CN101833248B - 衬底台、浸没式光刻设备以及器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种衬底台、浸没式光刻设备和一种器件制造方法。本发明公开一种用于浸没式光刻设备的衬底台，包括：凹陷，其配置成容纳给定尺寸的衬底；和流体抽取***，其配置成从所述衬底的边缘和所述凹陷的边缘之间的间隙抽取流体，流体抽取***配置成使得从间隙的局部部分抽取的流体的流量大于从间隙的其他部分抽取的流体的流量。

Description

衬底台、浸没式光刻设备以及器件制造方法
技术领域
本发明涉及一种衬底台、一种浸没式光刻设备以及一种器件制造方法。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。
已经提出将光刻投影设备中的衬底浸入到具有相对高折射率的液体(例如水)中，以便填充投影***的最终元件和衬底之间的空间。在一实施例中，液体是蒸馏水，但是可以使用其他液体。本发明的实施例将参考液体进行描述。然而，其它流体也可能是适合的，尤其是润湿性流体、不能压缩的流体和/或具有比空气折射率高的折射率的流体，期望是具有比水的折射率高的折射率的流体。除气体以外的流体是尤其希望的。这样能够实现更小特征的成像，因为在液体中曝光辐射将会具有更短的波长。(液体的作用也可以被看成提高***的有效数值孔径(NA)，并且也增加焦深)。还提出了其他浸没液体，包括其中悬浮有固体颗粒(例如石英)的水，或具有纳米悬浮颗粒(例如具有最大尺寸达10nm的颗粒)的液体。这种悬浮的颗粒可以具有或不具有与它们悬浮所在的液体相似或相同的折射率。其他可能合适的液体包括烃，例如芳香烃、氟化烃和/或水溶液。
将衬底或衬底与衬底台浸入液体浴器中(参见，例如美国专利No.US4,509,852)意味着在扫描曝光过程中必须加速很大体积的液体。这需要额外的或更大功率的电动机，而液体中的湍流可能会导致不希望的或不能预期的效果。
在浸没设备中，浸没流体由流体处理***、装置、结构或设备来处理。在一实施例中，流体处理***可以供给浸没流体，因而是流体供给***。在一实施例中，流体处理***可以至少部分地限制浸没流体，因而是流体限制***。在一实施例中，流体处理***可以给浸没流体提供阻挡件，因而是阻挡构件(例如流体限制结构)。在一实施例中，流体处理***可以产生或使用气流，例如以便帮助控制浸没流体的流动和/或位置。气流可以形成密封以限制浸没流体，因而流体处理结构可以称为密封构件；这种密封构件可以是流体限制结构。在一实施例中，浸没液体被用作浸没流体。在这种情况下，流体处理***可以是液体处理***。参照前面提到的内容，在本段落中提到的有关流体的限定特征可以被理解成包括有关液体的限定特征。
提出来的解决方法之一是液体供给***，用以通过使用液体限制***将液体仅提供到衬底的局部区域并且在投影***的最终元件和衬底之间(通常衬底具有比投影***的最终元件更大的表面积)。提出来的一种用于设置上述解决方案的方法在公开号为WO99/49504的PCT专利申请出版物中公开了。如图2和图3所示，液体优选地沿着衬底相对于最终元件移动的方向，通过至少一个入口供给到衬底W上，并且在已经通过投影***下面之后，通过至少一个出口去除。也就是说，当衬底在所述元件下沿着-X方向被扫描时，液体在元件的+X一侧供给并且在-X一侧去除。图2是所述配置的示意图，其中液体通过入口供给，并在元件的另一侧通过与低压源相连的出口去除。衬底W上面的箭头表示液体流动的方向，而衬底W下面的箭头表示衬底台的移动方向。在图2中，虽然液体沿着衬底相对于最终元件的移动方向供给，但这并不是必须的。可以在最终元件周围设置各种方向和数目的入口和出口，图3示出了一个实例，其中在最终元件的周围在每侧上以规则的重复方式设置了四组入口和出口。液体供给和液体回收装置中的箭头表示液体流动的方向。
在图4中示出了另一个采用局部液体供给***的浸没式光刻方案。液体由位于投影***PS每一侧上的两个槽状入口供给，由设置在入口沿径向向外的位置上的多个离散的出口去除。所述入口和出口可以设置在板上，所述板在其中心有孔，投影束通过该孔投影。液体由位于投影***PS的一侧上的一个槽状入口供给，而由位于投影***PS的另一侧上的多个离散的出口去除，这造成投影***PS和衬底W之间的液体薄膜流。选择使用哪组入口和出口的组合可以依赖于衬底W的移动方向(另外的入口和出口的组合是不起作用的)。图4中的横截面图中，箭头表示液体流入入口和流出出口的方向。
在欧洲专利申请公开出版物EP1420300和美国专利申请公开出版物US2004-0136494中，公开了一种成对的或双台浸没式光刻设备的方案，这里以引用的方式将其全文并入本文。这种设备设置有两个台用以支撑衬底。调平(levelling)测量在没有浸没液体的工作台的第一位置处进行，曝光在存在浸没液体的工作台的第二位置处进行。可选的是，设备仅具有一个台。
PCT专利申请公开出版物WO 2005/064405公开了一种全浸湿布置，其中浸没液体是不受限制的。在这种***中，衬底的整个顶部表面覆盖在液体中。这可以是有利的，因为衬底的基本上整个顶部表面在基本上相同的条件下进行曝光。这对于衬底的温度控制和处理是有利的。在WO2005/064405中，液体供给***提供液体到投影***的最终元件和衬底之间的间隙。液体被允许泄漏(或流)到衬底的其他部分。衬底台的边缘处的阻挡件防止液体逸出，使得液体可以从衬底台的顶部表面上以受控制的方式去除。虽然这样的***改善了衬底的温度控制和处理，但仍然可能出现浸没液体的蒸发。帮助缓解这个问题的一种方法在美国专利申请公开出版物No.US 2006/0119809中有记载。设置一种构件，其覆盖衬底W的所有位置，并且布置成使浸没液体在所述构件与衬底和/或保持衬底的衬底台的顶部表面之间延伸。
发明内容
浸没技术的一个难点可能由在浸没流体内部形成气泡所造成。具体地，如果气泡漂浮进入衬底和投影***之间的空间，可能会将缺陷引入到形成在衬底上的图像中。
本发明旨在例如减小或最小化在浸没式光刻设备内形成气泡的可能性或影响，或在气泡可以转移到气泡可能会降低浸没式光刻设备的性能的位置之前去除所有或大量的气泡。
根据本发明的一方面，提供一种用于浸没式光刻设备的衬底台，包括：凹陷，其配置成容纳给定尺寸的衬底，所述凹陷具有用以支撑所述衬底下表面的支撑区域和一边缘，所述边缘配置成当所述衬底由所述支撑区域支撑时邻近所述衬底的边缘；和流体抽取***，其配置成从所述衬底的边缘和所述凹陷的所述边缘之间的间隙抽取流体，其中所述流体抽取***配置成使得在没有液体的情况下，从具有给定长度的所述间隙的局部部分抽取的流体的流量大于从具有相同长度的所述间隙的其他部分抽取的流体的流量。
根据本发明的一方面，提供一种用于浸没式光刻设备的衬底台，包括：凹陷，其配置成容纳给定尺寸的衬底，所述凹陷具有用以支撑所述衬底下表面的支撑区域和一边缘，所述边缘配置成当所述衬底由所述支撑区域支撑时邻近所述衬底的边缘；和流体抽取***，其配置成从所述衬底的边缘和所述凹陷的所述边缘之间的间隙抽取流体，其中所述流体抽取***包括通入所述间隙的第一管道，所述第一管道配置成从基本上整个所述衬底周围的所述间隙抽取流体；和通入所述间隙的第二管道，所述第二管道配置成从所述间隙的局部部分抽取流体，其中，在所述第一和所述第二管道通入所述间隙的位置处，所述第一管道的横截面的最小尺寸小于所述第二管道的横截面的最小尺寸。
根据本发明的一方面，提供一种器件制造方法，包括：将图案化的辐射束通过提供在邻近所述衬底的空间内的流体投影到衬底上，其中所述衬底支撑在衬底台上的凹陷内，所述方法包括从所述凹陷的边缘和所述衬底的边缘之间的间隙抽取流体，使得在没有液体的情况下，从具有给定长度的所述间隙的局部部分抽取的流体的流量大于从具有相同长度的所述间隙其他部分抽取的流体的流量。
根据本发明一方面，提供一种器件制造方法，包括：将图案化的辐射束通过提供在邻近所述衬底的空间内的流体投影到衬底上，其中所述衬底支撑在衬底台上的凹陷内，其中所述方法包括采用配置用以从所述间隙抽取流体的流体抽取***从所述凹陷的边缘和所述衬底的边缘之间的间隙抽取流体，其中所述流体抽取***包括通入所述间隙的第一管道，所述第一管道配置成从基本上整个所述衬底周围的所述间隙抽取流体；和通入所述间隙的第二管道，所述第二管道配置成从所述间隙的局部部分抽取流体，其中，在所述第一和所述第二管道通入所述间隙的位置处，所述第一管道的横截面的最小尺寸小于第二管道的横截面的最小尺寸。
附图说明
下面仅通过示例的方式，参考附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的标记表示相应的部件，在附图中：
图1示出根据本发明实施例的光刻设备；
图2和图3示出用在光刻投影设备中的液体供给***；
图4示出用在光刻投影设备中的另一液体供给***；
图5示出用在光刻投影设备中的另一液体供给***；
图6示出位于衬底台上的衬底；
图7和8示出根据本发明实施例的流体抽取***的一种布置；
图9示出图7和8中示出的流体抽取***的特征的变体；
图10示出根据本发明实施例的流体抽取***的可选的布置；
图11和12示出根据本发明实施例的流体抽取***的另一变体；
图13示出根据本发明实施例的流体抽取***的另一变体；
图14和15示出根据本发明实施例的流体抽取***的另一布置；
图16示出了图14和15中示出的流体抽取***的变体；
图17和18示出了图14和15中示出的流体抽取***的变体；和
图19和20示出了图14和15中示出的流体抽取***的还一变体。
具体实施方式
图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：
-照射***(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或深紫外(DUV)辐射)；
-支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；
-衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连；和
-投影***(例如折射式投影透镜***)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
照射***IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构MT保持图案形成装置MA。支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影***PS)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置MA的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
这里使用的术语“投影***”应该广义地解释为包括任意类型的投影***，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学***、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影***”同义。
如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。
光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的图案形成装置台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源SO和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO看成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递***BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源SO可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源SO是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递***BD一起称作辐射***。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。类似源SO，照射器IL可以被看成或可不被看成构成光刻设备的一部分。例如，照射器IL可以是光刻设备的一组成部分或可以是与光刻设备分立的实体。在后一种情形中，光刻设备可以配置成允许照射器IL安装至其上。可选地，照射器IL是可拆卸的并且可以被单独地设置(例如，通过光刻设备制造商或其他供应商)。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经穿过图案形成装置MA之后，所述辐射束B通过投影***PS，所述投影***PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，支撑结构MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分C之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。
可以将所示的设备用于以下模式中的至少一种中：
1.在步进模式中，在将支撑结构MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在对支撑结构MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以通过所述投影***PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一动态曝光中所述目标部分C的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分C的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以附加地或可选地采用上述使用模式的组合和/或变体或完全不同的使用模式。
用于在投影***的最终元件和衬底之间提供液体的布置可以分成至少两种主要类别。它们是浴器型布置和所谓的局部浸没***。在浴器型布置中，基本上整个衬底W和可选地衬底台WT的一部分浸入到液体浴器中。所谓的局部浸没***使用液体仅被提供到衬底的局部区域的液体供给***。在后一种类别中，由液体填充的空间在平面视图中小于衬底的顶部表面，并且当衬底W在所述空间下面移动的时候，填充有液体的区域相对于投影***PS基本上保持静止。本发明实施例指出的另一布置是全浸湿方案，在全浸湿方案中，液体是非限制性的。在这种布置中，基本上整个衬底顶部表面和衬底台的全部或一部分被浸没液体所覆盖。至少覆盖衬底的液体的深度小。液体可以是位于衬底上的液体膜，例如液体薄膜。图2-5中的任何液体供给装置也用于这种***中；然而，密封特征是不存在的，是不起作用的，不如正常状态下有效或以其它方式对于将液体仅密封到局部区域是无效的。图2-5中示出了四种不同类型的局部液体供给***。上面描述了在图2-4中公开的液体供给***。
已经提出另一种布置，其用于提供具有流体限制结构的液体供给***。流体限制结构可以沿投影***的最终元件和衬底台之间的空间的至少一部分边界延伸。这种布置在图5中示出。在图5的横截面视图中，箭头示出在流体限制结构中流体流入和流出的开口的方向。尽管在Z方向上可以存在一些相对移动(在光轴的方向上)，所述流体限制结构相对于投影***在XY平面内基本上是静止的。可以在流体限制结构和衬底W的表面之间形成密封。在一实施例中，在流体限制结构和衬底的表面之间形成密封，并且该密封可以是非接触密封，例如气体密封。在美国专利申请出版物第US 2004-0207824号中公开了这种***。
图5示意地示出了局部液体供给***或流体处理结构或具有形成阻挡构件或流体限制结构的主体12的装置，其沿投影***PS的最终元件和衬底台WT或衬底W之间的空间11的边界的至少一部分延伸。(要注意的是，在下文中提到的衬底W的表面除非有特别地规定，也附加地或可选地表示衬底台WT的表面)。尽管在Z方向上可以存在一些相对移动(在光轴的方向上)，流体处理结构相对于投影***PS在XY平面内基本上是静止的。在一实施例中，密封被形成在主体12和衬底W的表面之间，并且可以是非接触密封，例如气体密封或流体密封。
流体处理装置至少部分地将液体保持在投影***PS的最终元件和衬底W之间的空间11内。对衬底W的非接触密封，例如气体密封16，可以形成在投影***PS的像场周围，使得液体被限制在衬底W表面和投影***PS的最终元件之间的空间11内。该空间11至少部分地由位于投影***PS的最终元件的下面和围绕所述最终元件的主体12所形成。液体通过液体入口13被引入到投影***PS下面和主体12内的所述空间11中。液体可以通过液体出口13被去除。所述主体12可以延伸至略微超过投影***PS的最终元件的上方。液面升高到最终元件的上方以便提供液体的缓冲。在一个实施例中，所述主体12在上端处的内周与投影***PS的形状或投影***的最终元件的形状紧密一致，例如可以是圆形。在底部，内周与像场的形状紧密一致，例如矩形，虽然这不是必需的。
液体通过在使用期间形成在主体12的底部和衬底W的表面之间的气体密封16被限制在空间11中。气体密封16由气体形成，例如空气或合成空气，但是在一个实施例中，其为氮气N2或其他惰性气体。该气体密封16中的气体在压力下经由入口15提供到主体12和衬底W之间的间隙。该气体经由出口14抽取。气体入口15处的过压、出口14处的真空水平和间隙的几何形状布置成使得形成用于限制液体的向内的高速气流。气体作用在主体12和衬底W之间的液体上的力将液体限制在空间11内。所述入口/出口可以是围绕空间11的环形槽。所述环形槽可以是连续的或非连续的。气流有效地将液体限制在空间11中。这种***在美国专利申请出版物No.US 2004-0207824中公开。
图5中的示例是所谓的局部区域布置，其中液体在任何一次仅被提供到衬底W的顶部表面的局部区域。其他布置是可以的，包括流体处理***，其利用单相抽取器或两相抽取器，例如在美国专利申请出版物No.US2006-0038968中公开的。在一实施例中，单相或两相抽取器可以包括由多孔材料覆盖的入口。在单相抽取器的一实施例中，多孔材料被用来将液体与气体分离以能够实现单液相液体抽取。多孔材料的下游的腔被保持在轻微的负压下并且填充有液体。腔内的负压使得在多孔材料的孔中形成的弯液面阻止周围的气体被抽入所述腔内。然而，当多孔材料的表面与液体接触时，不存在限制流动的弯液面并且液体可以自由地流入到腔内。多孔材料具有大量的小孔，例如直径范围在5-300μm，期望地在5-50μm。在一实施例中，多孔材料是至少略微亲液性的(例如亲水性的)，也就是与浸没液体(例如水)具有小于90°的接触角。
还可以是另一种布置，其利用气体拖曳原理工作。所谓的气体拖曳原理已经例如在2008年5月8日递交的美国专利申请出版物第US2008-0212046号中以及美国专利申请第US 61/071,621号中描述。在该***中，抽取孔布置成有角的形状。所述角可以与步进或扫描方向对准。与两个出口沿垂直于扫描方向对准的情况相比，这对于给定速度减小了沿步进或扫描方向作用在流体处理结构的表面上的两个开口之间的弯液面上的力。本发明的实施例可以应用到用在全浸湿浸没设备中的流体处理结构。在全浸湿的实施例中，流体例如通过允许液体泄漏出将液体限制在投影***的最终元件和衬底之间的限制结构而被允许覆盖衬底台的整个顶部表面。全浸湿实施例的流体处理结构的示例可以在2008年9月2日递交的美国专利申请第US 61/136,380号中找到。
许多类型的流体处理结构被布置成允许流体沿特定的方向流过投影***PS的最终元件和衬底W之间的空间11。例如，在图2和图3的流体处理***中，这通过围绕所述空间提供多个入口和出口并且选择性地通过这些入口或出口提供液体或抽取液体以形成所需的流动来实现。在图5的实施例的情形中，液体出口13可以包括位于流体处理装置的主体12内的用于液体流过其中的多个开口，其中所述开口围绕所述空间11。随后，液体可以通过这些开口被提供(或抽取)以便提供沿所需方向的跨过空间11的流动。可以提供第一组开口用于将液体提供到空间11，并可以提供第二组开口用于从空间11抽取液体。在图2和3的实施例(本发明可能所涉及的实施例)中，入口和出口可以被看作多个主体，每一个具有表面，其设置有用于液体从中流过的开口。
图6示意地示出了根据本发明实施例的用以支撑衬底W的衬底台WT。衬底台WT包括凹陷20，衬底W配合于所述凹陷20内。凹陷20可以具有用于支撑衬底W的下表面的支撑区域和当衬底由支撑区域支撑时与衬底W的边缘邻近的边缘。凹陷20可以包括衬底保持装置。
在一个布置中，凹陷配置成使得：当衬底W被放置在凹陷20中时，衬底W的顶部表面与衬底台WT的顶部表面共面。凹陷20可以一体地形成作为衬底台WT的一部分。可选地，凹陷20可以形成为穿过覆盖板的开口，所述覆盖板形成衬底台WT的顶部表面。
在浸没式光刻设备运行过程中，衬底台WT和衬底W相对于流体处理结构移动，以便将辐射的所需图案通过浸没液体投影到衬底W的不同部分上。在这种移动过程中，衬底W的边缘将周期地横穿由流体处理***提供或限制在投影***PS和衬底台WT之间的空间内的流体。
虽然位于衬底台WT内的凹陷20可以配置成容纳衬底W的特定尺寸，但是在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间将存在有限的间隙。例如，该间隙可以是0.5mm量级或更小，例如在0.2mm到0.5mm之间的范围，例如0.5mm、0.3mm或0.2mm。这种间隙21可以导致在浸没流体中形成气泡。具体地，当间隙21通过浸没流体处理***下面时，气体可以被俘获在间隙内，这导致气泡的形成，该气泡随后从间隙21上升进入投影***和衬底W之间的浸没流体中。
已经提出，从衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙抽取流体以便减少在间隙21内形成气泡的可能性，并且在这种气泡形成的位置处，减小气泡从间隙21上升的可能性。例如，已经提出，设置间隙开口，在运行期间通过所述间隙开口从该间隙中去除流体。该间隙开口可以位于凹陷20的边缘的附近，例如位于衬底W的径向向外的位置。
然而，虽然这种抽取***在某些情形中可能是有效的，但是在其他情形中它可能不是完全有效的。
如图6所示，衬底W可以包括定位特征25，例如凹口，其用于对于多种处理操作对衬底W进行定向。在设置定位特征25(例如凹口)的位置处，衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙26明显大于围绕衬底W的边缘的其他部分的间隙21。例如，在凹口处的间隙可以达到接近1.5mm，例如其可以是1.2mm。
在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙由于衬底W的边缘上的定位特征25而增大的情况下，这种用于从间隙抽取流体的***可能不会防止在定位特征25(例如凹口)的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙26中形成气泡。
如果气泡不形成在邻近衬底W的边缘上的定位特征25的间隙26内，则其可能会倾向于尺寸增大，使得存留单个更大的气泡，而不是形成多个气泡。
因此，本发明的一实施例提供一种流体抽取***，用以从衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙抽取流体，其中在间隙的局部部分的抽取能力大于用于间隙其他部分的抽取能力，例如大于衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙的邻近部分的抽取能力。
具体地，流体抽取***可以配置成使得在间隙的局部部分处对离开间隙的流体的阻力小于在其他部分处的阻力。因此，在相同条件下(例如没有液体的情况下)，从该局部部分抽取的流体的流量大于从具有与该局部部分相同长度的间隙的其他部分抽取的流体的流量。
因此，具有定位特征25(例如凹口)的衬底W可以放置在本发明的实施例的衬底台WT上，使得定位特征25与具有较大的流体抽取能力的所述局部部分对齐。通过以这种方式布置衬底W，在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙的所述局部部分处的所述较大的流体抽取能力可能有助于确保充分地减小在衬底W的边缘上定位特征25的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙26内形成气泡的可能性，和/或有助于确保在该区域内形成的气泡不会从间隙上升。
例如，流体抽取***可以配置成使得从衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间围绕衬底每分钟抽取大约30到50升的流体总量。与衬底W的边缘上的定位特征25对齐的局部部分的附加的流体抽取能力可以大约是总的流体抽取能力中的每分钟0.5升到1升。
虽然如图6所示的衬底W的边缘上的定位特征25可以是凹口，但是应该认识到可以使用其他定位特征，并且本发明的实施例可以被布置用于减小在邻近这种定位特征的区域内形成气泡的可能性和/或气泡从邻近这种定位特征的区域内的间隙释放的可能性。替代地，例如，衬底W可以具有平坦部28。
图7和8示出一种可以使用的流体抽取***的布置。具体地，图7示出位于具有增强的抽取能力的间隙的所述局部部分处的流体抽取***的横截面。在所示的布置中，将衬底W放置于其中的凹陷20从通过覆盖板30的开口处形成。图7示出了衬底W，其布置成使得定位特征25(例如凹口或平坦部)邻近具有被增强的流体抽取能力的所述局部部分。因此，在这时，相对大的间隙26存在于衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间。
流体抽取***包括一个或更多个第一管道32，其在直接通向间隙26的开口31处通向衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙。因此，流体可以从衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙被抽取而不会在衬底W下面流过。
在例如如图7所示的传统的布置中，开口31可以设置在凹陷20的边缘内部，使得被抽取的流体从衬底W的边缘被抽取掉。在一个布置中，开口31可以是围绕凹陷20的凹陷20边缘中的裂缝状开口的形式，并且被连接到可以包括环形通道的第一管道32，用于流体流动。第一管道32可以通过一系列的通路33连接到负压源，或连接到与负压源连接的另一通道34。
在一种布置中，位于凹陷20的边缘中并围绕凹陷20的边缘的开口31可以具有大约50μm的宽度。如图所示，在邻近凹陷20的边缘中的开口31位置处，凹陷20的边缘可以包括倾斜的表面20a。这可能有助于防止气泡从衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙上升。
流体通过开口31从衬底W的边缘和凹陷20之间的间隙被抽取并且朝向负压源被抽取。在所述间隙没有在流体处理***下面通过时，所抽取的流体可以是气体；在所述间隙在流体处理***下面通过时，所抽取的流体可以是浸没流体，或两者的结合，例如浸没流体具有夹带在浸没流体中的一个或更多个气泡。
在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙的局部部分处，也就是在衬底适当地定位时的衬底W的定位特征25和凹陷20的边缘之间的间隙26处，根据本发明实施例，这时抽取***包括另一开口40，所述开口40连接到第二管道42以便提供附加的抽取能力。
如图7所示，第二管道42可以被连接到与第一管道32一样的负压源或通道34。而且，在第二管道42中可以设置控制阀43，以便控制流过第二管道42的流量。
例如，当衬底W的边缘上没有定位特征邻近通入衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙的第二管道42的开口40时，可以关闭控制阀43。在这种布置中，可以设置绕过控制阀43的排放管线(bleed line)44。即使在控制阀43关闭时，这种排放管线也可以提供恒定的小的通过第二管道42的流体流量，以便确保例如没有液体残留被俘获在第二管道42内的控制阀43的上游。
可选地或附加地，可以使用控制阀43，以便相比于在不包括定位特征的衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙21，调整定位特征25处的衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙26处的流体抽取能力的增加量。
应该认识到，流体在衬底W下面流过可能是不希望的。具体地，可能期望防止浸没流体在衬底W下面流过。因此，如上面所述，流体抽取***可以配置成使得流体从衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙被抽取，使得被抽取的流体不会在衬底W的下面流过。而且，在用以支撑衬底W的支撑区域24的边缘处，可以设置密封50用以防止或减少来自衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙的流体沿衬底W的下表面流过。作为密封50的一部分，或除密封50之外，可以设置一个或更多个开口51用以抽取流体。所述一个或更多个开口51可以位于凹陷20的周围处或靠近凹陷20的周围处。所述一个或更多个开口51可以布置成使得它们在操作过程中由衬底W覆盖，使得可以在操作过程中从衬底W下面去除流体。因此，在衬底W下面流过的任何流体都可以被抽取。
图8示出图7中示出的布置的平面视图。正如从图7和8所明显地看出的，通入在衬底W的边缘上的定位特征25和凹陷20的边缘之间的间隙26的第二管道42的开口40的尺寸可以基本上与在位于定位特征25处的衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙的尺寸相同。
这种布置可以帮助确保形成在定位特征25处的衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙26内的任何气泡可以通过第二管道42被抽取。因此，通入在定位特征25处的衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙26的第二管道42的开口40可以达到例如1.5mm。在一种布置中，所述开口可以大约为1.2mm宽。
因此，应该认识到，在可以布置衬底W的定位特征25的、位于衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙21的局部部分处，增大的抽取能力可以通过采用第二管道42来提供，第二管道42具有开口40，所述开口40大于连接到用于从在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙21的剩余部分抽取流体的第一管道32的开口31。具体地，应该认识到，通入在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙26的第二管道42的开口40的横截面的最小尺寸大于通入在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙21的第一管道32的开口31的横截面的最小尺寸。
如图7和8所示，第二管道42可以配置成使得第二管道42的横截面从其通入衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙的位置到开口40下游的位置41处减小。这种横截面面积的减小可以设置用于帮助确保通入在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙的开口40足够大，以便确保流体从在定位特征25处的衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙26被横跨间隙26地抽取，而不会造成沿第二管道42的过大的压力降低。这对于如图7所示的第二管道42与第一管道32连接到相同的负压源或通道34的情形具有重要的意义。如果第二管道42沿其长度的横截面太大，则通过第一管道32从围绕在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的整个间隙21的流体抽取可能会显著地减小。反之，这可能会导致气泡从远离定位特征25的位置处的在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙21释放。
正如图7和8所示，在于定位特征25处通入在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙26的开口40和第二位置41之间的第二管道42可以是截头圆锥形(frustro-conical)形状，也就是说，在其横截面上可以具有直的边缘45。然而，应该认识到，可以采用其他结构的第二管道42。例如，在通入位于衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙的开口40和第二位置41之间的第二管道42可以是喇叭形(trumpet-shaped)的，即可以在横截面上具有弯曲边缘46，例如图9所示的形状。
正如上面介绍的，本发明实施例的流体抽取***可以提供增加的从衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙的流体抽取。因此，当衬底W被加载到衬底台WT时，其可以被定向为使得定位特征25(例如凹口或平坦部)与具有增强的流体抽取能力的局部部分对齐，以便减小或最小化在定位特征25的区域内衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙内形成气泡的可能性。
应该认识到，在本文所述的流体抽取***的布置中，可以提供具有增强的流体抽取能力的附加的局部部分，使得衬底可以沿多于一个位置进行定向。例如，可以提供两个具有增强的流体抽取能力的局部部分，使得衬底W可以被定向在衬底台WT上的凹陷20内，使得衬底W的边缘上的定位特征25可以与所述两个具有增强的流体抽取能力的局部部分中的任一个对齐。
应该认识到，通过增加具有增强的流体抽取能力的局部部分的数量，可以增加衬底W在衬底台WT上可能的定向方向的数量，在所述方向上，衬底W边缘上的定位特征25可以与具有增强的流体抽取能力的局部部分对齐。
图10示出了衬底台WT的一部分的特定布置的平面图，衬底台WT包括具有两个流体抽取能力被增强的局部部分的流体抽取***。具体地，在图10所示的布置中，两个第二管道(例如图7和8所示的那些第二管道)被设置并配置成在每个开口55、56处通入位于衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙。为了清楚起见，衬底W以虚线示出。正如所看到的，衬底W可以以两种方式中的一种定向，同时将衬底W的定位特征25与开口55、56中的一个对齐。在一实施例中，开口55、56中仅一个提供增强的流体抽取，即开口55、56中的一个提供增强的流体抽取，而开口55、56中的另一个不提供增强的流体抽取。
在另一示例性的布置中，对应于具有增强的流体抽取能力的流体抽取***的部分，可以设置四个这样的开口，并且可以围绕凹陷20的周围均匀地间隔用以容纳衬底W。
正如上面介绍的，与用于提供附加的流体抽取能力的附加的开口相关联的管道中的每一个可以包括控制阀。因此，与不与支撑在衬底台WT上的衬底W的边缘上的定位特征25对齐的开口相关联的控制阀可以被关闭，以便防止不必要的附加的流体抽取。
还应该认识到，除了上面描述的那些布置，还可以采用在定位特征25处通入在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙26的第二管道42的开口的可选的布置。具体地，虽然通入间隙26的开口40可以配置成与期望设置在衬底W的边缘上的定位特征25尺寸相同，但是也可以提供替代的布置。尤其，开口40可以大于定位特征25，使得例如如果衬底W在衬底台WT上的位置或定位特征25的尺寸存在微小的变化，基本上所有定位特征25也能维持与开口40的一部分对齐。
可选地或附加地，虽然在图7和8中示出的开口40基本上是圆形的，但是应该认识到，这不是必须的。例如，可以提供其它的开口形状，例如狭缝。同样，多个较小的开口可以彼此邻近设置，以使得它们可以一起与衬底W的定位特征对齐。
此外，在其他布置中，单个开口可以被连接到多个第二管道，该多个第二管道用于在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙的局部部分内提供增强的流体抽取能力。这种布置的示例在图11和12中示出。具体地，如图所示，例如如果期望设置在衬底W的边缘上的定位特征是平坦部28，则可以采用这种布置。在这种布置中，如图11平面图所示和如图12从衬底W朝向凹陷20看的侧面所示，可以设置开口61，其与设置平坦部28的、衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙62的部分对应。可以设置多个第二管道63以将开口61连接到负压源，例如以与图7和8中所示的结构一致的方式布置。
还应该认识到，根据本发明实施例的流体抽取***可以包括多于一种布置，用于在局部区域中提供增强的流体抽取能力。例如，例如图7和8所示的布置(或其变体)可以设置在衬底台WT的一侧上，例如图11和12所示的布置(或其变体)可以设置在衬底台WT的另一侧上，这允许通过衬底W的适当的定向使得定位特征与用于提供增强的流体抽取能力的流体抽取***的合适部分对齐，而用一个衬底台与具有不同的定位特征的衬底一起使用。
正如上面所解释的，本发明实施例的流体抽取***可以配置成：使得连接到分别从衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙周围提供流体抽取和在局部部分中提供流体抽取且连接到第一和第二管道32、42的出口31、40可以连接到公共的负压源或连接到通向负压源的公共通道34。
在可选的布置中，在定位特征25处通入在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙26的第二管道42，被连接到独立的负压源或被连接到通向独立的负压源的通道70，如图13所示。
如果多个第二管道42如上所述那样设置，则这些第二管道42的全部或一些可以分享公共的负压源或可以连接到通向负压源的公共通道70。然而，应该认识到，第二管道42的全部或任一个可以具有专有的负压源。
还应该认识到，在具有多个第二管道42的布置中，一些第二管道42可以如第一管道32一样连接到相同的负压源或与负压源相连接的通道，而其他的第二管道42连接到一个或更多个独立的负压源。在任何这种布置中，应该认识到，第二管道42中的一个或更多个可以包括控制阀43，并且还可以以与上述内容相对应的方式包括排放管线44。
图14到20示出根据本发明实施例的流体抽取***的另外的布置。在这些布置中，流体抽取***配置成通过设置增大的开口而不是通过设置如图7到13所示的上述布置中附加的开口，来提供流体抽取能力比沿在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙的剩余部分高的位于衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙的局部部分。
具体地，图14和15示出一种布置，其中通过围绕凹陷20延伸的开口31，管道32通入衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙。管道32以与上述相类似的方式连接到负压源或与负压源连接的通道34，以便从间隙抽取流体。在衬底W适当地放置在衬底台上时，在对应于衬底W上的定位特征25的位置的局部区域中，通入管道32的开口被增大，这提供增大的开口75。
图14示出通过连接到管道32的增大的开口75的流体抽取***的横截面，而图15示出从衬底W观察的增大的开口75的正视图。如图所示，在衬底W和凹陷20的边缘之间的间隙对应于定位特征25的位置的局部部分处，增大的开口75的宽度大于开口31沿开口的其他部分的宽度。因此，在这个位置处对流体流的阻力较小，这导致在间隙的这个局部部分处从衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙离开的流量较大。
虽然如图14所示，增大的开口75可以具有从其通入在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙的位置延伸入凹陷20的边缘的基本上恒定的横截面面积，但是这并不是必须的。例如，如图16所示，随着开口76从其通入在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙26的位置处进入凹陷20的边缘，其横截面面积可以减小。
同样，虽然如图14至16所示的布置示出位于局部区域处的增大的开口，以通过在凹陷20的边缘内设置增大的开口来提供增强的流体抽取能力，但是如图17从侧面示出和如图18从顶部示出，通过在衬底台WT的表面内设置附加的凹陷80，可以替换地或附加地提供增大的开口。具体地，附加的凹陷80可以定位成使得其在衬底W被支撑在衬底台WT上时，与衬底W的定位特征25对齐，并例如从邻近定位特征25处的衬底W的边缘的位置延伸入凹陷20的边缘。因此，在衬底W的定位特征25的区域中，在凹陷20的边缘内的附加的凹陷80和开口31结合在一起以便形成增大的开口，与上面所述的效果相同。
如图19和20所示，在图17和18中示出的布置可以变化成使得邻近衬底W的定位特征25的凹陷20的边缘中的增大的开口的横截面面积随着其从其通入在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙26的位置处进入凹陷20的边缘而减小。如图19从侧面所示和图20从顶部所示，可以通过配置附加的凹陷85来设置这种布置，使得当其进入凹陷20的边缘时其变得较窄。
应该认识到，可以通过结合例如图14到16中示出的凹陷20的边缘处的开口在局部部分处被增大的布置中的一个和图17到20中示出的设置附加的凹陷的布置中的一个，在衬底W的定位特征25的区域内提供增大的开口。
正如在具有上面参考图7到13所述的流体抽取***的情况下，应该认识到，图14到20示出的流体抽取***可以配置成提供在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙的多于一个的具有增强的流体抽取能力的局部部分。
还应该认识到，用于提供在衬底W的边缘和凹陷20的边缘之间的间隙的具有增强的流体抽取能力的两个或更多个局部部分的流体抽取***不必对于两个这样的部分使用相同的布置。因此，用以在所述间隙的局部部分中提供增强的流体抽取能力的任意两个或更多个上述布置可以用于在一个设备内的所述间隙的不同部分。
在一个实施例中，提供一种用于浸没式光刻设备的衬底台，所述衬底台包括：凹陷，其配置用于容纳给定尺寸的衬底，所述凹陷具有用于支撑衬底的下表面的支撑区域和一边缘，所述边缘配置成当衬底由所述支撑区域支撑时邻近衬底的边缘；以及流体抽取***，其配置成在流体基本上不流入所述衬底下面的情况下从衬底的边缘和所述凹陷的所述边缘之间的间隙抽取流体；其中所述流体抽取***配置成使得，在没有液体的情况下，从具有给定长度的所述间隙的一局部部分抽取的流体的流量大于从具有相同长度的所述间隙的其他部分抽取的流体的流量。
所述流体抽取***可以包括通入所述间隙的一个或更多个第一管道，其配置成从基本上整个所述衬底周围的所述间隙抽取流体；和流体抽取***可以包括通入所述间隙的至少一个第二管道，其配置成从所述间隙的所述局部部分抽取流体。
所述一个或更多个第一管道的横截面的最小尺寸可以小于位于管道通入所述间隙的位置处的第二管道的横截面的最小尺寸。
在一个实施例中，提供一种用于浸没式光刻设备的衬底台，所述衬底台包括：凹陷，其配置用于容纳给定尺寸的衬底，所述凹陷具有用于支撑衬底的下表面的支撑区域和一边缘，所述边缘配置成当衬底由所述支撑区域支撑时邻近衬底的边缘；以及流体抽取***，其配置成在流体基本上不流入所述衬底下面的情况下从衬底的边缘和所述凹陷的所述边缘之间的间隙抽取流体；其中所述流体抽取***包括通入所述间隙的一个或更多个第一管道，其配置成从基本上整个所述衬底周围的所述间隙抽取流体；和所述流体抽取***包括通入所述间隙的至少一个第二管道，其配置成从所述间隙的一局部部分抽取流体；并且所述一个或更多个第一管道的横截面的最小尺寸小于位于所述管道通入所述间隙的位置处的第二管道的横截面的最小尺寸。
所述一个或更多个第一管道可以通过在凹陷的边缘中的一个或更多个开口通入所述间隙。
所述一个或更多个第一管道可以被连接到位于围绕所述凹陷的所述凹陷的边缘中的开口，用于流体流动。
所述至少一个第二管道可以通过形成在所述支撑区域和所述凹陷的边缘之间的衬底台的表面上的对应的开口通入所述间隙。
所述至少一个第二管道可以包括控制阀，所述控制阀配置成控制通过所述第二管道的流体的流量。
所述至少一个第二管道可以包括排放管线，所述排放管线绕过所述控制阀。
所述第一和第二管道可以连接到公共的负压源。
所述一个或更多个第一管道可以连接到第一负压源，所述至少一个第二管道可以连接到第二负压源。
第二管道的横截面可以从第二管道通入所述间隙的位置到位于所述第二管道通入所述间隙的位置的下游的第二管道中的第二位置而减小。
第二管道的形状从第二管道通入所述间隙的位置到所述第二位置可以是截头圆锥形和喇叭形中的一种。
流体抽取***可以包括至少两个第二管道，并且所述第二管道可以在彼此分离设置的各个开口处通入所述间隙。
流体抽取***可以包括至少两个第二管道，并且所述第二管道中的两个或更多个可以在公共开口处通入所述间隙。
衬底台可以配置成支撑具有定位特征的衬底，使得当衬底由所述支撑区域支撑时，所述衬底的所述定位特征与第二管道通入凹陷的边缘和衬底的边缘之间的所述间隙的开口对齐，使得流体从所述衬底的所述定位特征和所述凹陷的边缘之间的空间被直接地抽取入第二管道中。
衬底台可以配置成支撑具有定位特征的衬底，所述定位特征是衬底边缘上的凹口、平坦部或缺口中的一个。
流体抽取***可以包括通入间隙的一个或更多个管道，其配置成从基本上整个衬底周围的所述间隙抽取流体；且所述一个或更多个管道可以连接到位于围绕所述凹陷的所述凹陷的边缘中的开口，用于流体流动；以及在所述间隙的所述局部部分处开口的宽度可以大于沿所述开口的其余部分的所述开口的宽度。
在所述局部部分处，通过凹陷的边缘的开口可以被增大，使得其宽度大于沿所述开口的其余部分的开口宽度。
在所述局部部分处，附加的凹陷可以形成在衬底台上，并且可以配置成邻接所述凹陷的边缘上的开口的一部分，使得它们结合形成宽度比单独的凹陷中开口宽度大的开口。
流体抽取***可以配置成使得存在所述间隙的至少两个局部部分，在所述局部部分处，所述开口的宽度大于沿所述间隙的其他部分的开口的宽度，使得从给定长度抽取的流体的流量大于从所述间隙的其他部分抽取的流体的流量。
在一个实施例中，提供一种用于浸没式光刻设备的衬底台，所述衬底台包括：凹陷，其配置成容纳包括具有定位特征的边缘的衬底，以使得在所述衬底的边缘和所述凹陷的边缘之间形成间隙；和开口，所述开口配置用于流体从其中通过的通路，所述开口布置在衬底台中，使得当衬底容纳在所述凹陷中时，所述开口至少部分地不被所述衬底所覆盖并且与所述衬底的所述定位特征对齐。
在一个实施例中，提供一种用于浸没式光刻设备的衬底台，所述衬底台包括：凹陷，其配置用于容纳包括具有定位特征的边缘的衬底，使得在所述衬底的边缘和所述凹陷的边缘之间形成间隙；开口，其设置在衬底台中并且布置成位于所述衬底的边缘和所述凹陷的所述边缘之间的所述间隙处；其中所述开口的横截面的尺寸基本上为所述衬底上的定位特征的长度。
在一个实施例中，提供一种用于浸没式光刻设备的衬底台，所述衬底台包括：凹陷，其配置用于容纳衬底；位于衬底台中的开口，其配置成使得当所述凹陷容纳具有定位特征的衬底时，所述开口与所述定位特征对齐并且与所述定位特征对应，使得流体可以在所述定位特征处从在所述衬底和凹陷的边缘之间的间隙通过开口直接地抽取。
在上述的用于浸没式光刻设备的衬底台中，所述支撑区域可以包括一个或更多个支撑点和密封，所述支撑点配置成支撑所述衬底的下表面的一部分，所述密封配置成位于由所述支撑区域支撑的衬底的边缘上并且配置成基本上抑制液体流入衬底下面；并且所述密封可以包括第二流体抽取***，所述第二流体抽取***配置成从衬底下面和邻近衬底边缘处的空间抽取流体。
在一个实施例中，提供一种包括上述的衬底台的浸没式光刻设备。
在一个实施例中，提供一种器件制造方法，所述方法包括步骤：将图案化的辐射束通过提供在邻近衬底的空间内的流体投影到衬底上；其中所述衬底支撑在衬底台上的凹陷内，所述方法包括：采用配置用以在流体基本上不会流入衬底下面的情况下从所述间隙中抽取流体的流体抽取***，从所述凹陷的边缘和所述衬底的边缘之间的间隙抽取流体；并且所述流体抽取***配置成使得，在没有液体的情况下，从具有给定长度的所述间隙的一局部部分抽取的流体的流量大于从具有相同长度的所述间隙的其他部分抽取的流体的流量。
在一个实施例中，提供一种器件制造方法，所述方法包括步骤：将图案化的辐射束通过提供在邻近衬底的空间内的流体投影到所述衬底上；其中所述衬底支撑在衬底台上的凹陷内，所述方法包括：采用流体抽取***从所述凹陷的边缘和所述衬底的边缘之间的间隙抽取流体，所述流体抽取***配置用以在流体基本上不会流入衬底下面的情况下从所述间隙中抽取流体；其中所述流体抽取***包括通入所述间隙的一个或更多个第一管道，所述第一管道配置用于从基本上整个所述衬底周围的间隙抽取流体；所述流体抽取***包括通入所述间隙的至少一个第二管道，所述第二管道配置成从所述间隙的一局部部分抽取流体；并且在所述管道通入所述间隙的位置处，一个或更多个第一管道的横截面的最小尺寸小于第二管道的横截面的最小尺寸。
虽然本申请详述了光刻设备在制造IC中的应用，但是应该理解到，这里描述的光刻设备在制造微米尺度、甚至纳米尺度的部件、特征中可以有其它的应用，例如制造集成光学***、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该看到，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将这里公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以被处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外辐射(UV)(例如具有等于或约为365、248、193、157或126nm的波长)。在允许的情况下，术语“透镜”可以表示不同类型的光学部件中的任何一种或其组合，包括折射式和反射式的光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。例如，本发明可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的一个或更多个计算机程序的形式，或具有存储其中的这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。此外，机器可读的指令可以嵌入到两个或更多个计算机程序。所述两个或更多个计算机程序可以存储在至少一个不同的存储器和/或数据存储介质中。
当一个或更多个计算机程序由位于光刻设备的至少一个部件内的一个或更多个计算机处理器读取时，这里所述的控制器可以每一个或以组合的形式运行。控制器可以每一个或以组合的形式具有用于接收、处理以及发送信号的任何合适的配置。一个或更多个处理器配置成与至少一个控制器通信。例如，每个控制器可以包括用于执行计算机程序的一个或更多个处理器，所述计算机程序包括用于上述的方法的机器可读指令。控制器可以包括用于存储这种计算机程序的数据存储介质，和/或用以接收这种介质的硬件。因而，控制器可以根据一个或更多个计算机程序的机器可读指令运行。
本发明的一个或更多个实施例可以应用于任何浸没式光刻设备，特别地但不排他地，应用于上述的那些类型，而不论浸没液体是否以浴器的形式提供，仅在衬底的局部表面区域上提供浸没液体，或浸没液体是非限制性的。在非限制性布置中，浸没液体可以流到衬底和/或衬底台的表面上，使得基本上衬底和/或衬底台的整个未覆盖表面被浸湿。在这种非限制性的浸没***中，液体供给***可以不限制浸没流体或其可以提供一定比例的浸没液体限制，但是不是基本上完全的浸没液体限制。
这里提到的液体供给***应该被广义地理解。在某些实施例中，其可以是一种将液体提供到投影***和衬底和/或衬底台之间的空间的机构或结构的组合。液体供给***可以包括一个或更多个结构、包括一个或更多个液体开口的一个或更多个流体开口、一个或更多个气体开口或一个或更多个用于两相流的开口的组合。所述开口每一个可以是进入浸没空间的入口(或离开流体处理结构的出口)或出离浸没空间的出口(或进入流体处理结构的入口)。在一实施例中，所述空间的表面可以是衬底和/或衬底台的一部分，或所述空间的表面可以完全覆盖衬底和/或衬底台的表面，或所述空间可以包围所述衬底和/或衬底台。液体供给***还可以可选地包括用以控制液体的位置、数量、品质、形状、流量或任何其他特征的一个或更多个元件。
上面描述的内容是例证性的，而不是限定性的。因而，应该认识到，本领域的技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下，可以对上述本发明进行更改。

Claims (14)

1.一种用于浸没式光刻设备的衬底台，包括：
凹陷，其配置成容纳给定尺寸的衬底，所述凹陷具有用以支撑所述衬底下表面的支撑区域和一边缘，所述边缘配置成当所述衬底由所述支撑区域支撑时邻近所述衬底的边缘；和
流体抽取***，其配置成从所述衬底的边缘和所述凹陷的所述边缘之间的间隙抽取流体，
其中所述流体抽取***包括：通入所述间隙的第一管道，所述第一管道配置成从基本上整个所述衬底周围的所述间隙抽取流体；和通入所述间隙的第二管道，所述第二管道配置成从所述间隙的一局部部分抽取流体，
且在所述第一和所述第二管道通入所述间隙的位置处，所述第一管道的横截面的最小尺寸小于所述第二管道的横截面的最小尺寸；
其中所述衬底台配置成支撑具有定位特征的衬底，使得当所述衬底由所述支撑区域支撑时，所述衬底的所述定位特征与通入在所述凹陷的所述边缘和所述衬底的边缘之间的间隙的所述第二管道的开口对齐，使得流体从所述衬底的所述定位特征和所述凹陷的所述边缘之间的空间被直接地抽取进入所述第二管道。
2.如权利要求1所述的衬底台，其中所述第一管道通过位于所述凹陷的边缘中的开口通入所述间隙。
3.如权利要求2所述的衬底台，其中所述第一管道连接至围绕所述凹陷的所述凹陷的边缘中的开口，用于流体流动。
4.如权利要求1所述的衬底台，其中所述第二管道通过在所述衬底台的表面中形成的位于所述支撑区域和所述凹陷的边缘之间的对应的开口而通入所述间隙。
5.如权利要求4所述的衬底台，其中所述第二管道包括控制阀，所述控制阀配置成控制通过所述第二管道的流体的流量。
6.如权利要求5所述的衬底台，其中所述第二管道包括排放管线，所述排放管线绕过所述控制阀。
7.如权利要求4-6中任一项所述的衬底台，其中所述第一和第二管道连接到公共的负压源。
8.如权利要求4-6中任一项所述的衬底台，其中所述第一管道连接到第一负压源并且所述第二管道连接到第二负压源。
9.如权利要求1所述的衬底台，其中所述第二管道的横截面从所述第二管道通入所述间隙的位置到位于所述第二管道通入所述间隙的位置的下游的所述第二管道中的第二位置减小。
10.如权利要求9所述的衬底台，其中，从所述第二管道通入所述间隙的位置到所述第二位置，所述第二管道的形状是截头圆锥形形状或喇叭形状。
11.如权利要求1所述的衬底台，其中所述流体抽取***包括至少两个第二管道，并且所述第二管道在各个彼此分离设置的开口处通入所述间隙。
12.如权利要求1所述的衬底台，其中所述流体抽取***包括至少两个第二管道，并且所述第二管道在公共开口处通入所述间隙。
13.如权利要求1所述的衬底台，其中所述衬底台配置成支撑具有定位特征的衬底，所述定位特征是所述衬底的边缘上的平坦部或缺口。
14.一种器件制造方法，包括步骤：
将图案化的辐射束通过提供在邻近衬底的空间内的流体投影到衬底上，其中所述衬底被支撑在衬底台上的凹陷内；和
采用流体抽取***从所述凹陷的边缘和所述衬底的边缘之间的间隙抽取流体，所述流体抽取***包括：通入所述间隙的第一管道，所述第一管道配置成从基本上整个所述衬底周围的所述间隙抽取流体；和第二管道，其通入所述间隙，所述第二管道配置成从所述间隙的局部部分抽取流体，其中，在所述第一和所述第二管道通入所述间隙的位置处，所述第一管道的横截面的最小尺寸小于第二管道的横截面的最小尺寸；
其中，所述衬底台配置成支撑具有定位特征的衬底，使得当所述衬底由支撑区域支撑时，所述衬底的所述定位特征与通入在所述凹陷的所述边缘和所述衬底的边缘之间的间隙的所述第二管道的开口对齐，使得流体从所述衬底的所述定位特征和所述凹陷的所述边缘之间的空间被直接地抽取进入所述第二管道。
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