CN101976657B - 用于半导体器件制造的基板结构及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提出了一种基板结构及其制造方法。该基板结构包括基板阵列，基板阵列包括按照预定方向排列的多个基板，每个所述基板包括相对的第一表面和第二表面，多个基片，其中对于相间隔的基板的每一个，其第二表面与其一侧的相邻基板的第二表面共用一个基片，以形成第一沟槽，且其第一表面与其另一侧的相邻基板的第一表面共用另一个基片，以形成第二沟槽，所述第一沟槽与第二沟槽开口方向相反。本发明有效地利用了衬底的厚度，从而在不增加整个晶圆片尺寸的前提下，提高了晶圆片的可加工的表面积或表面积利用率。并且，可以利用所形成的第一沟槽和第二沟槽在后续的加工工艺中很容易地对基板结构的双侧分别进行不同材料的沉积和处理的工艺，提高了产出和降低了成本。

Description

用于半导体器件制造的基板结构及其制造方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种具有增大的表面积的、用于半导体器件制造的基板结构及其制造方法。

背景技术

近年来，随着半导体产业的迅速发展，半导体器件不断地朝小体积、高电路密集度、快速、低耗电方向发展，集成电路现已进入亚微米级的技术阶段。因此，为了适应小体积、高集成度的需要，目前提出了两方面的要求，一方面是要求晶圆片的直径逐渐增大，到2005年，直径300mm硅片已成为主流产品，预计到2012年，将开始使用直径450mm(18in)硅片，晶圆片的直径大约以每9年增大1.5倍的速度不断增大，而向大面积发展。另一方面也提出了一种要求，即希望在不增加现有的晶圆片尺寸的基础上增加表面积利用率，从而提高其可加工的表面积。然而，目前为止，还没有提出一种能够基于现有晶圆片的尺寸来增加晶圆片利用率的方案。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种利用衬底进行加工的基板结构，包括：基板阵列，所述基板阵列包括按照预定方向排列的多个基板，每个所述基板包括第一表面和与其相对的第二表面，多个基片，所述多个基片分别设置在所述基板的第一表面和第二表面的外侧，其中对于相间隔的基板的每一个，其第二表面与其一侧的相邻基板的第二表面共用一个基片，以形成第一沟槽，且其第一表面与其另一侧的相邻基板的第一表面共用另一个基片，以形成第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽开口方向相反，以使所述基板结构形成长城型结构。其中所述基板的第一表面和第二表面为所述衬底的两个表面。

此外本发明还提供了一种用于半导体器件制造的基板结构的制造方法，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；对所述衬底的第一表面和第二表面进行构图；从所述衬底的第一表面刻蚀至少两个第一沟槽；以及从所述衬底的第二表面刻蚀至少一个第二沟槽，其中每个所述第二沟槽位于相邻的两个所述第一沟槽之间，从而形成至少两个基板和至少一个基片，所述基板由所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁所限定，所述基片连接相邻的两个所述基板，以使所述基板结构形成长城型结构。

根据本发明的另一个方面，可以在所述步骤之后进行如下步骤：沿所述预定方向拉伸所述基板结构，以使相邻基板间的基片弯曲并使所述基板阵列基本形成一个平面。

进而，根据本发明的另一个方面，可以提供一种利用衬底进行加工的基板结构，包括：基板阵列，所述基板阵列包括按照预定方向排列的多个基板，所述多个基板的每个基板包括第一表面和与其相对的第二表面，对于相间隔的所述基板的每一个，其所述第一表面与其一侧的相邻基板的所述第一表面相对，且其所述第二表面与其另一侧的相邻基板的所述第二表面相对；以及至少一个可弯曲基片，所述可弯曲基片形成在相邻的所述基板相对的两个表面上并可弯曲地连接所述相邻的两个基板。特别地，所述可弯曲基片包括至少两个基片，其中相邻的可弯曲基片的弯曲曲率相反。所述基板阵列中至少两个所述基板排列在与所述第一表面垂直的平面上。

根据本发明的基板结构有效地利用了衬底的厚度，从而在不增加整个晶圆片尺寸的前提下，提高了晶圆片的可加工的表面积或表面积利用率。并且，由于所述基板结构具有长城型结构，可以利用所形成的第一沟槽和第二沟槽在后续的加工工艺中很容易地对基板结构的双侧分别进行不同材料的沉积和处理工艺，从而适于各种加工工艺和要求、提高了产出和降低了成本。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1示出了根据本发明的实施例的基板结构的示意图；

图2示出了根据本发明的实施例的基板结构的形成方法的流程图；

图3-12示出了根据本发明的基板结构的制造方法的各个阶段的示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。

本发明主要在于通过一种具有长城型结构的基板结构，来增加衬底，例如半导体衬底的利用率，提高其可加工的表面积。

如图1示出了本发明实施例的基板结构的示意图，所述基板结构是利用衬底进行加工获得，所述衬底可以是半导体衬底，该半导体衬底的厚度可为0.2-2mm。所述基板结构包括基板阵列，所述基板阵列包括按照预定方向排列的多个基板101-1...101-9，图中示出的仅仅是示例，所述基板的数量可以任意设置，优选为至少两个。所述预定方向如图1中的箭头A所示，所述多个基板在方向A上进行排列。每个所述基板包括第一表面301和与其相对的第二表面302。所述基板结构还包括多个基片303-1...303-4以及304-1...304-4，图中示出的仅仅是示例，所述基片的数量可以任意设置，优选为至少一个。所述多个基片分别设置在所述基板的第一表面301和第二表面302的外侧。其中对于相间隔的基板的每一个，其第二表面302与其一侧的相邻基板的第二表面302共用一个基片，以形成第一沟槽305，且其第一表面301与其另一侧的相邻基板的第一表面301共用另一个基片，以形成第二沟槽306，所述第一沟槽305与第二沟槽306开口方向相反，以使所述基板结构形成长城型结构。

具体来说，例如，对于相间隔的基板的每一个，例如101-1、101-3、101-5...的每一个，具体而言对于基板101-3，所述基板101-3的第二表面302与其一侧的相邻基板101-2的第二表面302共用一个基片304-1，以形成第一沟槽305，且所述基板101-3的第一表面301与其另一侧的相邻基板101-4的第一表面301共用另一个基片303-2，以形成第二沟槽306，所述第一沟槽305与第二沟槽306开口方向相反。

所述基板可以包括半导体材料，例如硅、锗以及化合物半导体的一种或其组合，并且可以包括N型掺杂配置或P型掺杂配置，这些都可以根据基板结构的在实际应用过程中的需要进行配置，本发明不做限制。

特别地，所述基板阵列与所述多个基片可以由相同或不同材料形成。所述基片也可以是半导体材料，但也可以包括绝缘材料、金属或上述材料的组合。而且所述基片可以包括一个或多个层。可以根据需要配置每个层所使用的材料，例如，可以包括用于刻蚀停止的绝缘层、用于导电的导电层等等。这些都可以根据基板结构的在实际应用过程中的需要进行配置，本发明不做限制。此外，可选地，所述基片的外表面限定为所述衬底的两侧表面。

特别地，所述基板结构还包括至少在所述第一沟槽305的侧壁形成的界面层(图中未示出)。特别地，所述基板结构也可以还包括至少在所述第二沟槽306的侧壁形成另一个界面层(图中未示出)。所述界面层可以通过掺杂离子扩散、半导体薄膜沉积以及沉积后再进行退火扩散等多种方式形成，这些均可以根据需要进行选择。所述界面层至少形成在第一沟槽的侧壁，在另外一些实施例中，所述界面层也可以形成在整个所述第一沟槽中。

当所述衬底为单晶材料形成时，例如包括单晶Si、单晶Ge、单晶SiGe或其组合，可以采用湿法刻蚀来形成所述第一沟槽和第二沟槽，在所述第一表面和第二表面的晶向为{110}或{112}的情况下，所述第一沟槽和第二沟槽所对应的基板表面的晶向为{111}。特别地，当所述多个第一沟槽305和所述多个第二沟槽306基本平行时，所述基板阵列可以是包括基本平行的多个基板。特别地，所述基板和与其连接的基片可以是基本垂直的，即所述第一沟槽和第二沟槽可以是基本矩形的形状。

由此形成了具有长城型结构的基板结构。所述基板结构有效地利用了衬底的厚度，特别地，当至少所述第一305和第二沟槽306之一的深度311大于基板宽度(属于同一基板的、相邻两沟槽的侧壁所对应的表面之间的距离)310的2倍时，可以在不增加整个晶圆片尺寸的前提下，获得更多可加工的晶圆片的表面积，提高晶圆片的表面积利用率。而且当所述基片的厚度足够薄时，例如所述基片的厚度小于所述基板宽度的1/3，可以通过适当的工艺，容易地拉伸所述基板结构，以便进行后续的加工工艺。并且，由于所述基板结构具有长城型结构，因此可以利用开口方向相反的两组沟槽在后续的加工工艺中，很容易地对基板结构的双侧分别进行不同材料的沉积和处理的工艺，简化了制造工艺和成本。

以上已经根据附图描述根据本发明的实施例的新型基板结构，所述基板结构可以应用于半导体器件的制造、以及薄膜太阳能电池制造等多种领域中。需要注意的是，本领域技术人员能够根据上述的基板结构可以选择多种工艺进行制造，例如不同类型的产品线，不同的工艺流程等等，但是这些工艺制造的基板结构只要具有与本发明基板结构基本相同的结构，达到基本相同的效果，那么也应包含在本发明的保护范围之内。为了能够更清楚的理解本发明，以下将具体描述形成本发明上述的基板结构的方法及工艺，还需要说明的是，以下步骤仅是示意性的，并不是对本发明的限制，本领域技术人员还可通过其他工艺实现。以下实施例是本发明的优选实施例，能够有效降低制造成本。

如图2所示，为本发明实施例的形成基板结构的方法的流程图，包括以下步骤：

步骤S101，如图3所示，提供衬底100。在本发明的一个实施例中，所述衬底100为半导体衬底，例如为硅、锗以及化合物半导体的一种或其组合。包括但不限于单晶Si、单晶Ge、单晶SiGe、多晶Si、多晶Ge、多晶SiGe或其组合。在其他实施例中，可通过多种方式生成该半导体衬底，例如淀积、外延生长等，所述衬底可以具有N型掺杂配置或P型掺杂配置。其中，该半导体衬底的厚度可为0.2-2mm，当然本发明不限于此。所述衬底包括第一表面301和第二表面302，所述第一表面301和第二表面302相对。特别地，所述衬底可以包括一个或多个层，例如，所述衬底可以包括半导体层300和在所述半导体层的上方和下方形成的材料层303、304，如图4所示。所述材料层也可以包括一个或多个层，可以根据需要配置每个层所使用的材料，例如，可以包括用于刻蚀停止的绝缘层、用于导电的导电层等等。所述材料层可以是由与所述半导体层相同或不同的材料形成，包括但不限于绝缘材料、金属、半导体材料或上述材料的组合。这些都可以根据实际应用过程中的需要进行配置，本发明不做限制。

步骤S102，如图5-10所示，对所述衬底100的第一表面301和第二表面302进行构图，如图5所示。例如，以图4所示的衬底的结构为例，可以通过如下方式对所述衬底100进行构图：在所述衬底100的第一表面301上形成具有预定间隔配置的多个沟槽的光致抗蚀剂层307，如图6所示；刻蚀所述衬底100，以去除所述第一表面301的多个沟槽处的材料层303，如图7所示；移除所述光致抗蚀剂层307；而后在所述第二表面302上形成具有预定间隔配置的多个沟槽的光致抗蚀剂层307，如图8所示；刻蚀所述衬底100，以去除所述第二表面302的多个沟槽处的材料层，如图9所示；移除所述光致抗蚀剂层，从而对所述衬底进行构图，如图10所示。当然以上所述的形成构图的步骤仅仅是示例，本领域的技术人员可以通过许多本领域所公知的方法获得本实施例所述的构图的衬底，这些均可以应用到本实施例中，而不脱离本发明的保护范围。

而后，在步骤S103，如图11所示，从所述衬底100的第一表面301刻蚀至少两个第一沟槽305；以及从所述衬底100的第二表面302刻蚀至少一个第二沟槽306。可选地，可以刻蚀全部或部分所述半导体层300，例如可以刻蚀所述衬底的第一表面301并停止在所述第二表面302的材料层304上，并刻蚀所述衬底的第二表面302并停止在所述第一表面301的材料层303上。当然也可以只刻蚀一部分半导体层，即第一沟槽和第二沟槽的底部不接触所述材料层303、304。当所述衬底为一层时，仅可以刻蚀部分衬底。在图11中，使用实线限定的深色区域表示在所述第一表面301上形成的第一沟槽305，使用虚线限定的浅色区域表示在所述第二表面302上形成的第二沟槽306。所述第一沟槽和第二沟槽可以具有相等或者不等的间隔，特别地，可以构图所述衬底，以使所述第一沟槽和第二沟槽为基本平行，这些均可以根据设计需要来设置。这样，每个所述第二沟槽306位于相邻的两个所述第一沟槽305之间，以将所述衬底分割成至少两个基板和至少一个基片，所述基板由第一沟槽305和第二沟槽306的侧壁所限定，所述基片连接相邻的两个所述基板，从而获得具有长城型结构的基板结构，如图1所示。图1为图11所示的衬底示意图中AA’方向的横截面视图。优选地，所述第一305和第二沟槽306之一的深度311大于基板宽度(属于同一基板的、相邻两沟槽的侧壁所对应的表面之间的距离)310的2倍。

根据所述衬底的材料的性质，本领域技术人员可以选择适当的刻蚀方法形成所述第一沟槽305和第二沟槽306，这些均不脱离本发明的保护范围。例如，可以采用各向异性刻蚀，例如反应离子刻蚀(RIE)、干法刻蚀或它们的组合等方法形成所述第一沟槽305和第二沟槽306。特别地，当所述衬底包含单晶材料时，例如单晶Si、单晶Ge、单晶SiGe或其组合时，可以利用湿法刻蚀，例如采用氢氧化钾(KOH)、四甲基氢氧化铵(TMAH)或乙二胺-邻苯二酚(EDP)等溶剂进行刻蚀，在所述第一表面和第二表面的晶向为{110}或{112}的情况下，所形成的第一沟槽和第二沟槽其侧壁所对应的表面的晶向为{111}。

特别地，当所述多个第一沟槽305和所述多个第二沟槽306基本平行时，所述基板阵列可以是包括基本平行的多个基板。特别地，所述基板和与其连接的基片可以是基本垂直的，即所述第一沟槽和第二沟槽可以是基本矩形的形状。

而后，在步骤S104，可以对器件进行后续加工。特别地，可以在形成图1所示的基板结构后，至少在所述第一沟槽305的侧壁形成界面层(图中未示出)。特别地，也可以在形成图1所示的基板结构后，至少在所述第二沟槽306的侧壁形成另一个界面层(图中未示出)。所述界面层可以通过掺杂离子扩散、半导体薄膜沉积以及沉积后再进行退火扩散等多种方式形成，这些均可以根据需要进行选择。所述界面层至少形成在第一沟槽的侧壁，在另外一些实施例中，所述界面层也可以形成在整个所述第一沟槽中。

此外，在步骤S104中，可以通过如下方法对所述器件进行后续加工，例如：当所述基片的厚度足够薄时，例如小于所述基板宽度的1/3，可以通过适当的工艺，容易地拉伸所述基板结构，即沿图1所示的预定方向A拉伸所述基板结构，以使相邻基板间的基片弯曲并使其相邻基片的弯曲曲率相反，从而使得所述基板阵列基本形成一个平面，进而形成一个新的基板结构，如图12所示。

在所述新的基板结构中，所述基板阵列包括按照预定方向排列的多个基板，例如：101-1...101-n，每个基板包括第一表面301和与其相对的第二表面302，对于相间隔的基板的每一个，其第一表面301与其一侧的相邻基板的第一表面301相对，且其第二表面302与其另一侧的相邻基板的第二表面302相对，所述基板结构还包括至少一个可弯曲基片，例如303-1、303-2，304-1...，所述可弯曲基片形成在相邻基板相对的两个表面上并可弯曲地连接所述相邻基板。优选地，所述多个基板包括至少三个基板，所述可弯曲基片包括至少两个基片，其中相邻的可弯曲基片的弯曲曲率相反。特别地，所述基板阵列排列在与所述第一表面垂直的平面上。

以上已经根据本发明的方法形成了具有长城型结构的基板结构。所述基板结构有效地利用了衬底的厚度，特别地，当至少所述第一沟槽305和第二沟槽306之一的深度311大于基板宽度(属于同一基板的、相邻两沟槽的侧壁所对应的表面之间的距离)310的2倍时，可以在不增加整个晶圆片尺寸的前提下，获得更多可加工的晶圆片的表面积，提高晶圆片的表面积利用率。而且，由于所述基板结构具有长城型结构，因此可以利用开口方向相反的两组沟槽在后续的加工工艺中，很容易地对基板结构的双侧分别进行不同材料的沉积和处理的工艺，提高了产出和降低了成本。同时，当对所述基板结构进行拉伸时可以使所述基片弯曲，从而使基板阵列形成在基本同一平面，从而适于下一步的处理和加工。

虽然关于示例实施例及其优点已经详细说明，应当理解在不脱离本发明的精神和所附权利要求限定的保护范围的情况下，可以对这些实施例进行各种变化、替换和修改。对于其他例子，本领域的普通技术人员应当容易理解在保持本发明保护范围内的同时，工艺步骤的次序可以变化。

此外，本发明的应用范围不局限于说明书中描述的特定实施例的工艺、机构、制造、物质组成、手段、方法及步骤。从本发明的公开内容，作为本领域的普通技术人员将容易地理解，对于目前已存在或者以后即将开发出的工艺、机构、制造、物质组成、手段、方法或步骤，其中它们执行与本发明描述的对应实施例大体相同的功能或者获得大体相同的结果，依照本发明可以对它们进行应用。因此，本发明所附权利要求旨在将这些工艺、机构、制造、物质组成、手段、方法或步骤包含在其保护范围内。

Claims (38)

1.一种利用衬底进行加工的基板结构，其特征在于，包括：

基板阵列，所述基板阵列包括按照预定方向排列的多个基板，每个所述基板包括第一表面和与其相对的第二表面，

多个基片，所述多个基片分别设置在所述基板的第一表面和第二表面的外侧，其中：

对于相间隔的基板的每一个，其第二表面与其一侧的相邻基板的第二表面共用一个基片，以形成第一沟槽，且其第一表面与其另一侧的相邻基板的第一表面共用另一个基片，以形成第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽开口方向相反，以使所述基板结构形成长城型结构，且第一沟槽和第二沟槽深度方向为衬底的厚度方向。

2.根据权利要求1所述的基板结构，其中所述基板阵列与所述多个基片由相同或不同材料形成。

3.根据权利要求2所述的基板结构，其中所述基板包括半导体材料。

4.根据权利要求3所述的基板结构，其中所述基板包括N型掺杂配置或P型掺杂配置。

5.根据权利要求2所述的基板结构，其中所述基片包括：绝缘材料、金属、半导体材料或其组合。

6.根据权利要求5所述的基板结构，其中所述基片包括至少一个层。

7.根据权利要求1所述的基板结构，还包括至少在所述第一沟槽的侧壁形成的界面层。

8.根据权利要求1所述的基板结构，其中所述基片的外表面为所述衬底的两侧表面。

9.根据权利要求3所述的基板结构，其中所述基板包括：单晶Si、单晶Ge、单晶SiGe或其组合。

10.根据权利要求9所述的基板结构，其中所述第一、第二沟槽的侧壁所对应的基板表面的晶向为{111}。

11.根据权利要求10所述的基板结构，其中所述基板的所述第一表面和所述第二表面的晶向为{110}或{112}。

12.根据权利要求1所述的基板结构，其中所述基板阵列包括平行的多个基板。

13.根据权利要求1所述的基板结构，其中所述基板和与其连接的基片垂直。

14.根据权利要求1所述的基板结构，其中至少所述第一和第二沟槽之一的深度大于基板宽度的2倍，其中所述基板宽度为属于同一基板的、相邻两沟槽的侧壁所对应的表面之间的距离。

15.根据权利要求1所述的基板结构，其中所述基片的厚度小于所述基板宽度的1/3。

16.一种用于半导体器件的基板结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底，所述衬底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；

对所述衬底的第一表面和第二表面进行构图；

从所述衬底的第一表面刻蚀至少两个第一沟槽；以及从所述衬底的第二表面刻蚀至少一个第二沟槽，其中每个所述第二沟槽位于相邻的两个所述第一沟槽之间，且第一沟槽和第二沟槽深度方向为衬底的厚度方向，从而形成至少两个基板和至少一个基片，所述基板由所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁所限定，所述基片连接相邻的两个所述基板，以使所述基板结构形成长城型结构。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述衬底包括至少一个层。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述衬底包括半导体材料。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述衬底包括N型掺杂配置或P型掺杂配置。

20.根据权利要求17所述的方法，其中所述衬底包括半导体层和在所述半导体层的上方和下方形成的材料层。

21.根据权利要求20所述的方法，其中所述材料层包括至少一个层。

22.根据权利要求21所述的方法，其中所述材料层包括：绝缘材料、金属、半导体材料或其组合。

23.根据权利要求20所述的方法，其中所述形成第一沟槽和第二沟槽的步骤为：从所述衬底的第一表面刻蚀多个第一沟槽，并停止在所述第二表面的材料层上；以及从所述衬底的第二表面刻蚀多个第二沟槽，并停止在所述第一表面的材料层上。

24.根据权利要求20所述的方法，其中对所述衬底进行构图的步骤包括：

在所述第一表面的材料层上形成具有多个沟槽的光致抗蚀剂层；

刻蚀所述衬底，以去除所述第一表面的多个沟槽处的材料层；

移除所述光致抗蚀剂层；

在所述第二表面的材料层上形成具有多个沟槽的光致抗蚀剂层；

刻蚀所述衬底，以去除所述第二表面的多个沟槽处的材料层；

移除所述光致抗蚀剂层。

25.根据权利要求16所述的方法，还包括至少在所述第一沟槽的侧壁形成界面层的步骤。

26.根据权利要求16所述的方法，还包括至少在所述第二沟槽的侧壁形成界面层的步骤。

27.根据权利要求16所述的方法，其中所述衬底包括：单晶Si、单晶Ge、单晶SiGe或其组合。

28.根据权利要求27所述的方法，其中形成所述第一沟槽和第二沟槽的方法包括：湿法刻蚀。

29.根据权利要求27所述的方法，其中所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁所对应的表面的晶向为{111}。

30.根据权利要求29所述的方法，其中所述基板的所述第一表面和所述第二表面的晶向为{110}或{112}。

31.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述第一沟槽和第二沟槽的方法包括：各向异性刻蚀。

32.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述第一沟槽和第二沟槽的方法包括：干法刻蚀、湿法刻蚀或其组合。

33.根据权利要求16所述的方法，其中所述至少两个基板平行。

34.根据权利要求16所述的方法，其中所述基板和与其连接的基片垂直。

35.根据权利要求16所述的方法，其中至少所述第一和第二沟槽之一的深度至少大于所述基板宽度的2倍，其中所述基板宽度为属于同一基板的、相邻沟槽的侧壁所对应的表面之间的距离。

36.根据权利要求16所述的方法，其中所述基片的厚度小于所述基板宽度的1/3。

37.根据权利要求16所述的方法，还包括对所述基板结构进行拉伸的步骤。

38.根据权利要求37所述的方法，其中所述拉伸步骤包括：沿预定方向拉伸所述基板结构，以使相邻基板间的基片弯曲并使所述至少两个基板形成一个平面。

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