CN101997011A - 光电检测器和显示器件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及光电检测器和显示器件，入射到光电转换元件的光量在防止来自光透射基板下方的背光的杂散光入射到光电转换元件的同时得到了增加。光阻挡层由在相对光传播方向的一侧相互重叠的覆盖在光透射基板之上的光电转换元件的彩色滤光片与覆盖在相邻像素内的光电转换元件的彩色滤光片来形成。另外，通过在彩色滤光片之上提供微透镜，按常规不被检测到的光被聚集于光电转换元件，并且因此入射到光电转换元件的光量得以增加。

Description

光电检测器和显示器件
技术领域
本发明的一个实施例涉及包括光电二极管的光电检测器，以及包括光电二极管的显示器件。
背景技术
专利文献1公开了具有使用光电传感器的输入功能的液晶显示器件。特别地，液晶显示器件包括在光透射基板之上的开关元件和光电转换元件。光透射基板的厚度是70μm～100μm。具有此厚度的光透射基板防止了来自光透射基板下方的背光的杂散光入射到光电转换元件上。另一方面，来自位于光电转换元件之上的待检测对象的光入射到光电转换元件上。
[专利文献1]日本公开专利申请No.2005-10690。
发明内容
光电转换元件(光电二极管)的光敏感度随着入射光的量的增加而增加。但是，在将光电二极管形成于显示部分内的情形中，鉴于孔径率(aperture ratio)，要增加光电二极管的光接收部分的面积是困难的。因此，要保证足够量的光入射到光电二极管是困难的，并且难以增加光敏感度。另外，在来自背光的光或者来自待检测对象的光(斜照光)的一部分入射到光电转换元件的情形中，不应当被检测的光也被检测到了，这导致了光电转换元件的光电检测精度的下降。
鉴于以上问题，本发明的实施例公开了在增加入射到光电二极管的光量的同时，能够防止来自背光的光(杂散光)入射到光电二极管并且能够防止来自待检测对象的斜射光(杂散光)入射到光电二极管的结构。
本发明的实施例是光电检测器，该光电检测器包括在光透射基板之上的第一光阻挡层和第二光阻挡层；在第一光阻挡层之上的第一光电二极管；在第二光阻挡层之上的第二光电二极管；覆盖第一光电二极管的第一彩色滤光片；覆盖第二光电二极管的第二彩色滤光片；以第一光电二极管和第二光电二极管之间的第一光电彩色滤光片和第二彩色滤光片形成的第三光阻挡层；以及在第一光电二极管和第二光电二极管之上的透镜。
本发明的光电检测器包括在光透射基板之上的第一光电二极管和第二光电二极管；覆盖第一光电二极管的第一彩色滤光片；覆盖第二光电二极管的第二彩色滤光片；在第一彩色滤光片之上的第一微透镜；在第二彩色滤光片之上的第二微透镜；以及以第一光电二极管和第二光电二极管之间的第一彩色滤光片和第二彩色滤光片形成的光阻挡层。
本发明的光电检测器包括在光透射基板之上的第一光电二极管和第二光电二极管；在第一光电二极管之上的第一微透镜；在第二光电二极管之上的第二微透镜；覆盖第一微透镜的第一彩色滤光片；覆盖第二微透镜的第二彩色滤光片；以及以第一光电二极管和第二光电二极管之间的第一彩色滤光片和第二彩色滤光片形成的光阻挡层。
本发明的光电检测器包括在光透射基板之上的第一光阻挡层和第二光阻挡层；在光透射基板、第一光透射光阻挡层、及第二光阻挡层之上并且与它们接触的光透射绝缘膜；在第一光阻挡层之上的第一光电二极管，光透射绝缘膜介于它们之间；在第二光阻挡层之上的第二光电二极管，光透射绝缘膜介于它们之间；覆盖第一光电二极管的第一彩色滤光片；覆盖第二光电二极管的第二彩色滤光片；在第一彩色滤光片之上的第一微透镜；在第二彩色滤光片之上的第二微透镜；以及以第一光电二极管和第二光电二极管之间的并排布置的第一彩色滤光片和第二彩色滤光片形成的第三光阻挡层。
本发明的光电二极管包括在光透射基板之上的第一光阻挡层和第二光阻挡层；在光透射基板、第一光阻挡层、及第二光阻挡层之上并且与它们接触的光透射绝缘膜；在第一光阻挡层之上的第一光电二极管，光透射绝缘膜介于它们之间；在第二光阻挡层之上的第二光电二极管，光透射绝缘膜介于它们之间；在第一光电二极管之上的第一微透镜；在第二光电二极管之上的第二微透镜；覆盖第一微透镜的第一彩色滤光片；覆盖第二微透镜的第二彩色滤光片；以及以第一光电二极管和第二光电二极管之间的并排布置的第一彩色滤光片和第二彩色滤光片形成的第三光阻挡层。
本发明的显示器件包括背光；在背光之上的第一光透射基板；在第一光透射基板之上的液晶层；在液晶层之上的第二光透射基板；在第二光透射基板之上的第一光阻挡层和第二光阻挡层；在第一光阻挡层之上的第一光电二极管；在第二光阻挡层之上的第二光电二极管；覆盖第一光电二极管的第一彩色滤光片；覆盖第二光电二极管的第二彩色滤光片；在第一彩色滤光片之上的第一微透镜；在第二彩色滤光片之上的第二微透镜；以及以第一光电二极管和第二光电二极管之间的第一彩色滤光片和第二彩色滤光片形成的第三光透射层。
本发明的显示器件包括第一光透射基板；在第一光透射基板之上的发光层；在发光层之上的第二光透射基板；在第一光阻挡层之上的第一光透射二极管；在第二光阻挡层之上的第二光电二极管；覆盖第一光电二极管的第一彩色滤光片；覆盖第二光电二极管的第二彩色滤光片；在第一彩色滤光片之上的第一微透镜；在第二彩色滤光片之上的第二微透镜；以及以第一光电二极管和第二光电二极管之间的第一彩色滤光片和第二彩色滤光片形成的第三光阻挡层。
当将具有适当焦点的微透镜形成于像素部分内时，透射穿过微透镜的光被聚集到每个光电二极管，这允许以高敏感度来检测即便低强度的入射光。另外，所聚集的光量的增加使减少光电传感器的面积以及降低电路的面积成为可能。
而且，焦点不在光电二极管上的光(杂散光)由包括彩色滤光片的光阻挡层所阻挡。换句话说，来自第一光电二极管上方的斜射光由第三光阻挡层所阻挡，以及来自第二光电二极管上方的斜射光由第三光阻挡层所阻挡。因此，第一光电二极管和第二光电二极管各自都没有检测到在第二光电二极管之上的光以及在第一光电二极管之上的光。第一光电二极管和第二光电二极管能够精确地检测到应当检测的光；因而，第一光电二极管和第二光电二极管的光敏感度能够得以提高。
附图说明
图1A和1B是示出作为本发明的一种模式的实施例1的横截面视图。
图2是示出作为本发明的一种模式的实施例1的横截面视图。
图3A到3C是示出作为本发明的一种模式的实施例1的横截面视图。
图4A和4B是示出作为本发明的一种模式的实施例1的横截面视图。
图5A到5C是示出作为本发明的一种模式的实施例1的横截面视图。
图6是示出作为本发明的一种模式的实例1的横截面视图。
图7是示出作为本发明的一种模式的实例1的顶视图。
图8是示出作为本发明的一种模式的实例2的横截面视图。
图9A到9F是示出作为本发明的一种模式的实例3的应用的示图。
图10是示出作为本发明的一种模式的实例4的应用的示图。
具体实施方式
以下，将描述本发明的实施例和实例。注意，本发明能够以许多不同的模式来实施，并且本领域技术人员容易理解，本发明的模式和细节在不脱离本发明的目的和范围的情况下能够以各种方式来修改。因此，本发明不应该被看作仅限于实施例和实例中的描述。
(实施例1)
作为本发明的一种模式的光电检测器将被描述(图1A)。图1A是光电二极管的横截面视图。
作为本发明的一种模式的光电检测器包括在具有光透射性质的基板1之上的第一光阻挡层2和第二光阻挡层3，在第一光阻挡层2之上的第一光电二极管4，在第二光电二极管3之上的第二光电二极管5，覆盖第一光电二极管4的第一彩色滤光片6，以及覆盖第二光电二极管5的第二彩色滤光片7。光电检测器包括以第一光电二极管4和第二光电二极管5之间的第一彩色滤光片6和第二彩色滤光片7形成的第三光阻挡层8。光电检测器还包括在第一彩色滤光片6和第二彩色滤光片7之上的微透镜9，第三光透射绝缘膜13介于它们之间。
为了使光聚集到光电二极管，以折射率高于围绕物的材料形成平凸透镜使之为微透镜9。作为选择，微透镜可以用相互垂直取向的两个圆柱形透镜来形成。作为进一步选择，在使用折射率低于围绕物的材料的情形中，可以形成凹透镜。
如果微透镜被形成为使得透镜覆盖每个像素的全部区域，发射穿过孔径区域的背光的光程则被改变，这导致显示图像失真。微透镜9优选仅形成于光电二极管的直接上方使得没有不利地影响显示图像。
通过适当地选择微透镜9的形状或材料，能够将微透镜9设置具有最优的焦距。调整第二光透射绝缘膜12、第三光透射绝缘膜13、及彩色滤光片的厚度使得第一光电二极管4或第二光电二极管5位于焦点。
注意，微透镜可以形成于彩色滤光片之下(图1B)。在那种情况下，第二光透射绝缘膜12的厚度优选根据焦距来适当地调整。
第三光阻挡层8以并排布置的第一彩色滤光片6和第二彩色滤光片7来形成。换句话说，第一彩色滤光片6的一端和第二彩色滤光片7的一端并排地布置。这部分用作第三光阻挡层8。
以第三彩色滤光片10和第一彩色滤光片6形成的第四光阻挡层15可以被提供于第一光电二极管4的与第三光阻挡层8所提供的那侧相对的一侧上。第三彩色滤光片10的一端和彩色滤光片6的另一端并排地布置，并且这部分用作第四光阻挡层15。另外，以第三彩色滤光片10和第二彩色滤光片7形成的第五光阻挡层16可以被提供于第二光电二极管5的与第三光阻挡层8所提供的那侧相对的一侧上。第三彩色滤光片10的一端和彩色滤光片7的另一端并排地布置，并且这部分用作第五光阻挡层16。
第一光透射绝缘膜11可以被提供于基板1、第一光阻挡层2、及第二光阻挡层3之上并且与它们接触。第一光电二极管4可以形成于第一光阻挡层2之上，第一光透射绝缘膜11介于它们之间。第二光电二极管5可以形成于第二光阻挡层3之上，第一光透射绝缘膜11介于它们之间。可以形成第三光阻挡层8使其与第一光透射绝缘膜11接触。
第二光透射绝缘膜12可以形成于第一光透射绝缘膜11、第一光电二极管4、及第二光电二极管5之上。第一彩色滤光片6可以形成于第一光电二极管4之上，第二光透射绝缘膜12介于它们之间。第二彩色滤光片7可以形成于第二光电二极管5之上，第二光透射绝缘膜12介于它们之间。
使用作为本发明的一种方式的光电检测器的光电检测方法将在下面描述(图2)。从在具有光透射性质的基板1下方的背光20发射出的光21穿过基板1和第一彩色滤光片6或第二彩色滤光片7并且由待检测的部分22反射。被待检测的部分22反射的光23和光24由微透镜聚集并且由第一光电二极管4检测。另外，被待检测的部分22反射的光25和光26由微透镜聚集并且由第二光电二极管5检测。
注意，所反射的光24和光26在缺少微透镜时没有被检测到，因为光24和光26没有进入第一光电二极管4或第二光电二极管5。另一方面，通过使用本实施例的结构，光24和光26由微透镜9聚集到光电二极管并且能够分别由第一光电二极管4和第二光电二极管5检测到。
来自背光的光21的一部分变成了指向第一光电二极管4和第二光电二极管5的光27。但是，光27由第一光阻挡层2和第二光阻挡层3吸收或反射。因此，光27没有入射到第一光电二极管4和第二光电二极管5上并因此没有被检测到。另一方面，在专利文献1内的结构中，光27有可能被第一光电二极管4和第二光电二极管5检测到，因为没有设置第一光阻挡层2和第二光阻挡层3。
从待检测的部分22反射的光的一部分变成了光28和光29。光28和光29每个都是斜射光。光28斜向地指向第二光电二极管5。光29斜向地指向第一光电二极管4。但是，光28由第三光阻挡层8所阻挡。因而，光28没有入射第二光电二极管5并且因此没有被检测到。光29由第三光阻挡层8所阻挡。因而，光29没有入射第一光电二极管4并且因此没有被检测到。另一方面，在专利文献1内的结构中，没有设置第三光阻挡层8，并且因此光28由第二光电二极管5检测到并且光29由第一光电二极管4检测到。
在第一光电二极管4和第二光电二极管5之间的光阻挡层8以并排布置的第一彩色滤光片6和第二彩色滤光片7来形成。第三光阻挡层8能够以其中分散有黑色材料的或分散有黑色细颗粒的金属膜或树脂膜来形成。但是，在那种情况下，显著地增加了制造步骤的数量。在本发明的一种模式中，第三光阻挡层以并排布置的第一彩色滤光片6和第二彩色滤光片7来形成，并且因而没有增加制造步骤的数量。另外，光21能够由第一彩色滤光片6、第二彩色滤光片7、及第三彩色滤光片10着色，这使光电检测器能够被用作颜色传感器。
当第一光电二极管4和第二光电二极管5形成于第一光透射绝缘膜11之上并与其接触以及第三光阻挡层形成于第一光透射绝缘膜11之上并与其接触时，斜射光28和29能够被可靠地阻挡。
光电二极管的元件将在下面描述。
基板1透射可见光并且优选具有10μm～200μm的厚度。例如，能够使用具有挠性并且透射可见光的塑料基板，或者透射可见光的无机材料基板。塑料基板的材料的实例包括：以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)为典型的聚酯；聚醚砜(PES)；聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)；聚碳酸酯(PC)；聚醚醚酮(PEEK)；聚砜(PSF)；聚醚酰亚胺(PEI)；聚芳酯(PAR)；聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)；聚酰亚胺；丙烯腈-丁二烯苯-乙烯树脂；聚氯乙烯；聚丙烯；聚醋酸乙烯酯；以及丙烯酸树脂。无机材料基板的实例包括玻璃基板、石英基板、及类似物。
第一光阻挡层2防止了来自背光20的光27入射第一光电二极管4。第二光阻挡层3防止了来自背光20的光27入射第二光电二极管5。第一光阻挡层2和第二光阻挡层3能够是岛状的。第一光阻挡层2和第二光阻挡层3使用能够阻挡光的材料通过溅射法、CVD法，或涂覆法来形成。作为能够阻挡光的材料，能够使用，例如，主要含有铬的材料、含有炭黑的树脂，或含有诸如其氧化值比二氧化钛的氧化值小的低价氧化钛的黑色颜料的树脂。
第一光电二极管4检测到由待检测的部分22反射并且由微透镜聚集的光23和光24。第二光电二极管5检测到由待检测的部分22反射并且由微透镜聚集的光25和光26。
第一光电二极管4和第二光电二极管5每个都是PIN二极管(图3B或3C)或PN二极管(图4A或4B)。第一光电二极管4和第二光电二极管5使用半导体膜形成。PIN二极管包括p型导电区(p型层31)、i型导电区(i型层32)、及n型导电区(n型层33)。PN二极管包括p型层31和n型层33。p型层31、n型层33、及i型层32使用诸如硅的半导体的膜形成或者使用含有ZnO等的氧化物半导体膜形成。半导体膜可以是非晶的、微晶的、晶态的，或单晶的。
第一彩色滤光片6、第二彩色滤光片7、及第三彩色滤光片10是透射红光、蓝光，或绿光的彩色滤光片。相对光传播的方向相互重叠的两个或更多不同的彩色滤光片透射很少的可见光并且起着光阻挡膜的作用。另外，彩色滤光片对来自背光20的光21着色。被着色的光由待检测的部分22反射并且变成了光23到26、光28、及光29。
光23和24穿过第一彩色滤光片6并且然后由第一光电二极管4检测到。光25和26穿过第二彩色滤光片7并且然后由第二光电二极管5检测到。第一彩色滤光片6和第二彩色滤光片7分别覆盖第一光电二极管4和第二光电二极管5。
第一彩色滤光片6、第二彩色滤光片7、及第三彩色滤光片10在施加了颜料分散于其中的诸如丙烯酸基树脂的有机树脂之后通过光刻有选择地形成。作为选择，第一彩色滤光片6、第二彩色滤光片7、及第三彩色滤光片10能够在施加了颜料分散于其中的聚酰亚胺基树脂之后通过蚀刻有选择地形成。作为选择，第一彩色滤光片6、第二彩色滤光片7、及第三彩色滤光片10能够通过诸如喷墨法的液滴释放法有选择地形成。
第三光阻挡层8防止了从待检测的部分22反射的光的斜射光28和斜射光29分别由第二光电二极管5和第一光电二极管4检测到。在第一光电二极管4和第二光电二极管5之间的第三光阻挡层8如同以上所描述的那样形成，使得第一彩色滤光片6和第二彩色滤光片7相对光传播的方向相互重叠。在第一彩色滤光片6和第二彩色滤光片7之一被选择性地形成之后，第一彩色滤光片6和第二彩色滤光片7中的另一个被选择性地形成使得第一彩色滤光片6和第二彩色滤光片7相对斜射光28和斜射光29传播的方向相互重叠。
第一光透射绝缘膜11防止包含于基板1内的诸如Na的碱金属或碱土金属扩散进入第一光电二极管4和第二光电二极管5并且防止不利地影响特性。第一光透射绝缘膜11使用诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅，或氮氧化硅的绝缘材料通过CVD法、溅射法，或类似方法来形成。
通过将第一光电二极管4、第二光电二极管5、及第三光阻挡层8形成于第一光透射绝缘膜11之上并且与其接触，能够可靠地防止斜射光28和斜射光29分别由第一光电二极管4和第二光电二极管5检测到。
第二光透射绝缘膜12和第三光透射绝缘膜13防止来自外部的诸如Na的碱金属或碱土金属扩散进入第一光电二极管4和第二光电二极管5并且防止不利地影响特性。第二光透射绝缘膜和第三光透射绝缘膜每个都通过等离子体CVD法、溅射法，或类似方法使用任意下列膜的单层或叠层来形成：硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、以及含有诸如具有高平面度的有机树脂的有机材料的膜。注意，第二光透射绝缘膜12和第三光透射绝缘膜13优选地具有高平面度，因为微透镜形成其上。
微透镜使从待检测的部分22反射的光聚集到光电二极管。因为入射到光电二极管的光量增加了，所以光电二极管的敏感度能够得到增加。
用于形成微透镜的材料可以是具有高透射率且容易处理的任何材料。能够使用诸如硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜，或氮氧化硅膜的无机膜，或者树脂的无机膜。作为选择，可以将透镜形状的空腔设置于层间，并且可以用空气来填充或者可以是真空的。在凸透镜的情形中，材料被选择使得透镜相对堆叠其上的材料具有高的相对折射率(高于1.0)。在凹透镜的情形中，材料被选择使得透镜相对堆叠其上的材料具有低的相对折射率(低于1.0)。
例如，在以树脂形成微透镜的情形中，柱形的光致抗蚀剂图形通过光刻来制造，并且然后加热基板以使抗蚀剂流动并且透镜形状通过回流法由表面张力来形成。作为选择，可以通过使用喷墨打印头将少量的树脂材料滴到预定的位置，并且透镜形状可以通过表面张力来制造。
微透镜还能够通过以电子束绘制使得材料部分熔化且介电常数被改变而形成。在将透镜制造于对基板(counter substrate)侧上的情形中，透镜能够通过将球形透镜形状(具有曲率半径的规定值)形成于玻璃上并将它附着到另一玻璃而形成。
制造光电检测器的方法将在下面描述。
光阻挡膜使用能够阻挡光的材料通过溅射法、CVD法，或涂覆法形成于基板1之上(没有示出)。光阻挡膜通过光刻法和蚀刻法来处理，并且形成了第一光阻挡层2和第二光阻挡层3(图3A)。第一光阻挡层2和第二光阻挡层3可以通过用液滴释放法将能够阻挡光的材料选择性地施加于基板1而形成。光透射绝缘膜可以形成于基板1之上，并且第一光阻挡层2和第二光阻挡层3可以形成于绝缘膜之上。
第一光透射绝缘膜11通过溅射法、CVD法，或涂覆法形成于基板1、第一光阻挡层2、及第二光阻挡层3之上(图3A)。第一光透射绝缘膜11可以是单层膜或叠层膜。
第一光电二极管4和第二光电二极管5形成于第一光透射绝缘膜11之上(图3A)。
第一光电二极管4和第二光电二极管5每个都是PIN二极管或PN二极管。PIN二极管可以是横向结二极管(图3B)或纵向结二极管(图3C)。类似地，PN二极管可以是横向结二极管(图4A)或纵向结二极管(图4B)。横向结二极管如下形成：p型层31、i型层32、及n型层33通过离子掺杂或类似的形成于半导体膜内。纵向结二极管如下形成：p型层31使用p型半导体膜形成，i型层32使用i型半导体膜形成，以及n型层33使用n型半导体膜形成。按相反的顺序，同样可接受的是形成n型层33，形成i型层32，以及形成p型层31。p型层31和n型层33每个都设置有引出电极(没有示出)。
光透射绝缘膜形成于第一光透射绝缘膜11、第一光电二极管4、及第二光电二极管5之上(没有示出)。第二光透射绝缘膜12通过用光刻法和蚀刻法来处理绝缘膜而形成(图5A)。使间隔35变得足够大，因为第一彩色滤光片6和第二彩色滤光片7被并排地布置于第一光电二极管4和第二光电二极管5之间以形成第三光阻挡层。
在颜料分散于其中的有机树脂施加之后，有机树脂由光刻和蚀刻来处理以形成第一彩色滤光片6。然后，在颜色与第一彩色滤光片6的颜色不同的颜料分散于其中的有机树脂施加之后，有机树脂由光刻和蚀刻来处理以形成第二彩色滤光片7。第一彩色滤光片6和第二彩色滤光片7并排地布置于第一光电二极管4和第二光电二极管5之间以形成光阻挡层8。最后，在颜色与第一彩色滤光片6和第二彩色滤光片7的颜色不同的颜料分散于其中的有机树脂施加之后，有机树脂由光刻和蚀刻来处理以形成第三彩色滤光片10。第一彩色滤光片6和第三彩色滤光片10并排地布置以及第二彩色滤光片7和第三彩色滤光片10并排地布置以形成第三光阻挡层8(图5B)。
第三光透射绝缘膜13通过溅射法、CVD法，或涂覆法形成于第一彩色滤光片6、第二彩色滤光片7、及第三彩色滤光片10之上(图5C)。第三光透射绝缘膜13可以是单层膜或叠层膜。
在第三光透射绝缘膜13之上，形成了微透镜9使得直接位于第一光电二极管4和第二光电二极管5之上(图5C)。柱形的光致抗蚀剂图形以树脂通过光刻来制造，并且然后加热基板以使抗蚀剂流动并且透镜形状通过回流法由表面张力形成。作为选择，可以通过使用喷墨打印头将少量的树脂材料滴到预定的位置，并且透镜形状可以通过表面张力来制造。
透镜还能够通过以电子束绘制使得材料部分熔化且介电常数被改变而形成。在将透镜制造于对基板侧上的情形中，透镜能够通过将球形透镜形状(具有曲率半径的规定值)形成于对基板上并且将它附着于TFT形成基板(TFT formation substrate)而形成。通过以上步骤，能够制造光电检测器。
[实例1]
作为本发明的一种模式的液晶显示器件将被描述(图6和7)。图6是液晶显示器件的横截面视图，以及图7是液晶显示器件的像素部分的顶视图。
作为本发明的一种模式的显示器件具有光电检测部分A-A′和显示部分B-B′。
显示器件的像素部分的示意性顶视图在图7中示出。图6的光电检测部分A-A′部分对应于图7的A-A′部分，以及图6的显示部分B-B′对应于图7的B-B′部分。
注意，在本实例的液晶显示器件中的检测方法基本上与实施例1相似。从在具有光透射性质的基板1下方的背光发射出的光透射穿过基板1和第一彩色滤光片6或第二彩色滤光片7并且由待检测的部分反射。由待检测的部分反射的光由微透镜9聚集并且由第一光电二极管4和第二光电二极管5检测到。
像素112至少具有第二彩色滤光片7、第二光电二极管5、用于控制第二光电二极管5的信号读取的半导体元件113、以及与像素电极66连接的半导体元件65。类似地，像素111至少具有第一彩色滤光片6、第一光电二极管4、半导体元件114、及半导体元件115。像素120至少具有第三彩色滤光片10、光电二极管121、半导体元件122、及半导体元件123。
另外，在像素部分中，提供了与半导体元件113、半导体元件114、及半导体元件122的栅极连接的第一扫描线130，与半导体元件113、半导体元件114、及半导体元件122的源区或漏区连接的第一到第三信号线(没有示出)，与半导体元件65、半导体元件115、及半导体元件123的栅极连接的第二扫描线131，以及与半导体元件65、半导体元件115、及半导体元件123的源区或漏区连接的第四到第六信号线(没有示出)。
另外，像素111、像素112、及像素120可以各自具有存储电容器。
光电检测部分具有与实施例1中的结构相同的结构。第一光电二极管4和第二光电二极管5每个都是横向结PIN二极管。同样可接受的是第一光电二极管4和第二光电二极管5每个都是纵向结二极管。而且，同样可接受的是第一光电二极管4和第二光电二极管5每个都是PN二极管。另外，在直接于第一彩色滤光片6、第二彩色滤光片7、及第三彩色滤光片10的每个的上方的位置中提供了微透镜9。
第一光电二极管4具有包括p型层40、i型层41、及n型层42的半导体层101以及电极43和44。第二光电二极管5具有包括p型层45、i型层46、及n型层47的半导体层102以及电极48和49。
电极43和44形成于光透射绝缘膜51之上并且经由形成于光透射绝缘膜50和光透射绝缘膜51内的接触孔连接至半导体层101。电极48和49同样是类似的。
光透射绝缘膜52形成于光透射绝缘膜51以及电极43、44、48和49之上。第一彩色滤光片6、第二彩色滤光片7、及第三彩色滤光片10形成于光透射绝缘膜52之上。光透射绝缘膜50到52对应于实施例1的第二光透射绝缘膜12。
取向膜53形成于第一彩色滤光片6、第二彩色滤光片7、及第三彩色滤光片10之上。尽管没有示出，但是如果为了调整焦距、使微透镜形成表面平面化以及类似的目的所需，可以提供光透射绝缘膜。在这种情况下，光透射绝缘膜可以仅提供于光电检测部分内而不提供于显示部分内。在彩色滤光片之上所提供的取向膜53或光透射绝缘膜对应于实施例1的第三光透射绝缘膜13。
微透镜9被提供于取向膜53之上。微透镜9位于其下所设置的第一光电二极管4和第二光电二极管5的每一个的直接上方。
如同在实施例1中那样，第一光阻挡层2形成于第一光电二极管4之下，并且第二光阻挡层3形成于第二光电二极管5之下。
此外，如同在实施例1中那样，光阻挡层8形成于第一光电二极管4和第二光电二极管5之间，并且第三光阻挡层8以第一彩色滤光片6和第二彩色滤光片7来形成。当形成第三光阻挡层8使其与光透射绝缘膜11接触时，来自待检测对象的斜射光没有被第一光电二极管4或第二光电二极管5检测到。
第三光阻挡层8以并排布置的第一彩色滤光片6和第二彩色滤光片7来形成。第三光阻挡层8在与第一到第六信号线平行的方向上形成。如果这些信号线形成于孔径区域内，则孔径率被降低。因而，期望将第一到第六信号线形成于第三光阻挡层8之上或之下。
显示部分包括半导体元件65和液晶元件。半导体元件65具有包括源区和漏区的半导体层103、栅电极60、与源极接线电连接的电极61、以及与像素电极电连接的电极62。
半导体元件65是n型或p型晶体管并且具有包括源区和漏区的半导体层103、起着栅极绝缘膜的作用的光透射绝缘膜50、栅电极60、源电极61、及漏电极62。另外，光阻挡层可以形成于半导体元件65之上。尽管在图6中示出了顶栅晶体管，但是底栅晶体管能够代替来使用。而且，能够使用具有LDD或类似物的结构。
半导体元件65是用于施加电位来控制液晶元件的液晶层54的光偏振方向的开关。半导体元件113是用于控制第二光电二极管5的信号读取的开关。作为半导体元件65，能够使用以上所描述的半导体元件。半导体层102使用能够产生光电流的半导体膜(例如硅)来形成。半导体膜可以是非晶的、微晶的、晶态的，或单晶的。半导体元件113使用诸如硅的半导体的膜来形成或者使用包含ZnO或类似物的氧化物半导体来形成。半导体元件65和半导体元件113被提供于每个像素中。
第一光透射绝缘膜11是与实施例1中的第一光透射绝缘膜相同的。光透射绝缘膜50是栅极绝缘膜。光透射绝缘膜50使用诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅或氮氧化硅的绝缘材料形成。光透射绝缘膜50通过CVD法、溅射法、热氧化、热氮化、等离子体氧化、等离子体氮化、涂覆法，或类似方法来形成。光透射绝缘膜51和光透射绝缘膜52优选是具有平面性的绝缘膜。光透射绝缘膜51和光透射绝缘膜52每个都是任意以下膜的单层或叠层：氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、以及含有诸如有机树脂的有机材料的膜。光透射绝缘膜51和光透射绝缘膜52通过CVD法、溅射法、涂覆法，或类似方法来形成。
液晶元件具有像素电极66、液晶层54、及对电极56。对电极56形成于对基板57上，并且液晶层54介于像素电极66和对电极56之间。注意，对基板的厚度优选为70μm～100μm。另外，液晶层54由密封剂(没有示出)包围于基板1和对基板57之间。
在像素电极66之上，第一彩色滤光片6、第二彩色滤光片7、及第三彩色滤光片10之一被提供于每个像素中。在彩色滤光片之上，提供了取向膜53、液晶层54、取向膜55、对电极56、以及具有光透射性质的对基板57。间隔保持了基板1和对基板57之间的距离，换句话说，液晶层54的厚度。基板1和对基板57设置有光偏振板或类似物(没有示出)。另外，还可以设置延迟板或类似物。
对于像素电极66和对电极56，能够使用诸如氧化铟锡、含有氧化硅的氧化铟锡、有机铟、有机锡、氧化锌、含有氧化锌的氧化铟锌、含有镓的氧化锌、氧化锡、含有氧化钨的氧化铟、含有氧化钨的氧化铟锌、含有氧化钛的氧化铟、含有氧化钛的氧化铟锡，或类似的光透射导电材料。
取向膜53被提供于像素电极66和液晶层54之间，并且取向膜55被提供于对电极56和液晶层54之间。取向膜53和取向膜54能够使用诸如聚酰亚胺或聚乙烯醇的有机树脂来形成。表面经受诸如摩擦的取向处理以便使液晶分子按某一方向排列。摩擦能够通过在对取向膜施加压力的同时旋转以尼龙或类似的布料包裹的滚筒来执行使得取向膜的表面在某一方向上被摩擦。注意，通过使用诸如氧化硅的无机材料，每个都具有取向性质的取向膜53和55能够在不执行取向处理的情况下通过蒸发法直接形成。
液晶元件是结合没有示出的光偏振板用于确定是否允许来自背光的光和从待检测对象反射的光透射的开关。液晶元件可以是扭曲向列(TN)模式、垂直取向(VA)模式、光学补偿双折射(OCB)模式、面内切换(IPS)模式，或类似模式。注意，虽然在本实例中给出了其中液晶层54介于像素电极66和对电极56之间的液晶元件的实例，但是根据本发明的一种模式的触摸面板并不限定于这种结构。象IPS模式的液晶元件一样的其中一对电极形成于基板1一侧上的液晶元件也可以使用。
注意，液晶层54可以使用显出蓝相的液晶形成，对于该情形取向膜不是必要的。蓝相是液晶相之一，它在胆甾相液晶的温度增加时刚好在胆甾相变成各向同性相之前产生。由于蓝相仅出现于狭窄的温度范围内，因而将其中混合5wt.％或更多的手性剂的液晶组成用于液晶层54以便扩宽该温度范围。至于含有显出蓝相的液晶和手性剂的液晶组成，响应时间短至10μs～100μs，取向处理由于其光学各向同性而不是必要的，并且视角相关性是低的。
间隔(没有示出)保持了液晶层54的统一的厚度。间隔可以是柱形间隔也可以是球形间隔。间隔使用有机树脂、玻璃珠，或类似物来形成。
制造液晶显示器件的方法将在下面描述。液晶显示器件能够基本上通过在实施例1中所描述的方法来制造。
第一光阻挡层2、第二光阻挡层3、及光阻挡层58通过实施例1的方法形成于第一基板1之上，并且形成了第一光透射绝缘膜11。
第一光电二极管4、第二光电二极管5、以及半导体元件65形成于第一光透射绝缘膜11之上。第一光电二极管4和第二光电二极管5通过实施例1的方法来形成。在第一光电二极管4和第二光电二极管5是横向结二极管的情形中，它们能够通过与制造半导体元件65的步骤相同的步骤来制造。这将在下面描述。
半导体膜通过CVD法、溅射法，或类似方法形成于第一光透射绝缘膜11之上。之后，半导体膜的结晶度可以通过热处理、激光照射等来提高。
注意，半导体膜还能够通过接合(bonding)与分离(separating)来形成。首先，将氢离子(H+、H2+、H3+，或类似物)，或者氢离子和氦离子，添加到诸如硅晶片的半导体晶片以在半导体晶片中形成脆化层。半导体晶片被接合至第一光透射绝缘膜11并且通过热处理使其沿着脆化层分离以形成在第一光透射绝缘膜11之上的半导体膜。半导体晶片部分从表面到脆化层的厚度对应于半导体膜的厚度；因此，半导体膜的厚度能够通过控制氢离子的添加或类似的条件来调整。而且，当半导体晶片为单晶时，能够形成单晶半导体膜。
半导体层101、半导体层102、及半导体层103通过用光刻法和蚀刻法处理半导体膜来形成。
起着栅极绝缘膜的作用的光透射绝缘膜50按以上所描述的方式形成于半导体层101、半导体层102、及半导体层103之上。
金属膜形成于光透射绝缘膜50之上。金属膜通过光刻法和蚀刻法来处理以形成在半导体层103之上的栅电极60，栅极绝缘膜介于它们之间。
将给予p型或n型导电性的杂质离子选择性地添加到半导体层101、半导体层102、及半导体103以形成n型层和p型层，以及源区和漏区。
然后，形成光透射绝缘膜51。在接触孔形成于光透射绝缘膜51之后，形成电极43、电极44、电极48、电极49、源电极61、及漏电极62。因而，形成第一光电二极管4、第二光电二极管5、及半导体元件65。
然后，形成具有平面性的光透射绝缘膜52。接触孔形成于光透射绝缘膜52内。接触孔达到漏电极62并且用于形成像素电极。另外，用于形成第三光阻挡层8的凹槽被形成于光透射绝缘膜50到52内。
与漏电极62连接的像素电极66形成于光透射绝缘膜52之上。
第一彩色滤光片6通过实施例1的方法形成于像素111内。第一彩色滤光片6也形成于以上所描述的凹槽内。然后，第二彩色滤光片7形成于像素112内。第二彩色滤光片7也形成于以上所描述的凹槽内。第三光阻挡层8被形成使得填充凹槽。类似地，第三彩色滤光片10形成于像素120内。以第二彩色滤光片7和第三彩色滤光片10形成的第五光阻挡层16形成于凹槽内。
然后，取向膜53被形成并且然后经受摩擦处理。如果有另外的办法使液晶分子按一个方向排列，则不一定要形成取向膜53。
间隔被形成。作为间隔，柱形间隔通过施加有机树脂并且然后以光刻和蚀刻来处理该有机树脂而形成。作为选择，球形间隔被分散。作为选择，间隔可以形成于第一基板1上或者形成于对基板57上。
液晶层54通过滴下液晶或类似物来形成。液晶层54的注入可以通过分配器法(dispenser method)(滴落法)或浸渍法(抽运法(pumping method))来执行。作为选择，在基板1和对基板57互相接合之后，可以执行真空注入。
对电极56和取向膜55形成于对基板57上。之后，第一基板1和对基板57互相接合使得取向膜55和液晶层54相互接触。以这样的方式，能够制造液晶显示器件。
虽然在本实例中给出了其中将薄的半导体膜用于光电二极管和半导体元件的实例，但是单晶半导体基板、SOI基板，或类似物可以用于光电二极管和半导体元件。
注意，本实例能够与实施例1及其他实例自由地结合。
[实例2]
作为本发明的一种模式的电致发光显示器件(以下称为“EL显示器件”)将在下面描述。
图8示出了将EL元件(例如，有机EL元件、无机EL元件，或者包括有机基板和无机基板的EL元件)用作发光元件的El显示元件的横截面视图的实例。实例1的显示器件与本实例的发光器件的不同之处在于实例1的显示器件具有液晶元件、第一光阻挡层2、第二光阻挡层3、及光阻挡层58，而本实例的发光器件具有EL元件而不具有第一光阻挡层2、第二光阻挡层3、及光阻挡层58。实例1的显示器件的光电检测方法与实例2的发光器件的光电检测方法也是不同的，其中实例1的显示器件使用背光，而实例2的发光器件没有使用背光。
在本实例的EL显示器件中的光电检测方法基本上相似于实施例1和实例1。注意，不是从背光而是从EL元件发射出的光由待检测的部分反射。由待检测的部分反射的光由微透镜所聚集并且被第一光电二极管4和第二光电二极管5检测到。
作为本发明的一种模式的发光器件包括光电检测部分和显示部分。光电检测部分具有与实施例1和实例1中的结构相似的结构。注意，在实例1中的第一光透射绝缘膜11和第一电极70在本实例中并不一定需要具有光透射性质。另外，在彩色滤光片之上，没有提供取向膜53，并且光透射绝缘膜75根据需要来形成。
显示部分在基板1之上包括半导体元件65、与半导体元件65连接的第一电极70、使用覆盖第一电极70的末端的绝缘膜形成的分隔物(partition)71、在第一电极70之上的发光层72、在发光层72之上的第二电极73、以及在第二电极73之上的第二彩色滤光片7。
半导体元件65是与实例1的半导体元件相同的。半导体元件65控制着给发光层72供应的电流的大小。给显示部分提供有附加的半导体元件(没有示出)。该附加的半导体元件的源区和漏区之一连接至半导体元件65的栅电极60；因而，附加的半导体元件用作用于控制半导体元件65的操作的开关。另外，可以形成用于保持半导体元件65的栅电极60的电位的存储电容器。
EL元件通过堆叠第一电极70、发光层72、及第二电极73来形成。在光透射绝缘膜52之上，提供了第一电极70，并且提供了分隔物71以使其覆盖第一电极70的末端。
分隔物71被用来划分像素部分。分隔物71被提供于相邻的像素之间。分隔物71使用无机的或有机的绝缘膜来形成。
发光层72介于第一电极70和第二电极73之间并且在得到电流供应时发射光。发光层72优选发射白光。发光层72可以使用已知的有机材料或无机材料来形成。另外，第一电极70并不一定需要是透明的并且优选反射从发光层72发射出的光。
第二彩色滤光片7是与实施例1和实例1中的第二彩色滤光片相同的。
在本实例中，没有使用背光，并且因而没有形成第一光阻挡层2、第二光阻挡层3、及光阻挡层58。
用于制造发光器件的方法将在下面描述。制造发光器件的方法与实例1中的方法是相同的，除了在第一电极70形成之后所执行的步骤。
有机树脂模和无机绝缘膜形成于第一电极70之上并且用光刻和蚀刻来处理以形成分隔物71。
发光层72通过真空蒸发法、液滴释放法，或类似方法形成于第一电极70之上。
第二电极73通过溅射法、蒸发法，或类似方法形成于发光层72之上。
第一彩色滤光片6通过在实施例1和实例1中所描述的方法来形成。第一彩色滤光片6还形成于光透射绝缘膜50到52内的凹槽中。然后，形成第二彩色滤光片7。第二彩色滤光片7也形成于以上所描述的凹槽内。形成第三光阻挡层8以使其填充凹槽。类似地，形成第三彩色滤光片10。以第二彩色滤光片7和第三彩色滤光片10形成的第五光阻挡层16形成于凹槽内。
通过以上步骤，能够制造发光器件。发光层72可能由于水汽而退化；因此，可以另外提供密封构件。
注意，本实例能够与实施例1及其他实例自由地结合。
[实例3]
在本实例中，使用触摸面板的电子器件的实例将参考图9A到9F来描述。
在图9A中示出的移动电话包括显示部分9101。在图9B中示出的便携式信息终端包括显示部分9201、输入笔9202及类似物。在图9C中示出的数码摄像机包括显示部分9301、显示部分9302及类似物。在图9D中示出的便携式游戏机包括显示部分9401及类似物。在图9E中示出的便携式信息终端包括显示部分9501及类似物。在图9F中示出的电视装置包括显示部分9601、输入笔9602及类似物。通过使用作为本发明的一种模式的触摸面板，能够提供具有高的光敏感度的触摸面板。
注意，本实例能够与实施例1及其他实例自由地结合。
[实例4]
使用包括光电传感器的显示部分的书写板(黑板、白板，或类似物)的实例将被描述。
例如，在图10中的面板9696的位置提供包括光电传感器的显示部分。
面板9696包括光电传感器和显示元件。
在此，以记号笔或类似物在面板9696的表面上自由地书写下文字或类似物是可能的。
注意，如果文字以不包含固定剂的记号笔或类似物来书写，则容易擦除文字。
另外，面板9696的表面优选具有足够的平滑度以便记号笔的墨水可以容易清除。
例如，如果使用玻璃基板或类似物制成，则面板9696的表面是足够平滑的。
此外，可以将透明的合成树脂薄板或类似物附着于面板9696的表面。
作为合成树脂，优选使用例如丙烯酸树脂或类似物。在这种情况下，优选使合成树脂薄板的表面变得平滑。
另外，由于面板9696包括显示元件，因而面板9696能够显示具体的图像并且同时，以记号笔在面板9696的表面上书写下文字或类似物是可能的。
此外，由于面板9696包括光电传感器，因而如果面板9696与打印机或类似物连接，则能够读取并打印出以记号笔书写的文字。
此外，由于面板9696包括光电传感器和显示元件，通过在面板9696显示图像的同时于面板9696的表面上书写下文字或类似物或者绘制图形或类似物，面板9696能够结合图像显示已经由光电传感器所读取的记号笔的痕迹。
注意，用电阻式触摸传感器、电容式触摸传感器，或类似物的传感能够仅在以记号笔或类似物书写的同时执行。
同时，使用光电二极管的传感是更优越的，因为该传感能够在书写已经由记号笔或类似物完成之后相当长的任何时间执行。
本实例能够通过与实施例1及其他实例自由地结合来实现。
本申请基于在2009年8月24日提交日本专利局的日本专利申请No.2009-193302，其全部内容在此通过引用的方式并入本文。

Claims (25)

1.一种光电检测器，包括：
在基板之上的第一光电二极管；
在所述基板之上的第二光电二极管；
覆盖所述第一光电二极管的第一彩色滤光片；
覆盖所述第二光电二极管的第二彩色滤光片；
在所述第一彩色滤光片之上的第一微透镜；
在所述第二彩色滤光片之上的第二微透镜；以及
第一光阻挡层，所述第一光阻挡层包含在所述第一光电二极管和所述第二光电二极管之间的所述第一彩色滤光片的一部分和所述第二彩色滤光片的一部分。
2.根据权利要求1所述的光电检测器，其中所述第二彩色滤光片的所述一部分与所述第一彩色滤光片的所述一部分在从所述第一光电二极管到所述第二光电二极管的方向上重叠。
3.根据权利要求1所述的光电检测器，其中所述基板是光透射基板。
4.根据权利要求3所述的光电检测器，还包括在所述光透射基板之上的第二光阻挡层和在所述光透射基板之上的第三光阻挡层，
其中所述第一光电二极管被提供于所述第二光阻挡层之上，光透射绝缘膜置于所述第一光电二极管和所述第二光阻挡层之间，以及
其中所述第二光电二极管被提供于所述第三光阻挡层之上，所述光透射绝缘膜置于所述第二光电二极管和所述第三光阻挡层之间。
5.根据权利要求4所述的光电检测器，其中所述第一彩色滤光片的所述一部分和所述第二彩色滤光片的所述一部分与所述光透射绝缘膜接触。
6.一种光电检测器，包括：
在基板之上的第一光电二极管；
在所述基板之上的第二光电二极管；
在所述第一光电二极管之上的第一微透镜；
在所述第二光电二极管之上的第二微透镜；
覆盖所述第一微透镜的第一彩色滤光片；
覆盖所述第二微透镜的第二彩色滤光片；以及
第一光阻挡层，所述第一光阻挡层包含在所述第一光电二极管和所述第二光电二极管之间的所述第一彩色滤光片的一部分和所述第二彩色滤光片的一部分。
7.根据权利要求6所述的光电检测器，其中所述第二彩色滤光片的所述一部分与所述第一彩色滤光片的所述一部分在从所述第一光电二极管到所述第二光电二极管的方向上重叠。
8.根据权利要求6所述的光电检测器，其中所述基板是光透射基板。
9.根据权利要求8所述的光电检测器，还包括在所述光透射基板之上的第二光阻挡层和在所述光透射基板之上的第三光阻挡层，
其中所述第一光电二极管被提供于所述第二光阻挡层之上，光透射绝缘膜置于所述第一光电二极管和所述第二光阻挡层之间，以及
其中所述第二光电二极管被提供于所述第三光阻挡层之上，所述光透射绝缘膜置于所述第二光电二极管和所述第三光阻挡层之间。
10.根据权利要求9所述的光电检测器，其中所述第一彩色滤光片的所述一部分和所述第二彩色滤光片的所述一部分与所述光透射绝缘膜接触。
11.一种光电检测器，包括：
在基板之上的第一光电二极管；
在所述基板之上的第二光电二极管；
覆盖所述第一光电二极管的第一光透射绝缘层；
覆盖所述第二光电二极管的第二光透射绝缘层；
在所述第一光电二极管之上的第一彩色滤光片，所述第一光透射绝缘层置于所述第一光电二极管和所述第一彩色滤光片之间；
在所述第二光电二极管之上的第二彩色滤光片，所述第二光透射绝缘层置于所述第二光电二极管和所述第二彩色滤光片之间；
在所述第一彩色滤光片之上的第一微透镜；
在所述第二彩色滤光片之上的第二微透镜；以及
第一光阻挡层，所述第一光阻挡层被设置于在所述第一光透射绝缘层和所述第二光透射绝缘层之间所提供的凹槽之内。
12.根据权利要求11所述的光电检测器，其中所述第一光阻挡层包括所述第一彩色滤光片的一部分和所述第二彩色滤光片的一部分。
13.根据权利要求12所述的光电检测器，其中所述第二彩色滤光片的所述一部分与所述第一彩色滤光片的所述一部分在从所述第一光电二极管到所述第二光电二极管的方向上重叠。
14.根据权利要求11所述的光电检测器，其中所述基板是光透射基板。
15.根据权利要求14所述的光电检测器，还包括在所述光透射基板之上的第二光阻挡层和在所述光透射基板之上的第三光阻挡层，
其中所述第一光电二极管被提供于所述第二光阻挡层之上，光透射绝缘膜置于所述第一光电二极管和所述第二光阻挡层之间，以及
其中所述第二光电二极管被提供于所述第三光阻挡层之上，所述光透射绝缘膜置于所述第二光电二极管和所述第三光阻挡层之间。
16.根据权利要求15所述的光电检测器，其中所述第一彩色滤光片的所述一部分和所述第二彩色滤光片的所述一部分与所述光透射绝缘膜接触。
17.一种显示器件，包括：
背光；
在所述背光之上的第一光透射基板；
在所述第一光透射基板之上的液晶层；
在所述液晶层之上的第二光透射基板；
在所述第一光透射基板之上的第一光电二极管；
在所述第一光透射基板之上的第二光电二极管；
覆盖所述第一光电二极管的第一彩色滤光片；
覆盖所述第二光电二极管的第二彩色滤光片；
在所述第一彩色滤光片之上的第一微透镜；
在所述第二彩色滤光片之上的第二微透镜；以及
第一光阻挡层，所述第一光阻挡层包含在所述第一光电二极管和所述第二光电二极管之间的所述第一彩色滤光片的一部分和所述第二彩色滤光片的一部分。
18.根据权利要求17所述的显示器件，其中所述第二彩色滤光片的所述一部分与所述第一彩色滤光片的所述一部分在从所述第一光电二极管到所述第二光电二极管的方向上重叠。
19.根据权利要求17所述的显示器件，还包括在所述第一光透射基板之上的第二光阻挡层和在所述第一光透射基板之上的第三光阻挡层，
其中所述第一光电二极管被提供于所述第二光阻挡层之上，光透射绝缘膜置于所述第一光电二极管和所述第二光阻挡层之间，以及
其中所述第二光电二极管被提供于所述第三光阻挡层之上，所述光透射绝缘膜置于所述第二光电二极管和所述第三光阻挡层之间。
20.根据权利要求19所述的显示器件，其中所述第一彩色滤光片的所述一部分和所述第二彩色滤光片的所述一部分与所述光透射绝缘膜接触。
21.一种显示器件，包括：
基板；
在所述基板之上的发光层；
在所述发光层之上的光透射基板；
在所述基板之上的第一光电二极管；
在所述基板之上的第二光电二极管；
覆盖所述第一光电二极管的第一彩色滤光片；
覆盖所述第二光电二极管的第二彩色滤光片；
在所述第一彩色滤光片之上的第一微透镜；
在所述第二彩色滤光片之上的第二微透镜；以及
第一光阻挡层，所述第一光阻挡层包含在所述第一光电二极管和所述第二光电二极管之间的所述第一彩色滤光片的一部分和所述第二彩色滤光片的一部分。
22.根据权利要求21所述的显示器件，其中所述第二彩色滤光片的所述一部分与所述第一彩色滤光片的所述一部分在从所述第一光电二极管到所述第二光电二极管的方向上重叠。
23.根据权利要求21所述的显示器件，其中所述基板是光透射基板。
24.根据权利要求23所述的显示器件，还包括在所述基板之上的第二光阻挡层和第三光阻挡层，
其中所述第一光电二极管被提供于所述第二光阻挡层之上，光透射绝缘膜置于所述第一光电二极管和所述第二光阻挡层之间，以及
其中所述第二光电二极管被提供于所述第三光阻挡层之上，所述光透射绝缘膜置于所述第二光电二极管和所述第三光阻挡层之间。
25.根据权利要求24所述的显示器件，其中所述第一彩色滤光片的所述一部分和所述第二彩色滤光片的所述一部分与所述光透射绝缘膜接触。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103137638A (zh) * 2011-11-30 2013-06-05 索尼公司 固态摄像器件及其制造方法、电子装置及用于固态摄像器件的合成物
CN103206969A (zh) * 2013-03-27 2013-07-17 启东文鑫电子有限公司 一种光电探测器
CN104752445A (zh) * 2013-12-25 2015-07-01 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 交互式电子装置及其像素单元
CN107978613A (zh) * 2017-12-15 2018-05-01 中芯集成电路（宁波）有限公司 半导体感光器件及其感光表面处理方法
CN112882356A (zh) * 2019-11-29 2021-06-01 上海微电子装备（集团）股份有限公司 光电探测器、调焦调平装置以及光刻投影设备
WO2023108701A1 (zh) * 2021-12-14 2023-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 光学传感器及显示面板

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5553707B2 (ja) * 2009-08-21 2014-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 光検出装置
KR101113467B1 (ko) * 2010-04-01 2012-02-29 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널
US8764504B2 (en) 2011-02-25 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device and method for manufacturing the same
JP5504382B2 (ja) * 2011-09-27 2014-05-28 富士フイルム株式会社 固体撮像素子及び撮像装置
JP5683734B1 (ja) * 2014-07-01 2015-03-11 グンゼ株式会社 透明導電性積層体、タッチパネル、および透明導電性積層体の製造方法
DE102015112042B4 (de) * 2015-07-23 2021-07-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische Leuchtvorrichtung
DE102017100798A1 (de) 2017-01-17 2018-07-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung
CN108666342B (zh) * 2017-03-31 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及制作方法、显示装置
JP2019102664A (ja) * 2017-12-04 2019-06-24 株式会社ブイ・テクノロジー Ｌｅｄ表示パネルの製造方法
US11844236B2 (en) 2019-07-12 2023-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, display device, input/output device, and data processing device
US20210050385A1 (en) * 2019-08-13 2021-02-18 Apple Inc. Photodetectors Integrated into Thin-Film Transistor Backplanes
US11611058B2 (en) 2019-09-24 2023-03-21 Apple Inc. Devices and systems for under display image sensor
US11527582B1 (en) 2019-09-24 2022-12-13 Apple Inc. Display stack with integrated photodetectors
WO2021069999A1 (ja) 2019-10-11 2021-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置
US11487859B2 (en) 2020-07-31 2022-11-01 Apple Inc. Behind display polarized optical transceiver
US11839133B2 (en) 2021-03-12 2023-12-05 Apple Inc. Organic photodetectors for in-cell optical sensing

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001222025A (ja) * 2000-02-09 2001-08-17 Sharp Corp 液晶表示装置
US20050168135A1 (en) * 2003-12-16 2005-08-04 Nec Corporation Luminescence display apparatus and method for fabricating the same
JP2005294647A (ja) * 2004-04-01 2005-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2005321670A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Sony Corp 薄膜半導体装置、液晶表示装置及び画像プロジェクタ装置
JP2005353799A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Toppan Printing Co Ltd リニアセンサー
CN1929145A (zh) * 2005-09-08 2007-03-14 东部电子株式会社 Cmos图像传感器及其制造方法
CN1992314A (zh) * 2005-12-29 2007-07-04 东部电子股份有限公司 Cmos图像传感器及其制造方法
US20080203396A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 Seiko Epson Corporation Electro-Optical Substrate, Method for Designing the Same, Electro-Optical Device, and Electronic Apparatus
US20090014823A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Noboru Kokusenya Solid state imaging device in which a plurality of imaging pixels are arranged two-dimensionally, and a manufacturing method for the solid state imaging device
CN101482662A (zh) * 2007-12-03 2009-07-15 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2884458B2 (ja) 1992-05-11 1999-04-19 キヤノン株式会社 液晶表示パネルの製造方法
JP3779052B2 (ja) * 1997-12-17 2006-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶プロジェクタ
US7002659B1 (en) * 1999-11-30 2006-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal panel and liquid crystal projector
KR20010059238A (ko) * 1999-12-30 2001-07-06 박종섭 광감도 개선을 위한 이미지센서 및 그 제조방법
US6690437B2 (en) * 2000-04-18 2004-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
US6747289B2 (en) * 2000-04-27 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating thereof
US7430025B2 (en) * 2000-08-23 2008-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Portable electronic device
JP4476503B2 (ja) * 2001-02-07 2010-06-09 株式会社半導体エネルギー研究所 携帯型電子装置
JP4251622B2 (ja) 2003-06-20 2009-04-08 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示装置
KR100606900B1 (ko) * 2004-12-21 2006-08-01 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
KR100672660B1 (ko) * 2004-12-24 2007-01-24 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
KR100672687B1 (ko) * 2005-06-03 2007-01-22 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
KR100660346B1 (ko) * 2005-09-21 2006-12-22 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
EP1949455A1 (en) * 2005-11-18 2008-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device
US8053816B2 (en) * 2006-03-10 2011-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2007125932A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion element and manufacturing method of photoelectric conversion element
JP4391497B2 (ja) * 2006-05-19 2009-12-24 シャープ株式会社 カラーセンサー、カラーセンサーの製造方法、センサー、及び電子機器
CN101523285A (zh) * 2006-10-11 2009-09-02 夏普株式会社 液晶显示装置
US7825998B2 (en) * 2007-04-06 2010-11-02 Hannstar Display Corp. Input display having particular photo sensor, color filter, and light-shielding element arrangement
KR100877293B1 (ko) * 2007-08-31 2009-01-07 주식회사 동부하이텍 이미지 센서 및 그 제조방법
US8035590B2 (en) * 2007-11-02 2011-10-11 Sony Corporation Color liquid crystal display device assembly
KR20090066459A (ko) * 2007-12-20 2009-06-24 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 및 그 제조 방법
US8736587B2 (en) * 2008-07-10 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2010034426A (ja) 2008-07-31 2010-02-12 Panasonic Corp 固体撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ
US8941617B2 (en) * 2008-11-07 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image input-output device with color layer between photodetector and display elements to improve the accuracy of reading images in color
KR101550067B1 (ko) * 2008-12-24 2015-09-03 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 이미지 센서 및 이의 제조 방법
JP5553707B2 (ja) * 2009-08-21 2014-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 光検出装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001222025A (ja) * 2000-02-09 2001-08-17 Sharp Corp 液晶表示装置
US20050168135A1 (en) * 2003-12-16 2005-08-04 Nec Corporation Luminescence display apparatus and method for fabricating the same
JP2005294647A (ja) * 2004-04-01 2005-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2005321670A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Sony Corp 薄膜半導体装置、液晶表示装置及び画像プロジェクタ装置
JP2005353799A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Toppan Printing Co Ltd リニアセンサー
CN1929145A (zh) * 2005-09-08 2007-03-14 东部电子株式会社 Cmos图像传感器及其制造方法
CN1992314A (zh) * 2005-12-29 2007-07-04 东部电子股份有限公司 Cmos图像传感器及其制造方法
US20080203396A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 Seiko Epson Corporation Electro-Optical Substrate, Method for Designing the Same, Electro-Optical Device, and Electronic Apparatus
US20090014823A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Noboru Kokusenya Solid state imaging device in which a plurality of imaging pixels are arranged two-dimensionally, and a manufacturing method for the solid state imaging device
CN101482662A (zh) * 2007-12-03 2009-07-15 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103137638A (zh) * 2011-11-30 2013-06-05 索尼公司 固态摄像器件及其制造方法、电子装置及用于固态摄像器件的合成物
CN103137638B (zh) * 2011-11-30 2017-03-01 索尼公司 固态摄像器件及其制造方法、电子装置及用于固态摄像器件的合成物
CN103206969A (zh) * 2013-03-27 2013-07-17 启东文鑫电子有限公司 一种光电探测器
CN104752445A (zh) * 2013-12-25 2015-07-01 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 交互式电子装置及其像素单元
CN104752445B (zh) * 2013-12-25 2018-08-17 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 交互式电子装置
CN107978613A (zh) * 2017-12-15 2018-05-01 中芯集成电路（宁波）有限公司 半导体感光器件及其感光表面处理方法
CN112882356A (zh) * 2019-11-29 2021-06-01 上海微电子装备（集团）股份有限公司 光电探测器、调焦调平装置以及光刻投影设备
CN112882356B (zh) * 2019-11-29 2021-11-12 上海微电子装备（集团）股份有限公司 光电探测器、调焦调平装置以及光刻投影设备
WO2023108701A1 (zh) * 2021-12-14 2023-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 光学传感器及显示面板

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