CN101958576A - 电源冗余并联电路和工作方法 - Google Patents

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本发明提供了一种电源冗余并联电路和工作方法，属于电源领域。所述电路包括：***负载和多路供电模块；每路供电模块包括电源，场效应管和控制检测单元；所述场效应管的源极与所述电源相接，所述场效应管的漏极与所述***负载相接；所述控制检测单元，用于当与自身相接的场效应管的寄生体二极管导通时，检测所述场效应管两端的电压，并当所述场效应管两端的电压大于预设电压阈值时，导通所述场效应管；所述电源，用于当与自身相连的场效应管导通时，通过所述场效应管给所述***负载供电。本发明减小了冗余并联电路的开关器件功率损耗，减小了冗余并联电路输入电源的压降，提高电源供电的切换速度，也提高***的可靠性，而且控制方式简单方便。

Description

电源冗余并联电路和工作方法
技术领域
本发明实施例涉及电路技术，尤其涉及一种电源冗余并联电路和工作方法，属于电源领域。
背景技术
目前，为了提高电子***的供电可靠性，避免由于供电电源故障，导致***无法正常工作的问题，经常将多路输出相同的电源并联，其中一个电源作为主电源，其它电源作为备份电源。一般情况下由主电源供电，当主电源发生故障时，备份电源立即给***供电，保证***能够正常持续工作。
图1为现有技术中将两路电源并联的示意图，从图1中可以看出，现有技术利用二极管器件的正向导通和反向截止特性实现主电源和备份电源的冗余并联，给***供电。即当第一路电源给***负载供电时，与第一路电源相连的二极管导通，如果与第一路电源相连的二极管导通，则与第二路电源相连的二极管由于反向截止特性就不会导通，因此第二路的电源停止给***负载供电。
在实现本发明过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：
由于二极管有较大的导通电压，当***负载需要较大的电流时，在二极管上的功率损耗较大，影响二极管的可靠性，若采取可靠的散热措施，提高二极管的可靠性，则需要增加散热片甚至风扇等***设备，不但增加了成本同时也降低了整个***的可靠性；并且在低电压场合，二极管的导通电压可能会导致电源的输出电压无法满足***的需求，而导致***无法正常工作；进一步的，二极管有较长的导通和截止时间，一般为数十个us。当主电源故障，备份电源供电时，存在较长的切换时间，有可能导致***掉电，重要信息未及时保存而丢失的问题。同时，切换时也可能出现备份电源倒灌进主电源而使主电源二次损坏的问题。
发明内容
本发明提供了电源冗余并联电路和工作方法，解决了现有技术中使用二极管来实现电源并联所带来的压降大、损耗大和可靠性差的缺点。
本发明提供了电源冗余并联电路，所述电路包括***负载和多路供电模块；每路供电模块包括电源，场效应管和控制检测单元；所述场效应管的源极与所述电源相接，所述场效应管的漏极与所述***负载相接；
所述控制检测单元，用于当与自身相接的场效应管的寄生体二极管导通时，检测所述场效应管两端的电压，并当所述场效应管两端的电压大于预设电压阈值时，导通所述场效应管；
所述电源，用于当与自身相连的场效应管导通时，通过所述场效应管给所述***负载供电。
本发明提供的电源冗余并联电路工作方法包括：
当第一路供电模块的场效应管的寄生体二极管导通时，检测所述场效应管两端的电压，当所述场效应管两端的电压大于预设电压阈值时，导通所述场效应管；
所述第一路供电模块的电源给***负载供电。
本发明通过将场效应管用在冗余并联电路中，并且将场效应管的源极和漏极反接，当给电源上电时，场效应管的寄生体二极管可以正向导通，在该寄生体二极管导通时，控制检测单元检测与自身相连的场效应管两端的电压，当该场效应管两端的电压大于预设电压阈值时，导通该场效应管，由与该场效应管相连的电源给***负载供电，减小了冗余并联电路的开关器件功率损耗，减小了冗余并联电路输入电源的压降，提高电源供电的切换速度，也提高***的可靠性，而且控制方式简单方便。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中将两路电源并联的示意图；
图2为本发明电源冗余并联电路实施例结构示意图；
图3为本发明电源冗余并联电路工作方法第一实施例流程示意图；
图4为本发明电源冗余并联电路工作方法第二实施例流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
图2为本发明电源冗余并联电路实施例示意图，如图2所示，该电路包括***负载10和多路供电模块11；每路供电模块包括电源110、场效应管111、和控制检测单元112，其中，场效应管111的源(Source，以下简称S)极与电源110相接，场效应管111的漏(Drain，以下简称D)极与***负载10相接；
其中，控制检测单元112，用于当与自身相接的场效应管111的寄生体二极管导通时，检测该场效应管111两端的电压，并当该场效应管111两端的电压大于预设电压阈值时，导通该场效应管111；
电源110，用于当与自身相连的场效应管111导通时，通过场效应管111给***负载10供电。
控制检测单元112，还用于检测到与自身相连的场效应管111两端的电压为负压时，关闭该场效应管111。
具体的，场效应管111可以是N沟道金属氧化物半导体场效应管(MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor，以下简称MOSFET)，也可以是P沟道的MOSFET，在使用P沟道的MOSFET时，S极与D极的连接与N沟道MOSFET的S极和D极连接方式相反，而且两者的栅(Gate，以下简称G)极驱动电压也相反，例如，N沟道MOSFET的G极是由高电压驱动，P沟道的MOSFET是由低电压驱动。本发明以N沟道MOSFET为例进行详细说明。
本发明实施例以并联两路供电模块为例进行说明，但不限于两个，还可以并联两路以上供电模块。如图2所示，设第一路供电模块的电源为VIN1，第二路供电模块的电源为VIN2，场效应管111为N沟道MOSFET。由于N沟道MOSFET的S极与电源110相接，N沟道MOSFET的D极与***负载10相接，给第一路供电模块和第二路供电模块均上电时，若第一路供电模块上电速度比第二路供电模块上电速度快，则第一路供电模块的N沟道MOSFET的寄生体二极管正向导通。第一路供电模块的控制检测单元112的电源管脚VCC与电源110相连，当第一路供电模块的N沟道MOSFET的寄生体二极管正向导通时，第一路供电模块的控制检测单元112的电压检测管脚INP和INN检测N沟道MOSFET两端的电压，控制检测单元112的VOUT管脚与N沟道MOSFET的G极相接，当寄生体二极管导通后，控制检测单元112的电压检测管脚INP和INN检测到N沟道MOSFET两端的电压大于预设电压阈值时，即N沟道MOSFET两端的电压较高时给N沟道MOSFET的G极驱动信号。
具体的，当控制检测单元112检测出N沟道MOSFET两端的电压Vinp-inn大于预设电压阈值时，控制检测单元112控制VOUT管脚的电压逐渐升高，由于控制检测单元112的VOUT管脚与N沟道MOSFET的G极相连，VOUT管脚的电压逐渐升高的同时，也使得N沟道MOSFET的G极电压逐渐升高，驱动N沟道MOSFET逐渐导通，随着N沟道MOSFET的逐渐导通，N沟道MOSFET的S极和D极之间的电阻RDSon随着VOUT管脚电压的升高而逐渐减小，INP和INN两端的压降Vinp-inn变为N沟道MOSFET的S极和D极之间的电阻RDSon和第一路供电模块的电源110供给***负载10的电流的乘积，一直到N沟道MOSFET完全导通，此时第一路供电模块的电源VIN1给***负载10供电，供电电压为VIN1-Vinp-inn。由于N沟道MOSFET的寄生体二极管的压降一般为0.7V，N沟道MOSFET完全导通后，Vinp-inn的电压值小于0.7V，在VIN1＝VIN2的情况下，(VIN1-Vinp-inn)＞(VIN2-0.7V)，因此第二路供电模块中的N沟道MOSFET的寄生体二级管无法导通，相应的，第二路供电模块的N沟道MOSFET也无法开通，此时由第一路供电模块持续给***负载10供电。
当第一路供电模块的电源110出现短路时，会导致***负载10的电流反向流过第一路供电模块的N沟道MOSFET，第一路供电模块的控制检测单元112检测到与自身相连的N沟道MOSFET两端的电压Vinp-inn变成负压后，立即给该N沟道MOSFET的G极低电平信号，以使该N沟道MOSFET关闭，避免***负载损坏。
当第一路供电模块发生故障停止供电后，供电电压开始下降，当电压V1N1下降到开始出现(VIN2-0.7)＞(VIN1-Vinp-inn)时，第一路供电模块的N沟道MOSFET的寄生体二极管截止，第一路供电模块的N沟道MOSFET两端就会出现反压，此时，第一路供电模块的控制检测单元检测到与自身相连的N沟道MOSFET两端的电压为反压时，立即将VOUT管脚输出的电压从高电压变为低电压，以关断该第一路供电模块的N沟道MOSFET，第一路供电模块也就不会给***负载供电；同时，由于(VIN2-0.7)＞(VIN1-Vinp-inn)，第二路供电模块的N沟道MOSFET的寄生体二极管会正向导通，第二路供电模块的控制检测单元检测到N沟道MOSFET两端的电压大于预设电压阈值后，就会给与自身相连的N沟道MOSFET高电压信号，使该N沟道MOSFET导通，第二路供电模块就给***负载10供电。
本发明中，将N沟道MOSFET也可以接在***负载10与地之间，相应的，N沟道MOSFET的S极与***负载10相连，N沟道MOSFET的D极与地相连。N沟道MOSFET的S极与D极的连接关系是要使得电源110提供给***负载10的电流可以流过N沟道MOSFET的寄生体二极管，即要使得N沟道MOSFET的寄生体二极管正向导通。
本发明通过将N沟道MOSFET用在冗余并联电路中，并且将N沟道MOSFET的S极和D极反接，当给电源上电时，N沟道MOSFET的寄生体二极管可以正向导通，在该寄生体二极管导通时，控制检测单元检测与自身相连的N沟道MOSFET两端的电压，当该N沟道MOSFET两端的电压大于预设电压阈值时，导通该N沟道MOSFET，由与该N沟道MOSFET相连的电源给***负载供电。与现有技术利用二级管将主电源与备份电源的输出并联在一起相比，本发明利用N沟道MOSFET来实现电源的冗余并联，由于N沟道MOSFET具有低导通电阻，减小了冗余并联电路的开关器件功率损耗，增加了器件的可靠性；同时由于N沟道MOSFET具有很低的导通电压，减小了冗余并联电路输入电源的压降，可以适用在低电压场合；并且由于N沟道MOSFET具有快速的切换时间，因此利用N沟道MOSFET还可以提高电源供电的切换速度，进一步提高***的可靠性；并且，本发明当N沟道MOSFET的寄生体二极管导通时，控制检测单元会自动检测N沟道MOSFET两端的电压，然后根据检测的电压来驱动N沟道MOSFET，使N沟道MOSFET导通，控制方式简单方便。
实施例2
本实施例提供了实施例1所示的电源冗余并联电路的工作方法，图3为本发明电源冗余并联电路工作方法第一实施例流程示意图，该方法包括：
301：当第一路供电模块的场效应管的寄生体二极管导通时，检测该场效应管两端的电压，当该场效应管两端的电压大于预设电压阈值时，导通该场效应管；
具体的，场效应管可以是N沟道MOSFET，也可以是P沟道的MOSFET，在使用P沟道的MOSFET时，S极与D极的连接与N沟道MOSFET的S极和D极连接方式相反，而且两者的G极驱动电压也相反，例如，N沟道MOSFET的G极是由高电压驱动，P沟道的MOSFET是由低电压驱动。本发明以N沟道MOSFET为例进行详细说明。
302：第一路供电模块的电源给***负载供电。
图4为本发明电源冗余并联电路工作方法第二实施例流程示意图，如图4所示，当第一路供电模块的电源短路时，会导致***负载的电流反向流过场效应管，此时该方法还包括：
303：检测到第一路供电模块的场效应管两端的电压为负压时，关闭该场效应管。
当第一路供电模块的电源短路时，会检测到第一路供电模块的场效应管两端的电压为负压时，立即关闭该场效应管，可以避免***负载的损坏。
进一步地，关闭第一路供电模块的场效应管后，该方法还包括：
304：当除了第一路供电模块之外的第二路供电模块的场效应管的寄生体二极管导通时，检测第二路供电模块的场效应管两端的电压；
305：当检测的第二路供电模块的场效应管两端的电压大于预设电压阈值时，导通第二路供电模块的场效应管；
306：第二路供电模块的电源给所述***负载供电。
当第一路供电模块的电源发生故障停止供电后，该方法还可以包括：
除第一路供电模块之外的第二路供电模块的场效应管的寄生体二极管导通时，检测到第二路供电模块的场效应管两端的电压大于预设电压阈值时，导通第二路供电模块的场效应管；
第二路供电模块给***负载供电。
需要说明的，对于电源冗余并联电路工作方法实施例而言，由于其基本相应于电源冗余并联电路实施例，所以相关之处参见电源冗余并联电路实施例的部分说明即可。
本发明通过将N沟道MOSFET用在冗余并联电路中，并且将N沟道MOSFET的S极和D极反接，当给电源上电时，N沟道MOSFET的寄生体二极管可以正向导通，在该寄生体二极管导通时，控制检测单元检测与自身相连的N沟道MOSFET两端的电压，当该N沟道MOSFET两端的电压大于预设电压阈值时，导通该N沟道MOSFET，由与该N沟道MOSFET相连的电源给***负载供电。与现有技术利用二级管将主电源与备份电源的输出并联在一起相比，本发明利用N沟道MOSFET来实现电源的冗余并联，由于N沟道MOSFET具有低导通电阻，减小了冗余并联电路的开关器件功率损耗，增加了器件的可靠性；同时由于N沟道MOSFET具有很低的导通电压，减小了冗余并联电路输入电源的压降，可以适用在低电压场合；并且由于N沟道MOSFET具有快速的切换时间，因此利用N沟道MOSFET还可以提高电源供电的切换速度，进一步提高***的可靠性；并且，本发明当N沟道MOSFET的寄生体二极管导通时，控制检测单元会自动检测N沟道MOSFET两端的电压，然后根据检测的电压来驱动N沟道MOSFET，使N沟道MOSFET导通，控制方式简单方便。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (7)

1.一种电源冗余并联电路，其特征在于，所述电路包括***负载和多路供电模块；每路供电模块包括电源，场效应管和控制检测单元；所述场效应管的源极与所述电源相接，所述场效应管的漏极与所述***负载相接；
所述控制检测单元，用于当与自身相接的场效应管的寄生体二极管导通时，检测所述场效应管两端的电压，并当所述场效应管两端的电压大于预设电压阈值时，导通所述场效应管；
所述电源，用于当与自身相连的场效应管导通时，通过所述场效应管给所述***负载供电。
2.根据权利要求1所述的电源冗余并联电路，其特征在于，所述场效应管是N沟道金属氧化物半导体场效应管。
3.根据权利要求1或2所述的电源冗余并联电路，其特征在于，所述控制检测单元，还用于检测到所述与自身相连的场效应管两端的电压为负压时，关闭所述场效应管。
4.一种如权利要求1所述的电源冗余并联电路工作方法，其特征在于，所述方法包括：
当第一路供电模块的场效应管的寄生体二极管导通时，检测所述场效应管两端的电压，当所述场效应管两端的电压大于预设电压阈值时，导通所述场效应管；
所述第一路供电模块的电源给***负载供电。
5.根据权利要求4所述的电源冗余并联电路工作方法，其特征在于，当检测到所述第一路供电模块的场效应管两端的电压为负压时，关闭所述场效应管。
6.根据权利要求4或5所述的电源冗余并联电路工作方法，其特征在于，所述方法还包括：除所述第一路供电模块之外的第二路供电模块的场效应管的寄生体二极管导通时，检测所述第二路供电模块的场效应管两端的电压；
当所述第二路供电模块的场效应管两端的电压大于预设电压阈值时，导通所述第二路供电模块的场效应管；
所述第二路供电模块的电源给所述***负载供电。
7.根据权利要求6所述的电源冗余并联电路工作方法，其特征在于，所述场效应管是N沟道金属氧化物半导体场效应管。
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103166305A (zh) * 2011-12-14 2013-06-19 国民技术股份有限公司 一种电源控制***及其实现方法和智能卡
CN103872906A (zh) * 2012-12-18 2014-06-18 中兴通讯股份有限公司 通信电源的控制装置及方法
CN103915882A (zh) * 2014-04-01 2014-07-09 深圳市理邦精密仪器股份有限公司 一种多电源并联输入电路
CN105024547A (zh) * 2015-07-17 2015-11-04 深圳市理邦精密仪器股份有限公司 一种冗余电源
CN105045363A (zh) * 2015-06-29 2015-11-11 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种解决多路vr输出电流倒灌的方法
CN105245214A (zh) * 2015-11-12 2016-01-13 郑州雅晨生物科技有限公司 电池切换电路
CN106410922A (zh) * 2016-12-02 2017-02-15 中国船舶重工集团公司第七二四研究所 一种高功率合成电源***电源模块故障隔离方法
CN106602699A (zh) * 2016-07-15 2017-04-26 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 电压切换电路及其控制方法、控制电路和usb pd器
CN108808845A (zh) * 2018-08-14 2018-11-13 广州奥格智能科技有限公司 一种超低损耗双路电源切换防倒灌电路
CN108988470A (zh) * 2017-06-05 2018-12-11 深圳市道通智能航空技术有限公司 电池冗余电路、无人飞行器及其电池供电的控制方法
CN109149551A (zh) * 2018-09-14 2019-01-04 北京机械设备研究所 一种主动式冗余并联供电控制电路
CN110212898A (zh) * 2019-07-05 2019-09-06 捷普科技（上海）有限公司 多通道开关控制***及方法
WO2021185099A1 (zh) * 2020-03-20 2021-09-23 华为技术有限公司 电源合路电路、诊断方法、装置及***
CN113541300A (zh) * 2021-07-06 2021-10-22 浙江大华技术股份有限公司 电源冗余备份控制电路和led显示***
CN113655838A (zh) * 2021-08-17 2021-11-16 北京计算机技术及应用研究所 一种电压可调冗余控制电路
CN114243886A (zh) * 2021-12-21 2022-03-25 威创集团股份有限公司 一种交流电输入冗余控制装置
CN114629603A (zh) * 2022-03-14 2022-06-14 上海航天测控通信研究所 综合测控设备可靠性提升方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101309013A (zh) * 2007-10-23 2008-11-19 深圳市浚海仪表设备有限公司 双电源自动切换电路

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101309013A (zh) * 2007-10-23 2008-11-19 深圳市浚海仪表设备有限公司 双电源自动切换电路

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
《国外电子元器件》 20020531 Roberto Amadio 冗余电源设计 74-75 , *

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103166305A (zh) * 2011-12-14 2013-06-19 国民技术股份有限公司 一种电源控制***及其实现方法和智能卡
CN103872906A (zh) * 2012-12-18 2014-06-18 中兴通讯股份有限公司 通信电源的控制装置及方法
CN103872906B (zh) * 2012-12-18 2018-08-24 南京中兴新软件有限责任公司 通信电源的控制装置及方法
CN103915882A (zh) * 2014-04-01 2014-07-09 深圳市理邦精密仪器股份有限公司 一种多电源并联输入电路
CN105045363A (zh) * 2015-06-29 2015-11-11 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种解决多路vr输出电流倒灌的方法
CN105024547A (zh) * 2015-07-17 2015-11-04 深圳市理邦精密仪器股份有限公司 一种冗余电源
CN105024547B (zh) * 2015-07-17 2018-02-09 深圳市理邦精密仪器股份有限公司 一种冗余电源
CN105245214A (zh) * 2015-11-12 2016-01-13 郑州雅晨生物科技有限公司 电池切换电路
CN106602699A (zh) * 2016-07-15 2017-04-26 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 电压切换电路及其控制方法、控制电路和usb pd器
CN106410922A (zh) * 2016-12-02 2017-02-15 中国船舶重工集团公司第七二四研究所 一种高功率合成电源***电源模块故障隔离方法
CN108988470A (zh) * 2017-06-05 2018-12-11 深圳市道通智能航空技术有限公司 电池冗余电路、无人飞行器及其电池供电的控制方法
CN108808845A (zh) * 2018-08-14 2018-11-13 广州奥格智能科技有限公司 一种超低损耗双路电源切换防倒灌电路
CN109149551A (zh) * 2018-09-14 2019-01-04 北京机械设备研究所 一种主动式冗余并联供电控制电路
CN110212898A (zh) * 2019-07-05 2019-09-06 捷普科技（上海）有限公司 多通道开关控制***及方法
CN110212898B (zh) * 2019-07-05 2023-07-25 捷普科技（上海）有限公司 多通道开关控制***及方法
WO2021185099A1 (zh) * 2020-03-20 2021-09-23 华为技术有限公司 电源合路电路、诊断方法、装置及***
CN113541300A (zh) * 2021-07-06 2021-10-22 浙江大华技术股份有限公司 电源冗余备份控制电路和led显示***
CN113655838A (zh) * 2021-08-17 2021-11-16 北京计算机技术及应用研究所 一种电压可调冗余控制电路
CN114243886A (zh) * 2021-12-21 2022-03-25 威创集团股份有限公司 一种交流电输入冗余控制装置
CN114243886B (zh) * 2021-12-21 2023-10-10 威创集团股份有限公司 一种交流电输入冗余控制装置
CN114629603A (zh) * 2022-03-14 2022-06-14 上海航天测控通信研究所 综合测控设备可靠性提升方法

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