CN101924003B - 电极结构及等离子体设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电极结构及等离子体设备，电极结构由多块石墨板拼接之后放在边框中，石墨板与边框之间设有弹性元件。将石墨板放入边框后，石墨板便会被弹性元件顶住夹紧，这样既保证了石墨板在高温或者低温的情况下不会出现缝隙，又保证了石墨板拆卸维护时的便捷。可以应用在等离子体增强化学气相沉积设备的工艺腔室中。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体加工设备，尤其涉及一种电极结构及等离子体设备。
背景技术
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备广泛用于半导体制作工艺中，用于沉积各种薄膜，例如氮化硅薄膜，透明导电薄膜等。太阳能电池制作工艺中，要用到等离子体增强化学气相沉积设备，尤其是在大面积(面积超过0.25平方米)晶体硅太阳能电池的制作工艺中的应用更加广泛。
如图1所示，是现有技术中的PECVD设备的结构示意图。
在工艺腔室1内上部零加射频形成上电极4，载板接地形成下电极3，下电极3的下部设有加热板2，在满足等离子体形成条件下，上、下电极之间会形成等离子体。根据工艺要求，也可以使用低频或者高压直流电，为了保证工艺的正常进行，电极4、3必须与电源端或接地端可靠接触。
要保证下电极3良好的导电性和接地，目前下电极3用到的材料一般为石墨。因加工难度问题，一般石墨的宽度小于100厘米，但为保证大面积，需要用几块石墨板拼接起来。
如图2所示，现有技术一中，用三块石墨板5直接拼接，然后放在边框6中，边框6接地，石墨板5通过边框6接地，石墨板5与边框6之间留有热胀预留区7。
现有技术一的缺点是：石墨板5加热膨胀，引起两块石墨板5之间接触缝隙变大，影响均匀性。
如图3所示，现有技术二中，在石墨板5的拼接处使用固定件8在连接，保证加热时不会出现缝隙，然后放在边框6中。
现有技术二的缺点是：石墨板清洗的时候需要将固定件拆开，不便于维护。
发明内容
本发明的目的是提供一种既能保证石墨板在高温或者低温的情况下不会出现缝隙，又方便石墨板拆卸维护的电极结构及等离子体设备。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
本发明的电极结构，由多块石墨板拼接之后放在边框中，所述石墨板与边框之间设有弹性元件。
本发明的等离子体设备，包括工艺腔室，所述工艺腔室中设有下电极，所述下电极包括上述的电极结构。
由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的电极结构及等离子体设备，由于多块石墨板拼接之后放在边框中，石墨板与边框之间设有弹性元件。在弹性元件的作用下，既能保证石墨板在高温或者低温的情况下不会出现缝隙，又方便石墨板拆卸维护。
附图说明
图1为现有技术中PECVD设备工艺腔室的结构示意图；
图2为现有技术方案一中下电极的结构示意图；
图3为现有技术方案二中下电极的结构示意图；
图4为本发明的电极结构的结构示意图。
具体实施方式
本发明的电极结构，其较佳的具体实施方式如图4所示，由多块石墨板5拼接之后放在边框6中，石墨板5与边框6之间设有弹性元件9。石墨板5与边框6之间留有热胀预留区7，弹性元件9可以设在热胀预留区7的部位。
石墨板5可以为长方形，由2-4块石墨板拼接成电极结构，如由3块石墨板5拼接。石墨板5的长边与边框6之间可以设有1-3个弹性元件9，如设有2个弹性元件9。
每块石墨板5的短边与边框6之间可以分别设有1个弹性元件9。
弹性元件9可以为高温弹簧或高温弹片，也可以为其它的弹性元件。
本发明的等离子体设备，其较佳的具体实施方式是，包括工艺腔室，工艺腔室中设有下电极，下电极包括上述的电极结构。
该等离子体设备可以为等离子体增强化学气相沉积设备，也可以为其它的等离子体设备。
本发明中将石墨板放入边框后，石墨板便会被弹性元件顶住夹紧，这样既保证了石墨板在高温或者低温的情况下不会出现缝隙，又保证了石墨板拆卸维护时的便捷。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种电极结构，由多块石墨板拼接之后放在边框中，该电极结构用于等离子体设备工艺腔室中的下电极，其特征在于，所述石墨板与边框之间设有弹性元件。
2.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述的石墨板为长方形，由2－4块石墨板拼接。
3.根据权利要求2所述的电极结构，其特征在于，由3块所述石墨板拼接。
4.根据权利要求2或3所述的电极结构，其特征在于，所述石墨板的长边与所述边框之间设有1－3个弹性元件，每块石墨板的短边与所述边框之间分别设有1个弹性元件。
5.根据权利要求4所述的电极结构，其特征在于，所述石墨板的长边与所述边框之间设有2个弹性元件。
6.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述的弹性元件为高温弹簧或高温弹片。
7.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述等离子体设备为等离子体增强化学气相沉积设备。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200910086630 CN101924003B (zh) | 2009-06-12 | 2009-06-12 | 电极结构及等离子体设备 |
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ID=43338845
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN 200910086630 Active CN101924003B (zh) | 2009-06-12 | 2009-06-12 | 电极结构及等离子体设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101924003B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103361636B (zh) * | 2013-08-06 | 2015-04-29 | 河北大学 | 等离子体气相沉积双面材料局域生长装置和方法 |
| CN207743194U (zh) * | 2018-01-03 | 2018-08-17 | 惠科股份有限公司 | 一种陶瓷结构、下电极及干蚀刻机 |
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-
2009
- 2009-06-12 CN CN 200910086630 patent/CN101924003B/zh active Active
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| Title |
|---|
| JP特开2004-311581A 2004.11.04 |
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|---|---|
| CN101924003A (zh) | 2010-12-22 |
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| GR01 | Patent grant | ||
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