CN101937900B - 一种微波毫米波电路 - Google Patents

一种微波毫米波电路 Download PDF

Info

Publication number
CN101937900B
CN101937900B CN201010241422XA CN201010241422A CN101937900B CN 101937900 B CN101937900 B CN 101937900B CN 201010241422X A CN201010241422X A CN 201010241422XA CN 201010241422 A CN201010241422 A CN 201010241422A CN 101937900 B CN101937900 B CN 101937900B
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit board
multilayer circuit
boss
millimeter wave
conductor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201010241422XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN101937900A (zh
Inventor
罗兵
佛朗哥·马可尼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huawei Technologies Co Ltd
Original Assignee
Huawei Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huawei Technologies Co Ltd filed Critical Huawei Technologies Co Ltd
Priority to CN201010241422XA priority Critical patent/CN101937900B/zh
Publication of CN101937900A publication Critical patent/CN101937900A/zh
Priority to PCT/CN2011/073724 priority patent/WO2012016460A1/zh
Priority to BR112012015573-3A priority patent/BR112012015573B1/pt
Priority to EP11814043.3A priority patent/EP2490255B1/en
Priority to RU2012126952/28A priority patent/RU2500052C1/ru
Priority to US13/478,324 priority patent/US8988891B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN101937900B publication Critical patent/CN101937900B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/021—Components thermally connected to metal substrates or heat-sinks by insert mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6627—Waveguides, e.g. microstrip line, strip line, coplanar line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237—High frequency adaptations
    • H05K1/0243—Printed circuits associated with mounted high frequency components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09009—Substrate related
    • H05K2201/09054—Raised area or protrusion of metal substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Transmitters (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

本发明实施例提供了一种微波毫米波电路，包括：多层电路板，热衬底，电路模块，所述多层电路板开设有窗口，所述热衬底包括基座，所述多层电路板贴置于所述基座，所述热衬底还包括自所述基座向所述多层电路板的窗口内延伸的凸台；所述电路模块嵌入所述窗口内并且位于所述凸台上，所述电路模块与所述多层电路板的外层导体层电连接。

Description

一种微波毫米波电路
技术领域
本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种微波毫米波电路。 
背景技术
如图9所示，现有的MMW(Micro and Millimeter Waves，微波毫米波)电路，包括：电路板(例如：PCB)，所述电路板位于热衬底(具有导热性能的金属块，比如铜块或铝块等)上，所述电路板开设有窗口，裸芯片放置于所述窗口内，并且位于所述热衬底上。 
所述裸芯片通过银浆等导电材料粘接在热衬底上，使得裸芯片和热衬底之间具有较好的导热和导电连接。所述裸芯片通过键合线与所述电路板表面的导体层电连接。在这种结构下，裸芯片、键合线以及位于电路板上的微带线的参考地都是热衬底。 
在实现本发明过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题： 
由于现有的MMW电路采用的电路板仅设置有一层导体，因此无法实现较大规模电路的设计。 
发明内容
本发明的实施例提供了一种微波毫米波电路，以实现较大规模电路的设计。 
本发明实施例提供如下方案： 
一种微波毫米波电路，包括：多层电路板，热衬底，电路模块，所述多层电路板开设有窗口，所述热衬底包括基座，所述多层电路板贴置于所述基座，所述多层电路板的底面与所述热衬底的基座的表面连接，所述热衬底还包括自所述基座向所述多层电路板的窗口内延伸的凸台；所述电路模块嵌入所述窗口内并且位于所述凸台上，所述电路模块与所述多层电路板的外层导体层电连接。 
一种通信设备，包括：电路封装模块，所述电路封装模块包括微波毫米波电路，所述微波毫米波电路包括：多层电路板，热衬底，电路模块，所述多层电路板开设有窗口，所述热衬底包括基座，所述多层电路板贴置于所述 基座，所述多层电路板的底面与所述热衬底的基座的表面连接，所述热衬底还包括自所述基座向所述多层电路板的窗口内延伸的凸台；所述电路模块嵌入所述窗口内并且位于所述凸台上，所述电路模块与所述多层电路板的外层导体层电连接。 
由上述本发明的实施例提供的技术方案可以看出，通过在所述热衬底的基座上面设置凸台的形式，对所述电路模块进行支撑，以使得所述多层电路板中的导体层可以设置为二层，甚至更多层，更多层的导体层能够承载更多的布线，这样，可以在该层数很多的电路板上实现较大规模电路的设计。 
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 
图1为本发明一种微波毫米波电路的实施例的示意图； 
图2为本发明另一种微波毫米波电路的实施例的示意图； 
图3为本发明另一种微波毫米波电路的实施例的示意图； 
图4为本发明另一种微波毫米波电路的实施例的示意图； 
图5为本发明另一种微波毫米波电路的实施例的示意图； 
图6为本发明另一种微波毫米波电路的实施例的示意图； 
图7为本发明另一种微波毫米波电路的实施例的示意图； 
图8为本发明另一种微波毫米波电路的实施例的示意图； 
图9为一种现有的微波毫米波电路的示意图。 
具体实施方式
为便于对本发明实施例的理解，下面将结合附图以几个具体实施例为例做进一步的解释说明，且各个实施例并不构成对本发明实施例的限定。 
如图1所示，本发明提供一种微波毫米波电路的实施例，包括：多层电路板，热衬底3，以及电路模块2，所述多层电路板开设有窗口，所述热衬底3包括基座32，所述多层电路板贴置于所述基座32，所述热衬底3还包括自所述基座向所述多层电路板的窗口内延伸的凸台31；所述电路模块2嵌入所述窗口内并且位于所述凸台3上，所述电路模块2与所述多层电路板的外层导体层1-1电连接。 
在本发明的上述实施例中，通过在所述热衬底3的基座32上面设置凸台31的形式，对所述电路模块2进行支撑，以使得所述多层电路板中的导体层可以设置为二层，甚至更多层，更多层的导体层能够承载更多的PCB布线，这 样，可以在该层数很多的电路板上实现较大规模电路的设计。 
在图1中，是以具有两层导体层的多层电路板为例进行说明的，图中1-a为多层电路板的绝缘层a；1-2为多层电路板内部的导体层；1-b为多层电路板的绝缘层b；8-1为连接外层的导体层到内部的导体层的过孔；8-3为连接所述多层电路板的外层导体层，内层导体层，以及所述热衬底的过孔。 
在本发明的上述实施例中，多层电路板与所述基座32之间还可以设置其他部件，例如：起垫高作用的部件等。 
在本发明的上述实施例中，所述热衬底可以包括具有导热和导电功能的金属块，例如铜块；或者铝块；或者铜块和铝块的结合体。 
在本发明的上述实施例中，所述电路模块可以包括设置有电路的模块，例如：所述电路模块可以包括芯片(例如：裸芯片)，或者集成电路等等。 
在本发明的上述实施例中，所述凸台的高度能够对所述电路模块起到支撑作用就可以了，例如，所述凸台可以支撑所述电路模块，使得所述电路模块位于大致与所述多层电路板的外层导体层平齐的高度，或者，使得所述电路模块略突出所述多层电路板的外层导体层之外，或者，使得所述电路模块略低于所述多层电路板的外层导体层。 
进一步地，所述凸台的高度可以与所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层平齐，或者，所述凸台高于所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层，或者所述凸台低于所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层。其中，所述多层电路板的微带线可以位于所述多层电路板的外层导体层，那么，所述微带线的参考层为自所述外层导体层往里数的第二层导体层。另外，如果自所述外层导体层往里数的第二层导体层被挖空的话，所述参考层可以位于自所述外层导体层往里数的第三层导体层，依次类推。 
如图1所示，在本发明的上述实施例中，所述窗口的侧壁可以为台阶状，形成台阶面10，所述台阶面10抵接在所述凸台的顶面上。 
在本发明的上述实施例中，所述电路模块与所述多层电路板的外层导体层1-1电连接的方式可以为： 
通过键合线电连接(如图1中所示)，也可以通过连接器实现电连接。 
在本发明的上述实施例中，所述电路模块与所述热衬底电连接的方式可以为： 
所述电路模块可以通过银浆等导电材料进行粘接固定，保证电路模块与热衬底之间具有较好的电连接，以及实现导热的功能。 
如图2及图7所示，在本发明的上述实施例中，所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层与所述凸台的侧面电连接，或者，所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层与所述凸台的顶面电连接。需说明的是，所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层，与，所述凸台的侧面或顶面电连接的方式可以是：接触后电连接；或者，通过在所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层，与，所述凸台的侧面或顶面之间的接触面上涂覆导电材料(例如：银浆)实现电连接。 
通过所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层与所述凸台电连接，电路模块以及位于所述多层电路板的微带线的参考地都为所述热衬底。在这样的情况下，参考地是一个完全连续的结构，减小了因为参考地不连续引起的反射问题。 
进一步地，如图2及图4所示，在本发明的上述实施例中，所述凸台的高度不低于所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层所位于的高度，使得所述凸台在侧面与所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层有接触，可以实现电连接。 
如图3所示，在本发明的实施例中，可以在所述凸台的顶面开设凹槽，所述电路模块2可以嵌入所述凹槽内。 
如图5所示，在本发明的上述实施例中，可以在所述凸台的顶面的边缘设置凹陷，所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层抵接在所述凹陷上，实现与所述凸台的电连接。 
如图6所示，在本发明的上述实施例中，可以在所述凸台的一侧设置导电PP(Pre-Preg，半固化片)，所述导电PP的边缘设置有凹槽，所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层抵接在所述凹槽上，实现与所述凸台的电连接。导电PP在高温高压下具有流动性，可以在所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层与所述凸台之间进行填充和连接，而且可以弥补凸台和所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层的加工误差。 
其中，所述导电PP可以设置为环状，套设在所述凸台上。 
如图8所示，在本发明的实施例中，可以在所述凸台的顶面，与，所述多 层电路板的微带线的参考地所在的导体层之间的接触面上，使用银浆等类型的导电胶进行粘接，例如，可以在进行PCB层压制作之前，先在凸台与所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层接触的部分涂覆一层导电胶。由于导电胶具有延展变形的作用，可以弥补对凸台高度误差。 
本发明的实施例还提供一种通信设备，包括：电路封装模块，所述电路封装模块包括微波毫米波电路，微波毫米波电路的实施例，包括：多层电路板，热衬底，以及电路模块，所述多层电路板开设有窗口，所述热衬底包括基座，所述多层电路板贴置于所述基座，所述热衬底还包括自所述基座向所述多层电路板的窗口内延伸的凸台；所述电路模块嵌入所述窗口内并且位于所述凸台上，所述电路模块与所述多层电路板的外层导体层电连接。 
所述电路封装模块为封装有电路的模块。 
所述电路封装模块可以为芯片封装模块，或多芯片模块MCM(Multi-Chip Moudli，多芯片封装模块)，或***级封装模块SIP(System In Package，***级封装模块)。 
所述通信设备可以为基站，或路由器等。 
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。 

Claims (9)

1.一种微波毫米波电路，其特征在于，包括：多层电路板，热衬底，以及电路模块，所述多层电路板开设有窗口，所述热衬底包括基座，所述多层电路板贴置于所述基座，所述多层电路板的底面与所述热衬底的基座的表面连接，所述热衬底还包括自所述基座向所述多层电路板的窗口内延伸的凸台；所述电路模块嵌入所述窗口内并且位于所述凸台上，所述电路模块与所述多层电路板的外层导体层电连接，所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层与所述凸台的侧面电连接，或者，所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层与所述凸台的顶面电连接。
2.如权利要求1所述的微波毫米波电路，其特征在于，所述电路模块包括裸芯片或集成电路。
3.如权利要求1所述的微波毫米波电路，其特征在于，所述窗口的侧壁为台阶状，形成台阶面，所述台阶面抵接在所述凸台的顶面上。
4.如权利要求1所述的微波毫米波电路，其特征在于，所述凸台的高度不低于所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层所位于的高度，使得所述凸台在侧面与所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层有接触，实现电连接。
5.如权利要求1所述的微波毫米波电路，其特征在于，在所述凸台的顶面的边缘设置凹陷，所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层抵接在所述凹陷上。
6.如权利要求1所述的微波毫米波电路，其特征在于，在所述凸台的顶面与所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层之间的接触面上，使用导电胶进行粘接。
7.如权利要求1所述的微波毫米波电路，其特征在于，在所述凸台的一侧设置导电半固化片，所述导电半固化片的边缘设置有凹槽，所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层抵接在所述凹槽上。
8.一种通信设备，其特征在于，包括：电路封装模块，所述电路封装模块包括微波毫米波电路，所述微波毫米波电路包括：多层电路板，热衬底，以及电路模块，所述多层电路板开设有窗口，所述热衬底包括基座，所述多层电路板贴置于所述基座，所述多层电路板的底面与所述热衬底的基座的表面连接，所述热衬底还包括自所述基座向所述多层电路板的窗口内延伸的凸台；所述电路模块嵌入所述窗口内并且位于所述凸台上，所述电路模块与所述多层电路板的外层导体层电连接，所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层与所述凸台的侧面电连接，或者，所述多层电路板的微带线的参考地所在的导体层与所述凸台的顶面电连接。
9.如权利要求8所述的通信设备，其特征在于，所述电路封装模块为：芯片封装模块，或***级封装模块。
CN201010241422XA 2010-07-31 2010-07-31 一种微波毫米波电路 Active CN101937900B (zh)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010241422XA CN101937900B (zh) 2010-07-31 2010-07-31 一种微波毫米波电路
PCT/CN2011/073724 WO2012016460A1 (zh) 2010-07-31 2011-05-06 一种微波毫米波电路
BR112012015573-3A BR112012015573B1 (pt) 2010-07-31 2011-05-06 circuito de ondas micrométricas e milimétricas e dispositivo de comunicação
EP11814043.3A EP2490255B1 (en) 2010-07-31 2011-05-06 Microwave and millimeter wave circuit
RU2012126952/28A RU2500052C1 (ru) 2010-07-31 2011-05-06 Схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов
US13/478,324 US8988891B2 (en) 2010-07-31 2012-05-23 Micro and millimeter waves circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010241422XA CN101937900B (zh) 2010-07-31 2010-07-31 一种微波毫米波电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101937900A CN101937900A (zh) 2011-01-05
CN101937900B true CN101937900B (zh) 2013-01-09

Family

ID=43391130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010241422XA Active CN101937900B (zh) 2010-07-31 2010-07-31 一种微波毫米波电路

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8988891B2 (zh)
EP (1) EP2490255B1 (zh)
CN (1) CN101937900B (zh)
BR (1) BR112012015573B1 (zh)
RU (1) RU2500052C1 (zh)
WO (1) WO2012016460A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101937900B (zh) 2010-07-31 2013-01-09 华为技术有限公司 一种微波毫米波电路
US9337522B2 (en) * 2013-10-30 2016-05-10 Infineon Technologies Ag Millimeter-wave system including a waveguide transition connected to a transmission line and surrounded by a plurality of vias
CN112714539A (zh) * 2019-10-24 2021-04-27 伟创力有限公司 电子组件及制造电子组件的方法
CN111491489B (zh) * 2020-04-10 2022-11-15 深圳国人无线通信有限公司 一种印制板组件

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5379187A (en) * 1993-03-25 1995-01-03 Vlsi Technology, Inc. Design for encapsulation of thermally enhanced integrated circuits
CN1197286A (zh) * 1997-04-18 1998-10-28 庄晴光 双重模式微波/毫米波集成电路封装
US6683795B1 (en) * 2002-04-10 2004-01-27 Amkor Technology, Inc. Shield cap and semiconductor package including shield cap

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5012386A (en) * 1989-10-27 1991-04-30 Motorola, Inc. High performance overmolded electronic package
US6292374B1 (en) * 1998-05-29 2001-09-18 Lucent Technologies, Inc. Assembly having a back plate with inserts
JP2000353770A (ja) * 1999-05-20 2000-12-19 Whitaker Corp:The 集積回路パッケージ、ミリ波集積回路パッケージ、及び集積回路パッケージを基板に組立及び実装する方法
US6625028B1 (en) * 2002-06-20 2003-09-23 Agilent Technologies, Inc. Heat sink apparatus that provides electrical isolation for integrally shielded circuit
US7018494B2 (en) * 2002-08-28 2006-03-28 Kyocera Corporation Method of producing a composite sheet and method of producing a laminate by using the composite sheet
US7514684B2 (en) * 2006-08-28 2009-04-07 L-3 Communications Corporation Surface mounted infrared image detector systems and associated methods
EP1923950A1 (en) * 2006-11-17 2008-05-21 Siemens S.p.A. SMT enabled microwave package with waveguide interface
RU2329568C1 (ru) * 2006-12-05 2008-07-20 Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ") Корпус интегральной схемы
CN101415297B (zh) 2007-10-19 2010-07-07 华为技术有限公司 一种印制板组件及其加工方法
CN101937900B (zh) * 2010-07-31 2013-01-09 华为技术有限公司 一种微波毫米波电路

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5379187A (en) * 1993-03-25 1995-01-03 Vlsi Technology, Inc. Design for encapsulation of thermally enhanced integrated circuits
CN1197286A (zh) * 1997-04-18 1998-10-28 庄晴光 双重模式微波/毫米波集成电路封装
US6683795B1 (en) * 2002-04-10 2004-01-27 Amkor Technology, Inc. Shield cap and semiconductor package including shield cap

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012016460A1 (zh) 2012-02-09
RU2500052C1 (ru) 2013-11-27
EP2490255B1 (en) 2016-04-06
EP2490255A1 (en) 2012-08-22
BR112012015573A2 (pt) 2018-05-29
US20120243185A1 (en) 2012-09-27
US8988891B2 (en) 2015-03-24
BR112012015573B1 (pt) 2020-11-17
CN101937900A (zh) 2011-01-05
EP2490255A4 (en) 2014-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101258787B (zh) 带有集成电器件的印刷电路板多层结构和制造方法
CN103493610A (zh) 刚性柔性基板及其制造方法
CN104867912A (zh) 嵌入式毫米波相控阵列模块
US20120037411A1 (en) Packaging substrate having embedded passive component and fabrication method thereof
KR20070108258A (ko) 프린트 배선판
CN109309276B (zh) 部件承载件的腔体中位于高频电介质上的天线结构
CN101937900B (zh) 一种微波毫米波电路
CN101779529B (zh) 电子电路装置以及建立电子电路装置的方法
CN104219878A (zh) 布线基板
CN104427752A (zh) 结合型的印刷布线板及其制造方法
CN108258393B (zh) 一种k波段小型化毫米波t/r组件
CN111696970A (zh) 半导体装置
CN106717135B (zh) 印刷电路板和印刷电路板布置
CN102244972A (zh) 电路板及其应用
TWI761723B (zh) 全向內埋模組及製作方法、封裝結構及製作方法
CN105578749A (zh) 电路板连接组件及移动终端
CN104981102A (zh) 一种多芯片嵌入式的柔性电路板及其制造方法
US20120168960A1 (en) Multi chip package
WO2023093314A8 (zh) 板级架构、封装模组、电子设备及板级架构的制作方法
US20070029663A1 (en) Multilayered circuit substrate and semiconductor package structure using the same
CN107148144B (zh) 一种4g模块
CN201541392U (zh) 电路板
US6541853B1 (en) Electrically conductive path through a dielectric material
CN209676574U (zh) 一种具有高质量互连结构的多层电路板
WO2023233893A1 (ja) 電子部品の配線構造、電子部品の接続方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant