CN101849211A - 用于确定抑制***的抑制因子的方法和***以及光刻设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于确定抑制***的抑制因子的方法。所述抑制***布置用以抑制污染物气体迁移出第一***。所述抑制因子指示所述抑制***的性能。所述方法包括：引入示踪气体到所述第一***中；提供检测***，其配置用以检测已经迁移出所述第一***的示踪气体的量；确定所述抑制***对所述示踪气体的第一抑制因子。所述方法还包括基于所述第一抑制因子确定所述抑制***对所述污染物气体的第二抑制因子。

Description

用于确定抑制***的抑制因子的方法和***以及光刻设备

相关应用的交叉引用

本申请要求于2007年11月8日递交的美国临时申请60/996,281的权益，这里以参考的方式全文并入。

技术领域

本发明涉及一种用于确定抑制***的抑制因子的方法、一种用于实施这种方法的***和一种包括这种***的光刻设备。本发明还涉及一种计算机程序和包括这种计算机程序的数据载体。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。所述图案的转移通常是通过将图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可以通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。

在目前应用的光刻设备中，所采用的辐射通常是紫外(UV)光，其可以由例如受激准分子激光器或汞灯得到；许多这样的装置使用具有365nm或248nm波长的UV光。然而，快速发展的电子工业持续地需求可以实现更高分辨率的光刻装置，并且这驱使工业朝向更短波长辐射，尤其是具有193nm或157nm波长的UV光发展。由于这种要求，存在几种可能的预期，包括使用极UV光(EUV：波长50nm和更小，例如在13和14nm之间或11nm)、X射线、离子束或电子束。所有这些所谓的下一代辐射在空气中被吸收，使得希望至少部分地将使用这些辐射的环境抽成真空。这可能是困难的。

例如在J.B.Murphy等人在Applied Optics 32(24)，pp 6920-6929(1993)中的文章中可以找到在光刻投影设备中使用EUV的概述。有关电子束光刻术的类似的描述在美国专利第5079112号、第5260151号以及EP-A98201997.8中可以找到。

一种EUV光刻设备通常由多个子***形成，例如

源子***，例如包括EUV源，

照射子***，例如包括照射器，

支撑结构子***，例如包括掩模台，

投影子***，例如包括折射投影***和

衬底台子***，例如包括衬底台或晶片台。

为了改善光刻设备的品质，希望严格地控制污染。为了防止污染物迁移通过光刻设备，可以使用气锁。通过提供气体的逆向流动，气锁可以抑制污染物的迁移。

气锁可以用于抑制污染物从一个子***迁移到另一子***。此外，气锁可以用于抑制污染物从子***内的一个位置(第一小环境)迁移到另一个位置(第二小环境)。

根据示例，衬底台子***与投影子***通过气锁隔离或分开。这种气锁设计用以抑制不想要的气体元素从衬底台子***迁移到投影子***。气锁布置成以特定抑制因子抑制这种迁移。根据该示例，气锁可以布置成通过使用氢的逆向流抑制来自衬底W的烃或碳氢化合物。

此外，气锁可以用于将源子***(其可以包含侵蚀性化学物、以清洁作为污染物的源反射镜)与照射子***隔离。

因而，提供气锁以抑制污染物迁移出子***，即从***内的一个部分移动到另一部分。应该理解，其他抑制***也可以使用，并且气锁仅是可以使用的抑制***的一个示例。其他用以抑制污染物的机制包括交叉流(即气流方向垂直于污染物移动方向的气锁)以及采用电场、磁场、重力场或其他力场的抑制***，或采用温度、压力和/或力(例如离心力)梯度的抑制***。实际上，传统的锁(由两个连续的门形成)可以看成抑制***，因为锁也可以设置用以防止污染物迁移。

对于存在于源子***内的污染物气体(例如用以清洁源反射镜的侵蚀性化学物或类似重烃的污染化学物)，在照射子***内和投影子***内的最大允许浓度相对低。污染物的特定最大分压通常远低于可行检测极限。

当通过抑制***泄露的污染物的最大允许量低于使用可用的检测器***可检测的量时，会产生问题。这会导致抑制***的有问题的品质检验和/或抑制***的监测，如下面的段落中介绍的那样。

当需要对抑制***的设计和性能进行品质检验时，这存在问题。抑制***的性能不能被进行品质检验，因为不能检测通过抑制***可能泄露的污染物的量。例如，当用气锁作为抑制***时，在气锁“上游”不能检测允许的污染物的量。

此外，在运行过程中可以不检查抑制***的性能。抑制***中的可能的缺陷不能被检测，因为不能以足够的精确度测量具体参数。例如，当气锁被用作抑制***时，并且因为误差，逆向流量仅为所需的逆向流量的一半，这在逆向流的“上游”不会被检测，因为泄露通过的污染物的量不足够高以便检测，但是其足以损害***。此外，在打开侵蚀性化学物的源之前，希望确保抑制***正确地工作。

发明内容

根据本发明的一方面，提供一种用于确定抑制***的抑制因子的方法，其中所述抑制***布置用以抑制污染物气体迁移出第一***，例如***的子***，所述抑制因子指示所述抑制***的性能，所述方法包括：引入示踪气体到所述第一***中，例如子***；提供检测***，其配置用以检测已经迁移出所述第一***(例如子***)的示踪气体的量；确定所述抑制***对所述示踪气体的第一抑制因子；和基于所述第一抑制因子确定所述抑制***对所述污染物气体的第二抑制因子。

根据本发明的另一方面，提供包括第一***(例如子***)和抑制***的***，所述抑制***布置用以抑制污染物气体迁移出所述第一***(例如子***)，所述抑制***具有指示所述抑制***的性能的抑制因子，所述***还包括：示踪气体源，其配置用以引入示踪气体到所述第一***(例如子***)中；检测***，其配置用以检测已经迁移出所述第一***(例如子***)的示踪气体的量；和控制单元，其配置成确定所述抑制***对所述示踪气体的第一抑制因子和基于所述第一抑制因子确定所述抑制***对所述污染物气体的第二抑制因子。

根据本发明的还一方面，提供一种光刻设备，包括：第一***(例如子***)和抑制***，所述抑制***布置用以抑制污染物气体迁移出所述第一***(例如子***)，所述抑制***具有指示所述抑制***的性能的抑制因子；所述设备还包括：示踪气体源，其配置用以引入示踪气体到所述第一***中；检测***，其配置用以检测已经迁移出所述第一***的示踪气体的量；和控制单元，其配置成确定所述抑制***对所述示踪气体的第一抑制因子和基于所述第一抑制因子确定所述抑制***对所述污染物气体的第二抑制因子，其中所述抑制***设置用以防止所述污染物气体迁移到所述光刻设备的第二***。

根据本发明的又一方面，提供一种具有机器可执行指令的计算机产品，所述指令能够通过机器执行以实施用于确定抑制***的抑制因子的方法，所述抑制***布置成抑制污染物气体迁移出第一***，所述抑制因子指示所述抑制***的性能，所述方法包括：引入示踪气体到所述第一***中；使用检测***检测已经迁移出所述第一***的示踪气体的量；确定所述抑制***对所述示踪气体的第一抑制因子；和基于所述第一抑制因子确定所述抑制***对所述污染物气体的第二抑制因子。

附图说明

下面仅通过示例的方式，参考附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的标记表示相应的部件，在附图中：

图1和2示意地示出根据本发明实施例的光刻设备；

图3示意地示出根据本发明实施例的具有抑制***的投影子***；

图4示意地示出根据本发明实施例的具有抑制***的源子***；

图5示意地示出根据本发明实施例的子***；

图6示意地示出根据本发明实施例的具有抑制***的投影子***；

图7示意地示出根据本发明实施例的具有抑制***的源子***；

图8示意地示出根据本发明实施例的流程图；

图9示意地示出根据本发明实施例的真空***；

图10示意地示出根据本发明实施例的另一真空***；

图11示意地示出根据本发明实施例的又一真空***。

具体实施方式

图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：照射***(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；支撑结构或图案形成装置支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造成用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影***(例如反射式投影透镜***)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。

照射***可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。

所述支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影***)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。

这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。

这里使用的术语“投影***”应该广义地解释为包括任意类型的投影***，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学***、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影***”同义。

如这里所示的，所述设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。

所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。

所述光刻设备还可以是这种类型，其中衬底的至少一部分可以由具有相对高的折射率的液体覆盖(例如水)，以便填满投影***和衬底之间的空间。浸没液体还可以施加到光刻设备的其他空间中，例如掩模和投影***之间的空间。浸没技术在本领域是熟知的用于提高投影***的数值孔径。这里使用的术语“浸没”并不意味着必须将结构(例如衬底)浸入到液体中，而仅意味着在曝光过程中液***于投影***和该衬底之间。

参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递***BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递***BD一起称作辐射***。

所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。

所述辐射束B入射到保持在支撑结构或图案形成装置支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经由图案形成装置(例如掩模)MA反射之后，所述辐射束B通过投影***PS，所述投影***将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器、或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现图案形成装置支撑结构或支撑结构(例如掩模台)MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，图案形成装置支撑结构或支撑结构(例如掩模台)MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置(例如掩模)MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。

可以将所示的设备用于以下模式中的至少一种中：

1.在步进模式中，在将图案形成装置支撑结构或支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。

2.在扫描模式中，在对图案形成装置支撑结构或支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于图案形成装置支撑结构或支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影***PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。

3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的图案形成装置支撑结构或支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。

图2示出了图1中根据本发明实施例的设备的示意图。图2示出一种光刻设备，其包括：源子***11，例如包括EUV源(未示出)；照射子***12，例如包括照射器IL(未示出)；支撑结构子***13，例如包括具有图案形成装置(例如掩模)MA的支撑结构或图案形成装置支撑结构(例如掩模台)MT；投影子***14，例如包括折射投影透镜***PS(未示出)和衬底台子***15，例如包括具有衬底或晶片W的衬底台或晶片台WT。

在采用EUV辐射的光刻设备中，用以抑制污染物移动通过光刻设备的抑制***可以例如由第一***(例如一个子***)提供到第二***(例如另一子***)。这样的抑制***的示例是气锁(gas lock)，下面参考图3更加详细地描述。

图3示意地示出了根据实施例的投影子***14。投影子***14布置用以接收来自支撑图案形成装置(例如掩模)MA的支撑结构子***13的图案化的辐射束B，并且将辐射束投影到包括在衬底台子***15内的衬底W。为了正确地投影辐射束B，投影子***14包括投影***PS，其包括多个反射镜M1、M2、M3、M4。应该认识到，这里所示的投影***PS仅作为可能的投影***的一个示例。

如图3所示，还设置有抑制***20，其用以抑制污染物从衬底台子***15移动到投影子***14。这里的抑制***20设置为气锁。

通过提供定位在由投影子***14中的“最终”反射镜M4和衬底台子***15中的衬底W界定的居间空间(intervening space)内的中空管T来提供气锁。在辐射束从最终反射镜M4到衬底W或衬底台WT(在不存在衬底的情况下)的路径上，围绕辐射束B的路径定位管T。管T以这样的方式形成、定尺寸并且定位，使得管T的壁不会阻断辐射束B。在这个具体的实施例中，管T的具体实施方式为包围投影子***14的外壳EN的延长物(continuation)并且管T从外壳EN向外突出。

根据该示例，管T包含气体，其基本上不吸收EUV，例如氩气或氪气。这种气体可以沿衬底W的方向流过管T。这可以例如通过采用冲洗单元FU引入向下的气体流G、且在靠近管T的顶部边缘(E1)处或顶部边缘和底部边缘之间的某个点(E2)处进入管T来实现；例如在后述的中间点(E2)处引入气体的情形中，气流的一部分可以是向下而一部分向上。

图4示意地示出一种气锁形式的抑制***，其可以用于抑制污染物从源子***11(例如包括EUV源)传播到相邻的子***，例如照射子***12。

图4示出源子***11，其包括具有第一焦点FP的EUV源，辐射束B在EUV源中产生。辐射B通过弯曲形的反射镜MI聚焦在中间焦点IFP。辐射束B从源子***11传播到照射子***12中。

如图4所示，在源子***11的出口附近，源子***11包括锥形结构，所述锥形结构基本上遵循辐射束B的轮廓。锥形结构具有长度L并且在源子***11的出口位置处具有第一直径D1，在锥形结构的面对第一焦点FP的一侧具有第二直径D2。

再一次，提供抑制***20以抑制污染物从源子***11移动到照射子***12。这里的抑制***20设置为气锁。可能存在于源子***11中的污染物的例子为HI、SnH₄、SnBr₄、SnBr₂，它们可以用作采用Sn的EUV源中的工作气体。

通过提供中空的管T提供气锁。管被定位成使得其终止于靠近辐射束B离开源子***11并进入照射子***12的位置处的位置处。管T是使得其不会阻断辐射束B。根据这个示例，管T包含基本上不吸收EUV的气体，例如Ar、Kr、He或H₂。这种气体可以沿源子***11的方向流过管T。这可以例如通过采用冲洗单元FU将气体流G引入管T并因此产生如双箭头所示的逆流使其进入源子***11(和照射子***12)来实现。

气锁被设计成产生无害的气体流(例如不会与辐射束B发生干涉)，其抵消污染物的迁移。污染物的迁移通常由浓度梯度驱动并且被描述成扩散过程。因此，通常来说，气锁气体的对流(convection)需要等于或大于污染物的扩散。采用无量纲沛克莱数(Peclet number)表示对流和扩散的比值，对于质量扩散其被定义为：

$P\stackrel{\′}{e}=\frac{\mathrm{vL}}{D}$

其中，

沛克莱数；

v：气锁气体的特征速度；

L：特征长度；

D：在气锁气体的压力下气锁气体中污染物的扩散系数。

对于图4中描述的锥形结构，沛克莱数表示为：

$P\stackrel{\′}{e}=\frac{Q}{p\·D}\·\frac{4-L}{\mathrm{\π}\·D1\·D2}$

其中，

沛克莱数；

Q：通过单元内锥形的气锁气体的流量[Pa m³/s]；

p：锥形内的压力(不需要具体化，因为压力p和扩散系数D的乘积在非常好的近似中是恒定的)；

D1：锥形结构的第一直径D1；

D2：锥形结构的第二直径D2；

L：锥形结构的特征长度，和

D：在压力p下气锁气体内污染物的扩散系数。

抑制***的效率表示为抑制因子S。在抑制***为以沛克莱数为特征(其至少是一维流动的情形)的气锁的情形中，抑制因子S定义为：

可选的抑制方法可以以相似的方式进行描述。通常来说，可选的抑制***是基于作用在污染物颗粒上的驱动力。该驱动力随后可以例如通过将污染物颗粒保持在污染区域内并因此保持远离需要与污染物隔离的区域而阻碍污染物的扩散。此外，可以应用驱动力使得其不平行于从清洁区域到污染区域的方向。在后一种情形中，污染物颗粒可以被驱使到可以被提取、吸收或以其他方式被去除或转变成非污染物颗粒的区域。

在这些可选的情形中，由于颗粒的扩散和作用在颗粒上的驱动力之间的平衡产生抑制效果。

正如上面所述，可以使用其他抑制***，例如包括横向流动的抑制***(即，气流的方向垂直于污染物的移动方向的气锁)，采用电场、磁场、重力场或其他力场的抑制***，或采用温度梯度、压力梯度和/或力(例如离心力)梯度的抑制***。实际上，(负载)锁可以看成抑制***，因为锁也可以设置用以防止污染物移动。

检测***对于本领域技术人员是已知的，并且可以用以检测污染物是否是从第一子***迁移，并且如果是从第一子***迁移，其测量多少污染物从第一子***迁移。

检测***可以包括分压分析器(剩余气体分析器)、化学探头中的至少一个，或可以是下面的技术之一：由同位素产生的辐射、吸收光谱(无线波、IR、可见光、UV、DUV、EUV、X射线)、核磁共振。然而，其他合适的检测***也可以使用。

然而，正如上面所述，对于一些污染物(例如，用以清洁源反射镜的侵蚀性化学物或例如重烃等污染化学物)，在照射器子***12中的最大允许浓度是相对极低的，即通过可用的检测***是不可检测的。这会给抑制***的品质和/或抑制***的监控带来问题。

在这里提供的实施例中，抑制***被设置成抑制污染物从第一***(例如子***)迁移到第二***(例如另一子***)，并且提出在第一***内引入示踪气体(tracer gas)。示踪气体可以用于验证和/或检查抑制***的性能。用示踪气体获得的结果可以用于确定用于污染物的抑制***的性能。

示踪气体可以是具有比污染物高的扩散系数的气体：D_tracer＞D_cont，因此

因此S_tracer＜S_cont。因此，只要抑制***对于示踪气体工作良好，就可以确保抑制***对于污染物可以良好地工作。

通过检测***可以比污染物更容易检测示踪气体。通过检测***，一些气体可以比其他气体更好地检测。气体的可检测性(detectability)可以由Se给出并且可以限定为可检测的最小分压。最小分压可以随总压力变化。

通过使用比污染物更好被检测的示踪气体，可以基于示踪气体验证和/或监测抑制***。

示踪气体可以例如是可以更容易检测，因为对这种类型的气体具有更好的检测***。因此，可以确保示踪分压的检测范围大于污染物的检测范围。

检测范围的上限可以通过设计给出(即，在室内具有已知泵吸能力的已知流导致分压，该分压虽然不可测量，然而，可以用设计参数以高精确进行计算)。

根据实施例，可以基于上面提到的两种特性的结合选择示踪气体：扩散系数(相对于污染物的扩散系数)和可检测性(相对于污染物的可检测性)。例如，对于质谱仪，种类i的可检测性Se_i可以限定为：

$S{e}_i\≡\frac{I_i-I_{i.\mathrm{background}}}{P_i}$

其中，I_i.background是所感兴趣的质量的背景电流，I_i是因为由P_i增大i气体的分压而出现的电流。存在可以通过分析仪检测的电流的某个最小值，这带来不同气体的分压的最小可检测值。

使用与上面相同的符号，可检测性的其他可能的定义为：

$S{e}_i\≡\frac{I_i\left(P_i\right)-I_{i.\mathrm{background}}}{I_{i.\mathrm{background}}}$

后一种定义强调信噪比(或信号与背景比值)。依赖于例如气体的类型、传感器的工作原理以及传感器的实际结构，其他的可检测性的定义是可用的。应该使用可检测性的哪种定义可以根据本领域技术人员的分析，考虑例如上面给定的因素。

通常，在选定了可检测性的定义之后，可以基于下面的不等式选择合适的示踪气体：

D_tracer·Se_tracer＞D_cont·Se_con.

因此，具有与污染物基本上相同的扩散系数(以及因此基本上相同的抑制比率)、但是在非常低的水平是可检测的示踪气体与具有相对低抑制比率和相对好的检测范围的示踪气体一样好。通常，示踪气体的选择可以基于示踪气体相对于污染物的抑制因子的不同以及基于示踪气体和污染物之间选定的测量设备的可检测性的不同或差异。此外，可以认识到，决定示踪气体和污染物的抑制因子以及示踪气体和污染物的可检测性的特性之间的这种平衡决定对应使用除逆流以外的其他机制来抑制污染物迁移的迁移阻挡装置、对于示踪气体的选择。

气锁或其他抑制***对示踪气体的抑制可以具有最小值。例如，特定的污染物的抑制因子为1010。已经发现具有非常高的扩散系数和非常好的可检测性的示踪气体。该示踪气体的抑制因子仅为1.01。在这个示例中，可以不需要测量设备足够精确以区分完全没有发生抑制时的示踪气体的值与抑制足够好的情形下示踪气体的值，因为这两种情形在传感器的读出上仅有1％的差异(由于示踪气体极低的抑制)。因此，可能示踪气体的选择受到示踪气体的最小抑制的限制，以便实现合理的精确度。在典型的示例中，可以考虑示踪气体的最小抑制因子为100。这个较大的因子(相比于前面情形中的1.01)可以对应抑制机制是否适当地起作用的问题给出更准确的答案。

示踪气体可以是不会干扰第一子***和/或第二子***和/或整个***的其他部分的气体。这种气体可以例如是与已经存在于第一子***、第二子***和/或整个***中的气体相同的气体。因而，在子***是源子***11的情况下，气体可以是例如氦气或氖气等惰性气体。

已经用于第一子***、第二子***和/或整个***中的气体的同位素也可以采用。在子***是源子***的情况下，示踪气体可以是富含氘或氚的氢气。

已有的气锁中的抑制作用可以高于对气锁设计使用的化学物的抑制。在示踪气体比污染物气体具有较高扩散系数的情形中这发生转变。

图5示出一个实施例，其示出包括污染物气体C的一子***。如图5所示，子***包括开口OP，通过开口OP污染物气体可以排出。为了防止这种现象，提供抑制***SS抑制污染物气体迁移出子***。抑制***SS可以是提供气体逆流进入抑制***的气锁。抑制***具有指示抑制***的性能的抑制因子。还提供示踪气体TS源，其配置用于引入示踪气体TR到子***内。

图5还示出检测***DS，其配置用以检测迁移出子***的示踪气体。基于所检测的示踪气体TR的量，可以确定抑制***对示踪气体的第一抑制因子。该第一抑制因子可以用于基于第一抑制因子确定抑制***对污染物气体的第二抑制因子。可以提供控制单元(图5中未示出)以确定第一抑制因子和/或第二抑制因子。

因而，可以提供一种包括至少一个子***和抑制***的***，该抑制***布置用以抑制污染物气体迁移出该子***，该抑制***具有指示该抑制***的性能的抑制因子，所述***还包括：示踪气体源，其配置用以引入示踪气体到子***内；检测***，其配置用以检测已经迁移出该子***的示踪气体的量；以及控制单元，其配置用以确定抑制***对示踪气体的第一抑制因子以及用于基于第一抑制因子确定抑制***对污染物气体的第二抑制因子。

示踪气体TR可以具有大于污染物气体的扩散系数的扩散系数：D_tracer＞D_cont。示踪气体TR还可以比污染物气体更好地被检测***检测：Se_tracer＞Se_cont。两个因素结合，下面的关系是合理的：

D_tracer·Se_tracer＞D_cont·Se_cont

示踪气体TR可以是惰性气体。示踪气体可以由已经存在于子***中的气体的同位素形成，并且可以是包括下面各项的组中的一个：富含氘或氚的氢气。这种示踪气体TR对子***干扰小，尤其是当子***是源子***11(包括EUV源)时。

该***可以非常好地用于光刻设备中。因而，提供一种光刻设备，其包括***，其中所述***包括至少一个子***和抑制***，所述抑制***布置成抑制污染物气体迁移出该子***，抑制***具有指示抑制***性能的抑制因子，所述***还包括：配置用以引入示踪气体到子***内的示踪气体源；配置用以检测已经迁移出子***的示踪气体的量的检测***；以及配置用以确定抑制***对示踪气体的第一抑制因子和用以基于第一抑制因子确定抑制***对污染物气体的第二抑制因子，其中设置抑制***用以防止污染物气体迁移到光刻设备的其他子***。

根据一实施例，子***是源子***11并且其他子***是照射子***12。根据另一实施例，子***是投影子***14并且第二子***是衬底台子***15。

这样的示例下面参考图6和7进一步描述。

图6示意地示出投影子***14和衬底台子***15，与图3类似，其中相同的附图标记表示相同的部件。

图6还包括示踪气体源TS，其配置用以引入示踪气体TR到衬底台子***15内。图6还示出检测***DS，其配置用以检测已经迁移出衬底台子***15进入投影子***15的示踪气体的量。此外，提供控制单元CU，其配置用以确定抑制***20对示踪气体的第一抑制因子和用以基于第一抑制因子确定抑制***20对污染物气体的第二抑制因子。控制单元CU布置用以接收来自检测***DS的、关于在投影子***14内检测的示踪气体TR的量的信息。在一实施例中，控制单元CU可以布置用以接收来自抑制***20和示踪气体源TS的信息和/或控制抑制***20和示踪气体源TS。

因而，提供一种如上所述的光刻设备，其中子***是投影子***并且第二子***是衬底台子***。

图7示意地示出源子***11和照射台子***12，与图4类似，其中相同的附图标记表示相同的部件。

图7还包括示踪气体源TS，其配置用以引入示踪气体TR到源子***11内。图6还示出检测***DS，其配置用以检测已经迁移出源子***11进入照射子***12中的示踪气体的量。此外，提供控制单元CU，其配置用以确定抑制***20对示踪气体的第一抑制因子和用以基于第一抑制因子确定抑制***20对污染物气体的第二抑制因子。控制单元CU布置用以接收来自检测***DS的、关于在投影子***14内检测的示踪气体TR的量的信息。可选地，控制单元CU可以布置用以接收来自抑制***20和示踪气体源TS的信息和/或控制抑制***20和示踪气体源TS。

因而，提供一种如上所述的光刻设备，其中子***是源子***并且还一子***是照射子***。

大体上，提供一种如上所述的光刻设备，其中如上所述的子***和其他子***来自包括下面各项的组：配置用以产生辐射束的源子***；配置用以调节辐射束的照射子***；构造用以支撑图案形成装置的支撑结构子***，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束；配置用以将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上的投影子***；以及构造用以保持衬底的衬底台子***。

图8示意地示出根据本发明实施例的可以由上述***执行的流程图。流程图可以由上述控制单元CU来执行。对于第一步骤101，所述方法包括引入示踪气体TR到第一子***中。对于第二步骤102，所述方法可以包括确定抑制***对示踪气体的第一抑制因子。此外，所述方法可以包括另一步骤103，其中基于第一抑制因子确定抑制***对污染物气体的抑制因子。

在一实施例中，提供一种用于确定抑制***的抑制因子的方法，其中抑制***布置用以抑制污染物气体迁移出子***，该抑制因子指示抑制***的性能，所述方法包括引入示踪气体到子***(101)内，提供配置用以检测已经迁移出子***的示踪气体的量的检测***，确定抑制***对示踪气体(102)的第一抑制因子，和基于第一抑制因子确定抑制***对污染物气体的第二抑制因子(103)。

该***可以很好地用于光刻设备中。根据一实施例，提供一种方法，其中在光刻设备中提供抑制***，并且抑制***设置用以防止污染物气体迁移到光刻设备的其他子***。根据另一实施例，子***可以是源子***11而其他子***可以是照射子***12。根据另一实施例，子***可以是投影子***14并且第二子***可以是衬底台子***15。

所述方法可以由控制单元CU执行。控制单元CU可以是包括可以访问存储器的处理器的计算机装置，其中存储器包括可由处理器读取和执行的计算机程序以使得处理器执行上述实施例。根据一实施例，提供一种计算机程序，当加载到计算机布置上时，计算机程序布置成执行上述方法中的任一个。根据还一实施例，提供一种数据载体，其包括这种计算机程序。

在一示例中，提供一种示踪气体，其用于验证抑制***的性能并且在运行过程中监测抑制***的性能。

根据该示例，源子***11和照射子***12如图4和6所示。在源子***11中，存在侵蚀性化学物。

因为这种化学物是相对有侵蚀性的，在照射子***12内允许非常低的水平并且希望10¹⁰的抑制因子。

首先，提供一抑制***，其提供(或将要提供)的抑制因子为10¹⁰或更大。然而，可应用的检测***不允许检查这种抑制因子，因为通过抑制***的迁移量太低以致于不能被检测。因此，引入示踪气体到源子***11中。选择示踪气体满足

D_tracer·Se_tracer＞D_cont·Se_cont

并且在源子***11内提供的示踪气体的量使得具有特定的抑制因子，而示踪气体的量可以通过检测***检测。示踪气体的量可以选定成使得其高于示踪气体已经存在的背景水平并且使得其可以通过检测***检测。采用已知的示踪气体和污染物的扩散系数，抑制***对污染物的抑制因子可以确定。

可以通过测试具有对污染物可测量的相对低的抑制因子的抑制***的小部分来检验污染物的扩散系数。抑制因子可以与抑制***的特征长度成比例。因此，对于短抑制***或，换句话说，对于抑制***的小部分，抑制因子可以足够低以便具有可检测量的污染物。此外，扩散常数可以通过采用比正常量小的流量进行检验。

一旦抑制***限定，需要提供以便确保污染物的抑制的最小示踪气体抑制因子就已知。

在污染物被引入到源子***11中之前，可以引入示踪气体水平到源子***11中并且通过测量照射子***12内的示踪气体的水平来测量抑制***的抑制因子。仅当检测到示踪气体的抑制因子高于品质验证过程中发现的水平时，允许污染物流动。

接下来，在源子***11的运行过程中，示踪气体的量可以连续地或以预定时间间隔引入到源子***11，以通过测量在照射子***12内的示踪气体的量来检查抑制***的性能。

上面所述内容将进一步通过计算示例进行说明。

在扩散常数为D、锥形起始直径为D1和末端直径为D2、流量为Q以及长度L、压力p的条件下，污染物抑制的沛克莱数为

$P\stackrel{\′}{e}=\frac{Q}{p\·D}\·\frac{4\·L}{\mathrm{\π}\·D1\·D2}$

，正如上面所述的那样。抑制因子由

给出。

可以发现在特定背景气体中特定污染物的扩散常数等于1Pa压力、300K温度条件下的6.99m²/s，而在背景气体中示踪气体的扩散常数等于1Pa压力、300K温度条件下的18.3m²/s。

当Q＝0.38Pa m³/s；D1＝0.006m；D2＝0.044m；L＝0.116m，(p为任意值)，其遵循

抑制因子

S_cont      1.65·10¹³足够用于保护照射器但是不可以被检测***检测

S_tracer    1.1·10⁵可以被检测***检测

由上面可知，保持对示踪气体至少接近1.1·10⁵因子的抑制的抑制***保证对污染物接近1.6·10¹³的抑制因子。

根据一实施例，第一示踪气体可以用于验证抑制***的性能，并且第二示踪气体可以用于在运行过程中监测抑制***的性能。相对于例如示踪气体对子***的部件的影响，第二示踪气体的规格可以与第一示踪气体的规格不同，并且可以例如较严格，因为监测可以在源被启动时进行而可以在源关闭或在无源的***中进行品质验证。

根据一实施例，由第一抑制因子S_tracer通过下式计算第二抑制因子S_cont：

$S_{\mathrm{cont}}=S_{\mathrm{tracer}}\left(\begin{array}{cc}{D}_{\mathrm{tracer}}& \\ & D_{\mathrm{cont}}\end{array}\right)$

上述给出的实施例与光刻设备有关，并且尤其地，第一子***是源子***11而第二子***是照射子***12。然而，应该认识到，这些实施例还可以用于光刻设备内的两个其他子***之间。实际上，这些实施例也可以用于其他任何类型的***。实际上，这些实施例也可以用于任何类型的具有与环境或第二***或子***开放连接的***或子***，包括抑制***、以防止气体从***或子***迁移到环境或包括需要限制污染物的子***的第二***中。

这些实施例允许更好地验证例如气锁等抑制***的性能或品质。通过使用示踪气体，可以验证抑制***的性能或品质并且对示踪气体的品质验证可以转换成对于将要进行抑制的污染物的抑制***的性能的相对精确的品质验证。

此外，这些实施例允许在运行过程中或在污染源被开启之前监测抑制***的性能。

图9公开一种真空***101，其包括清洁子***114和两个其他子***113、115。在真空***101的该实施例中，清洁子***114可以设置有气体入口121。真空***还包括其他子***113和其他子***115之间的流体连接装置122。如图9所示，另一流体连接装置122绕过清洁子***115。优选地，该另一流体连接装置具有高于清洁子***的气流流导的气流流导。图9中的真空***可以例如应用于图2中的光刻设备。其他子***113可以是支撑结构子***13，而其他子***115可以是衬底台子***14。清洁子***114可以是投影子***15。

回到图9，另一流体连接装置122可以包括阀124，其布置用以打开和关闭另一流体连接装置122。附加地或可选地，真空***可以包括两个泵126，每一个布置成通过大致沿从清洁子***114离开的流动路径泵吸存在于其他子***中的气体而将其他子***113、115中的一个抽成真空。可以提供另一控制单元S，其配置成控制这些泵中的一个或更多个，在本实施例中配置成控制泵126中的一个或两个。另一控制单元S也可以配置成控制阀124打开和/或关闭。

在正常运行过程中，可以通过气体入口121提供非污染气体。清洁子***114内的压力可以高于子***113、115内的压力。

在真空***101的抽真空过程中，通过沿大致从清洁子***离开的流动路径泵吸气体而将其他子***113、115中的一个或多个抽成真空。通过打开阀124，在其他子***113和其他子***115之间提供另一流动。由通过泵将其他子***113、115中的一个抽成真空而产生的压力差异将由通过清洁子***114和/或另一流体连接装置122的流动进行补偿。通过使流体转向通过另一流体连接装置122可以避免清洁子***114的污染。相对于清洁子***114的流导，流体连接装置122的流导越高，通过流体连接装置122被转向的流量越大。

图10示出真空***101的还一实施例。在该实施例中，仅设置一个泵126。然而，通过选择性地打开附加的阀128，可以调整真空***使得预定的其他子***113、115被抽真空。控制单元S配置用以打开和关闭阀128。

图11示出真空***101的又一实施例。在图11的实施例中，另一流体连接装置122本身也与泵126流体连接。通过打开两个阀128，流体连接装置122被打开，因此旁通清洁子***114。

虽然在本文中详述了光刻设备用在制造ICs(集成电路)，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如制造集成光学***、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

虽然上面详述了本发明的实施例在光刻设备的应用，应该注意到，本发明可以有其它的应用，例如压印光刻，并且只要情况允许，不局限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。

这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。

在允许的情况下术语“透镜”可以表示不同类型的光学构件中的任何一种或其组合，包括折射式的、反射式的、磁性的、电磁的以及静电的光学构件。

尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。例如，本发明可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的一个或更多个计算机程序的形式，或具有存储其中的所述一个或更多个计算机程序的一个或更多个数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。

以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。

Claims (35)

1.一种用于确定抑制***的抑制因子的方法，所述抑制***布置用以抑制污染物气体迁移出第一***，所述抑制因子指示所述抑制***的性能，所述方法包括步骤：

引入示踪气体到所述第一***中；

检测已经迁移出所述第一***的示踪气体的量；

确定所述抑制***对所述示踪气体的第一抑制因子；和

基于所述第一抑制因子确定所述抑制***对所述污染物气体的第二抑制因子。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述抑制***是气锁。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述抑制***设置在光刻设备中，并且所述抑制***设置成防止所述污染物气体迁移到所述光刻设备的第二***。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述第一***是源子***并且所述第二***是照射子***。

5.如权利要求3所述的方法，其中，所述第一***是投影子***并且所述第二***是衬底台子***。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述示踪气体的扩散系数大于所述污染物气体的扩散系数：D_tracer＞D_cont。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述示踪气体比所述污染物气体更好地被所述检测***检测：Se_tracer＞Se_cont。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述示踪气体具有扩散系数D_tracer，所述污染物气体具有扩散系数D_con.，所述抑制***具有对所述示踪气体的可检测性Se_tracer，所述抑制***具有对所述污染物气体的可检测性Se_cont，并且D_tracer·Se_tracer＞D_cont·Se_cont。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述示踪气体是惰性气体。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述示踪气体由已经存在于所述第一***内的气体的同位素形成并且包括富含氘或氚的氢气。

11.如权利要求1所述的方法，其中，基于所述第一抑制因子S_tracer通过下式计算所述第二抑制因子S_con：S_cont＝S_tracer(D_tracer/D_cont)，其中，D_tracer是所述示踪气体的扩散系数，D_cont是污染物气体的扩散系数。

12.一种包括第一***和抑制***的***，所述抑制***布置用以抑制污染物气体迁移出所述第一***，所述抑制***具有指示所述抑制***的性能的抑制因子，所述***还包括：

示踪气体源，其配置用以引入示踪气体到所述第一***中；

检测器***，其配置用以检测已经迁移出所述第一***的示踪气体的量；和

控制单元，其配置成确定所述抑制***对所述示踪气体的第一抑制因子和基于所述第一抑制因子确定所述抑制***对所述污染物气体的第二抑制因子。

13.如权利要求12所述的***，其中，所述抑制***是气锁。

14.如权利要求12所述的***，其中，所述示踪气体的扩散系数大于所述污染物气体的扩散系数：D_tracer＞D_cont。

15.如权利要求12所述的***，其中，所述示踪气体的可检测性比所述污染物气体的可检测性高：Se_tracer＞Se_cont。

16.如权利要求12所述的***，其中，所述示踪气体具有扩散系数D_tracer，所述污染物气体具有扩散系数D_con.，所述抑制***具有对所述示踪气体的可检测性Se_tracer，所述抑制***具有对所述污染物气体的可检测性Se_cont，并且D_tracer·Se_tracer＞D_cont·Se_cont。

17.如权利要求12所述的***，其中，所述示踪气体是惰性气体。

18.如权利要求12所述的***，其中，所述示踪气体由已经存在于所述子***内的气体的同位素形成并且包含富含氘或氚的氢气。

19.如权利要求12所述的***，其中，基于所述第一抑制因子S_tracer通过下式计算所述第二抑制因子S_con：S_cont＝S_tracer(D_tracer/D_cont)，其中，D_tracer是所述示踪气体的扩散系数，D_cont是污染物气体的扩散系数。

20.一种光刻设备，包括：

第一***和抑制***，所述抑制***布置用以抑制污染物气体迁移出所述第一***，所述抑制***具有指示所述抑制***的性能的抑制因子；

示踪气体源，其配置用以引入示踪气体到所述第一***中；

检测器***，其配置用以检测已经迁移出所述第一***的示踪气体的量；和

控制单元，其配置成确定所述抑制***对所述示踪气体的第一抑制因子和基于所述第一抑制因子确定所述抑制***对所述污染物气体的第二抑制因子；

其中所述抑制***设置用以防止所述污染物气体迁移到所述光刻设备的第二***。

21.如权利要求20所述的光刻设备，其中，所述第一***是源子***并且所述其他子***是照射子***。

22.如权利要求20所述的光刻设备，其中，所述第一***是投影子***并且所述第二子***是衬底台子***。

23.如权利要求20所述的光刻设备，其中，所述第一***和所述第二***来自包括下面各项的组：

源子***，其配置用以产生辐射束；

照射子***，其配置用以调节辐射束；

支撑结构子***，其构造用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束；

投影子***，其配置用以将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上，和

衬底台子***，其构造用以保持衬底。

24.一种具有机器可执行指令的计算机产品，所述指令能够通过机器执行以实施用于确定抑制***的抑制因子的方法，所述抑制***布置成抑制污染物气体迁移出第一***，所述抑制因子指示所述抑制***的性能，所述方法包括步骤：

引入示踪气体到所述第一***中；

检测已经迁移出所述第一***的示踪气体的量；

确定所述抑制***对所述示踪气体的第一抑制因子；和

基于所述第一抑制因子确定所述抑制***对所述污染物气体的第二抑制因子。

25.一种数据载体，包括如权利要求25所述的计算机程序。

26.一种真空***，其包括清洁子***，所述清洁子***具有至少两个其他子***，其中在所述其他子***中的每一个和所述清洁子***之间设置流体连接装置，并且其中在所述其他子***之间设置另一流体连接装置，所述另一流体连接装置绕过所述清洁子***。

27.如权利要求26所述的真空***，其中，所述另一流体连接装置包括至少一个阀，所述至少一个阀布置用以打开和关闭所述另一流体连接装置。

28.如权利要求27或28所述的真空***，其中，所述真空***包括一个或更多个泵，所述每一个泵布置用以通过沿基本上从所述清洁子***离开的流动路径抽取存在于所述其他子***内的气体而将所述其他子***中的一个或更多个抽成真空。

29.如权利要求26、27或28所述的真空***，其中，所述另一流体连接装置具有高于所述清洁子***的气流流导的气流流导。

30.如权利要求26-29中任一项所述的真空***，其中，所述其他子***中的一个是构造用以保持衬底的衬底台子***。

31.如权利要求26-30中任一项所述的真空***，其中，所述其他子***中的一个是构造用以保持图案形成装置的支撑结构子***，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束的横截面上赋予所述辐射束以形成图案化的辐射束。

32.如权利要求26-31中任一项所述的真空***，其中，所述清洁子***是配置用以将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上的投影子***。

33.如权利要求26-31中任一项所述的真空***，其中，所述真空***包括如权利要求12-19中任一项所述的***。

34.一种包括如权利要求26-33中任一项所述的***的光刻设备。

35.一种用于将如权利要求26-33中任一项所述的真空***抽成真空的方法，其中

通过沿基本上从所述清洁子***离开的流动路径泵取气体而将所述其他子***中的一个或更多个抽成真空；和其中

在所述其他子***之间设置另一流动，所述另一流动流过所述另一流体连接装置。

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