以及第二比较信号与第二基准禁止信号，第五和第六比较器的输出端连接到逻辑电路的输入端。

根据本发明一个实施例，第一和第二基准禁止信号等于斜坡发生器提供的最小电压加上范围在20到200mV之间的电压。

根据本发明一个实施例，当与两个变换器关联的负载不需要电源时，该逻辑电路能够断开这两个开关。

根据本发明一个实施例，每个断路器开关由MOS晶体管形成。

本发明一个实施例进一步提供一种用于控制诸如上文限定的电源电路的方法，其中，在第一个半周期期间，D.C.输入电压施加在电感元件两端以存储电能在电感元件中，此后该电感元件被控制来传送已存储的电能给电压阶跃变换器，在第二个半周期期间，D.C.输入电压施加在电感元件两端以存储电能在电感元件中，此后该电感元件被控制来传送已存储的电能给升降压变换器。

结合附图，下文将详细论述本发明的前述目的、特征和优点，不限于具体实施例的描述。

附图说明

如先前描述的，图1示出了单色LCD的像素或彩色LCD的子像素；

如先前描述的，图2部分地示出了液晶显示屏及其行控制电路的等效电路图；

如先前描述的，图3示出了用于给图2电路供电的电路的已知例子；

图4示出了根据本发明一个实施例的电源电路；

图5A到5D说明了图4电路的操作；

图6示出了图4电路的控制电路；

图7A到7G是说明图6电路的常规操作的时序图；

图8A到8G是说明图6电路在具体情况中的操作的时序图；

图9示出了根据本发明一个实施例的电路的变形；

图10A到10I是说明图9电路的操作的时序图；

图11A到11D说明图9电路在不同电路控制配置中的操作。

具体实施方式

应当指出，在下文描述中，不同附图中的相同元件使用相同的参考标记标明。

为了清楚简明，只有有助于理解本发明的那些元件被示出并且将被描述。特别地，不会详细描述升压变换器和升降压变换器的精确操作。

图4说明了根据本发明一个实施例的基于单个D.C.输入电压V_in产生两个已调整电压信号V_ON和V_OFF的电路50，该电路50包括单个电感元件。该电路包括形成能够产生信号V_ON的升压变换器的第一部分B和形成能够产生信号V_OFF的升降压类型的变换器的第二部分BB。

该电路包括：在施加D.C.输入电压V_in的两个端子之间的串联连接的开关M2、开关M1和电感元件L，电感元件L放置在开关M1和M2之间。开关M2的一个端子接地并且由控制信号K2控制。开关M1由控制信号K1控制。

包括一个单向偶极子(例如二极管D2)和一个电容元件(例如电容C2)的支路从开关M2和电感元件L的接点开始。二极管D2的阴极连接到开关M2和电感元件L的接点并且电容C2的一个端子接地。电容C2两端的电压V_OFF被测量，与电容C2并联连接的负载被供电(未示出)。

包括一个单向偶极子(例如二极管D1)和一个电容元件(例如电容C1)的支路从电感元件L和开关M1的接点开始。二极管D1的阳极连接到电感元件L和开关M1的接点并且电容C1的一个端子接地。电容C1两端的电压V_ON被测量，与电容C1并联连接的负载被供电(未示出)。

图5A到5D示出了图4电路在四个操作阶段S1到S4的各个状态。图5A和5B的步骤S1和S2是涉及升压变换器的步骤，而图5C和5D的步骤S3和S4是涉及升降压变换器的步骤。以阻抗Z1和Z2形式示出的负载(典型的是屏幕行)分别与电容C1和C2并联连接。

在图5A所示的步骤S1中，提供控制信号K1和K2使得开关M1和M2接通。于是电压V_in施加在电感元件L两端，这使得磁功率存储在电感元件中。在这个步骤期间，二极管D1和D2断开并且负载Z1和Z2能够消耗分别存储在电容C1和C2中的电能。

在图5B所示的步骤S2中，提供控制信号K1和K2使得开关M1断开而开关M2接通。于是存储在电感元件中的电能被传送给升压电路B，从而传送给二极管D1、电容C1和负载Z1。这个步骤是第一个空程阶段。

在图5C所示的步骤S3中，该电路具有与图5A的步骤相同的配置，即，开关M1和M2接通。这能够通过磁功率对电感元件L进行充电。

在图5D所示的步骤S4中，提供控制信号K1和K2使得开关M2断开而开关M1接通。于是存储在电感元件中的电能被传送给升降压电路BB，即，传送给二极管D2、电容C2和负载Z2。这个步骤是第二个空程阶段。

从而，一个时钟周期结束，产生电压V_ON和V_OFF的步骤轮流进行并且一个周期包括两个将电能存储在电感元件中的步骤和两个空程步骤。

图6详细说明了用于驱动控制电压V_ON和V_OFF的开关M1和M2的电路58的一个例子。在图6中，所示的开关M1和M2作为断路模式中操作的晶体管，例如，晶体管M1具有N通道而晶体管M2具有P通道。晶体管M1和M2的栅极连接到逻辑电路60(LOGIC)的输出端，逻辑电路60与时钟发生器(未示出)发送的时钟Q同步并且包括由比较电路61产生的两个输入端PWM1和PWM2。

比较电路61包括四个输入端，其中两个接收电压V_ON和V_OFF，另外两个接收基准信号V_REFON和V_REFOFF。第一比较器62(COMP_ON)用于提供表示信号V_REFON和V_ON之间差值的信号VE1，而第二比较器64(COMP_OFF)用于提供表示信号V_REFOFF和V_OFF之间差值的信号VE2。从而，信号VE1和VE2与信号V_ON和V_OFF的变化成反比。

第一比较器68接收其一个输入端上的信号VE1及其另一个输入端上由斜坡发生器66(SLOPE)产生的信号。第二比较器70接收其一个输入端上的信号VE2及其另一个输入端上由斜坡发生器66产生的信号。第一和第二运算放大器68和70的输出端分别被称作为PWM1和PWM2。

逻辑电路60接收位于其输入端的信号PWM1和PWM2并且发送用于驱动晶体管M1和M2的信号K1和K2。

图7A到7G是说明图6电路在常规操作情况中的操作时序图。图7A示出了时钟信号Q，图7B示出了由斜坡发生器66产生的信号以及信号VE1和VE2，图7C和7D分别示出了信号PWM1和PWM2，图7E和7F分别示出了晶体管M1和M2的状态，图7G示出了流经电感元件L的电流I_L。

描述了当时钟信号Q处于高状态时，图6的电路作为升压变换器(步骤S1和S2)运行的情况中的操作，以及当时钟信号Q处于低状态时，图6的电路作为升降压变换器(步骤S3和S4)运行的情况中的操作。应当指出反之也是可行的。

当时钟信号Q转换为高状态时，升压类型(B)半周期的第一步骤S1开始于时间t0。在时间t0，斜坡发生器66的信号(slope)最小而电压VE1和VE2大于斜坡发生器66的信号，设置信号PWM1和PWM2为高状态并且接通晶体管M1和M2。

在时间t1，信号VE2变得比斜坡发生器66的信号小，这使得信号PWM2转换为低状态。在时间t2，信号VE1变得比斜坡发生器66的信号小，这使得信号PWM1转换为低状态(步骤S2)。在时间t3，时钟Q转换为低状态(步骤S3，升降压半周期)，复位斜坡发生器66的信号并且使得信号PWM1和PWM2转换为高状态(于是电压VE1和VE2大于信号slope)。在时间t4，信号slope变得比信号VE2大(步骤S4)，这使得信号PWM2转换为低状态，在时间t5，信号slope变得比信号VE1大，这使得信号PWM1转换为低状态。在时间t6，时钟信号Q转回到高状态(步骤S1)，复位斜坡发生器66的信号slope并且开始一个新的升压类型的半周期。

满足如下逻辑方程式：和

从而，在时间t0和t2之间，开关M1和M2接通，使得电感元件L中的电流I_L流动并且增大。在时间t2和t3之间，开关M1断开并且电流I_L减小，这个电流被“转送”给升压电路(空程)。在时间t3和t4之间，开关M1和M2接通，增大流经电感元件L的电流值，在时间t4和t6之间，开关M2断开并且电流I_L减小(空程)，这个电流由升降压电路“转送”。

在图7A到7G所示的第一周期中，升压变换器和升降压变换器为中断类型，即，在时间t3和t6，电感元件L中的电流I_L为零。

在所示的第二周期(特征在于引用第一周期的时间加上了“’”)，该操作是连续-间断。自电压VE1发生变化以后，由于位于升压电路输出端的电压V_ON发生变化(放置负载使得这个电流消耗更多电源)，时间t6和t2’之间的时间间隔增大而时间t2’和t3’之间的时间间隔减小。由于升压半周期B是“连续”类型，在时间t3’，电感元件L中的电流I_L不为零。然而升降压模式在第二周期仍然保持间断。

图8A到8G说明了图6的电路在其中一个负载几乎不消耗电源的具体情况中的操作的时序图。

这些附图中所示的第一周期类似于图7A到7G的第二周期(连续/间断)。第二周期开始于时间t0”，在这个第二周期的步骤S1和S2期间(在时间t0”和t3”之间，时钟Q处于高状态)，该操作按照常规执行(升压类型半周期)。在时间t3”，电感元件L中的电流不为零。

理论上升降压类型的半周期(BB)开始于时间t3”。这时，信号VE2小于斜坡发生器66提供的信号(slope)。这可能是由于实际上与升降压变换器关联的负载Z2没有消耗电源或更多电源(例如，断开的负载)。从而信号PWM2在时间t3”以及时间t3”和t6”之间保持低状态。开关M2在时间t3”断开并且保持断开直到时间t6”。因而，在升降压半周期的时间t3”和t6”之间，存储在电感元件L中的电能被转送给升降压变换器(步骤S4，图8G的阴影部分)，尽管与这个电路关联的负载Z2不需要额外的电源。从而，过电压出现在升降压变换器的输出端。

优选的是避免过电压并且当所述变换器不需要电源时重新分配最初用于升压变换器或升降压变换器其中一个的电源给另一个变换器。

图9说明了用于产生电压V_OFF和V_ON的电路的另一个实施例。所示电路包括图6电路的所有元件并且在比较电路61中进一步包括两个比较器72和74，例如，其输出端提供给逻辑电路60(LOGIC)的输入端的运算放大器的。

比较器72接收信号VE1和基准信号V_REFB作为输入并且发送输出OVB给逻辑电路60的输入端。比较器74接收信号VE2和基准信号V_REFBB作为输入并且发送输出OVBB给逻辑电路60的输入端。

逻辑电路60被提供来执行下述逻辑运算：

$K1=[((\stackrel{\‾}{Q}+\mathrm{PWM}1).\stackrel{\‾}{\mathrm{OVBB}}+\left(Q.\mathrm{PWM}1\right).\mathrm{OVBB})+\mathrm{OVB}].(\stackrel{\‾}{\mathrm{OVB}}+\stackrel{\‾}{\mathrm{OVBB}}),$ 和

在图10A到10I的时序图中示出了图9电路的操作，其示出了时钟信号Q(图10A)，信号VE1、VE2，由斜坡发生器66产生的信号(slope)，V_REFON和V_REFOFF(图10B)、信号PWM1(图10C)、PWM2(图10D)、OVB(图10E)和OVBB(图10F)、晶体管M1(图10G)和M2(图10H)的状态，以及电流I_L的曲线图(图10I)。

在所示的例子中，电压V_REFOFF和V_REFON稍微大于斜坡发生器66提供的最小电压，例如比该电压高20到200mV之间的电压，例如，选择100mV。应当指出，根据期望使用的电路，对于不对称操作，电压V_REFOFF和V_REFON也可以彼此不同。

所示的第一个升压半周期(步骤S1和S2)按照常规操作，电感元件L中的电源被提供给升压变换器。第一个升降压半周期(步骤S3和S4)按照常规操作开始，开关M1和M2接通，在开关M1断开之后，电感元件L中的电流I_L增加，然后减少。在这个半周期的第二部分(空程S4)的时间T1，电压VE2变得小于电压V_REFON，信号OVBB转换为高状态。于是电路操作被调整。只要信号OVBB在升降压半周期期间处于高状态，开关M2被强制接通，禁止升降压变换器的操作，开关M1被强制断开，如果电能在升降压变换器BB开始时被存储在电感元件中，则提供这个电源给升压变换器。在升压半周期期间，电路操作按照常规进行(在第一阶段S1开关M1为接通，在第二阶段S2开关M1为断开)。

在所示的整个半周期期间信号OVBB处于高状态。因而，一旦升压半周期已经完成(步骤S1和S2)，步骤S3和S4专用于升压电路，这延长了步骤S2。

在时间T2(例如，在升压周期B的步骤S1期间)，信号VE2变得大于信号V_REFON，这强制信号OVBB变为低状态并且使得电路按照常规进行操作。

因而，当与一个变换器关联的负载不需要电源并且要求重新分配超额的电源(如果半周期是连续的)给另一个变换器时，图9所示的电路能够禁止两个变换器中的一个。此外，在与变换器关联的两个负载不需要电源的情况中(信号OVB和OVBB处于高状态)，逻辑电路60被提供来控制开关M1和M2的断开，使得电路断开。

图11A到11D说明了在周期S1到S4期间，根据信号OVB和OVBB的不同状态图9电路的操作。

图11A说明了当信号OVB和OVBB处于低状态时该电路的常规操作。于是该操作与图5A到5D描述的相关操作相同。在步骤S1，开关M1和M2接通，存储电能在电感元件L中。在步骤S2期间(M1断开，M2接通)，存储在电感元件L中的电能被提供给升压变换器(C1和Z1)。在步骤S3，开关M1和M2重新回到接通状态以存储电能在电感元件L中，并且在步骤S4(M1接通，M2断开)，存储在电感元件L中的电能被提供给升降压变换器(C2和Z2)。

图11B说明了当信号OVB处于低状态而信号OVBB处于高状态时电路的操作。在步骤S1期间，两个开关M1和M2接通，存储电能在电感元件L中。在步骤S2期间(M1断开，M2接通)，存储在电感元件L中的电能被提供给升压变换器(C1和Z1)。在步骤S3和S4，和通常的操作相反(M1和M2接通，然后M2断开)，该电路保持步骤S3的配置，仍然能够转送电源给升压变换器B。

图11C说明了当信号OVB处于高状态而信号OVBB处于低状态时电路的操作。在步骤S1和S2，和通常的操作相反(M1和M2接通，然后M1断开)，该电路保持发送电源给升降压电路的配置，即，开关M2断开而开关M1接通。在步骤S3，开关M1和M2接通，存储电能在电感元件L中并且该周期的第四个步骤是升降压类型(M2断开，M1接通)，存储在电感元件L中的电能被提供给升降压电路(C2和Z2)。

图11D说明了当信号OVB和OVBB处于高状态时电路的操作。在这种情况中，该电路在所有操作步骤S1到S4期间保持断开，即，开关M1和M2断开。

从而，有利的，当与一个变换器关联的负载不需要电源时，所提供的电路能够重新分配存储在电感元件中的电能给其中另一个变换器。因而这种电路能够避免在变换器的输出端形成过电压，从而更好地分配由升压变换器和升降压变换器提供的电源。

本发明的具体实施例已经描述了。本领域技术人员应当理解各种改变和修改。特别地，在附图中，所示的开关M1和M2作为特殊的MOS晶体管。应当指出，形成可控开关的任意类型的设备可以用于形成开关M1和M2。类似地，电感元件L以及电容元件C1和C2可以是任何已知的类型，例如，串联或并联连接的若干个电感或电容元件。应当进一步指出，比较电路61的比较器，特别是比较器68和70可以是磁滞比较器。此外，除了与LCD关联的电子电路以外，这里公开的电源电路能够对任何适配电路供电，例如，有机发光二极管显示(OLED)。

Claims (7)

1.一种能够基于D.C.输入电压(V_in)提供两个已调整电压(V_ON，V_OFF)的电源电路，包括升压变换器(B)和升降压变换器(BB)，其中升压变换器和升降压变换器共用电感元件(L)，每个变换器包括由控制电路(58)控制的断路器开关(M1，M2)，该控制电路(58)包括逻辑电路(60)和比较电路(61)，该比较电路(61)包括：

第一和第二比较器(62，64)，分别比较第一已调整电压(V_ON)与第一基准已调整电压以及第二已调整电压(V_OFF)与第二基准已调整电压(V_REFOFF)，并且提供第一和第二比较信号(VE1，VE2)；

斜坡发生器(66)；

第三和第四比较器(68，70)，分别比较第一比较信号(VE1)与斜坡发生器产生的信号以及第二比较信号(VE2)与斜坡发生器产生的信号，第三和第四比较器的输出端(PWM1，PWM2)连接到逻辑电路(60)的输入端；以及

第五和第六比较器(72，74)，分别比较第一比较信号(VE1)与第一基准禁止信号(V_REFB)以及第二比较信号(VE2)与第二基准禁止信号(V_REFBB)，第五和第六比较器的输出端连接到逻辑电路的输入端。

2.根据权利要求1的电路，其中每个变换器包括单向偶极子(D1，D2)和电容元件(C1，C2)。

3.根据权利要求1的电路，其中第一和第二基准禁止信号等于斜坡发生器(66)提供的最小电压加上范围在20到200mV之间的电压。

4.根据权利要求1的电路，其中当与两个变换器关联的负载不需要电源时，该逻辑电路(60)能够断开所述升压变换器(B)和所述升降压变换器(BB)的所述断路器开关(M1，M2)。

5.根据权利要求1的电路，其中适于控制第一断路器开关(M1)的逻辑电路(60)的第一输出端发送满足下述逻辑等式的信号：

$K1=[((\stackrel{\‾}{Q}+\mathrm{PWM}1).\stackrel{\‾}{\mathrm{OVBB}}+(Q.\mathrm{PWM}1).\mathrm{OVBB})+\mathrm{OVB}].(\stackrel{\‾}{\mathrm{OVB}}+\stackrel{\‾}{\mathrm{OVBB}}),$ 以及

适于控制第二断路器开关(M2)的逻辑电路(60)的第二输出端发送满足下述逻辑等式的信号：

Q是时钟信号，是时钟信号的逆信号，PWM1、PWM2、OVB和OVBB分别是第三、第四、第五和第六比较器的输出信号，和分别是OVB和OVBB的逆信号。

6.根据权利要求1的电路，其中每个断路器开关(M1,M2)由MOS晶体管形成。

7.一种用于控制权利要求1所述电源电路的方法，其中：

在第一个半周期期间，D.C.输入电压(V_in)施加在电感元件(L)两端以存储电能在电感元件中，此后该电感元件被控制来传送已存储的电能给升压变换器(B)；以及

在第二个半周期期间，D.C.输入电压施加在电感元件两端以存储电能在电感元件中，此后该电感元件被控制来传送已存储的电能给升降压变换器(BB)。