CN101901794B - 具反射及导体金属层的塑料导线架结构及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种具反射及导体金属层的塑料导线架结构及其制备方法,其是先行射出形成有一含金属触媒的塑料或含有机物的塑料的基座,所述基座外周缘形成有一呈交错连贯的载体嵌槽,并利用两次射出技术形成无金属触媒塑料或无有机物塑料的载体,又基座顶面往下倾斜形成有一供设置发光二极管的容置空间,再者基座表面沉积化学铜或镍镀层的介面层后,也利用激光技术剥离部分介面层以形成一绝缘线路,使绝缘线路与载体连接,并进而再使用电镀或化学沉积铜、镍、银或金等金属层,以形成具反射及导体金属层的塑料导线架结构。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管的导线架制备技术,具体而言是指一种具反射及导体金属层的塑料导线架结构,藉以简化制程、且能降低成本,进一步并可增进其反射效率与增加导线面积,以构成一高导热效果的导线架结构。
背景技术
现有的发光二极管导线架,普遍是以导电材质的料片为主(如:铜、铜合金或铝等),经过冲压形成导线架的胚料,随后以电镀处理,在导线架胚料表面电镀一层具有高导电性的金属层(如锡、银、金等),随后利用嵌入式射出成型技术(Insert Molding),形成杯状的发光二极管导线架,但所述杯状导线架的反射区域无法有效提供金属层的反射效果。
此外,也有以激光直接活化(Laser Direct Structuring,LDS)制程应用于发光二极管的导线架上,此制程缺点为需使用激光直接活化制程专用材料,此材料射出后,其电极与反射区域使用激光进行表面活化,因激光会使表面粗糙化,且激光的面积过大,在斜面上因其激光有角度与制程时间等限制,以及激光活化后的粗糙度会导致其原先设计的反射角度与反射亮度有所差异,另,3D立体激光加工设备昂贵,加工时间太长,成本费用过高。
再者,现有者另外还有以低温共烧多层陶瓷(Low-Temperature Co-firedCeramics,LTCC),因为陶瓷与硅的材质类似,可与晶片连接,其导热及耐热系数均很好,但低温共烧多层陶瓷其需在900度左右的温度进行烧结,其具有收缩性不同的现象,易增加电性变动因素,且陶瓷制程成本昂贵,大量生产成本下降不易。
另外虽有业者考虑以双料射出技术来制作导线架,但在现有的双料射出技术中,分别有PCK法与SKW法两种方式,其中PCK法的制程方式为在第一次射出成型时,使用可电镀且经由触媒化修正过的塑料,在第二次射出成型时,使用不可电镀的塑料制作,元件的表面随后蚀刻活化与金属化。至于SKW法的制程方式为在第一次射出成型时使用可电镀的塑料,随后蚀刻第一次射出成型的塑料表面,并且以钯(Pd)将表面活化,将元件置于模具内,且执行第二次射出成型,之后将元件的表面金属化。此两种方法在于极细微的线路加工上因为双料射出工艺而有所限制,并无法有效形成极细微的线路。
换言之,现有的发光二极管导线架或因制程复杂,而无法降低其制作成本,又或因激光活化后使表面粗糙,而导致无法达到原先设计的反射角度与反射亮度,进而影响到其反射效率,且无法适用于微米化的绝缘线路图样中,因此如何提供一种兼具易于制作、低成本及高反射率等特性的导线架,是目前业界的当务之急。
因此,本发明人乃针对前述现有导线架的问题深入探讨,并通过多年从事相关产业的研发与制造经验,积极寻求解决之道,经不断努力的研究与试作,终于成功的开发出具反射及导体金属层的塑料导线架结构及其制备方法,以解决现有导线架制程复杂、反射效率与导热、导电等问题所造成的不便与困扰。
发明内容
本发明的目的即在于提供一种反射及导体金属层的塑料导线架结构,以提升反射效率,且能自由设计细微的绝缘线路图样。
本发明的次一目的是在于提供一种具反射及导体金属层的塑料导线架结构的制备方法,以简化制程,且能大量制作,以降低其制作成本。
可达成上述发明目的的具反射及导体金属层的塑料导线架结构,包括有:一基座,所述基座是含金属触媒的塑料或含有机物的塑料,所述基座外周缘形成有一载体,所述载体是呈交错无金属触媒塑料或无有机物塑料,又基座更在顶面往下倾斜形成一反射面,再者基座表面沉积有一化学铜或镍金属层的介面层,也再利用激光技术剥离部分介面层以形成一绝缘线路,使绝缘线路与载体连接后,再使用电镀或化学沉积铜、镍、银或金等金属层,形成具反射金属层的塑料导线架结构。
其制备方法依序包含下列步骤:
一双料射出步骤,其是以精密加工制造双料射出模具,由掺杂包含金属触媒的塑料或含有机物的塑料形成一基座,并同时与无金属触媒塑料或无有机物塑料形成有一紧附于基座的载体,且基座是在顶面往下倾斜形成一反射面,以构成一导线架胚料;
一化学镀法步骤,其是在前述双料射出步骤产生一导线架胚料后,随后进行局部表面活化的电镀浴前处理,并在基座表面以化学镀法沉积一化学铜或化学镍的介面层;
一激光绝缘步骤,其是在完成介面层的镀设沉积后,利用激光技术进行局部的介面层的剥离以形成一绝缘线路,使绝缘线路与载体连接;
一电镀步骤,在形成绝缘线路的介面层上,再利用电镀或化学沉积铜、镍、银或金等金属层在基座上,以完成具反射及导体金属层的塑料导线架结构制作。
为了达到上述目的,本发明还提供一种制备方法,其依序包含有:
二次射出步骤,其采用单一塑料射出,此塑料经过射出成型基座,所形成的基座利用蚀刻,在其表面均匀涂布触媒,随后将此具有整体触媒涂布的基座进行第二次使用相同塑料的射出成型制程,第二次射出成型时为嵌入式射出形成载体,其中所述基座是在顶面往下倾斜形成一反射面,以构成一导线架胚料;化学镀法步骤,其是在前述双料射出步骤产生一导线架胚料后,随后进行局部表面活化的电镀浴前处理,并在所述基座表面以化学镀法沉积一介面层;
激光绝缘步骤,其是在完成所述介面层的镀设沉积后,利用激光进行局部的介面层的剥离以形成一绝缘线路,使绝缘线路与载体连接;
电镀步骤,是在形成所述绝缘线路的介面层上,再利用电镀或化学沉积金属层,而完成所述塑料导线架结构的制作。
由此,通过本发明前述技术手段的展现,使得本发明能有效简化其制程,并降低制作成本,且不影响原先设计的反射角度与反射亮度,有效提升其反射效率,且增加导热面积可有效提升导热效果,并能自由设计细微的绝缘线路图样,使本发明在“产生效能、反射效果及设计多样化”等方面较现有更具功效增进。
附图说明
图1为本发明的塑料导线架结构的外观示意图,用以说明所述金属导线架的构成及其相对关系。
图2为本发明塑料导线架其TSMPL制程的制备流程方块示意图。
图3为本发明塑料导线架其SSPL制程的制备流程方块示意图。
图4为本发明的基座的外观示意图。
图5为本发明的载具的外观示意图。
图6为本发明的塑料导线架于双料射出步骤后的外观示意图。
图7为本发明的塑料导线架于化学镀法步骤后的外观示意图。
图8为以激光进行局部的介面层的剥离以形成一绝缘线路的外观示意图。
图9为本发明的塑料导线架于电镀步骤后的外观示意图。
具体实施方式
以下结合附图,对本发明上述的和另外的技术特征和优点作更详细的说明。
本发明是一种塑料导线架结构及其制备方法,随附图例示的本发明塑料导线架结构的具体实施例及其构件中,所有关于前与后、左与右、顶部与底部、上部与下部、以及水平与垂直的参考,仅用于方便进行描述,并非限制本发明,也非将其构件限制于任何位置或空间方向。图式与说明书中所指定的尺寸,当可在不离开本发明的申请专利范围内,根据本发明的具体实施例的设计与需求而进行变化,另此技术不限于发光二极管导线架,且可适用于其它电子元件。
而关于本发明塑料导线架结构的详细构成,则是如图1所示,所述塑料导线架主要包含有一含金属触媒的塑料或含有机物的塑料的基座10,所述基座10外周缘形成有一呈交错连贯的载体嵌槽11,并利用两次射出技术在基座10的载体嵌槽11内形成无金属触媒塑料或无有机物塑料的载体20,又基座10更在顶面往下倾斜形成一反射面15与供设置发光二极管的容置空间16,此反射面15(即俗称的反射杯)的角度可自由设计,其顶面与其反射面15界定的夹角是介于15度~85度之间,依不同发光需求设计反射面15角度,为提升发光二极管发光效率,再者基座10表面沉积有一化学铜或化学镍金属的介面层30,也再利用激光技术剥离部分介面层30形成绝缘线路40,使绝缘线路40与载体20连接后,并经由绝缘线路40与载体20将容置空间16区隔形成正极161与负极162,以电镀或化学沉积在反射面15的沉积高反射率金属(如:铜(Cu)、镍(Ni)、银(Ag)、金(Au)、铬(Cr)等金属)提高反射率及导体,绝缘线路,进而形成一种可自由设计导电线路以及反射及导体金属层50的塑料导线架结构,以此技术所制作的发光二极管导线架,具有不限数量多寡,可自由设计导线架的基座10反射面15形状,可供多颗发光二极管并排使用,且利用电镀的高利用率沉积介面层30,具有降低成本且可提供优异电子性能,以及高反射、高导热面积特性的优点。
至于本发明塑料导线架结构的制备方法的较佳实施例,其是如图2所示,其依序包含一双料射出步骤S1、一化学镀法步骤S2及一激光绝缘步骤S3与一电镀步骤S4等的步骤,而完成前述塑料导线架结构的制作,本发明将此一制备方法定义为TSMPL(Two-Shot Molded Plating and Laser)制程:
所述双料射出S1的步骤,其是因应导线架内部设计需求,使用精密加工制造双料射出模具,将欲产生导电线路的基座10部分使用掺杂(doping)有助于电镀的金属触媒或有机物,使基座10成为预先已触媒化修正过含金属触媒或有机物的塑料,所述金属触媒或有机物包括钯、铜、银等,供后续在基座10表面形成介面层30(如图4),之后再与上述塑料紧密附着的无金属触媒或有机物的载体20结合(如图5所示),所述载体20主要为一较不易于表面电镀的塑料,或无金属触媒塑料或无有机物塑料所构成的,结合后的基座10与载体20在基座10的表面进行蚀刻活化与金属化,且此两种塑料也可选择能够耐高温的塑料(大于260度),以符合回焊(IR Reflow)的需求,且基座10通过模具设计形成反射面15(即俗称的反射杯),且此反射面15的角度可自由设计,其顶面与其反射面界定的夹角是介于15度~85度之间,依不同发光需求设计反射面15角度,为提升发光二极管发光效率,其中所述塑料主要为PA(Polyamide)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、PET、LCP、PC、ABS、PC/ABS;
而化学镀法S2的步骤,其是在前述双料射出S1的步骤后,即产生一导线架胚料的塑料元件(图6所示),随后进行无电解电镀浴(Plating Bath)前处理,利用药液将其欲电镀的局部表面活化(Activation),此步骤会让使用可电镀塑料的基座10表面产生可成长化学镍或化学铜的介面层30(如图7所示),此有助于介面层30与基座10塑料之间的接合强度(Bonding Strength);
又激光绝缘S3的步骤,其是在完成介面层30的镀设沉积后,本发明为形成极细微的绝缘线路图样,是采用激光进行局部的介面层30的剥离以形成一绝缘线路40(如图8),且该绝缘线路40能与载体20连接,以达到自由设计、线路细微化且制程简易与多样化的生产流程,其利用激光电子束(Laser Beam)将反射面15内依据设计需求所欲形成的绝缘线路图样中局部介面层30剥离,此激光波长可在248nm、308nm、355nm、532nm、1064nm或10600nm中选用,激光源则可从二氧化碳(CO2)激光、铷雅铬(Nd:YAG)激光、掺钕钒酸钇(Nd:YVO4)晶体激光、准分子(Excimer)激光等选用,随后并可依据需求于形成绝缘线路40的介面层上,
电镀S4的步骤,再利用电镀或化学沉积铜、镍、银、金、电镀铬、化学置换金、或电镀或化学铜-镍-银、或电镀或化学铜-镍-金所构成的群组的任一所形成的电镀浴制程沉积金属层50,如图9所示,而所形成的部分将作为发光晶片粘着与打线之用,并能提高反射率及导体,如此即可完成发光二极管导线架。
再者本发明具金属反射及导体层的塑料导线架的制备方法另有一实施例,如图3所示,其是将原双料射出步骤S1的步骤更换成二次射出的步骤,接着并依序完成前述的化学镀法步骤S2及激光绝缘步骤S3与电镀步骤S4等步骤,而完成前述塑料导线架结构的制作,本发明将此一制备方法的实施例定义为SSPL(Second Shot Plating and Laser)制程;其中:
所述二次射出的步骤,即为采用单一塑料射出,此塑料经过射出成型基座10(如图4),所形成的基座10利用蚀刻,在其表面均匀浸泡或涂布触媒,随后将此具有整体触媒涂布的基座10进行第二次使用相同塑料的射出成型制程,利用模具设计于基座10形成反射面15,并利用模具设计使欲被沉积金属层的线路表面曝露,随后进行与上述相同的化学镀法S2与激光绝缘S3与电镀S4的步骤,即可产生供发光二极管使用的固晶的导线架。
此制程方式中,第一次射出所形成的塑料元件,是用于发光二极管晶片粘着、打线接着、反射面15结构、介面层30的沉积以及激光绝缘形成绝缘线路,并且此反射面15连结介面层30形成大面积散热结构等相关应用;第二次射出元件是用于与第一次激光绝缘S3所形成的绝缘线路连结,形成完整绝缘结构元件,本发明的设计具有改善生产成本以及自由设计的特点。
综上所述,本案不但在空间型态上确属创新,并能较现有物品增进上述多项功效,应已充分符合新颖性及进步性的法定发明专利要件,依法提出申请。
以上说明对本发明而言只是说明性的,而非限制性的,本领域普通技术人员理解,在不脱离以下所附权利要求所限定的精神和范围的情况下,可做出许多修改,变化,或等效,但都将落入本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种具反射及导体金属层的塑料导线架结构,其特征在于,其包含有一基座,所述基座是含金属触媒的塑料或含有机物的塑料,所述基座在顶面往下倾斜形成一反射面,在所述反射面的外周缘形成有一呈交错的载体嵌槽,所述载体嵌槽内以射出技术形成一载体,所述载体为无金属触媒塑料或无有机物塑料,一选自化学镍或化学铜的介面层以化学镀法形成于所述基座表面,利用激光技术剥离部分所述介面层以形成一绝缘线路,使所述绝缘线路与所述载体连接,施行电镀或化学沉积金属层在所述基座上。
2.根据权利要求1所述的具反射及导体金属层的塑料导线架结构,其特征在于,所述基座与所述载体为不同塑料材质的双料射出所成型。
3.根据权利要求1所述的具反射及导体金属层的塑料导线架结构,其特征在于,所述基座与所述载体为相同塑料材质的二次射出所成型,又所述基座内掺杂有含金属触媒的塑料或含有机物的塑料。
4.一种具反射及导体金属层的塑料导线架结构的制备方法,其特征在于,其依序包含有:
双料射出步骤,由掺杂包含金属触媒的塑料或含有机物的塑料形成一基座,并同时与无金属触媒塑料或无有机物塑料形成有一紧附于所述基座的载体,且所述基座是在顶面往下倾斜形成一反射面,以构成一导线架胚料;
化学镀法步骤,其是在前述双料射出步骤产生所述导线架胚料后,随后进行局部表面活化的电镀浴前处理,并在所述基座表面以化学镀法沉积一介面层,该介面层是选自化学镍或化学铜;
激光绝缘步骤,其是在完成所述介面层的镀设沉积后,利用激光进行局部的介面层的剥离以形成一绝缘线路,使所述绝缘线路与所述载体连接;
电镀步骤,是在形成所述绝缘线路的介面层上,再利用电镀或化学沉积金属层,而完成所述塑料导线架结构的制作。
5.根据权利要求4所述的具反射及导体金属层的塑料导线架结构的制备方法,其特征在于,所述双料射出步骤中形成所述基座的塑料掺杂的金属触媒或有机物主要为钯、铜、银。
6.根据权利要求4所述的具反射及导体金属层的塑料导线架结构的制备方法,其特征在于,所述基座的顶面与其反射面界定的夹角是介于15度~85度之间。
7.根据权利要求4所述的具反射及导体金属层的塑料导线架结构的制备方法,其特征在于,所述激光绝缘步骤的激光源则选自二氧化碳激光、铷雅铬激光、掺钕钒酸钇晶体激光、准分子激光,且激光波长选自于248nm、308nm、355nm、532nm、1064nm或10600nm波长。
8.一种具反射及导体金属层的塑料导线架结构的制备方法,其特征在于,其依序包含有:
二次射出步骤,其采用单一塑料射出,此塑料经过射出成型基座,所形成的基座利用蚀刻,在其表面均匀涂布触媒,随后将此具有整体触媒涂布的基座进行第二次使用相同塑料的射出成型制程,第二次射出成型时为嵌入式射出形成载体,其中所述基座是在顶面往下倾斜形成一反射面,以构成一导线架胚料;化学镀法步骤,其是在前述双料射出步骤产生一导线架胚料后,随后进行局部表面活化的电镀浴前处理,并在所述基座表面以化学镀法沉积一介面层,该介面层是选自化学镍或化学铜;
激光绝缘步骤,其是在完成所述介面层的镀设沉积后,利用激光进行局部的介面层的剥离以形成一绝缘线路,使所述绝缘线路与所述载体连接;
电镀步骤,是在形成所述绝缘线路的介面层上,再利用电镀或化学沉积金属层,而完成所述塑料导线架结构的制作。
9.根据权利要求8所述的具反射及导体金属层的塑料导线架结构的制备方法,其特征在于,所述基座的顶面与其反射面界定的夹角是介于15度~85度之间。
10.根据权利要求8所述的具反射及导体金属层的塑料导线架结构的制备方法,其特征在于,所述激光绝缘步骤的激光源则选自二氧化碳激光、铷雅铬激光、掺钕钒酸钇晶体激光、准分子激光,且激光波长选自于248nm、308nm、355nm、532nm、1064nm或10600nm波长。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1502128A (zh) * | 2001-01-31 | 2004-06-02 | ̩ | 辐射发射器器件及其制造方法 |
CN101009340A (zh) * | 2006-01-25 | 2007-08-01 | 亿光电子工业股份有限公司 | Led封装结构及其制造方法 |
CN101101944A (zh) * | 2006-07-07 | 2008-01-09 | Lg电子株式会社 | 用于安装发光器件的辅助底座和发光器件封装 |
CN101151739A (zh) * | 2005-11-09 | 2008-03-26 | Alti电子株式会社 | 侧面发光型发光二极管及其制造方法 |
WO2008060490A2 (en) * | 2006-11-09 | 2008-05-22 | Quantum Leap Packaging, Inc. | Led reflective package |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1502128A (zh) * | 2001-01-31 | 2004-06-02 | ̩ | 辐射发射器器件及其制造方法 |
CN101151739A (zh) * | 2005-11-09 | 2008-03-26 | Alti电子株式会社 | 侧面发光型发光二极管及其制造方法 |
CN101009340A (zh) * | 2006-01-25 | 2007-08-01 | 亿光电子工业股份有限公司 | Led封装结构及其制造方法 |
CN101101944A (zh) * | 2006-07-07 | 2008-01-09 | Lg电子株式会社 | 用于安装发光器件的辅助底座和发光器件封装 |
WO2008060490A2 (en) * | 2006-11-09 | 2008-05-22 | Quantum Leap Packaging, Inc. | Led reflective package |
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