CN101937953A - 一种氮化镓基发光二极管及其制备方法 - Google Patents

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刘建平
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Abstract

本发明公开了一种氮化镓基发光二极管，包括：一衬底；设于衬底上的缓冲层；直接外延在缓冲层上的本征GaN层；一N型掺杂GaN外延层，其上设有N型GaN图形化模板结构；一InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱；一AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层；一P型GaN层；一ITO接触层；以及P型电极和N型电极；所述N型GaN图形化基底、多量子阱、超晶格电子阻挡层，以及P型GaN层均为曲面结构。本发明开增强了发光二极管器件的出光效率，同时实现发光二极管的宽光谱输出，推动白光照明的发展。

Description

一种氮化镓基发光二极管及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种氮化镓基发光二极管，属于半导体技术领域。
背景技术
半导体照明发光二极管具有寿命长、节能环保等显著优点，被认为是继白炽灯、荧光灯之后又一次照明技术的革命，是目前国际上半导体和照明领域研发和产业关注的焦点，拥有巨大的应用前景。
宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)具有优异的物理和化学特性，与氮化铟(InN)、氮化铝(AlN)等III族氮化物组成三元、四元合金的禁带宽度可以在0.7～6.2eV之间连续调节，并且任意组分的InAlGaN四元合金都是直接带隙，在全色显示、彩色激光打印、高密度光存储、光照明、光探测、水下通信等领域都有着广泛的应用前景。近年来，GaN基发光二极管的研究已取得巨大进展，但是针对显示屏、背光源、照明等高端应用的需求，仍需进一步提高其发光效率，以积极推动白光照明技术的发展。
现有的氮化镓基发光二极管，其传统结构为以蓝宝石为衬底，然后在蓝宝石衬底的一侧，依次从下到上分别设置一N型氮化镓接触层、一氮化铟镓发光层、一P型氮化镓接触层，最后，于P型氮化镓接触层和N型氮化镓接触层上分别设置一正电极和负电极。在此传统结构下的氮化镓基发光二极管，其发光层主要是以氮化铟镓(InxGa1-xN，x＝0～1)为势阱(PotentialWell)的多重量子阱(Multi-quantum Well)结构，电子和空穴在势阱结合而释放出光子。
上述常规的GaN发光二极管有源区一般为平面结构，存在着发光全反射损失等问题，且GaN基发光二极管多在蓝宝石(0001)面上外延，内部极化电场对量子阱中电子和空穴的分布有着重要的影响，限制了发光效率的提高。因此，GaN基发光二极管目前还很难进入通用照明领域，需要进一步提高其出光效率，同时实现宽光谱输出，以推动白光照明的发展。
发明内容
本发明目的是提供一种氮化镓基发光二极管及其制备方法，以进一步提高发光二极管的出光效率，同时实现宽光谱输出，推动白光照明的发展。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种氮化镓基发光二极管，包括：
一衬底；
设于衬底上的一缓冲层；
直接外延在缓冲层上的一本征GaN层；
一N型掺杂GaN外延层，沉积在本征GaN层上；所述N型掺杂GaN外延层上设有N型GaN图形化模板结构；
一InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱，生长在N型GaN图形化模板结构之上；
一AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层，生长在InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱之上；
一P型GaN层，生长在AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层之上；
一ITO接触层，设于P型GaN层之上；
在ITO接触层和N型掺杂GaN外延层上分别设置P型电极和N型电极；
所述N型GaN图形化模板结构、InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱、AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层，以及P型GaN层均为曲面结构。
上述技术方案中，所述衬底为平面蓝宝石衬底、图形化蓝宝石衬底、氮化镓衬底、碳化硅衬底或硅衬底。
进一步的技术方案，所述N型GaN图形化模板结构为连续的蒙古包形状，蒙古包的直径、高度以及相邻蒙古包之间的距离间隔相互匹配，其量级从纳米量级延伸至微米量级。
上述技术方案中，所述本征GaN层和N型掺杂GaN外延层的总厚度为3～7μm。该厚度取决于衬底类型。
上述技术方案中，所述InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱中势阱InxGa1-xN层中In的含量x为0.1～0.28，势阱InxGa1-xN层的厚度为1～4nm；势垒AlaInbGa1-a-bN层中Al含量a为0～0.3，In含量b为0～0.25，其厚度为6～17nm。
上述技术方案中，所述InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱的周期数为5～12。
上述技术方案中，所述AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层AlyGa1-yN中Al含量y为0.1～0.3，其厚度为20～40nm；AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格中Al含量a为0.1～0.3，y为0.1～0.3，In含量b为0.1～0.25，其厚度为3～8nm。
本发明同时请求保护一种氮化镓基发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
(1)在衬底上生长缓冲层和本征GaN层以及N型掺杂GaN外延层；
(2)采用反应离子刻蚀法、全息曝光法或电子束曝光法在N型掺杂GaN外延层上制备N型GaN图形化模板结构；
(3)在N型GaN图形化模板结构之上外延InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱；
(4)在InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱之上生长AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层；
(5)在AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层之上制备P型GaN层；
(6)蒸镀或溅射ITO接触层；
(7)采用光刻以及蒸镀或溅射的方法分别制备N型电极和P型电极；
所述N型GaN图形化模板结构、InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱、AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层，以及P型GaN层均为曲面结构。
上述技术方案中，所述InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱中势阱InxGa1-xN层中In的含量x为0.1～0.28，势阱InxGa1-xN层的厚度为1～4nm；势垒AlaInbGa1-a-bN层中Al含量a为0～0.3，In含量b为0～0.25，其厚度为6～17nm，所述InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱的周期数为5～12。
本发明的工作机理如下：引入图形化有源区结构，一方面在半极性或非极性面生长InGaN量子阱可以降低或者消除极化场引起的量子限制Stark效应，提高内量子效率并增加有源区可利用面积，增强发光二极管器件的出光效率；另一方面结合有源区中In在不同晶面上生长速率的差异，实现发光二极管器件的宽光谱输出。
由于上述技术方案的采用，与现有技术相比，本发明具有如下优点：
1.本发明在N型掺杂GaN外延层上设置了N型GaN图形化模板结构，并将InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱、AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层，以及P型GaN层均设置为曲面结构，有助于降低或者消除发光二极管中极化场引起的量子限制Stark效应，提高内量子效率并增加有源区可利用面积，增强发光二极管器件的出光效率，同时实现发光二极管的宽光谱输出，推动白光照明的发展。
2.本发明将N型GaN图形化模板结构的制备与MOCVD外延生长技术相结合，发明的图形化有源区结构GaN基发光二极管有助于进一步提高发光二极管器件的电光转换效率，且其宽光谱特性对于白光照明也有着重要的理论意义和现实意义。
3.本发明的图形化有源区阵列具有更大的表面积，有利于发光二极管器件单位面积发光强度和出光效率的提高，同时又可以实现发光二极管器件宽光谱输出；通过图形化有源区结构可以实现在GaN的非极性面或者半极性面上同时生长有源区结构，降低极化电场对量子阱发光效率的影响。
附图说明
图1是本发明实施例一的结构示意图。
其中：1、衬底；2、缓冲层；31、本征GaN层；32、N型掺杂GaN外延层32；4、InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱；5、超晶格电子阻挡层；6、P型GaN层；7、ITO接触层；8、P型电极；9、N型电极。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述：
实施例一
参见图1所示，一种氮化镓基发光二极管，其制备方法包括以下步骤：
(1)在衬底1如平面蓝宝石衬底、图形化蓝宝石衬底、氮化镓衬底、碳化硅衬底或硅衬底上生长缓冲层2和本征GaN层31以及N型掺杂GaN外延层32；本征GaN层和N型掺杂GaN外延层的总厚度为3～7μm，具体取决于衬底类型；
(2)采用反应离子刻蚀法、全息曝光法或电子束曝光法在N型掺杂GaN外延层上制备N型GaN图形化模板结构；该N型GaN图形化模板结构为连续的蒙古包形状，蒙古包的直径、高度以及相邻蒙古包之间的距离间隔相互匹配，其量级从纳米量级延伸至微米量级；
(3)在N型GaN图形化模板结构之上外延InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱4；所述InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱中势阱InxGa1-xN层中In的含量x为0.1～0.28，势阱InxGa1-xN层的厚度为1～4nm；势垒AlaInbGa1-a-bN层中Al含量a为0～0.3，In含量b为0～0.25，其厚度为6～17nm，所述InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱的周期数为5～12；
(4)在InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱之上生长AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层5；
(5)在AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层之上制备P型GaN层6；
(6)蒸镀或溅射ITO接触层7；
(7)采用光刻以及蒸镀或溅射的方法分别制备N型电极9和P型电极8；
所述N型GaN图形化模板结构、InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱、AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层，以及P型GaN层均为连续的蒙古包形状的曲面结构。

Claims (9)

1.一种氮化镓基发光二极管，其特征在于，包括：
一衬底；
设于衬底上的一缓冲层；
直接外延在缓冲层上的一本征GaN层；
一N型掺杂GaN外延层，沉积在本征GaN层上；所述N型掺杂GaN外延层上设有N型GaN图形化模板结构；
一InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱，生长在N型GaN图形化模板结构之上；
一AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层，生长在InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱之上；
-P型GaN层，生长在AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层之上；
一ITO接触层，设于P型GaN层之上；
在ITO接触层和N型掺杂GaN外延层上分别设置P型电极和N型电极；
所述N型GaN图形化模板结构、InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱、AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层，以及P型GaN层均为曲面结构。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述衬底为平面蓝宝石衬底、图形化蓝宝石衬底、氮化镓衬底、碳化硅衬底或硅衬底。
3.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述N型GaN图形化模板结构为连续的蒙古包形状，蒙古包的直径、高度以及相邻蒙古包之间的距离间隔相互匹配，其量级从纳米量级延伸至微米量级。
4.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述本征GaN层和N型掺杂GaN外延层的总厚度为3～7μm。
5.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱中势阱InxGa1-xN层中In的含量x为0.1～0.28，势阱InxGa1-xN层的厚度为1～4nm；势垒AlaInbGa1-a-bN层中Al含量a为0～0.3，In含量b为0～0.25，其厚度为6～17nm。
6.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱的周期数为5～12。
7.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层AlyGa1-yN中Al含量y为0.1～0.3，其厚度为20～40nm；AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格中Al含量a为0.1～0.3，y为0.1～0.3，In含量b为0.1～0.25，其厚度为3～8nm。
8.一种氮化镓基发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在衬底上生长缓冲层和本征GaN层以及N型掺杂GaN外延层；
(2)采用反应离子刻蚀法、全息曝光法或电子束曝光法在N型掺杂GaN外延层上制备N型GaN图形化模板结构；
(3)在N型GaN图形化模板结构之上外延InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱；
(4)在InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱之上生长AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层；
(5)在AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层之上制备P型GaN层；
(6)蒸镀或溅射ITO接触层；
(7)采用光刻以及蒸镀或溅射的方法分别制备N型电极和P型电极；
所述N型GaN图形化模板结构、InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱、AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层，以及P型GaN层均为曲面结构。
9.根据权利要求8所述的氮化镓基发光二极管的制备方法，其特征在于：所述InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱中势阱InxGa1-xN层中In的含量x为0.1～0.28，势阱InxGa1-xN层的厚度为1～4nm；势垒AlaInbGa1-a-bN层中Al含量a为0～0.3，In含量b为0～0.25，其厚度为6～17nm，所述InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱的周期数为5～12。
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Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102097555A (zh) * 2011-01-14 2011-06-15 武汉迪源光电科技有限公司 一种二极管外延结构
CN102185064A (zh) * 2011-04-19 2011-09-14 武汉华炬光电有限公司 一种利用多量子阱电子阻挡层增加发光效率的AlGaN基深紫外LED器件及制作方法
CN102185068A (zh) * 2011-05-06 2011-09-14 西安神光安瑞光电科技有限公司 发光二极管及其制备方法
CN102185067A (zh) * 2011-05-06 2011-09-14 西安神光安瑞光电科技有限公司 发光二极管及其制备方法
CN102610715A (zh) * 2012-03-31 2012-07-25 中国科学院半导体研究所 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法
CN103367554A (zh) * 2012-03-28 2013-10-23 清华大学 发光二极管的制备方法
CN103811609A (zh) * 2014-02-19 2014-05-21 中国科学院半导体研究所 氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法
CN103887382A (zh) * 2014-04-02 2014-06-25 叶瑾琳 一种高效率的发光二极管以及激光器
TWI457271B (zh) * 2011-03-29 2014-10-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 半導體外延結構的製備方法
CN104218132A (zh) * 2013-05-29 2014-12-17 苏州新纳晶光电有限公司 一种氮化镓图形衬底的制备方法
CN103137797B (zh) * 2011-12-03 2015-09-30 清华大学 发光二极管的制备方法
US9219193B2 (en) 2011-01-12 2015-12-22 Tsinghua University Method for making epitaxial structure
CN105932121A (zh) * 2016-05-05 2016-09-07 太原理工大学 一种三维led外延结构及其制备方法
CN106711296A (zh) * 2016-11-29 2017-05-24 华灿光电（浙江）有限公司 一种绿光发光二极管的外延片及其生长方法
CN106816508A (zh) * 2016-12-27 2017-06-09 广东量晶光电科技有限公司 一种半导体发光器件制作的方法及半导体发光器件
CN107086257A (zh) * 2017-03-15 2017-08-22 华灿光电（浙江）有限公司 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法
CN108550675A (zh) * 2018-05-23 2018-09-18 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片及其制备方法
CN109166951A (zh) * 2018-08-24 2019-01-08 北京石墨烯研究院 一种石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底在紫外led技术中的应用
CN110212065A (zh) * 2019-06-11 2019-09-06 厦门乾照光电股份有限公司 一种pvd溅射设备、led器件及其制作方法
CN110459658A (zh) * 2018-05-08 2019-11-15 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种P型GaN层的UV LED芯片及其制备方法
CN110571316A (zh) * 2019-09-11 2019-12-13 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种发光二极管结构及其制备方法
CN111341892A (zh) * 2020-03-17 2020-06-26 厦门乾照半导体科技有限公司 一种led外延结构及其制作方法、led芯片
CN113299227A (zh) * 2021-04-12 2021-08-24 福州大学 一种带触控和调试功能的发光四极管

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4429395A (en) * 1981-06-01 1984-01-31 Rca Corporation Semiconductor laser
US20040041156A1 (en) * 2001-02-15 2004-03-04 Yuhzoh Tsuda Nitride semiconductor light emitting element and production thereof
CN1638162A (zh) * 2003-12-31 2005-07-13 Lg电子有限公司 发光装置及其制造方法
WO2009111790A1 (en) * 2008-03-07 2009-09-11 Trustees Of Boston University Optical devices featuring nonpolar textured semiconductor layers
WO2010033792A1 (en) * 2008-09-18 2010-03-25 Lumenz Llc Textured semiconductor light-emitting devices

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4429395A (en) * 1981-06-01 1984-01-31 Rca Corporation Semiconductor laser
US20040041156A1 (en) * 2001-02-15 2004-03-04 Yuhzoh Tsuda Nitride semiconductor light emitting element and production thereof
CN1638162A (zh) * 2003-12-31 2005-07-13 Lg电子有限公司 发光装置及其制造方法
WO2009111790A1 (en) * 2008-03-07 2009-09-11 Trustees Of Boston University Optical devices featuring nonpolar textured semiconductor layers
WO2010033792A1 (en) * 2008-09-18 2010-03-25 Lumenz Llc Textured semiconductor light-emitting devices

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9905726B2 (en) 2011-01-12 2018-02-27 Tsinghua University Semiconductor epitaxial structure
US9559255B2 (en) 2011-01-12 2017-01-31 Tsinghua University Epitaxial structure
US9219193B2 (en) 2011-01-12 2015-12-22 Tsinghua University Method for making epitaxial structure
CN102097555A (zh) * 2011-01-14 2011-06-15 武汉迪源光电科技有限公司 一种二极管外延结构
TWI457271B (zh) * 2011-03-29 2014-10-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 半導體外延結構的製備方法
CN102185064A (zh) * 2011-04-19 2011-09-14 武汉华炬光电有限公司 一种利用多量子阱电子阻挡层增加发光效率的AlGaN基深紫外LED器件及制作方法
CN102185068A (zh) * 2011-05-06 2011-09-14 西安神光安瑞光电科技有限公司 发光二极管及其制备方法
CN102185067A (zh) * 2011-05-06 2011-09-14 西安神光安瑞光电科技有限公司 发光二极管及其制备方法
CN103137797B (zh) * 2011-12-03 2015-09-30 清华大学 发光二极管的制备方法
CN103367554A (zh) * 2012-03-28 2013-10-23 清华大学 发光二极管的制备方法
CN103367554B (zh) * 2012-03-28 2016-03-30 清华大学 发光二极管的制备方法
CN102610715A (zh) * 2012-03-31 2012-07-25 中国科学院半导体研究所 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法
CN102610715B (zh) * 2012-03-31 2014-04-09 中国科学院半导体研究所 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法
CN104218132A (zh) * 2013-05-29 2014-12-17 苏州新纳晶光电有限公司 一种氮化镓图形衬底的制备方法
CN103811609A (zh) * 2014-02-19 2014-05-21 中国科学院半导体研究所 氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法
CN103887382A (zh) * 2014-04-02 2014-06-25 叶瑾琳 一种高效率的发光二极管以及激光器
CN105932121A (zh) * 2016-05-05 2016-09-07 太原理工大学 一种三维led外延结构及其制备方法
CN106711296A (zh) * 2016-11-29 2017-05-24 华灿光电（浙江）有限公司 一种绿光发光二极管的外延片及其生长方法
CN106711296B (zh) * 2016-11-29 2019-11-29 华灿光电（浙江）有限公司 一种绿光发光二极管的外延片及其生长方法
CN106816508A (zh) * 2016-12-27 2017-06-09 广东量晶光电科技有限公司 一种半导体发光器件制作的方法及半导体发光器件
CN107086257A (zh) * 2017-03-15 2017-08-22 华灿光电（浙江）有限公司 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法
CN107086257B (zh) * 2017-03-15 2019-06-28 华灿光电（浙江）有限公司 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法
CN110459658A (zh) * 2018-05-08 2019-11-15 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种P型GaN层的UV LED芯片及其制备方法
CN108550675A (zh) * 2018-05-23 2018-09-18 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片及其制备方法
CN108550675B (zh) * 2018-05-23 2019-11-12 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片及其制备方法
CN109166951A (zh) * 2018-08-24 2019-01-08 北京石墨烯研究院 一种石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底在紫外led技术中的应用
CN109166951B (zh) * 2018-08-24 2020-09-01 北京石墨烯研究院 一种石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底在紫外led技术中的应用
CN110212065A (zh) * 2019-06-11 2019-09-06 厦门乾照光电股份有限公司 一种pvd溅射设备、led器件及其制作方法
CN110571316A (zh) * 2019-09-11 2019-12-13 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种发光二极管结构及其制备方法
CN111341892A (zh) * 2020-03-17 2020-06-26 厦门乾照半导体科技有限公司 一种led外延结构及其制作方法、led芯片
CN113299227A (zh) * 2021-04-12 2021-08-24 福州大学 一种带触控和调试功能的发光四极管

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