CN101894918A - 发光装置、发光装置的制造方法、显示装置和电子设备 - Google Patents
发光装置、发光装置的制造方法、显示装置和电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101894918A CN101894918A CN2010101822927A CN201010182292A CN101894918A CN 101894918 A CN101894918 A CN 101894918A CN 2010101822927 A CN2010101822927 A CN 2010101822927A CN 201010182292 A CN201010182292 A CN 201010182292A CN 101894918 A CN101894918 A CN 101894918A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- layer
- negative electrode
- electronics
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 179
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 3
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001615 alkaline earth metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002642 lithium compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 abstract description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 415
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 34
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 34
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 29
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 29
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 28
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 230000006870 function Effects 0.000 description 25
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 22
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 18
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 14
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 12
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 10
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 6
- 238000010010 raising Methods 0.000 description 6
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 4
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 3
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 3
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 3
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical class C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- KYNSBQPICQTCGU-UHFFFAOYSA-N Benzopyrane Chemical class C1=CC=C2C=CCOC2=C1 KYNSBQPICQTCGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- HDWLUGYOLUHEMN-UHFFFAOYSA-N Dinobuton Chemical compound CCC(C)C1=CC([N+]([O-])=O)=CC([N+]([O-])=O)=C1OC(=O)OC(C)C HDWLUGYOLUHEMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000425573 Talanes Species 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 150000004880 oxines Chemical class 0.000 description 2
- 238000011378 penetrating method Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 2
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGYIZWBQOLBMQS-UHFFFAOYSA-N 1,1'-biphenyl;9h-carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 VGYIZWBQOLBMQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- VDULMXJUOWIPGE-UHFFFAOYSA-N 1-phenylisoquinoline quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C12.C1(=CC=CC=C1)C1=NC=CC2=CC=CC=C12 VDULMXJUOWIPGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEBQUUKDSJCPIX-UHFFFAOYSA-N 12h-benzo[a]thioxanthene Chemical class C1=CC=CC2=C3CC4=CC=CC=C4SC3=CC=C21 YEBQUUKDSJCPIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGVWYBWDUWNAHS-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-2,21-dihydroporphyrin platinum Chemical compound [Pt].C(C)C=1C=2N=C(C1CC)C=C1C(=C(C(=N1)C=C1C(C(=C(N1)C=C1C(=C(C(=N1)C2)CC)CC)CC)CC)CC)CC SGVWYBWDUWNAHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical group O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 1
- RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 9-ethyl-3-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-(9-ethylcarbazol-3-yl)ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(/C=C/C4=CC=C(C=C4)C4=CC=C(C=C4)/C=C/C=4C=C5C6=CC=CC=C6N(C5=CC=4)CC)=CC=C3N(CC)C2=C1 RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- ADTRPURVJGYPOM-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12.C1=C(C=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12 Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12.C1=C(C=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12 ADTRPURVJGYPOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical class [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001398 aluminium Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005018 aryl alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N copper lithium Chemical compound [Li].[Cu] OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N malononitrile Chemical compound N#CCC#N CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical class C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004772 tellurides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及发光装置、发光装置的制造方法、显示装置和电子设备。即,提供浮黑现象得到抑制,可适用于图像显示的发光元件、具有该发光元件的可靠性高的显示装置和电子设备。发光装置(101),其特征在于,具有:阴极(12);阳极(3);发光层,该发光层设置在阴极12和阳极3之间,通过在阴极(12)和阳极(3)之间施加电压而发光;阴极端子(40),该阴极端子(40)设置在不与阳极(3)和发光层相接的部位,向阴极(12)供给电子;和电子调整层(41),该电子调整层含有具有绝缘性的材料,调节从阴极端子(40)向阴极(12)供给的电子的量,阴极(12)介由电子调整层(41)与阴极端子(40)连接。
Description
技术领域
本发明涉及发光装置、发光装置的制造方法、显示装置和电子设备。
背景技术
有机电致发光元件(所谓有机EL元件)是具有在阳极和阴极之间***至少1层的发光性有机层的结构的发光元件。对于这样的发光元件,通过在阴极和阳极之间施加电场,电子从阴极侧向发光层注入,同时从阳极层注入空穴,在发光层中电子和空穴再结合,从而生成激子,当该激子返回基态时,这部分能量作为光发出。
作为这样的发光元件,已知例如在阴极和阳极之间层合与R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)这3色对应的3层的发光层而使其发白色光(例如参照专利文献1)。这样的发白色光的发光元件可用作照明、显示装置的发光装置(例如背光灯)。特别是通过将这样的发光装置与每个像素分别涂有R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)的3色的滤色器组合使用,能够显示全色图像。
对于具有这样的发光元件的发光装置,对于发光元件通常介由作为开光元件的驱动用晶体管进行驱动电压的施加。即,在阴极(或阳极)和驱动用晶体管之间长时间施加一定的驱动电压,驱动用晶体管使电源和阳极(或阴极)导通,从而在发光元件的阳极和阴极之间施加驱动电压,发光元件发光。另一方面,驱动用晶体管没有使电源和阳极(或阴极)导通时,在发光元件的阳极和阴极之间没有施加驱动电压,发光元件设计为不发光。
但是,在驱动用晶体管没有使电源和阳极(或阴极)导通的情况下,阴极和阳极之间也施加有微弱的电压。施加了这样的微弱电压时,专利文献1中记载的发光元件微微发光。在这样的设定为不发光的状态下,如果产生了微微发光的现象(浮黑现象),例如,具有发光装置的显示装置中,存在显示的图像的对比度比不高的问题。特别是将发白色光的发光元件与滤色器组合的情况下,如果产生上述的浮黑现象,则各发光层的发光平衡与施加了驱动电压时不同,发光元件存在以与设计的颜色不同的颜色微弱地发光的问题。此外,特别是各发光层的发光平衡不同的情况下,发光比较容易的颜色(例如红色)容易主要发光。
专利文献1:特开2007-287691号公报
发明内容
本发明的目的在于提供浮黑现象得到抑制的发光装置、能够高效率地制造该发光装置的发光装置的制造方法、具有该发光装置的能够显示高品位的图像的显示装置和电子设备、以及能够高效率地制造该发光装置的发光装置的制造方法。
这样的目的通过下述的本发明实现。
本发明的发光装置,其特征在于,具有:
阴极,
阳极,
发光层,该发光层设置在上述阴极和上述阳极之间,通过在上述阴极和上述阳极之间施加电压而发光,
阴极端子,该阴极端子设置在不与上述阳极和上述发光层相接的部位,向上述阴极供给电子,和
电子调整层,该电子调整层含有具有绝缘性的材料,调节从上述阴极端子向上述阴极供给的电子的量;
上述阴极介由上述电子调整层与上述阴极端子连接。
由此能够提供浮黑现象得到抑制的发光元件。
本发明的发光装置中,优选地,在上述电子调整层的厚度方向上,上述阴极端子和上述电子调整层至少一部分重复。
由此,电子调整层能够更确实地从阴极端子接受电子,同时能够调整向阴极供给的电子的量,能够防止浮黑现象,而且使其发光时能够适当地将电子供给阴极。
本发明的发光装置中,优选地,具有辅助阴极,该辅助阴极以在上述阴极的厚度方向上与上述阴极端子的至少一部分和上述阴极的至少一部分重复的方式配置,由导电性比上述阴极高的材料构成。
由此,能够使作为发光装置整体的驱动电压比较低。其结果停止在阴极和阳极之间施加电压时,阴极端子和阳极之间施加的电压变得更小,因此能适当地防止浮黑现象。
本发明的发光装置中,优选地,上述辅助阴极以与上述阴极接触的方式配置。
由此,辅助阴极能够更高效地长期辅助阴极的电子的传输,能够使发光装置的驱动电压更低。
本发明的发光装置中,优选地,还具有:
电源,其介由上述阴极端子向上述阴极和上述阳极施加电压,
电子注入层,该电子注入层在上述阴极和上述发光层之间以在上述阴极的厚度方向上与上述阴极的至少一部分和上述发光层的至少一部分重复的方式设置,促进从上述阴极供给的电子向上述发光层的注入;
上述电子注入层和上述电子调整层均含有相同的材料。
由此,电子调整层的一部分不兼作电子注入层的情况下,也能够同时形成电子注入层和电子调整层。
本发明的发光装置中,优选地,上述电子调整层以在其厚度方向上与上述发光层重复的方式设置,兼作上述发光部的上述电子注入层。
由此,能够一次同时形成电子调整层和电子注入层,因此能高效率地制造发光装置。
本发明的发光装置中,优选地,还具有:
电源,其介由上述阴极端子向上述阴极和上述阳极施加电压,
开关元件,其控制从上述电源向上述阴极端子和上述阳极施加的电压的大小;
上述电子调整层在上述开关元件以使上述电源停止向上述阴极和上述阳极施加电压的方式操作时,具有防止电子从上述阴极端子向上述阴极移动的程度的绝缘性。
由此,可适当地防止浮黑现象。
本发明的发光装置中,优选地,还具有:
电源,其介由上述阴极端子向上述阴极和上述阳极施加电压,
开关元件,其控制从上述电源向上述阴极端子和上述阳极施加的电压的大小;
上述电子调整层在上述开关元件以使上述电源停止向上述阴极和上述阳极施加电压的方式操作时,具有防止电子从上述阴极端子向上述阴极移动的程度的绝缘性。
由此,在防止浮黑现象的同时,使发光元件发光时,高效率地从阴极端子向阴极供给电子,发光元件适当地发光。
本发明的发光装置中,优选地,上述电子调整层含有选自强介电体、碱金属氧化物、碱金属卤化物、碱土类金属氧化物、碱土类金属卤化物中的至少1种。
这些材料具有足够高的绝缘性,同时形成比较薄的膜时,如果施加驱动电压则电子能够利用霍耳效应通过。即,能适当地控制浮黑的发生,同时施加驱动电压时,发光元件适当地发光。
本发明的发光装置中,优选地,上述电子调整层含有锂化合物。
这些材料具有足够高的绝缘性,同时形成比较薄的膜时,如果施加驱动电压则电子能够利用霍耳效应通过。即,能适当地控制浮黑的发生,同时施加驱动电压时,发光元件适当地发光。
本发明的发光装置中,优选地,在上述阴极和上述阳极之间设置有多个上述发光层。
一般地,具有多个发光层的发光元件,驱动电压容易升高,因此电源输出的电压容易升高,因此容易产生浮黑现象。但是,本发明中,通过具有电子调整层,即使发光元件具有多个发光层,也可适当地防止浮黑现象。
本发明的发光装置中,优选地,多个上述发光层以互不相同的颜色发光。
以往产生浮黑现象的情况下,多个发光层中发出更长波长的光的发光层容易发光,浮黑现象时有时从发光元件发出目的以外的颜色。特别是作为发光元件整体从多个发光层作为整体发出白色光的情况下,这样的问题变得显著。但是,本发明中由于浮黑现象自身已得到防止,因此可以防止这样的问题。
本发明的发光装置的制造方法,其特征在于,具有:
在基板上形成阳极和阴极端子的工序,
在上述阳极上形成通过施加电压而发光的发光层的工序,
以平视下与上述发光层和上述阴极端子重复的方式形成含有具有绝缘性的材料的电子调整层的工序,和
在上述电子调整层上形成阴极的工序;
上述电子调整层调节从上述阴极端子向上述阴极供给的电子的量,并且其一部分起促进电子从上述阴极向上述发光层注入的电子注入层的作用而构成。
由此,能够提供发光装置的制造方法,其能够高效率地制造浮黑现象得到抑制的发光装置。
本发明的显示装置,其特征在于,具有本发明的发光装置。
由此,能够提供防止浮黑现象,能够显示高品位的图像的显示装置。
本发明的电子设备,其特征在于,具有本发明的显示装置。
由此,能够提供防止浮黑现象,能够显示高品位的图像的电子设备。
附图说明
图1为示意地表示应用了本发明的发光装置的优选实施方式的纵截面图。
图2为表示本发明的显示装置的一例(显示器装置)的截面示意图。
图3为图2所示的显示装置具有的发光装置的平面示意图。
图4为表示应用了本发明的电子设备的移动型(或笔记本型)的个人电脑的构成的立体图。
图5为表示应用了本发明的电子设备的移动电话(也包括PHS)的构成的立体图。
图6为表示应用了本发明的电子设备的数码相机的构成的立体图。
图7为示意地表示应用了本发明的发光装置的其他优选的实施方式的一例的纵截面图。
图8为示意地表示应用了本发明的发光装置的其他优选的实施方式的一例的纵截面图。
图9为示意地表示应用了本发明的发光装置的其他优选的实施方式的一例的纵截面图。
图10为示意地表示应用了本发明的发光装置的其他优选的实施方式的一例的纵截面图。
图11为示意地表示应用了本发明的发光装置的其他优选的实施方式的一例的纵截面图。
符号说明
1、1B、1G、1R:发光元件,3:阳极,4:空穴注入层,5:空穴传输层,6:红色发光层(第1发光层),7:中间层,8:蓝色发光层(第2发光层),9:绿色发光层(第3发光层),10:电子传输层,11、11A:电子注入层,12、12A、12B:阴极,15:层合体,19B、19G、19R:滤光器部,100:显示器装置,100B、100G、100R:子像素,101、101A、101B、101C、101D、101E、101F:发光装置,102:滤色器,20:基板,21:基板,22:平坦化层,24:开关元件(驱动用晶体管),241:半导体层,242:栅绝缘层,243:栅电极,244:源电极:245:漏电极,25:电源,27:配线,31:隔壁,32:反射膜,33:防腐蚀膜,34:密封构件,35:树脂层,36:遮光层,40:阴极端子,41、41A:电子调整层,42、42A、42B、42C:辅助阴极,43:阳极端子,50:发光区域,1100:个人电脑,1102:键盘,1104:主体部,1106:显示单元,1200:移动电话机,1202:操作按钮,1204:受话口,1206:送话口,1300:数码相机,1302:壳体(躯体),1304:受光单元,1306:快门按钮,1308:电路基板,1312:视频信号输出端子,1314:数据通信用的输入输出端子,1430:电视监视器,1440:个人电脑,W:白色光
具体实施方式
以下针对附图所示的优选的实施方式对本发明的发光装置、显示装置和电子设备进行说明。
图1为示意地表示应用了本发明的发光装置的优选实施方式的纵截面图,图2为表示本发明的显示装置的一例(显示器装置)的截面示意图,图3为图2所示的显示装置具有的发光装置的平面示意图。再有,以下中出于说明上的方便,将图1~图3中的上侧作为“上”,将下侧作为“下”进行说明。
图1所示的发光装置101具有发光元件1、阴极端子(阴极接触端)40、电子调整层41、辅助阴极42、阳极端子(阳极接触端)43、开关元件24和电源25。
发光元件(有机电致发光元件)1发出R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)的光而发白色光。
此外,发光元件1将阳极3和空穴注入层4和空穴传输层5和红色发光层(第1发光层)6和中间层7和蓝色发光层(第2发光层)8和绿色发光层(第3发光层)9和电子传输层10和电子注入层11和阴极12依次层合而成。
换言之,发光元件1由膜状的各层和电极构成,通过将空穴注入层4和空穴传输层5和红色发光层6和中间层7和蓝色发光层8和绿色发光层9和电子传输层10和电子注入层11和阴极12依次层合而层合得到的层合体15***2个电极间(阳极3和阴极12之间)而构成。
对于这样的发光元件1,通过从电源25向阳极3和阴极12施加驱动电压,对于红色发光层6、蓝色发光层8和绿色发光层9的各发光层,从阴极12侧供给(注入)电子,并且从阳极3侧供给(注入)空穴。于是,在各发光层中,空穴和电子再结合,利用该再结合时放出的能量而生成激子,激子返回基态时放出(发光)能量(荧光或磷光)。由此,发光元件1发白色光。
此外,阴极12形成膜状,从发光元件1延伸,延伸的部位的一部分与后述的阴极端子40和电子调整层41重叠而形成层。
于是,发光装置101,将其不包括电源25的全体设置在基板(未图示)上,并且用密封构件(未图示)将其密封。
基板支持阳极3、阳极端子43和阴极端子40等。本实施方式的发光元件1是从密封构件侧(与基板相反侧,图1中上侧)取出光的构成(顶部发射型),因此对基板和阳极3不要求光透过性。
作为基板,可以列举实质上透明(无色透明、着色透明或半透明)的透明基板、或不透明基板。
作为基板为透明基板时的构成材料,可以列举例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、环烯烃聚合物、聚酰胺、聚醚砜、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚芳酯这样的树脂材料,石英玻璃、钠玻璃这样的玻璃材料等,可以将这些中的1种或2种以上组合使用。
作为不透明基板,可以列举例如由氧化铝这样的陶瓷材料构成的基板、在不锈钢这样的金属基板的表面形成了氧化膜(绝缘膜)的基板、由树脂材料构成的基板等。
这样的基板的平均厚度并无特别限定,优选为0.1mm~30mm,更优选为0.1mm~10mm。
再有,发光元件1为从基板侧取出光的构成(底部发射型)的情况下,对基板要求光透过性,因此可以使用透明基板作为基板。
再有,在基板上也可以具备具有电子回路的电子回路层,该电子回路具备来自电源的阳极端子43、向阴极端子40的配线、后述的开关元件24等。
以下对发光装置101的各部位进行说明。
(阳极)
阳极3是介由后述的空穴注入层4将空穴注入空穴传输层5的电极。作为该阳极3的构成材料,优选使用功函数大、导电性优异的材料。
作为阳极3的构成材料,可以列举例如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、In3O3、SnO2、含有Sb的SnO2、含有Al的ZnO等氧化物,Au、Pt、Ag、Cu或包含它们的合金等,可以将这些中的1种或2种以上组合使用。
这样的阳极3的平均厚度并无特别限定,优选为10nm~200nm,更优选为20nm~100nm。
(阴极)
阴极12是介由后述的电子注入层11将电子注入电子传输层10的电极。
作为该阴极12的构成材料,优选使用功函数小的材料。
作为阴极12的构成材料,可以列举例如Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rb或包含它们的合金等,可以将它们中的1种或2种以上组合(例如多层的层合体等)使用。
特别是使用合金作为阴极12的构成材料时,优选使用包含Ag、Al、Cu等稳定的金属元素的合金,具体地为MgAg、AlLi、CuLi等合金。通过使用该合金作为阴极12的构成材料,能够实现阴极12的电子注入效率和稳定性的提高。此外,这样的情况下,Ag、Al、Cu等稳定的金属元素在合金中的含有率优选为1.0wt%~30wt%,更优选为3.0wt%~20wt%。由此能够更显著地获得上述的效果。
此外,发光元件1为顶部发射型,因此对阴极12要求光透过性,阴极12成为光能够透过的程度的平均厚度。
这样的阴极12的平均厚度并无特别限定,优选为0.1nm~1000nm,更优选为0.5nm~500nm。
特别是顶部发射型的情况下,优选为0.5nm~10nm,更优选为0.5nm~5nm。
此外,特别是底部发射型的情况下,优选为10nm~500nm,更优选为50nm~300nm。
(空穴注入层)
空穴注入层4具有提高从阳极3的空穴注入效率的功能。
作为该空穴注入层4的构成材料(空穴注入材料),并无特别限定,可以列举例如酞菁铜、4,4’,4”-三(N,N-苯基-3-甲基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、下述化学式1所示的N,N’-双(4-二苯基氨基-苯基)-N,N’-二苯基-联苯-4-4’-二胺等。
[化学式1]
这样的空穴注入层4的平均厚度并无特别限定,优选为5nm~150nm,更优选为10nm~100nm。
应予说明,该空穴注入层4或后述的空穴传输层5的任一个可省略。
(空穴传输层)
空穴传输层5具有将从阳极3介由空穴注入层4注入的空穴传输到红色发光层6的功能。
该空穴传输层5的构成材料,可以将各种p型高分子材料、各种p型低分子材料单独或组合使用,可以列举例如下述化学式2所示的化合物(N,N,N’,N’-四-联苯-3-基-联苯-4,4’-二胺)、N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1’-二苯基-4,4’-二胺(α-NPD)、N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-二苯基-4,4’-二胺(TPD)等四芳基联苯胺衍生物、四芳基二氨基芴化合物或其衍生物(胺系化合物)等,可以将它们中的1种或2种以上组合使用。
[化学式2]
这样的空穴传输层5的平均厚度并无特别限定,优选为10nm~150nm,更优选为10nm~100nm。
应予说明,该空穴传输层5或前述的空穴注入层4的任一个可以省略。
(红色发光层)
该红色发光层(第1发光层)6含有发红色(第1色)光的第1发光材料。
通过这样使用波长比较长的光作为第1色,可以使用最低空分子轨道(HOMO)和最高占有分子轨道(LUMO)的能级差(带隙)比较小的发光材料。这样带隙比较小的发光材料容易捕获空穴、电子,容易发光。因此,通过在阳极3侧设置红色发光层6,能够使带隙大、难以发光的蓝色发光层8、绿色发光层9为阴极12侧,使各发光层均衡地发光。
作为这样的红色发光材料,并无特别限定,可以将各种红色荧光材料、红色磷光材料的1种或2种以上组合使用。
作为红色荧光材料,只要发出红色的荧光,并无特别限定,可以列举例如下述化学式3所示的二苯并-四苯基二茚并苝衍生物等苝衍生物、铕配合物、苯并吡喃衍生物、若丹明衍生物、苯并噻吨衍生物、卟啉衍生物、尼罗红、2-(1,1-二甲基乙基)-6-(2-(2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H-苯并(ij)喹嗪-9-基)乙烯基)-4H-吡喃-4H-茚)丙二腈(DCJTB)、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(对二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)等。
[化学式3]
作为红色磷光材料,只要是发出红色的磷光的材料,并无特别限定,可以列举例如铱、钌、铂、锇、铼、钯等的金属配合物,可以列举这些金属配合物的配体中的至少1个具有苯基吡啶骨架、联吡啶骨架、卟啉骨架等的金属配合物。更具体地,可以列举三(1-苯基异喹啉)铱、双[2-(2’-苯并[4,5-α]噻吩基)吡啶盐-N,C3’]铱(乙酰丙酮合物)(btp2Ir(acac))、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-12H,23H-卟啉-铂(II)、双[2-(2’-苯并[4,5-α]噻吩基)吡啶盐-N,C3’]铱、双(2-苯基吡啶)铱(乙酰丙酮合物)。
此外,作为红色发光层6的构成材料,除了上述的红色发光材料以外,可以使用以该红色发光材料作为客体材料的主体材料(第1主体材料)。该主体材料具有如下功能:使空穴和电子再结合而生成激子,并且使该激子的能量向红色发光材料迁移(迁移或Dexter迁移),将红色发光材料激发。这样的第1主体材料例如可以以属于客体材料的红色发光材料作为掺杂剂,在第1主体材料中掺杂而使用。
作为这样的第1主体材料,只要对使用的红色发光材料发挥上述的功能,并无特别限定,红色发光材料包含红色荧光材料时,可以列举例如二苯乙烯基芳烯基衍生物、并四苯衍生物、下述化学式4所示的蒽衍生物、2-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(TBADN)等蒽衍生物,苝衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基胺衍生物、三(8-羟基喹啉)合铝衍生物(Alq3)等羟基喹啉系金属配合物、三苯基胺的4聚体等三芳基胺衍生物、噁二唑衍生物、下述化学式5所示的并四苯衍生物等并四苯及其衍生物、シロ一ル衍生物、二咔唑衍生物、低聚噻吩衍生物、苯并吡喃衍生物、***衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物、喹啉衍生物、4,4’-双(2,2’-二苯基乙烯基)联苯(DPVBi)等,它们中可以单独使用1种或者将2种以上组合使用。
此外,红色发光材料包含红色磷光材料时,作为第1主体材料,可以列举例如3-苯基-4-(1’-萘基)-5-苯基咔唑、4,4’-N,N’-二咔唑联苯(CBP)等咔唑衍生物等,它们中可以单独使用1种或者将2种以上组合使用。
[化学式4]
[化学式5]
红色发光层6中含有第1主体材料时,红色发光层6中的红色发光材料的含量(掺杂量)优选为0.01wt%~10wt%,更优选为0.1wt%~5wt%。通过使红色发光材料的含量为这样的范围内,能够使发光效率最优化,使后述的蓝色发光层8、绿色发光层9的发光量均衡,并且能够使红色发光层6发光。
此外,红色发光层6的平均厚度并无特别限定,优选为3nm~30nm,更优选为5nm~20nm。由此能够使发光元件1的各发光层均衡地发光。
(中间层)
中间层7在上述红色发光层6和后述的蓝色发光层8的层间与它们相接地设置。此外,中间层7具有调节从蓝色发光层8向红色发光层6传输的电子的量的功能。此外,中间层7具有调节从红色发光层6向蓝色发光层8传输的空穴的量的功能。此外,中间层7具有阻止激子的能量在红色发光层6和蓝色发光层8之间迁移的功能。利用该功能,能够分别高效地使红色发光层6和蓝色发光层8发光。其结果能够均衡地使各发光层发光,发光元件1能够发出目标色(本实施方式中为白色)的光,并且能够实现发光元件1的发光效率和发光寿命的提高。
作为这样的中间层7的构成材料,只要是中间层7能够发挥上述的功能,并无特别限定,可以使用例如具有传输空穴的功能的材料(空穴传输材料)、具有传输电子的功能的材料(电子传输材料)等,特别优选使用具有传输空穴的功能的材料。
一般地,与电子相比,空穴的迁移率慢,通过使中间层7含有空穴传输材料,空穴顺利地从中间层7转送到蓝色发光层8,各发光层容易均衡地发光,发光元件1能够确实地通过目标色(白色)发光,并且发光效率优异。
作为这样的中间层7中使用的空穴传输材料,只要中间层7发挥上述的功能,并无特别限定,可以使用例如上述的空穴传输材料中具有胺骨架的胺系材料,但优选使用联苯胺系胺衍生物。
特别地,在联苯胺系胺衍生物中,作为中间层7中使用的胺系材料,优选导入了2个以上芳香环基的材料,更优选四芳基联苯胺衍生物。作为这样的联苯胺系胺衍生物,可以列举例如上述化学式2所示的化合物、N,N’-双(1-萘基)-N,N’-二苯基[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(α-NPD)、N,N,N’,N’-四萘基-联苯胺(TNB)等。
这样的胺系材料,一般地空穴传输性优异。因此,能够将空穴由红色发光层6介由中间层7顺利地转送到蓝色发光层8。此外,将空穴充分地供给到在各发光层中最难发光的蓝色发光层8,因此即使在阳极3和阴极12之间施加的电压变化的情况下,各发光层的发光平衡也不易变化。
此外,特别地,作为中间层7的构成材料,优选除了空穴传输材料以外,还同时含有电子传输材料。由此,中间层7具有电子传输性和空穴传输性。即,中间层7具有双极性。如果这样中间层7具有双极性,则能够将空穴从红色发光层6介由中间层7顺利地转送到蓝色发光层8,并且将电子从蓝色发光层8介由中间层7顺利地转送到红色发光层6。其结果,能够高效地将电子和空穴分别注入红色发光层6和蓝色发光层8使其发光。
作为能够用于中间层7的电子传输材料,只要中间层7发挥上述的功能,并无特别限定,可以使用例如并苯系材料。并苯系材料的电子传输性优异,因此能够将电子从蓝色发光层8介由中间层7顺利地转送到红色发光层6。此外,并苯系材料对于激子的体制优异,因此能够防止或抑制中间层7因激子产生的劣化,其结果使发光元件1的耐久性优异。
作为这样的并苯系材料,可以列举例如蒽衍生物、并四苯衍生物等。作为蒽衍生物,可以列举例如上述化学式4所示的蒽衍生物等。作为并四苯衍生物,可以列举例如上述化学式5所示的并四苯衍生物等。
中间层7中同时含有空穴传输材料和电子传输材料时,中间层7中的空穴传输材料的含量并无特别限定,优选为30wt%~95wt%,更优选为40wt%~90wt%,进一步优选为50wt%~80wt%。
此外,中间层7中的并苯系材料的含量,并无特别限定,优选为5wt%~70wt%,更优选为10wt%~60wt%,进一步优选为20wt%~50wt%。
将中间层7中的空穴传输材料的含量记为CH[wt%],将电子传输材料的含量记为CE[wt%]时,优选满足0.5≤CH/CE≤20的关系,更优选满足1.0≤CH/CE≤10的关系。由此,能够更确实地使中间层7对于载流子、激子的耐性优异,同时可以分别将电子和空穴注入红色发光层6和蓝色发光层8而使其发光,使各发光层的发光平衡更为优异。此外,即使向发光元件1施加的电压变化的情况下,各发光层的发光平衡也变得更难变化。
中间层7的平均厚度优选为5nm~40nm,更优选为10nm~30nm。
(蓝色发光层)
蓝色发光层(第2发光层)8含有发出蓝色(第2色)光的蓝色发光材料(第2发光材料)。
这样通过使用波长比较短的光作为第2色,能够使用带隙比较大的发光材料。这样带隙比较大的发光材料与带隙比较小的发光材料相比,难以捕获空穴、电子。但是,通过将蓝色发光层8配置在这样的位置,能够将空穴和电子充分地供给蓝色发光层8,使蓝色发光层8充分地发光。此外,高效地将在中间层7和蓝色发光层8的界面附近电子和空穴再结合而生成的激子的能量用于蓝色发光层8的发光。因此,各发光层能够均衡地发光。此外,即使施加于发光元件1的电压微弱的情况下、电压变化的情况下,各发光层的发光平衡也变得难以变化。
作为这样的蓝色发光材料,并无特别限定,可以将各种蓝色荧光材料、蓝色磷光材料的1种或2种以上组合使用。
作为蓝色荧光材料,只要发出蓝色的荧光,并无特别限定,可以列举例如下述化学式6所示的二苯乙烯基二胺系化合物等二苯乙烯基胺衍生物、荧蒽衍生物、芘衍生物、苝和苝衍生物、蒽衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、屈衍生物、菲衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、四苯基丁二烯、4,4’-双(9-乙基-3-咔唑亚乙烯基)-1,1’-联苯(BCzVBi)等,它们中可以将1种单独使用或者将2种以上组合使用。
[化学式6]
作为蓝色磷光材料,只要发出蓝色的磷光,则并无特别限定,可以列举例如铱、钌、铂、锇、铼、钯等的金属配合物。更具体地,可以列举双[4,6-二氟苯基吡啶盐-N,C2’]-甲基吡啶盐-铱、三[2-(2,4-二氟苯基)吡啶盐-N,C2’]铱、双[2-(3,5-三氟甲基)吡啶盐-N,C2’]-甲基吡啶盐-铱、双(4,6-二氟苯基吡啶盐-N,C2’)铱(乙酰丙酮合物)。
此外,作为蓝色发光层8的构成材料,除了上述的蓝色发光材料以外,可以使用以该蓝色发光材料作为客体材料的主体材料(第2主体材料)。作为能够用于蓝色发光层8的第2主体材料,可以使用与上述的红色发光层6的第1主体材料同样的主体材料。
蓝色发光层8含有第2主体材料时,蓝色发光层8中的蓝色发光材料的含量(掺杂量)优选为0.1wt%~20wt%,更优选为2wt%~15wt%。通过使蓝色发光材料的含量为该范围内,能够使发光效率最优化,在获得红色发光层6、后述的绿色发光层9的发光量的均衡的同时使蓝色发光层8发光。
此外,绿色发光层8的平均厚度并无特别限定,优选为5nm~100nm,更优选为10nm~50nm。
(绿色发光层)
绿色发光层(第3发光层)9含有发绿色(第3色)光的绿色发光材料(第3发光材料)。
作为这样的绿色发光材料,并无特别限定,可以将各种绿色荧光材料、绿色磷光材料中的1种或2种以上组合使用。
作为绿色荧光材料,只要发出绿色的荧光,并无特别限定,可以列举例如香豆素衍生物、下述化学式7所示的N,N’-二甲基喹吖啶酮等喹吖啶酮衍生物、9,10-双[(9-乙基-3-咔唑)-亚乙烯基]-蒽等蒽衍生物、荧蒽衍生物等,它们中可以单独使用1种或者将2种以上组合使用。
[化学式7]
作为绿色磷光材料,只要发出绿色的磷光,则并无特别限定,可以列举例如铱、钌、铂、锇、铼、钯等金属配合物。其中,优选这些金属配合物的配体中的至少1个具有苯基吡啶骨架、联吡啶骨架、卟啉骨架等的金属配合物。更具体地,可以列举FAC-三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)、双(2-苯基吡啶盐-N,C2’)铱(乙酰丙酮合物)、FAC-三[5-氟-2-(5-三氟甲基-2-吡啶)苯基-C,N]铱。
此外,绿色发光层9可以含有主体材料(第3主体材料)。作为绿色发光层9的第3主体材料,可以使用与上述的红色发光层6的主体材料相同的主体材料。
绿色发光层9含有第3主体材料时,绿色发光层9中的绿色发光材料的含量(掺杂量)优选为0.01wt%~20wt%,更优选为1wt%~15wt%。通过使绿色发光材料的含量为该范围内,能够使发光效率最优化,在获得红色发光层6、蓝色发光层8的发光量的均衡的同时使绿色发光层9发光。
此外,绿色发光层9的平均厚度并无特别限定,优选为5nm~100nm,更优选为10nm~50nm。
(电子传输层)
电子传输层10具有将由阴极12介由电子注入层11注入的电子传输到绿色发光层9的功能。
作为电子传输层10的构成材料(电子传输材料),可以列举例如下述化学式9所示的三(8-羟基喹啉)合铝(Alq3)等以8-羟基喹啉乃至其衍生物为配体的有机金属配合物、噁二唑衍生物、苝衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、喹喔啉衍生物、二苯基醌衍生物、硝基取代芴衍生物等,可以将这些中的1种或2种以上组合使用。
[化学式8]
电子传输层10的平均厚度并无特别限定,优选为1nm~100nm,更优选为5nm~50nm。
(电子注入层)
电子注入层11具有使来自阴极12的电子注入效率提高的功能。
本实施方式中,电子注入层11,在将后述的电子调整层41延长、在电子调整层41的厚度方向电子调整层41和发光层重复的部分,形成电子注入层11。换言之,电子调整层41的一部分兼作电子注入层11。由此,能够一次同时形成电子调整层41和电子注入层11,因此能高效地制造发光装置101。
作为该电子注入层11的构成材料(电子注入材料),可以列举例如各种无机绝缘材料、各种无机半导体材料。
作为这样的无机绝缘材料,可以列举例如碱金属硫属化物(氧化物、硫化物、硒化物、碲化物)、碱土类金属硫属化物、碱金属的卤化物和碱土类金属的卤化物等,可以将它们中的1种或2种以上组合使用。通过以它们为主材料构成电子注入层,能够进一步使电子注入性提高。特别是碱金属化合物(碱金属硫属化物、碱金属的卤化物等)的功函数非常小,通过使用其构成电子注入层11,发光元件1得到高亮度。
作为碱金属硫属化物,可以列举例如Li2O、LiO、Na2S、Na2Se、NaO等。
作为碱土类金属硫属化物,可以列举例如CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、MgO、CaSe等。
作为碱金属的卤化物,可以列举例如CsF、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl、NaCl等。
作为碱土类金属的卤化物,可以列举例如CaF2、BaF2、SrF2、MgF2、BeF2等。
此外,作为无机半导体材料,可以列举例如含有Li、Na、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Cd、Mg、Si、Ta、Sb和Zn中的至少1种元素的氧化物、氮化物或氧化氮化物等,可以将这些中的1种或2种以上组合使用。
特别地,本实施方式中,电子注入层11是将电子调整层41延长而形成的,因此由与电子调整层41相同的材料构成。由此,即使电子调整层41的一部分没有兼作电子注入层11的情况下,同时形成电子注入层11和电子调整层41也变得容易。
电子注入层11的平均厚度并无特别限定,优选为0.2nm~10nm,更优选为0.5nm~5nm。
(电源)
电源25介由阳极端子43和阴极端子40在阳极3和阴极12之间施加驱动电压。电源25供给发光所需的驱动电压的电。
(阳极端子)
阳极端子43与电源25连接,将从电源25供给的空穴介由驱动用晶体管24向阳极3供给。
作为阳极端子43的构成材料,可以列举例如Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rb或包含它们的合金等,可以将它们中的1种或2种以上组合(例如,多层的层合体等)使用。
(阴极端子)
阴极端子40设置在基板上与发光元件1分离的部位并且与电子调整层41相接,与电源25电连接。阴极端子40将由电源25供给的电子向阴极12供给。
作为阴极端子40的构成材料,可以列举例如Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rb或包含它们的合金等,可以将它们中的1种或2种以上组合(例如,多层的层合体等)使用。
(开关元件)
此外,通过开关元件24进行向发光元件1施加的驱动电压的控制。开关元件24是驱动用晶体管,设置在阳极3和电源25之间,通过动作,使阳极3和电源25导通。此外,开关元件24,通过解除动作,将阳极3和电源25的导通解除。即,开关元件24控制阳极3和阴极12之间施加的驱动电压的大小。
(电子调整层)
此外,在阴极端子40和阴极12之间设置有含有具有绝缘性的材料而构成的电子调整层41以与阴极端子40和阴极12相接。此外,阴极12和阴极端子40介由电子调整层41连接。这样的电子调整层41具有调整由阴极端子40向阴极12供给的电子的量的功能。
本发明在上述方面具有特征。
即,将开关元件24的驱动解除时,阳极3和阴极端子40之间本来设定为未施加电压。但是,实际上,在阳极3和阴极端子40之间施加微弱的电压。在这样的状况下,对于以往的发光装置,在阴极和阳极之间施加微弱的电压,发光元件容易发光。因此,以往的发光装置容易产生浮黑现象的问题。
与此相对,在发光装置101中,由于电子调整层41含有具有绝缘性的材料,成为阴极端子40和阴极12之间的电阻,其结果,在阳极3和阴极端子40之间施加了微弱的电压的情况下,电子调整层41能防止电子从阴极端子40向阴极12移动。其结果,在上述的状况下,防止在阳极3和阴极12之间施加微弱的电压,防止发光元件1微弱地发光。即,防止非本意的浮黑现象发生。
此外,电子调整层41在其厚度方向,其一部分与阴极端子40重复地设置。由此,电子调整层41能更确实地从阴极端子40接受电子,并且能够调整向阴极12供给的电子的量,能够防止浮黑现象,发光时,能够适当地将电子供给阴极12。
此外,这样的电子调整层41,在开关元件24驱动,而要在阳极3和阴极12之间施加驱动电压时,具有防止电子从阴极端子40向阴极12移动的程度的绝缘性。由此,能适当地防止浮黑现象。
此外,电子调整层41,在开关元件24使阳极3和阴极12之间施加的电压停止时,具有防止电子从阴极端子40向阴极12移动的程度的绝缘性。由此,防止浮黑现象,同时使发光元件1发光时,高效地从阴极端子40向阴极12供给电子,发光元件1适当地发光。
具体地,电子调整层41具有电子能够利用空穴注入效应从阴极端子40通过到阴极12的程度的平均厚度。
更具体地,电子调整层41的平均厚度优选为0.2nm~10nm,更优选为0.5nm~5nm。由此,要在阳极3和阴极12之间施加驱动电压时,电子能够利用空穴注入效应介由电子调整层41从阴极端子40向阴极12高效地移动,并且通过开关元件24停止在阳极3和阴极12之间施加电压,在阳极3和阴极端子40之间施加微弱的电压时,防止电子通过电子调整层41。
电子调整层41只要含有具有绝缘性的材料,并无特别限定,可以列举例如钛酸锆酸铅、钛酸钡等强介电体,Li2O、LiO、NaO等碱金属氧化物,CsF、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl、NaCl等碱金属卤化物,CaO、BaO、SrO、BeO、MgO等碱土类金属氧化物,CaF2、BaF2、SrF2、MgF2、BeF2等碱土类金属卤化物等,可以将它们中的1种或2种以上组合使用。这些材料具有足够高的绝缘性,并且形成比较薄的膜时,如果施加驱动电压,则电子能够利用霍耳效应通过。即,能适当地抑制浮黑的发生,并且在驱动电压施加时,发光元件1适当地发光。
上述中,具有绝缘性的材料,优选包含Li2O、LiO、LiF等锂化合物,更优选包含LiF。由此,上述的效果变得更显著。
(辅助阴极)
此外,在阴极12的电子调整层41的相反侧的面,在阴极12的厚度方向上与阴极端子40重复并且不与发光元件1重复的位置上设置有辅助阴极42。辅助阴极42比阴极12的导电性高,具有辅助阴极12的电子的传输的功能。即,对于阴极12要求向发光元件1的层合体15的电子注入性,因此通过层合体15的构成,不能够使用导电性足够高的材料,有时发光装置101全体的驱动电压变得比较高,但通过辅助阴极42辅助阴极12的电子的传输,能够使发光装置101全体的驱动电压比较低。其结果,停止阴极12和阳极3之间施加电压时,阴极端子40和阳极3之间施加的电压变得更小,因此能适当地防止浮黑现象。
此外,辅助阴极42在其厚度方向与发光元件1不重复,配置到阴极12的发光元件1附近。由此,辅助阴极42能够更高效地辅助阴极12的电子的传输,能够使发光装置101的驱动电压更低。
此外,辅助阴极42与阴极12接触地配置。由此,辅助电极42能够更高效地辅助阴极12的电子的传输,能够使发光装置101的驱动电压更低。
作为构成辅助阴极42的材料,只要是导电性比构成阴极12的材料高的材料,并无特别限定,可以列举例如Ag、Cu、Al或含有它们的合金等,可以将它们中的1种或2种以上组合(例如多层的层合体等)使用。
此外,辅助阴极42的平均厚度并无特别限定,优选为10nm~500nm,更优选为100nm~300nm。由此,辅助阴极42能够更高效地辅助阴极12的电子的传输,并且能够防止辅助阴极42过厚,发光装置101的厚度过度变大。
(密封构件)
密封构件以覆盖除电源25以外的发光装置101的各构件的方式设置,具有气密地将它们密封,阻隔氧、水分的功能(未图示)。通过设置密封构件,获得发光装置101的可靠性的提高、变质·劣化的防止(耐久性提高)等效果。
作为密封构件的构成材料,可以列举例如Al、Au、Cr、Nb、Ta、Ti或包含它们的合金、氧化硅、各种树脂材料等。再有,使用具有导电性的材料作为密封构件的构成材料时,为了防止短路,在密封构件和阳极3、层合体15、阴极12、阴极端子40、阳极端子43和辅助阴极42之间,根据需要优选设置绝缘膜。
此外,密封构件可以作为平板状,与基板对向,用例如热固性树脂等密封材料密封它们之间。
根据以上构成的发光装置101,阴极端子40和阴极12介由电子调整层41连接,从而设定为开关元件24使向发光元件1施加驱动电压停止时,即使在阴极端子40和阳极3之间施加了微弱的电压,也能够防止电子调整层41从阴极端子40向阴极12输送电子。其结果,设定为开关元件24使向发光元件1施加电压停止时,可以防止发光元件1发光,而防止浮黑现象。因此,发光装置101可很好地适用于图像显示。
特别地,通过使发光装置101的电子调整层41的平均厚度在上述范围内,从而能适当地防止浮黑现象,并且将开关元件24驱动而对阴极12和阳极3施加驱动电压时,电子调整层41能够适当地使电子从阴极端子40移动到阴极12,发光元件1能够适当地发光。
此外,特别是在本实施方式中,发光元件1具有多个发光层。一般地,具有多个发光层的发光元件的驱动电压容易升高,因此电源输出的电压也容易变高,因此,容易产生浮黑现象。但是,本发明中,通过具有电子调整层41,即使发光元件1具有多个发光层,也能适当地防止浮黑现象。
此外,特别是在本实施方式中,多个发光层发出彼此不同颜色的光。以往,发生浮黑现象时,多个发光层中,放出波长更长的光的发光层容易发光,浮黑现象时有时从发光元件放出目标以外的颜色。特别地,作为发光元件全体从多个发光层整体发出白色光时,这样的问题变得显著。但是,本发明中,由于能防止浮黑现象自身,因此这样的问题得到防止。
接着,对本发明的发光装置的制造方法进行说明。
本发明的发光装置的制造方法具有:在基板上形成阳极3和阴极端子40的工序,在阳极3上形成通过施加电压而发光的发光层的工序,以平视下与发光层和阴极端子40重复的方式形成含有具有绝缘性的材料的电子调整层41的工序,和在电子调整层41上形成阴极的工序。此外,电子调整层41,如上所述,调节从阴极端子40向阴极12供给的电子的量,并且起促进电子从阴极12向发光层注入的电子注入层11的作用而构成。
由此,能够高效地制造上述的发光装置101。特别地,电子调整层41的一部分起电子注入层11的作用而构成,从而能够一次地形成电子注入层11和电子调整层41,因此生产性优异。
以下详细地说明。
[1]首先,准备基板,形成阳极3。再有,根据需要可以在该基板上、阳极3下并且在每个规定的各像素形成驱动用的晶体管电路。
阳极3可以使用例如等离子体CVD、热CVD这样的化学蒸镀法(CVD)、真空蒸镀、溅射等干式镀敷法、电镀等湿式镀敷法、溶射法、溶胶·凝胶法、MOD法、金属箔的接合等而形成。
[2]接着,在基板上的与阳极3分离的部位形成阴极端子40。
阴极端子40可以使用例如等离子体CVD、热CVD这样的化学蒸镀法(CVD)、真空蒸镀、溅射等干式镀敷法、电镀等湿式镀敷法、溶射法、溶胶·凝胶法、MOD法、金属箔的接合等而形成。
[3]接着,在阳极3上形成空穴注入层4。
空穴注入层4,例如,采用使用了真空蒸镀等干式镀敷法等的气相法而形成。
此外,空穴注入层4,例如,也可以通过将空穴注入材料溶解于溶剂或者分散于分散介质而成的空穴注入层形成用材料供给到阳极3上后,进行干燥(脱溶剂或脱分散介质)而形成。
作为空穴注入层形成用材料的供给方法,也可以使用例如旋涂法、辊涂法、喷墨印刷法等各种涂布法。通过使用该涂布法,能够比较容易地形成空穴注入层4。
作为用于空穴注入层形成用材料的调制的溶剂或分散介质,可以列举例如各种无机溶剂、各种有机溶剂或者包含它们的混合溶剂等。
再有,可通过例如大气压或减压气氛中的放置、加热处理、非活性气体的喷射等来进行干燥。
此外,在本工序之前,可以在阳极3的上面实施氧等离子体处理。由此能够进行在阳极3的上面赋予亲液性,将阳极3的上面附着的有机物除去(洗涤),调整阳极3的上面附近的功函数等。
其中,作为氧等离子体处理的条件,优选为例如等离子体功率100~800W左右、氧气流量50~100mL/min左右、被处理构件(阳极3)的输送速度0.5~10mm/sec左右、基板的温度70~90℃左右。
[4]接着,在空穴注入层4上形成空穴输送层5。
空穴传输层5可以采用例如使用真空蒸镀等的干式镀敷法等的气相法形成。
此外,也可以通过将空穴传输材料溶解于溶剂或者分散于分散介质而成的空穴传输层形成用材料供给到空穴注入层4上后,进行干燥(脱溶剂或脱分散介质)而形成。
[5]接着,在空穴传输层5上形成红色发光层6。
红色发光层6可以采用例如使用真空蒸镀等的干式镀敷法等的气相法形成。
[6]接着,在红色发光层6上形成中间层7。
中间层7可以采用例如使用真空蒸镀等的干式镀敷法等的气相法形成。
[7]接着,在中间层7上形成蓝色发光层8。
蓝色发光层8可以采用例如使用真空蒸镀等的干式镀敷法等的气相法形成。
[8]接着,在蓝色发光层8上形成绿色发光层9。
绿色发光层9可以采用例如使用真空蒸镀等的干式镀敷法等的气相法形成。
[9]接着,在绿色发光层9上形成电子传输层10。
电子传输层10可以采用例如使用真空蒸镀等的干式镀敷法等的气相法形成。
此外,电子传输层10也可以通过例如将电子传输材料溶解于溶剂或者分散于分散介质而成的电子传输层形成用材料供给到绿色发光层9上后,进行干燥(脱溶剂或脱分散介质)而形成。
[10]接着,从电子传输层10上到阴极端子40上连续地形成电子调整层41。
再有,本实施方式中,电子调整层41的一部分兼作电子注入层11,在电子调整层41的形成的同时,在电子传输层10上一次地形成电子注入层11。
电子调整层41采用例如使用了真空蒸镀、溅射等干式镀敷法等的气相法、无机微粒油墨的涂布和烧制等形成。
[11]接着,在电子调整层41上形成阴极12。
阴极12可通过使用例如真空蒸镀法、溅射法、金属箔的接合、金属微粒油墨的涂布和烧制等形成。
[12]接着,从以平视下与阴极12上的阴极端子40重复的位置到阳极3附近的部位,以与阳极3不重复的方式形成辅助阴极42。
辅助阴极42可以使用例如真空蒸镀法、溅射法、金属箔的接合、金属微粒油墨的涂布法形成。
[13]接着,将阳极端子43和阴极端子40与电源25连接。
[14]最后,被覆密封构件34以将得到的发光元件1、阴极12、电子调整层41和辅助阴极42覆盖,与基板接合。
经过以上的工序,得到具备发光元件1的发光装置101。
再有,开关元件24、阳极端子43和其他必要的配线等可以预先作为基板的一部分而形成。
以上说明的发光装置101可以作为例如光源等使用。此外,通过将多个发光元件1配置为矩阵状,能够构成显示器装置(本发明的显示装置)。
再有,作为显示器装置的驱动方式,并无特别限定,可以是有源矩阵方式、无源矩阵方式的任一种。
下面,对应用了本发明的显示装置的显示器装置的一例进行说明。
(显示装置)
图2所示的显示器装置(显示装置)100具有:具备多个发光元件1R、1G、1B的发光装置101A,具有与各发光元件1R、1G、1B对应设置的滤光器部19R、19G、19B的滤色器102。
这样的显示器装置100,多个发光元件1R、1G、1B和多个滤光器部19R、19G、19B与子像素100R、100G、100B对应地设置,构成顶部发射构造的显示屏。
再有,本实施方式中对于采用了有源矩阵方式作为显示器装置的驱动方式的实例进行了说明,但也可以采用无源矩阵方式。
如图2和图3所示,发光装置101A具有基板21、多个阳极3、阴极12、层合体15、多个开关元件24、2个阴极端子40和多个阳极端子43。此外,将基板21平视时,包含各阳极3、阴极12而被各阳极3和阴极12夹持的各部分分别构成发光元件1R、1G、1B。此外,如图3所示,在基板21的中央附近设置由点A、B、C、D包围的大致长方形的发光区域50,在基板21上的发光区域50内将各发光元件1R、1G、1B配置为矩阵状(行列状)。
基板21支持多个发光元件1R、1G、1B和多个开关元件24。
各开关元件24与各发光元件1R、1G、1B对应地设置,是用于驱动各发光元件1R、1G、1B的驱动用晶体管。
这样的各开关元件24具有:由硅构成的半导体层241、在半导体层241上形成的栅绝缘层242、在栅绝缘层242上形成的栅电极243、源电极244和漏电极245。
开关元件24,通过将电压施加于栅电极243,进行动作,将源电极244和漏电极245导通。此外,通过调节施加于栅电极243的电压,能够调节流过源电极244和漏电极245的电流,乃至能够调节施加于发光元件1R、1G、1B的电压。
形成用绝缘材料构成的平坦化层22以将这样的多个开关元件24覆盖。
在平坦化层22上,在发光区域50内,将反射膜32、防腐蚀膜33、阳极3、层合体15、阴极12、密封部件34依次层合。
将多个阳极3配置为平视下为矩阵状,构成像素电极,通过导电部(配线)27与各开关元件24的漏电极245电连接。
此外,阴极12成为各发光元件1R、1G、1B的共通电极,阴极12以平视下与阴极端子40交叉的方式其长边方向从发光区域50而被延长。换言之,阴极12的长边方向比发光区域50长,成为由点E、F、G、H围成的长方形。此外,阴极12介由电子调整层41与阴极端子40电连接。
此外,层合体15,除了电子调整层41以外,以平视下设置在发光区域50内。此外,电子调整层41以平视下与后述的阴极端子40交叉,与阴极端子40接触的方式其长边方向从发光区域50而被延长,本实施方式中,形成与阴极12相同的形状。
此外,以平视下,在配置有各阳极3的部位中,反射膜32、防腐蚀膜33、阳极3、层合体15和阴极12构成各发光元件1R、1G、1B。
再有,发光元件1G、1B的构成与发光元件1R的构成相同。此外,图2中,关于与图1同样的构成,标记相同符号。此外,反射膜32的构成(特性)可以根据光的波长,在发光元件1R、1G、1B间不同。
此外,在邻接的发光元件1R、1G、1B之间设置隔壁31。
此外,如图3所示,以平视下在发光区域50的长边方向的两侧,与发光区域50垂直地设置大致长方形的阴极端子40。阴极端子40与电子调整层41相接,介由电子调整层41与阴极12连接。
此外,在阴极12上以平视下,多个辅助阴极42分别通过发光区域50,与2个阴极端子40重复的方式,并且设置在与发光区域50的发光元件1R、1G、1B不重复的位置。
这样构成的发光装置101A介由用环氧树脂等热固性树脂构成的树脂层35,将滤色器102接合。
滤色器102具有基板20、多个滤光器部19R、19G、19B和遮光层36。
基板(密封基板)20支持各滤光器部19R、19G、19B和遮光层36。基板20使用透明基板。
作为这样的基板20的构成材料,只要基板20具有光透过性,并无特别限定,可以使用与上述的基板21的构成材料同样的材料。
滤光器部19R、19G、19B对应于发光元件1R、1G、1B而设置。
滤光器部19R将来自发光元件1R的白色光WR转换为红色。此外,滤光器部19G将来自发光元件1G的白色光WG转换为绿色。此外,滤光器部19B将来自发光元件1B的白色光WB转换为蓝色。通过将这样的滤光器部19R、19G、19B与发光元件1R、1G、1B组合使用,可以显示全色图像。
邻接的滤光器部19R、19G、19B相互之间形成有遮光部36。该遮光部36具有防止非意图的子像素100R、100G、100B发光的功能。
这样的显示器装置100(本发明的显示装置)使用上述的发光装置,因而可以防止浮黑现象,能够显示高品位的图像的可靠性高。
再有,以上说明的显示器装置100可以是单色显示。
此外,以上说明的显示器装置100(本发明的显示装置),可以组装到各种电子设备中。
图4是表示应用了本发明的电子设备的移动型(或笔记本型)的个人电脑的构成的立体图。
该图中,个人电脑1100由具有键盘1102的主体部1104和具有显示部的显示单元1106构成,显示单元1106对于主体部1104介由铰链结构部被可旋转地支持。
该个人电脑1100中,显示单元1106具备的显示部由上述显示器装置100构成。
图5是表示应用了本发明的电子设备的移动电话机(也包括PHS)的构成的立体图。
该图中,移动电话机1200具有多个操作按钮1202、受话口1204和送话口1206以及显示部。
移动电话机1200中,该显示部由上述的显示器装置100构成。
图6是表示应用了本发明的电子设备的数码相机的构成的立体图。再有,该图中对于与外部设备的连接也简单地进行了表示。
其中,通常的照相机通过被摄体的光像将银盐照相胶卷感光,而数码相机1300通过CCD(电荷耦合器件)等摄像元件将被摄体的光像进行光电转换,生成摄像信号(图像信号)。
在数码相机1300中壳体(躯体)1302的背面设置显示部,成为基于CCD产生的摄像信号进行显示的构成,起将被摄体表示为电子图像的取景器的作用。
数码相机1300中,该显示部由上述的显示器装置100构成。
壳体的内部设置有电路基板1308。该电路基板1308设置有能够存储(记忆)摄像信号的存储器。
此外,在壳体1302的正面侧(图示的构成中的背面侧)设置有包含光学透镜(摄像光学系)、CCD等的受光单元1304。
摄影者确认在显示部显示的被摄体像,将快门按钮1306按下,则此时刻的CCD的摄像信号传送、存储到电路基板1308的存储器。
此外,该数码相机1300中,在壳体1302的侧面设置有视频信号输出端子1312和数据通信用的输入输出1314。此外,如图所示,根据需要在视频信号输出端子1312连接有电视监视器1430,在数据通信用的输入输出端子1314连接有个人电脑1440。此外,成为通过规定的操作使储存在电路基板1308的存储器的摄像信号输出到电视监视器1430、个人电脑1440的构成。
再有,本发明的电子设备除了图4的个人电脑(移动型个人电脑)、图5的移动电话机、图6的数码相机以外,还可应用于例如电视机、摄像机、取景器型、监视器直视型录像机、膝上型个人电脑、导航装置、呼机、电子笔记本(也包含带有通信功能)、电子词典、电脑、电子游戏机、文字处理机、工作站、电视电话、防范用电视监视器、电子双眼镜、POS终端、具有触摸屏的设备(例如金融机构的取款机、自动售票机)、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电显示装置、超声波诊断装置、内视镜用显示装置)、鱼群探测器、各种测定设备、仪表类(例如车辆、航空器、船舶的仪表类)、飞行模拟器、其他各种监视器类、投影仪等投射型显示装置等。
以上基于图示的实施方式对本发明的发光装置、发光装置的制造方法、显示装置和电子设备进行了说明,但本发明并不限于这些。
例如,上述的实施方式中,发光装置具有将阴极端子、电子调整层、阴极、阴极端子依次层合的构成,但并不限于此。
例如,发光装置可以形成图7~图11这样的构成。
图7中,发光装置101B与图1所示的发光装置101相比,省略了辅助阴极。
图8中,发光装置101C中,阴极12A在其厚度方向未与阴极端子40重复,与电子调整层41比较,从发光元件1延长的部分变小。此外,辅助阴极42A在电子调整层41的阴极端子40的相反侧与电子调整层41相接地设置,其一端与阴极12A在其厚度方向重复,同时接触。
图9中,在发光装置101D中,辅助阴极42B在电子调整层41的阴极端子40的相反侧与电子调整层41相接地设置。此外,阴极12B以覆盖阴极端子40相反侧的电子调整层41和辅助阴极42的方式设置。
图10中,在发光装置101E中,将辅助阴极42C***电子调整层41和阴极端子40之间。
图11中,发光装置101F中,电子调整层41A和电子注入层11A不连接。这种情况下,电子调整层41和电子注入层11A各自为不同的层,可以分别使用适合各层的材料。
以上的发光装置101B~101F也产生与上述的发光装置101、101A同样的效果。再有,图7~11中,对于与发光装置101、101A同样的构成,标记相同的符号。
此外,例如,在上述的实施方式中,对于各发光元件具有3层的发光层进行了说明,但发光层可以是1层、2层或4层以上。此外,作为发光层的发光色,并不限定于上述的实施方式的R、G、B。即使发光层为2层或4层以上的情况下,通过适当设定各发光层的发光光谱,也能够发出白光。例如,发光层为2层的情况下,通过将蓝色的发光层和黄色的发光层组合,能够发白色光。
此外,例如,在上述的实施方式中,对于发光元件整体发白色光进行了说明,但并不限定于此,发光元件可以发任何颜色光。
此外,上述的实施方式中,发光元件以具有中间层的发光元件进行了说明,但并不限定于此,可以省略中间层。此外,根据需要可以将中间层适当地设置在各发光层间。
此外,上述的实施方式中,发光元件以从基板的相反侧取出光的构成(顶部发射型)进行了说明,但并不限定于此,发光元件可以是从基板侧取出光的构成(底部发射型)。
实施例
以下对本发明的具体实施例进行说明。
1.发光装置的制造
(实施例)
<1>首先,准备配置有开关元件、反射层、(电蚀)保护层、阳极端子和其他必要的配线的顶部发射用的平均厚度为0.5mm的透明玻璃基板。接着,在该基板上采用溅射法形成平均厚度80nm的ITO电极(阳极)以与阳极端子连接。
然后,将基板依次浸渍于丙酮、2-丙醇,用纯水超声波洗涤后,实施氧等离子体处理。
<2>接着,在基板上的与阳极和阳极端子分离的部位形成平均厚度:100nm的阴极端子。
阴极端子采用溅射法形成。
<3>接着,在ITO电极上采用真空蒸镀法蒸镀上述化学式1所示的N,N’-双-(4-二苯基氨基-苯基)-N,N’-二苯基-联苯-4,4’-二胺,形成平均厚度50nm的空穴注入层。
<4>接着,在空穴注入层上采用真空蒸镀法蒸镀上述化学式2所示的N,N’-双(1-萘基)-N,N’-二苯基[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(α-NPD),形成平均厚度20nm的空穴传输层。
<5>接着,在空穴传输层上采用真空蒸镀法蒸镀红色发光层的构成材料,形成平均厚度10nm的红色发光层(第1发光层)。作为红色发光层的构成材料,使用上述化学式3所示的二苯并-四苯基二茚并苝衍生物作为红色发光材料(客体材料),使用上述化学式5所示的双联苯-并四苯衍生物作为主体材料。此外,红色发光层中的发光材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)为1.0wt%。
<6>接着,在红色发光层上采用真空蒸镀法赋予中间层的构成材料,形成平均厚度10nm的中间层。作为中间层的构成材料,使用上述化学式2所示的化合物和上述化学式4所示的蒽衍生物,使中间层中的材料的使用比例以重量比计为上述化学式2所示的化合物:上述化学式4所示的蒽衍生物=4∶6。
<7>接着,在中间层上采用真空蒸镀法蒸镀蓝色发光层的构成材料,形成平均厚度20nm的蓝色发光层(第2发光层)。作为蓝色发光层的构成材料,使用上述化学式7所示的二苯乙烯基二胺系化合物作为蓝色发光材料,使用上述化学式4所示的蒽衍生物作为主体材料。此外,蓝色发光层中的蓝色发光材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)为10.0wt%。
<8>接着,在蓝色发光层上采用真空蒸镀法蒸镀绿色发光层的构成材料,形成平均厚度10nm的绿色发光层(第3发光层)。作为绿色发光层的构成材料,使用上述化学式8所示的喹吖啶酮衍生物作为绿色发光材料(客体材料),使用上述化学式4所示的蒽衍生物作为主体材料。此外,绿色发光层中的绿色发光材料(掺杂剂)的含量(掺杂浓度)为10.0wt%。
<9>接着,在绿色发光层上采用真空蒸镀法形成上述化学式9所示的三(8-羟基喹啉)合铝(Alq3),形成平均厚度10nm的电子传输层。
<10>接着,在电子传输层上和阴极端子上连续地采用真空蒸镀法形成氟化锂(LiF)膜,形成平均厚度1nm的电子调整层。此时,作为电子调整层的一部分,在电子传输层上形成了电子注入层。
<11>接着,在电子调整层上采用真空蒸镀法形成MgAg膜。由此,形成由MgAg构成的平均厚度10nm的阴极。
<12>接着,从阴极上的与阴极端子重复的位置到阳极附近的部位,以不与阳极重复的方式采用真空蒸镀法形成Al膜。由此,形成了由Al构成的平均厚度100nm的辅助阴极。
<13>接着,为了将形成的各层覆盖,被覆玻璃制的保护盖(密封构件),用环氧树脂固定,进行密封。
通过以上的工序,制造发光元件发白色光的图1所示的发光装置。
(比较例)
在上述的实施例的工序<10>中,不进行电子调整层的形成,在电子传输层上采用真空蒸镀法形成氟化锂(LiF)膜,形成平均厚度1nm的电子注入层。
此外,在上述的实施例的工序<11>中,从电子注入层到阴极端子上连续地采用真空蒸镀法形成MgAg膜。由此,形成由MgAg构成的平均厚度10nm的阴极。
除以上的2点以外,与上述实施例同样地制造发光装置。
2.评价
2-1.浮黑现象的评价
实施例和比较例的发光装置中,在使用直流电源制作的发光装置(屏)的阴极端子和阳极端子之间施加2.5V的电压,使用亮度计测定亮度(cd/m2)。再有,上述的电压值在开关元件将在阴极端子和阳极端子间施加电压停止时(显示黑时),假定为在阴极端子和阳极端子间施加了微弱电压时流过的电流值。
此外,与上述评价的同时,测定从各发光元件放出的光的光谱(发光光谱)和色度(x,y)。
其结果,实施例的发光装置中,亮度为0.004cd/m2,色度(x,y)为(0.59,0.40)。而比较例的发光装置中,亮度为0.02cd/m2,色度(x,y)为(0.65,0.33)。可见,流过比较小的电流时,与比较例的发光装置相比,实施例的发光装置抑制了浮黑现象。
施加了8.0V的电压时,实施例、比较例均是亮度为约800cd/m2,色度(x,y)为(0.51,0.25)。
再有,实际上屏(发光装置)中设定为能够最大亮度500cd/m2显示,结果对于TFT电路全体需要13.0V的电压。此时,在开发屏(实施例的发光装置)中暗处对比度为50000∶1。在以往屏(比较例的发光装置)中为3000∶1。
Claims (15)
1.一种发光装置,其特征在于,具有:
阴极,
阳极,
发光层,该发光层设置在所述阴极和所述阳极之间,通过在所述阴极和所述阳极之间施加电压而发光,
阴极端子,该阴极端子设置在不与所述阳极和所述发光层相接的部位,向所述阴极供给电子,和
电子调整层,该电子调整层含有具有绝缘性的材料,调节从所述阴极端子向所述阴极供给的电子的量;
所述阴极介由所述电子调整层与所述阴极端子连接。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,在所述电子调整层的厚度方向上,所述阴极端子和所述电子调整层至少一部分重复。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置,其具有辅助阴极,该辅助阴极以在所述阴极的厚度方向上与所述阴极端子的至少一部分和所述阴极的至少一部分重复的方式配置,由导电性比所述阴极高的材料构成。
4.根据权利要求3所述的发光装置,其中,所述辅助阴极以与所述阴极接触的方式配置。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的发光装置,其还具有:
电源,其介由所述阴极端子向所述阴极和所述阳极施加电压,
电子注入层,该电子注入层在所述阴极和所述发光层之间以在所述阴极的厚度方向上与所述阴极的至少一部分和所述发光层的至少一部分重复的方式设置,促进从所述阴极供给的电子向所述发光层注入。
6.根据权利要求5所述的发光装置,其中,所述电子调整层以在其厚度方向上与所述发光层重复的方式设置,兼作所述发光部的所述电子注入层。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的发光装置,其还具有:
电源,其介由所述阴极端子向所述阴极和所述阳极施加电压,
开关元件,其控制从所述电源向所述阴极端子和所述阳极施加的电压的大小;
所述电子调整层在所述开关元件以使所述电源停止向所述阴极和所述阳极施加电压的方式操作时,具有防止电子从所述阴极端子向所述阴极移动的程度的绝缘性。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的发光装置,其还具有:
电源,其介由所述阴极端子向所述阴极和所述阳极施加电压,
开关元件,其控制从所述电源向所述阴极端子和所述阳极施加的电压的大小;
所述电子调整层在所述开关元件以使所述电源停止向所述阴极和所述阳极施加电压的方式操作时,具有防止电子从所述阴极端子向所述阴极移动的程度的绝缘性。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的发光装置,其中,所述电子调整层含有选自强介电体、碱金属氧化物、碱金属卤化物、碱土类金属氧化物、碱土类金属卤化物中的至少1种。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的发光装置,其中,所述电子调整层含有锂化合物。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的发光装置,其中,在所述阴极和所述阳极之间设置有多个所述发光层。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的发光装置,其中,多个所述发光层以互不相同的颜色发光。
13.一种发光装置的制造方法,其具有:
在基板上形成阳极和阴极端子的工序,
在所述阳极上形成通过施加电压而发光的发光层的工序,
以平视下与所述发光层和所述阴极端子重复的方式形成含有具有绝缘性的材料的电子调整层的工序,和
在所述电子调整层上形成阴极的工序;
所述电子调整层调节从所述阴极端子向所述阴极供给的电子的量,并且其一部分起促进电子从所述阴极向所述发光层注入的电子注入层的作用而构成。
14.一种显示装置,其特征在于,具有权利要求1~12中任一项所述的发光装置。
15.一种电子设备,其特征在于,具有权利要求14所述的显示装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009120358A JP5532677B2 (ja) | 2009-05-18 | 2009-05-18 | 発光装置、表示装置および電子機器 |
JP2009-120358 | 2009-05-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101894918A true CN101894918A (zh) | 2010-11-24 |
Family
ID=43067949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010101822927A Pending CN101894918A (zh) | 2009-05-18 | 2010-05-18 | 发光装置、发光装置的制造方法、显示装置和电子设备 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8823257B2 (zh) |
JP (1) | JP5532677B2 (zh) |
CN (1) | CN101894918A (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107204392A (zh) * | 2016-03-17 | 2017-09-26 | 三星显示有限公司 | 发光装置 |
CN110085755A (zh) * | 2019-05-09 | 2019-08-02 | 陕西科技大学 | 一种新型倒置型顶发射oled器件及其制备方法 |
WO2021227115A1 (zh) * | 2020-05-09 | 2021-11-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示面板制程方法 |
CN113948663A (zh) * | 2020-07-15 | 2022-01-18 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
US11690241B2 (en) | 2020-05-09 | 2023-06-27 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED with auxiliary electrode contacting electron transport layer |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5471937B2 (ja) * | 2010-07-27 | 2014-04-16 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、表示装置および電子機器 |
JP5609430B2 (ja) * | 2010-08-25 | 2014-10-22 | ソニー株式会社 | 有機el表示装置および電子機器 |
JP5974372B2 (ja) * | 2011-11-07 | 2016-08-23 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル及び有機el表示装置 |
US9472606B2 (en) | 2011-11-07 | 2016-10-18 | Joled Inc. | Organic electroluminescence display panel and organic electroluminescence display apparatus |
KR102065366B1 (ko) * | 2013-08-30 | 2020-01-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR102458597B1 (ko) * | 2015-06-30 | 2022-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102614598B1 (ko) | 2016-06-27 | 2023-12-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
TW202201998A (zh) * | 2020-06-02 | 2022-01-01 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 顯示裝置及電子機器 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050012454A1 (en) * | 2003-06-16 | 2005-01-20 | Shunpei Yamazaki | Light emitting device and method for fabricating light emitting device |
CN101055923A (zh) * | 2006-04-13 | 2007-10-17 | Lg电子株式会社 | 有机电致发光器件及其制造方法 |
CN101188246A (zh) * | 2006-11-15 | 2008-05-28 | 群康科技(深圳)有限公司 | 顶部发光型有机发光二极管及其制造方法 |
JP2008234990A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003178880A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-06-27 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機電界発光素子 |
-
2009
- 2009-05-18 JP JP2009120358A patent/JP5532677B2/ja active Active
-
2010
- 2010-05-12 US US12/778,598 patent/US8823257B2/en active Active
- 2010-05-18 CN CN2010101822927A patent/CN101894918A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050012454A1 (en) * | 2003-06-16 | 2005-01-20 | Shunpei Yamazaki | Light emitting device and method for fabricating light emitting device |
CN101055923A (zh) * | 2006-04-13 | 2007-10-17 | Lg电子株式会社 | 有机电致发光器件及其制造方法 |
CN101188246A (zh) * | 2006-11-15 | 2008-05-28 | 群康科技(深圳)有限公司 | 顶部发光型有机发光二极管及其制造方法 |
JP2008234990A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107204392A (zh) * | 2016-03-17 | 2017-09-26 | 三星显示有限公司 | 发光装置 |
US11024765B2 (en) | 2016-03-17 | 2021-06-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Quantum dot light-emitting device |
CN107204392B (zh) * | 2016-03-17 | 2022-03-08 | 三星显示有限公司 | 发光装置 |
CN110085755A (zh) * | 2019-05-09 | 2019-08-02 | 陕西科技大学 | 一种新型倒置型顶发射oled器件及其制备方法 |
WO2021227115A1 (zh) * | 2020-05-09 | 2021-11-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示面板制程方法 |
US11690241B2 (en) | 2020-05-09 | 2023-06-27 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED with auxiliary electrode contacting electron transport layer |
CN113948663A (zh) * | 2020-07-15 | 2022-01-18 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5532677B2 (ja) | 2014-06-25 |
US8823257B2 (en) | 2014-09-02 |
JP2010267935A (ja) | 2010-11-25 |
US20100289417A1 (en) | 2010-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101847691B (zh) | 发光元件、发光装置、显示装置和电子设备 | |
JP4967952B2 (ja) | 発光素子、表示装置および電子機器 | |
US8395314B2 (en) | Light-emitting element, display device, and electronic apparatus having a plurality of interlayers | |
CN101894918A (zh) | 发光装置、发光装置的制造方法、显示装置和电子设备 | |
JP5077055B2 (ja) | 発光素子、表示装置および電子機器 | |
CN101847692A (zh) | 发光元件、发光装置、显示装置及电子设备 | |
CN102097419A (zh) | 发光元件、显示装置和电子设备 | |
CN102386341B (zh) | 发光元件、发光装置、显示装置和电子设备 | |
JP2011108899A (ja) | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 | |
CN101599535B (zh) | 发光元件、显示装置以及电子设备 | |
CN104979479B (zh) | 发光元件、发光装置、显示装置和电子设备 | |
JP2010218850A (ja) | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 | |
CN102683604A (zh) | 发光元件、发光装置、显示装置和电子设备 | |
US9401492B2 (en) | Light-emitting element, light-emitting device, display device, and electronic apparatus | |
CN102655224A (zh) | 发光元件、发光装置、显示装置和电子设备 | |
CN102655221B (zh) | 发光元件、发光装置、显示装置和电子设备 | |
JP2015201279A (ja) | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 | |
JP6435625B2 (ja) | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 | |
JP5098871B2 (ja) | 発光素子、表示装置および電子機器 | |
JP6446813B2 (ja) | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 | |
JP5304910B2 (ja) | 発光素子、表示装置および電子機器 | |
JP2009238736A (ja) | 発光素子、発光装置および電子機器 | |
JP2010225689A (ja) | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 | |
JP2009295306A (ja) | 発光素子、表示装置および電子機器 | |
JP2009238737A (ja) | 発光素子、発光装置および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20101124 |