CN101989618A - 一种柔性薄膜晶体管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明为一种柔性薄膜晶体管及其制备方法。涉及薄膜晶体管,尤其涉及柔性薄膜晶体管的基片。现有技术采用的薄玻璃、塑料、金属等基片在柔韧性、水氧阻隔性能或表面平整度等方面存在缺陷,本发明提供一种柔韧性好、表面平整度高并具有良好的水氧阻隔能力的新型基片。
Description
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管(Thin Film Transistor,以下简称TFT),尤其涉及一种柔性TFT的基片。
背景技术
柔性显示技术使显示器件的设计不再局限于平面化。柔性显示器件柔软可变形,且不易损坏,可以制成人们梦寐以求的电子报刊、可穿戴的显示器等。开发柔性显示的另一重要因素在于,显示器件的制造工艺可以由Sheet-fed BatchProcessing(分批装片式制程)转换成Roll-to-Roll Manufacturing(滚动条式制程),这样一来,显示器的制造成本可以大幅降低。因此,柔性显示技术日益成为国际显示行业的研究热点。
TFT的应用领域很广泛:TFT-LCD(液晶显示器)是指液晶显示器上的每一液晶像素点都是由集成在其后的TFT来驱动,利用扫描的方法任意控制一个显示点的ON/OFF,从而可以做到高速度、高亮度、高对比度地显示信息。AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,有源有机电致发光显示器件)同样可以用TFT驱动,每个像素配备具有开关功能的TFT,而且每个像素配备一个电荷存储电容,***驱动电路和显示阵列整个***集成在同一基板上。与TFT-LCD的TFT结构不同之处在于,LCD采用电压驱动,而AMOLED采用电流驱动,其亮度与电流成正比,因此除了进行ON/OFF切换动作的选址TFT之外,还需要能让足够电流通过的ON阻抗较低的小型驱动TFT。SRAM(静态随机存储器)同样可以用TFT进行驱动。
TFT的制造工艺有多种,包括低温多晶硅(LTPS,Low Temperature PolySilicon)、高温多晶硅(HTPS,High Temperature Poly Silicon)、非晶硅(a-Si,Amorphous Silicon)等。其基片材料一般为玻璃、石英、单晶硅,如果用柔性的基片来代替,则成为柔性TFT,实现柔性显示。
目前,柔性TFT基片的材料主要有薄玻璃、塑料、金属薄片三种。但是不管采用哪种基片,柔性TFT在性能方面和制备过程中还存在很多问题:(1)超薄玻璃具有加工温度高、水氧阻隔性强等优点,但其柔韧性不够,具有易碎、易弯折等缺点,加工的可操作性差。(2)聚合物(如:塑料)具有柔韧性好、可操作性强等优点,是目前被广泛采用的柔性基片材料。但其平整性差,表面凸起会给膜层结构带来缺陷,水氧透过率高,造成器件迅速老化。(3)金属加工温度高、水氧阻隔性强,为了避免生锈,通常采用不锈钢作为基片材料。但是不锈钢的表面粗糙度大,不平坦,经过复杂的研磨和电化学抛光工艺,表面平整度仍然不够好。
绝缘层通常采用聚合物或无机小分子材料,而这些材料在器件制备的后续工艺过程中会被化学物质破坏,如刻蚀网状绝缘基座或隔离柱过程中用到的碱性显影液、有机功能层中的发光材料的有机溶剂等,从而影响整个器件的寿命。
发明人经过潜心研究,采用了一种新型的柔性TFT基片,即通过电铸工艺制造的基片,这种基片无需经过研磨即能有比不锈钢更好的表面平整度。同时,在绝缘层上增加了保护层,进一步改善了表面平整度,提高了其上的有机功能层的性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种采用了新型基片的柔性薄膜晶体管,这种基片的表面平整度好,不会对器件的膜层结构造成缺陷;无需经过研磨抛光,简化了工艺步骤。本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
柔性薄膜晶体管包括基片、绝缘层、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极,基片为电铸形成的金属箔片。
基片的材料选自镍、铁、铜、金、银、镍-铁合金、铂镍-钴合金、钴-钨合金,厚度为20μm至700μm,表面粗糙度的Rms(rout mean square)值小于10nm。绝缘层上还有保护层。绝缘层的材料为聚合物或无机小分子材料,优选为聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚酰亚胺与聚四氟乙烯的混合物、SiOx或SiNx。保护层的材料为树脂,优选为环氧树脂或压克力树脂。保护层的厚度为500nm至10um,用涂布的方法制备。
本发明的另一目的在于提供一种制备柔性薄膜晶体管的方法,步骤包括:
(1)电铸形成金属箔片;
(2)形成绝缘层;
(3)依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极;
(4)形成封装层。
上述步骤还可以包括在形成绝缘层后,制备保护层。
从图2、图3可以看出,电铸镍板的表面平整度比不锈钢片好,不会对后续膜层结构造成缺陷。电铸工艺通常用到的金属如铜、铁等同样具有良好的表面平整度。而且,电铸金属箔片比塑料基片的水氧阻隔性能好。因此,电铸金属箔片做柔性TFT的基片能提高器件的性能和寿命。
在绝缘层上增加保护层,可以进一步改善平整度,同时保护绝缘层材料不被后续工艺过程中的酸、碱、有机溶剂所破坏。
附图说明
图1为TFT结构示意图;
图2为电铸镍板的原子力显微镜图片;
图3为不锈钢片的原子力显微镜图片。
其中,附图标记说明如下:
1-基片,2-栅极,3-栅极绝缘层,4-有源层,5-有源层,6-漏极,7-源极,8-绝缘层,9-保护层。
具体实施方式
实施例1
本实施例提供一种采用的电铸形成的铜板作为基片的柔性TFT的工艺过程:
(1)电铸槽中的阳极放置金属铜,阴极放置需电铸的硅片,电镀液中含有NiSO4,NiCl2,H3BO3,电铸温度为45~65摄氏度。再用氢氧化钾将硅腐蚀掉,得到厚度为100μm的铜板作为基片1。
(2)用旋涂或喷射涂布的方法在基片上制备聚酰亚胺/聚四氟乙烯复合结构薄膜作为绝缘层8,厚度控制在0.2~2μm,烘烤固化。
(3)蒸Cr,光刻出栅极2。
(4)淀积SiN4作为栅极绝缘层3,厚度为0.25μm。
(5)淀积a-Si:H层作为有源层4,厚度为0.2μm;淀积n+a-Si:H层作为有源层5;光刻a-Si:H层和n+a-Si:H层,将不需要的地方光刻除去。
(6)蒸铝层,并光刻成源极7和漏极6。
实施例2
本实施例同样提供一种采用的电铸形成的镍板作为基片的柔性TFT的工艺过程:
(1)电铸槽中的阳极放置金属镍,阴极放置需电铸的硅片,电镀液中含有NiSO4,NiCl2,H3BO3,电铸温度为45~65摄氏度。再用氢氧化钾将硅腐蚀掉,得到厚度为20μm的镍板作为基片1。
(2)用旋涂或喷射涂布的方法在基片上制备聚酰亚胺/聚四氟乙烯复合结构薄膜作为绝缘层8,厚度控制在0.2~2μm,烘烤固化。
(3)在绝缘层上涂布1μm的环氧树脂作为保护层9,烘烤固化。
(4)蒸Cr,光刻出栅极2。
(5)淀积栅极绝缘层SiN4,厚度为0.25μm。
(6)淀积a-Si:H层作为有源层4,厚度为0.2μm;淀积n+a-Si:H层作为有源层5;光刻a-Si:H层和n+a-Si:H层,将不需要的地方光刻除去。
(7)蒸铝层,并光刻成源极7和漏极6。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然而其并非用以限定本发明,任何熟悉此技术人士,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作各种的更动与润饰,因此,本发明的保护范围当以申请的专利范围所界定为准。
Claims (13)
1.一种柔性薄膜晶体管,包括:基片、绝缘层、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极,其特征在于,所述基片为电铸形成的金属箔片。
2.根据权利要求1所述的柔性薄膜晶体管,其特征在于,所述基片的材料选自镍、铁、铜、金、银、镍-铁合金、铂镍-钴合金、钴-钨合金。
3.根据权利要求2所述的柔性薄膜晶体管,其特征在于,所述基片的厚度为20μm~700μm。
4.根据权利要求2所述的柔性薄膜晶体管,其特征在于,所述基片的表面粗糙度的Rms值小于10nm。
5.根据权利要求1-4任一所述的柔性薄膜晶体管,其特征在于,所述绝缘层上还有保护层。
6.根据权利要求5所述的柔性薄膜晶体管,其特征在于,所述绝缘层的材料为聚合物或无机小分子材料。
7.根据权利要求6所述的柔性薄膜晶体管,其特征在于,所述绝缘层的材料为聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚酰亚胺与聚四氟乙烯的混合物、SiOx或SiNx。
8.根据权利要求6或7所述的柔性薄膜晶体管,其特征在于,所述保护层为树脂。
9.根据权利要求8所述的柔性薄膜晶体管,其特征在于,所述保护层为环氧树脂或压克力树脂。
10.根据权利要求9的柔性薄膜晶体管,其特征在于,所述保护层的厚度为500nm-10μm。
11.根据权利要求5的柔性薄膜晶体管,其特征在于,所述保护层用涂布的方法制备。
12.一种制备如权利要求1所述的柔性薄膜晶体管的方法,步骤包括:
(1)电铸形成金属箔片;
(2)形成绝缘层;
(3)依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极;
(4)形成封装层。
13.根据权利要求12所述的制备如权利要求1所述的柔性薄膜晶体管的方法,其特征在于,所述步骤还包括形成绝缘层后制备保护层。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20110323 |