CN101911251B - 用于处理衬底的设备和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于处理衬底的设备和方法。通过使用所述设备和方法，可在单个腔室中在衬底的边缘区和后部区中的每一者上个别执行等离子处理。所述设备包含：腔室，其提供反应空间；平台，其安装在所述腔室中；等离子屏蔽单元，其在所述腔室中是与所述平台相对地安装着；支撑单元，其用于在所述平台与所述等离子屏蔽单元之间支撑衬底；第一供应管，其提供于所述平台处以将反应气体或非反应气体供应到所述衬底的一个表面；以及第二和第三供应管，其提供于所述等离子屏蔽单元处，所述第二供应管将反应气体供应到所述衬底的另一表面，所述第三供应管将非反应气体供应到所述另一表面。

Description

用于处理衬底的设备和方法
技术领域
本发明涉及一种用于处理衬底的设备和方法，尤其涉及一种用于处理衬底的设备和方法，其中可在单个腔室中在衬底的边缘区和后部区中的每一者上个别地执行等离子处理。 
背景技术
半导体装置是通过执行薄膜沉积和蚀刻(thin film deposition and etching)工艺来制造。也就是说，薄膜是通过执行沉积工艺在衬底上形成于预定区中，且薄膜的不必要的部分是通过使用一种蚀刻用的掩模(etching mask)以执行蚀刻工艺来移除，进而在衬底上形成所需电路图案或电路元件以制造半导体装置。大体上，此类沉积和蚀刻工艺重复若干次，直到获得所需电路图案为止。 
同时，在薄膜沉积工艺中，薄膜可不仅沉积在衬底的所需中心区中，而且沉积在衬底的不需要的边缘区和后部区中。另外，在薄膜蚀刻工艺中，保留在蚀刻装置中的各种残余物(即，粒子)也可吸附在衬底的边缘区和后部区中。通常，用于固定衬底的静电卡盘(electro static chuck)在其上安装衬底的平台中使用。静电卡盘的面对衬底的表面可形成有凹槽，存在于衬底与静电卡盘之间的气体可通过所述凹槽抽空。另外，所述平台可经受压纹(embossing)工艺以使得平台的表面带压纹。此时，薄膜和粒子可通过凹槽或压纹之间的间隙而累积于衬底的整个后部上。如果后续工艺在累积于衬底上的薄膜和粒子未移除的状态中连续执行，那么可能存在的许多问题在于衬底弯曲或衬底的对准可能较困难。因此，在衬底的沉积和蚀刻工艺结束之后，应分别使用边缘蚀刻装置和后部蚀刻装置来蚀刻衬底的 边缘区和后部区，以便移除不必要的薄膜和粒子。 
然而，由于常规的边缘和后部蚀刻装置作为独立装置而单独存在，因此已需要宽广的安装空间。此外，已通过在若干腔室之间移动衬底来执行工艺。因此，极有可能经受处理的衬底暴露于大气且被污染。此外，闲置时间(standby time)由于衬底在腔室之间的移动而增加，且因此使处理时间可大大地增加。 
发明内容
技术问题 
构想本发明以解决上述问题。本发明提供一种用于处理衬底的设备和方法，其中可在工艺中不移动衬底的情况下在单个腔室中在衬底的边缘区和后部区中的每一者上个别执行等离子处理。 
技术解决方案 
根据本发明的一方面，提供一种用于处理衬底的设备，所述设备包含：腔室，其提供反应空间；平台，其安装在所述腔室中；等离子屏蔽单元，其在所述腔室中是与所述平台相对地安装着；支撑单元，其用于在所述平台与所述等离子屏蔽单元之间支撑衬底；第一供应管，其提供于所述平台处以将反应气体或非反应气体供应到所述衬底的一个表面；以及第二和第三供应管，其提供于所述等离子屏蔽单元处，所述第二供应管将反应气体供应到所述衬底的另一表面，所述第三供应管将非反应气体供应到所述另一表面。 
所述设备可进一步包含用于提起所述平台和所述等离子屏蔽单元中的至少一者的驱动单元。 
所述平台和所述等离子屏蔽单元中的至少一者可具有在所述衬底的一方向上突起的突起部分。 
所述突起部分可经形成以使得所述突起部分的平面面积小于所述衬 底的平面面积。 
所述突起部分可经形成以使得所述突起部分的平面直径小于所述支撑单元的内径。 
所述支撑件可包含：臂部分，其在所述腔室中扩展和收缩；以及支撑部分，其在所述臂部分的一端处向内弯曲以在其顶部表面上支撑所述衬底的边缘区。 
所述臂部分可安装到所述腔室的上侧或下侧。 
所述支撑部分可具有形成为平坦或倾斜的弯曲部分。 
所述支撑部分可以单个环的形状或以单个环划分为多个区段的形状来形成。 
所述反应气体可通过所述第二供应管而供应到所述衬底的边缘区，且所述非反应气体通过所述第三供应管而供应到所述衬底的中心区。 
根据本发明的另一方面，提供一种用于处理衬底的方法，所述方法包含：在平台与等离子屏蔽单元之间安置衬底；将所述衬底与所述等离子屏蔽单元之间的间隙调整为所述衬底搁置于所述平台上的状态中的第一间隙；通过所述等离子屏蔽单元将反应气体供应到所述衬底的边缘区，进而在所述衬底上执行初级(primary)等离子处理工艺；将所述衬底与所述等离子屏蔽单元之间的所述间隙调整为所述平台和所述衬底彼此间隔开的状态中的第二间隙；以及通过所述平台而将反应气体供应到所述衬底的后部区，进而在所述衬底上执行次级(secondary)等离子处理工艺。 
可将所述第一和第二间隙调整为允许等离子在所述衬底的中心区与所述等离子屏蔽单元之间未被激活的距离，即，在0.1到0.7mm的范围内。 
所述反应气体可包含氟自由基或氯自由基。所述氟自由基可包含CF4、CHF4、SF6、C2F6、C4F8和NF3中的至少一者。所述氯自由基可包含BCl3和Cl2中的至少一者。 
在执行所述初级等离子处理工艺的过程中，可通过所述等离子屏蔽单 元而将非反应气体供应到所述衬底的中心区。 
所述非反应气体可包含氧气、氢气、氮气和惰性气体中的至少一者。 
所述衬底可通过支撑于支撑单元上而安置于所述平台与所述等离子屏蔽单元之间。 
可通过提起所述支撑单元、所述平台和所述等离子屏蔽单元中的至少一者来调整所述第一和第二间隙。 
根据本发明的又一方面，提供一种用于处理衬底的方法，所述方法包含：在平台与等离子屏蔽单元之间在支撑单元上支撑衬底；通过所述平台而提起所述衬底以将所述衬底与所述等离子屏蔽单元之间的间隙调整为第一间隙；通过所述等离子屏蔽单元而将反应气体供应到所述衬底的边缘区，进而在所述衬底上执行初级等离子处理工艺；通过所述支撑单元而提起所述衬底以将所述衬底与所述等离子屏蔽单元之间的间隙调整为第二间隙；以及通过所述平台而将反应气体供应到所述衬底的后部区，进而在所述衬底上执行次级等离子处理工艺。 
可将所述第一和第二间隙设定于0.1到0.7mm的范围内。 
有益效果 
一种用于处理衬底的设备允许等离子处理以如下方式在单个腔室中在衬底的边缘区和后部区中的每一者上个别执行：执行衬底的边缘区上的等离子处理，同时保护衬底的前部和后部的中心区，且执行衬底的后部区上的等离子处理，同时保护衬底的前部。因此，用于设备的安装空间减少，使得生产线的空间实用性可改进。此外，由于不存在由于衬底在腔室之间的移动而引起衬底暴露于大气，因此使衬底受较少污染。而且，由于不存在由于衬底在腔室之间移动带来的闲置时间，因此整个处理时间可减少。 
附图说明
图1是显示根据本发明第一实施例的用于处理衬底的设备的示意图。 
图2和图3是根据本发明第一实施例的支撑件的支撑部分的底部表面。 
图4是说明根据本发明第一实施例的等离子处理方法操作的流程图。 
图5是说明根据本发明第一实施例的初级等离子处理工艺的腔室的示意图。 
图6是说明根据本发明第一实施例的次级等离子处理工艺的腔室的示意图。 
图7是根据本发明第二实施例的用于处理衬底的设备的示意图。 
具体实施方式
下文中，将参看附图来详细描述本发明的示范性实施例。 
然而，本发明不限于下文揭示的实施例，而是可实施为不同的形式。仅为了说明性目的且为了所属领域的技术人员充分理解本发明的范围而提供这些实施例。整个图式中，相同参考标号用以指定相同元件。 
<第一实施例> 
图1是显示根据本发明第一实施例用于处理衬底的设备的示意图，且图2和图3是根据本发明第一实施例的支撑件的支撑部分的底部表面。 
参看图1，根据此实施例的用于处理衬底的设备包含：腔室100，其中提供有反应空间；平台200，其安装在腔室100的内部的下部部分处；等离子屏蔽单元300，其安装在腔室100的内部的上部部分处且与平台200相对；支撑单元410，其经配置以在平台200与等离子屏蔽单元300之间支撑衬底；以及等离子产生单元510、520和530，其用于在平台200与等离子屏蔽单元300之间产生等离子。此处，衬底10指代待处理的板形物体，例如晶片、玻璃面板等，其需要经等离子处理，例如蚀刻、沉积、净化等。 
腔室100包含具有提供于其中的预定空间的腔室主体110，以及用于覆盖腔室主体110的顶部的腔室盖120。此时，腔室盖120以气密方式连接到腔室主体110的顶部以界定腔室100内部的闭合反应空间。将了解，腔室主体110和腔室盖120可一体式形成。腔室100具备用于装载和卸载衬底10的打开/关闭单元，以及用于抽空剩余气体的抽空单元(evacuation unit)。举例来说，在此实施例中，打开/关闭单元是通过在腔室100的侧壁处形成门130来配置，且抽空单元是通过在腔室100的底壁处形成抽空口141且将抽空泵140连接到抽空口141来配置。优选地，腔室100经配置以连接到接地电源以使得电流不流经腔室100。 
平台200在其主体的上部中心处具备突起部分。突起部分提供当蚀刻衬底10的边缘时衬底10的后部的中心部分搁置于其中的搁置区。平台200具备第一供应管210以用于将反应气体或非反应气体供应到衬底10的后部，其中第一供应管210的一侧延伸到腔室100的外部且连接到第一气体供应单元220。此时，第一供应管210的另一端(即，在气体注射方向上导向衬底的末端)形成有多个开口，使得从腔室100的外部供应的反应气体或非反应气体在气体注射到衬底10的后部之前被划分为多个流(streams)。因此，气体可均匀地注射到衬底10的后部。优选地，平台200经安装以便由驱动单元提起和旋转。在此实施例中，平台200的主体的下侧耦合到驱动轴231的一端，且驱动轴231的另一端穿过腔室100的底壁，且随后耦合到用于将一种提起力和旋转力施加于驱动轴231的第一驱动单元230。 
同时，虽然未图示，但用于固定衬底10的例如使用机械、静电、真空吸取力等的卡盘部件等卡盘单元可提供于平台200的突起部分处；且用于维持腔室100中的恒定处理温度的例如冷却管之类的冷却单元、和通过冷却管而循环的致冷剂、或例如电加热器、灯加热器等加热单元都可提供于平台200的主体处。 
等离子屏蔽单元300在其主体的下部中心处具备突起部分。当蚀刻衬 底10的后部时，突起部分邻近于衬底10的前部的中心区而定位，使得可能防止等离子流入衬底10的前部的中心区中，且引起等离子局部产生。等离子屏蔽单元300具备用于将反应气体供应到衬底10的前部的边缘区的第二供应管311，和用于将非反应气体供应到衬底10的前部的中心区的第三供应管312。第二供应管311的一侧延伸到腔室100的外部且连接到第二气体供应单元321。第三供应管312的一侧延伸到腔室100的外部且连接到第三气体供应单元322。此时，第二供应管311和第三供应管312的其它侧(即，在气体注射方向上导向衬底的侧)形成有多个开口，使得从腔室100的外部供应的气体在气体朝向衬底10注射之前被划分为多个流。因此，气体可均匀地注射到衬底10的前部的边缘区或中心区。 
同时，平台200和等离子屏蔽单元300的突起部分优选形成为具有与衬底10相同的形状且具有比衬底10的大小稍小的大小。然而，突起部分的大小可取决于处理条件而变化。因此，尽管衬底10的后部搁置在平台200的突起部分上或等离子屏蔽单元300的突起部分靠近衬底10的前部而定位，衬底10的边缘区也暴露，使得等离子可自由流入衬底10的边缘暴露区中，且因此，可容易蚀刻衬底10的暴露边缘区。此时，衬底10的暴露边缘区优选从衬底10的末端起具有约0.1到5mm的宽度。优选地，平台200的突起部分的平面具有直径d2，d2小于支撑单元410的内径d1，使得突起部分的上部部分可至少部分***到支撑单元410的内部空间中。因此，如果通过操作第一驱动单元230而提起平台200，那么支撑于支撑单元410上的衬底10搁置于平台200的突起部分上且共同被提起，使得衬底10可靠近等离子屏蔽单元300而定位。 
支撑单元410允许衬底10被支撑在平台200与等离子屏蔽单元300之间的空间中且上下移动，进而调整衬底10与平台200之间的间隙和衬底10与等离子屏蔽单元300之间的间隙。支撑单元410包含：臂部分413，其安装于腔室100的上部部分中以上下扩展和收缩；以及支撑部分411，其在臂部分413的末端处向内弯曲以在其顶部表面上支撑衬底10的边缘区。 
臂部分413可允许衬底10定位于其内部。优选地，臂部分413形成为具有能够稳定地支撑衬底10的负载的结构，即，呈一对长杆或中空圆柱体的形状。臂部分413的一端连接到提供于腔室100的外部的第二驱动单元420以上下扩展和收缩。臂部分413的另一端通过第二驱动单元420而在平台200与等离子屏蔽单元300之间上下移动。优选地，支撑部分411以与衬底10的形状相同的形状形成，以具有一种使衬底10的边缘区可稳定地支撑在支撑部分的顶部表面上的结构。举例来说，如果衬底10具有圆形形状，那么支撑部分411可以如图2所示的单个环的形状或以如图3所示的单个环划分为多个区段的形状来形成。此时，环形状的内径d1优选形成为稍小于衬底10的直径。因此，衬底10的后部的中心区的大部分(除边缘区外)可暴露。优选地，形成于支撑部分411与臂部分413之间的弯曲部分412形成为向内平坦或从外向内向下倾斜。因此，存在的效果在于衬底10稳定地搁置在平坦表面上，或在沿着倾斜表面导引时自动对准于支撑部分411上。优选地，支撑单元410是以不电学干扰用于处理衬底的设备的其它组件的浮动状态而配置。为此，支撑单元410可由例如A12O3等绝缘材料形成。 
等离子产生单元用以在平台200与等离子屏蔽单元300之间产生等离子，使得衬底10经等离子处理。此实施例经配置以使得平台200充当下部电极，且等离子屏蔽单元300充当上部电极。此时，等离子屏蔽单元300连接到接地电源，且平台200连接到电源单元530，以便施加等离子功率。在此实施例中，电源单元530将射频功率供应到平台200，且阻抗匹配单元531用来匹配射频功率的最大功率与平台200的负载之间的阻抗。然而，等离子产生单元不限于此。也就是说，等离子产生单元可修改为用于在平台200与等离子屏蔽单元300之间产生等离子的任何单元。举例来说，用于产生等离子的电极可以腔室100外部的天线的形状形成，且可使用DC功率来代替射频功率。或者，接地功率可施加于平台200，且高频功率可施加于等离子屏蔽单元300。 
同时，具有上述配置的用于处理衬底的设备允许不仅在衬底的边缘区上而且在衬底的后部区上在单个腔室中个别地执行等离子处理，其将详细描述如下。 
图4是说明根据本发明第一实施例的等离子处理方法的操作的流程图，图5是说明根据本发明第一实施例的初级等离子处理工艺的腔室的示意图，且图6是说明根据本发明第一实施例的次级等离子处理工艺的腔室的示意图。 
参看图4和图5，在初级等离子处理工艺中在衬底10的边缘区上执行等离子处理。首先，将上面形成有预定薄膜的衬底10装载到腔室100中以支撑于支撑部分410上。随后，通过提起平台200而将衬底10的后部搁置于平台200的突起部分上，且随后通过再次提起平台200而将衬底10的前部的中心区与等离子屏蔽单元300之间的间隙调整为使等离子未被激活(即，在0.1到0.7mm范围内)的第一间隙(S110)。随后，通过第二供应管311而将反应气体供应到衬底10的前部的边缘区，且通过第三供应管312而将非反应气体供应到衬底10的前部的中心区(S120)。随后，如果等离子功率施加于平台200，则可形成等离子，使得在衬底10的表面上执行等离子处理(S130)。此时，衬底10的后部的中心区搁置在待密封的平台200的突起部分上。通过经由第三供应管311供应的非反应气体而在衬底10的前部的中心区中形成一种屏蔽层。因此，在初级等离子处理工艺中，衬底10的前部和后部的中心区受保护，且仅在衬底10的暴露边缘区上执行等离子处理。 
参看图4和图6，在次级等离子处理工艺中在衬底的后部区上执行等离子处理。在初级等离子处理结束时，通过下降该平台200使衬底10和等离子屏蔽单元300彼此间隔开。因此，衬底10支撑于支撑单元410上。随后，通过提起该支撑单元410而将衬底10的前部的中心区与等离子屏蔽单元300之间的间隙调整为使等离子未被激活(即，在0.1到0.7mm范围内)的第二间隙(S140)。随后，通过平台200的第一供应管210而将反应气体供应到衬底10的后部(S150)。如果等离子功率施加于平台200，则可形成等离子，使得在衬底10的后部上执行等离子处理(S160)。此时，衬底10的前部区靠近等离子屏蔽单元300而定位，以防止衬底10暴露于等离子。因此，在次级等离子处理工艺中，衬底10的前部受保护，且仅在衬底10的后部上执行等离子处理。 
同时，在初级和次级等离子处理工艺中，反应气体可包含氟自由基或氯自由基。氟自由基包含CF4、CHF4、SF6、C2F6、C4F8和NF3中的至少一者。氯自由基包含BCl3和Cl2中的至少一者。另外，各种蚀刻气体可用于以化学方式来蚀刻累积于衬底10上的薄膜或粒子。非反应气体可包含氧气、氢气、氮气和惰性气体。另外，各种保护气体可用于保护形成于衬底10上的薄膜。将了解，可取决于处理条件而使用反应气体与非反应气体的混合物。 
<第二实施例> 
上述用于处理衬底的设备不限于上述配置，而是可以各种方式修改。下文中，将描述根据本发明第二实施例的用于处理衬底的设备作为修改的实例。此时，与上述实施例重复的描述将被省略或简要描述。 
图7是根据本发明第二实施例的用于处理衬底的设备的示意图。 
参看图7，根据此实施例的用于处理衬底的设备包含：腔室100，其具有提供于其中的反应空间；平台200，其安装于腔室100的内部的下部处；等离子屏蔽单元600，其安装于腔室100的内部的上部处且与平台200相对；支撑单元710，其允许在平台200与等离子屏蔽单元600之间支撑衬底；以及等离子产生单元，其包含810和820，用于在平台200与等离子屏蔽单元600之间产生等离子。 
不同于第一实施例，支撑单元710安装于腔室100的下部处，且等离子屏蔽单元600经安装以由驱动单元来提起和旋转。也就是说，支撑单元710包含：臂部分713，其安装于腔室100的下部部分中以上下扩展和收缩；以及支撑部分711，其在臂部分713的末端处向内弯曲以在其顶部表面上支撑衬底10的边缘区。用于搁置衬底的平坦表面或用于对准衬底的倾斜表面形成于支撑部分711与臂部分713之间的弯曲部分712处。臂部分713的一端连接到提供于腔室100的外部的第二驱动单元720以上下扩展和收缩。臂部分713的另一端通过第二驱动单元720而在平台200与等离子屏蔽单元600之间上下移动。等离子屏蔽部分600的主体的上侧耦合到驱动轴611的一端，且驱动轴611的另一端穿过腔室100的顶壁，且随后耦合到用于将一种提起力和旋转力施加于驱动轴611的第三驱动单元610。因此，不仅通过提起该支撑单元710而且通过提起该平台200或等离子屏蔽单元600来自由调整该平台200与衬底10之间或衬底10与等离子屏蔽单元600之间的间隙，借此可容易控制处理条件。 
包含810和820的等离子产生单元包含提供于支撑单元710的外部区处的等离子电极810，和用于将等离子功率供应到等离子电极810的电源单元820。在此实施例中，电源单元820将射频功率供应到等离子电极810，且阻抗匹配单元821匹配射频功率的最大功率与等离子电极810的负载之间的阻抗。等离子电极810是以对应于衬底10的形状的平坦且环形形状而形成，使得具有密集分布的等离子可在衬底10的边缘区中产生。因此，可在衬底10的边缘区上有效地执行等离子处理。 
同时，虽然已在第一和第二实施例中描述了使用等离子以用于薄膜蚀刻的处理衬底的设备，但本发明不限于此。也就是说，根据本发明的用于处理衬底的设备还可在使用等离子的各种工艺中使用，所述工艺例如薄膜沉积工艺、薄膜净化工艺等。 
工业适用性 
在本发明中，等离子处理在单个腔室中在衬底的边缘区和后部区中的每一者上个别执行。因此，用于设备的安装空间减少，使得生产线的空间实用性可改进。此外，由于不存在由于衬底在腔室之间的移动引起衬底暴露于大气，因此衬底受较少污染。而且，由于不存在由于衬底在腔室之间移动带来的闲置时间，因此整个处理时间可减少。 

Claims (21)

1.一种用于处理衬底的设备，其包括：
腔室，其提供反应空间；
平台，其安装在所述腔室中；
等离子屏蔽单元，其在所述腔室中是与所述平台相对地安装着；
支撑单元，其用于在所述平台与所述等离子屏蔽单元之间支撑衬底；
第一供应管，其提供于所述平台处以将反应气体或非反应气体供应到所述衬底的一个表面；以及
第二和第三供应管，其提供于所述等离子屏蔽单元处，所述第二供应管将所述反应气体供应到所述衬底的另一表面，所述第三供应管将所述非反应气体供应到所述另一表面。
2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括用于提起所述平台和所述等离子屏蔽单元中的至少一者的驱动单元。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述平台和所述等离子屏蔽单元中的至少一者具有朝向所述衬底而突起的突起部分。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述突起部分经形成以使得所述突起部分的平面面积小于所述衬底的平面面积。
5.根据权利要求3所述的设备，其中所述突起部分经形成以使得所述突起部分的平面直径小于所述支撑单元的内径。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述支撑单元包括：臂部分，其在所述腔室中扩展和收缩；以及支撑部分，其在所述臂部分的一端处向内弯曲以在其顶部表面上支撑所述衬底的边缘区。
7.根据权利要求6所述的设备，其中所述臂部分安装到所述腔室的上侧或下侧。
8.根据权利要求6所述的设备，其中所述支撑部分的弯曲部分形成为平坦或倾斜的。 
9.根据权利要求6所述的设备，其中所述支撑部分以单个环的形状或以呈单个环的形状而布置的多个区段的形状来形成。
10.根据权利要求1所述的设备，其中所述反应气体通过所述第二供应管而供应到所述衬底的边缘区，且所述非反应气体通过所述第三供应管而供应到所述衬底的中心区。
11.一种用于处理衬底的方法，其包括：
在腔室中的平台与等离子屏蔽单元之间安置衬底；
将所述衬底与所述等离子屏蔽单元之间的间隙调整为所述衬底搁置于所述平台上的状态中的第一间隙；
通过所述等离子屏蔽单元的第二供应管而将反应气体供应到所述衬底的边缘区，进而在所述衬底上执行初级等离子处理工艺；
将所述衬底与所述等离子屏蔽单元之间的所述间隙调整为所述平台和所述衬底彼此间隔开的状态中的第二间隙；以及
通过所述平台的第一供应管而将反应气体供应到所述衬底的后部区，进而在所述衬底上执行次级等离子处理工艺。
12.根据权利要求11所述的方法，其中调整所述第一和第二间隙以具有使等离子在所述衬底的中心区与所述等离子屏蔽单元之间未被激活的距离。
13.根据权利要求12所述的方法，其中将等离子未被激活的所述距离设定于0.1到0.7mm的范围内。
14.根据权利要求11所述的方法，其中所述反应气体包括氟自由基或氯自由基。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述氟自由基包括CF4、CHF4、SF6、C2F6、C4F8和NF3中的至少一者，且所述氯自由基包括BCl3和Cl2中的至少一者。
16.根据权利要求11所述的方法，其中在执行所述初级等离子处理 工艺的过程中，通过所述等离子屏蔽单元的第三供应管而将非反应气体供应到所述衬底的所述中心区。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述非反应气体包括氧气、氢气、氮气和惰性气体中的至少一者。
18.根据权利要求11所述的方法，其中所述衬底通过被支撑于支撑单元上而安置于所述平台与所述等离子屏蔽单元之间。
19.根据权利要求18所述的方法，其中通过提起所述支撑单元、所述平台和所述等离子屏蔽单元中的至少一者来调整所述第一和第二间隙。
20.一种用于处理衬底的方法，其包括：
在腔室中的平台与等离子屏蔽单元之间的支撑单元上支撑衬底；
通过所述平台来提起所述衬底以将所述衬底与所述等离子屏蔽单元之间的间隙调整为第一间隙；
通过所述等离子屏蔽单元的第二供应管而将反应气体供应到所述衬底的边缘区，进而在所述衬底上执行初级等离子处理工艺；
通过所述支撑单元来提起所述衬底以将所述衬底与所述等离子屏蔽单元之间的所述间隙调整为第二间隙；以及
通过所述平台的第一供应管而将反应气体供应到所述衬底的后部区，进而在所述衬底上执行次级等离子处理工艺。
21.根据权利要求20所述的方法，其中将所述第一和第二间隙设定于0.1到0.7mm的范围内。 
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