CN101833150B - 一种大功率半导体激光器光纤耦合模块 - Google Patents

一种大功率半导体激光器光纤耦合模块 Download PDF

Info

Publication number
CN101833150B
CN101833150B CN2010101745812A CN201010174581A CN101833150B CN 101833150 B CN101833150 B CN 101833150B CN 2010101745812 A CN2010101745812 A CN 2010101745812A CN 201010174581 A CN201010174581 A CN 201010174581A CN 101833150 B CN101833150 B CN 101833150B
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor laser
single tube
tube semiconductor
light beam
tube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2010101745812A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101833150A (zh
Inventor
朱洪波
***
彭航宇
顾媛媛
郝明明
张志军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jilin Province Long Ruisi Laser Technology Co Ltd
Original Assignee
Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS filed Critical Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS
Priority to CN2010101745812A priority Critical patent/CN101833150B/zh
Publication of CN101833150A publication Critical patent/CN101833150A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101833150B publication Critical patent/CN101833150B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明涉及大功率半导体激光器光纤耦合模块,其包括同一波长相同偏振态的多个单管半导体激光器、光束准直透镜、玻璃平板、反射棱镜和聚焦器件。多个单管半导体激光器除一路外均平行于x轴呈阶梯状排列;在每个单管半导体激光器前安装光束准直透镜,每个单管激光器发出的光通过光束准直透镜后经过一反射棱镜,每个反射棱镜与其对应的单管激光器在水平高度保持一致,多路单管激光器发出的光经过反射传输至聚焦器件;其中,安放在z轴方向的单管激光器,其出射的光束通过多个反射棱镜中间的空隙直接传输至聚焦器件,然后与其它光束合束后一起聚焦进入光纤。本发明使每个单管激光器的焊接位置距离变远,焊接容易,调试方便,散热效果好,耦合效率高。

Description

一种大功率半导体激光器光纤耦合模块
技术领域
本发明涉及半导体激光器光纤耦合技术领域,尤其涉及一种大功率半导体激光器光纤耦合模块。
背景技术
由于半导体激光器(LD)具有体积小、重量轻、效率高,寿命长、光谱线宽窄等优点,因此在医疗、泵浦、监控、加工等方面有着广泛的应用。近年来,随着半导体激光器技术的发展,在提高半导体激光器输出功率和亮度要求的同时,也对其稳定性及寿命有了更高的要求。国际上大多数应用都采用LD线阵或者叠阵形式的光纤耦合模块,由于bar条中的每个发光点中间产生的热量不能完全散失,导致其寿命较低。在单管合束中,每个单管激光器是一个独立的发光点,不受热串联的影响,具有良好的散热,寿命稳定。
图1是现有技术采用单管阵列合束的光纤耦合模块的示意图,这是目前国际上现有的单管合束技术之一(High Brightness,Fiber Coupled Single Emitter Arrays Stefan,Heinemann,Boris Regaard,Torsten Schmidt,Ben Lewis,Proc.of SPIE Vol.719871980Q-1)。如图1所示,该装置是将多个单管半导体激光器按图中示意紧密焊接在一个阶梯状的热沉17上形成单管激光器阵列15,每一层的激光器前面经过一个准直透镜阵列16进行准直,然后传输到聚焦器件,进行聚焦进入光纤。这种方法要求激光器焊接的工艺复杂,焊接精度高,每个激光器要求严格平行,在焊接工艺上很难保证,而且由于每个单管激光器离得很近,会影响单管激光器的散热,导致寿命降低。
发明内容
本发明的目的是提供一种大功率半导体激光器光纤耦合模块,其焊接简易,调试方便,散热性好,寿命长,耦合效率高。
为了实现上述目的,本发明的技术方案如下:
一种大功率半导体激光器光纤耦合模块,包括数个热沉、数个第一单管半导体激光器、一个第二单管半导体激光器、数个光束准直透镜和聚焦器件,热沉、第一单管半导体激光器和光束准直透镜三者一一对应放置,第一单管半导体激光器焊接在热沉上,光束准直透镜设置在第一单管半导体激光器的出射端,其特征在于,在该模块的光路中放置有玻璃平板,其上面安放数个反射棱镜,数个第一单管半导体激光器均呈阶梯状排列,每个第一单管半导体激光器与其正对面的第一单管半导体激光器位于同一水平高度,与其左右相邻的第一单管半导体激光器在水平高度上相差间距为d;反射棱镜和第一单管半导体激光器一一对应放置,反射棱镜和其对应的第一单管半导体激光器位于同一水平高度;第二单管半导体激光器垂直于第一单管半导体激光器放置,其出射的光束通过各反射棱镜中间的间隙直接传输至聚焦器件;聚焦器件平行于第一单管半导体激光器放置。
本发明的有益效果是:通过使用反射棱镜对其相对应的单管半导体激光器发出的光进行反射,反射后的光束相互平行传输,密集地排列在一起,无需再将单管半导体激光器焊接成阵列的形式,这样可以使每个激光器有更充足的焊接位置和散热空间,使焊接变容易,调试更方便,散热性更好,寿命延长;通过反射棱镜及单管半导体激光器的适当排列,可以使反射过来的光束排列成近圆形,这样聚焦后可以使聚焦光斑呈圆形,更符合光纤端面形状的分布,可以提高耦合效率。
附图说明
图1是现有技术以单管阵列及微透镜阵列实现的耦合输出的大功率半导体激光器的装置示意图。
图2是本发明大功率半导体激光器光纤耦合模块的结构示意图。
图3是图2中所示的多路第一单管半导体激光器位置高度示意图。
图4是本发明多路单管半导体激光器发出的光束经过反射合束后的光斑示意图。
图中:1、热沉,2、第一单管半导体激光器,3、光束准直透镜,4、玻璃平板,5、第一反射棱镜,6、第二反射棱镜,7、第三反射棱镜,8、快轴聚焦柱面镜,9、慢轴聚焦柱面镜,10、第二单管半导体激光器,11、热沉块,12、空隙,13、第一单管半导体激光器的光斑,14、第二单管半导体激光器的光斑,15、单管激光器阵列,16、准直透镜阵列,17、阶梯状热沉。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步详细地描述:
如图1所示,本发明大功率半导体激光器光纤耦合模块包括:同一波长相同偏振态的多个第一单管半导体激光器2、第二单管半导体激光器10,多个光束准直透镜3,玻璃平板4,多个反射棱镜(如第一反射棱镜5、第二反射棱镜6、第三反射棱镜7等,这些反射棱镜都是相同的棱镜,只是位置排放不同),快轴聚焦柱面镜8和慢轴聚焦柱面镜9。就其中一组光路来说,第一单管半导体激光器2焊接在陶瓷热沉1上,在第一单管半导体激光器2的出射端设置一光束准直透镜3,第一单管半导体激光器2发出的光束通过光束准直透镜3以减小其快慢轴发散角,然后,传输到第二反射棱镜6,光束的传输方向被改变了90°后传输至由快轴聚焦柱面镜8和慢轴聚焦柱面镜9组成的聚焦器件。多个与第一单管半导体激光器2相同的单管半导体激光器被放置在阶梯状的热沉块11(见图2)上,其发出的光经过反射传输至聚焦器件,其中,第二单管半导体激光器10安置在z轴方向,其发出的光束直接通过多个反射棱镜中间的空隙12传输至聚焦器件,与其它光束合束成一束光,最后聚焦进入光纤。
上述的聚焦器件由沿耦合后光束传输方向依次设置的快轴聚焦柱面镜8和慢轴聚焦柱面镜9组成,快轴聚焦柱面镜8和慢轴聚焦柱面镜9也可以使用球面柱形聚焦镜或者非球面圆形聚焦镜或者消像差的透镜组。对于半导体激光器,普遍规定垂直于P-n结平面方向为快轴方向,平行于P-n结平面方向为慢轴方向,如图1所示z轴方向为第一单管半导体激光器2的慢轴方向,垂直于纸面的方向为其快轴方向;光束经过反射合束后,x轴为第一单管半导体激光器2的慢轴方向,垂直于纸面的方向为其快轴方向。
上述的光束准直透镜3采用球面透镜或非球面透镜对光束进行准直,或者采用两个分离的非球面柱面镜分别对快慢轴光束进行准直。
如图2所示,每个第一单管半导体激光器2与其对面放置的单管激光器安放在同样的水平高度,与其左右相邻的单管激光器在水平高度间距相差为d,呈阶梯状排列。第二单管半导体激光器10沿z轴放置,其发出的光束沿z轴传输,经过光束准直透镜3后直接从多个反射棱镜中间的空隙12穿过,与其它被反射的光束合束。这样可以使聚焦光斑呈圆形分布,能提高耦合效率。空隙12可以通过加工反射棱镜的固定底座时预先留出。
本发明的关键器件是固定在玻璃平板4上的多个反射棱镜,每个反射棱镜与沿x轴放置的第一单管半导体激光器一一对应放置,例如,第一单管半导体激光器2发出的光经过第二反射棱镜6反射,其传输方向旋转90°。每个反射棱镜都为三角形棱镜,在两个通光面上镀有增透膜。每个反射棱镜与其上下两层反射棱镜在水平方向的高度相差为d,例如,第二反射棱镜6和第一反射棱镜5、第三反射棱镜7在水平高度分别相差距离d,呈阶梯状排列;这样就可以使每个反射棱镜与其相对应的安放在阶梯状热沉上的第一单管半导体激光器在水平高度上保持一致。反射棱镜高度的固定可以通过在反射棱镜和玻璃平板中间加入不同厚度的玻璃垫块来实现,玻璃垫块在图中没有画出。每个沿x轴方向放置的第一单管半导体激光器2发出的光束经过反射棱镜反射后都沿z轴方向传输。沿Z轴放置的第二单管半导体激光器10,其发出的光束也沿z轴传输,经过光束准直透镜3后直接从多个反射棱镜中间的空隙12穿过,与其它被反射的光束合束。
如图4所示,其为光束合束后的光斑形状,图中标号13为单管激光器2经过光束准直透镜、反射棱镜后传输到聚焦器件-快轴聚焦柱面镜8前面形成的光斑,图中标号14为第二单管半导体激光器10经过光束准直透镜后,从多个反射棱镜中间形成的空隙12直接传输到聚焦器件-快轴聚焦柱面镜8前面形成的光斑。通过反射棱镜对多路单管半导体激光器发出的光的反射传输,可以使反射过来的光束排列成近圆形,这样聚焦后可以使聚焦光斑更符合光纤端面形状的分布,可以提高其耦合效率。

Claims (6)

1.一种大功率半导体激光器光纤耦合模块,包括数个热沉(1)、数个第一单管半导体激光器(2)、一个第二单管半导体激光器(10)、数个光束准直透镜(3)和聚焦器件,热沉(1)、第一单管半导体激光器(2)和光束准直透镜(3)三者一一对应放置,第一单管半导体激光器(2)焊接在热沉(1)上,光束准直透镜(3)设置在第一单管半导体激光器(2)的出射端,其特征在于,在该模块的光路中放置有玻璃平板(4),其上面安放数个反射棱镜,数个第一单管半导体激光器(2)呈阶梯状排列,每个第一单管半导体激光器(2)与其正对面的单管半导体激光器位于同一水平高度,与其左右相邻的单管半导体激光器在水平高度上相差间距为d;反射棱镜和第一单管半导体激光器(2)一一对应放置,反射棱镜和其对应的第一单管半导体激光器(2)位于同一水平高度;第二单管半导体激光器(10)垂直于第一单管半导体激光器(2)放置,其出射的光束通过各反射棱镜中间的间隙直接传输至聚焦器件;聚焦器件平行于第一单管半导体激光器(2)放置。
2.如权利要求1所述的大功率半导体激光器光纤耦合模块,其特征在于,所述数个第一单管半导体激光器(2)发出的光束经过不同位置排列的反射棱镜后相互平行传输,使光束密集排列形成近圆形,经过聚焦器件后形成的光斑呈圆形分布。
3.如权利要求1所述的大功率半导体激光器光纤耦合模块,其特征在于,所述第一单管半导体激光器(2)和第二单管半导体激光器(10)为同一波长相同偏振态的单管半导体激光器。
4.如权利要求1所述的大功率半导体激光器光纤耦合模块,其特征在于,所述光束准直透镜(3)采用球面透镜或非球面透镜对光束进行准直,或者采用两个分离的非球面柱面镜分别对单管半导体激光器的快慢轴光束进行准直。
5.如权利要求1所述的大功率半导体激光器光纤耦合模块,其特征在于,所述聚焦器件由沿耦合后光束传输方向依次设置的快轴聚焦柱面镜(8)和慢轴聚焦柱面镜(9)组成。
6.如权利要求5所述的大功率半导体激光器光纤耦合模块,其特征在于,所述快轴聚焦柱面镜(8)和慢轴聚焦柱面镜(9)均采用球面柱形聚焦镜或者非球面圆形聚焦镜或者消像差透镜组。
CN2010101745812A 2010-05-18 2010-05-18 一种大功率半导体激光器光纤耦合模块 Expired - Fee Related CN101833150B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010101745812A CN101833150B (zh) 2010-05-18 2010-05-18 一种大功率半导体激光器光纤耦合模块

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010101745812A CN101833150B (zh) 2010-05-18 2010-05-18 一种大功率半导体激光器光纤耦合模块

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101833150A CN101833150A (zh) 2010-09-15
CN101833150B true CN101833150B (zh) 2011-06-29

Family

ID=42717284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010101745812A Expired - Fee Related CN101833150B (zh) 2010-05-18 2010-05-18 一种大功率半导体激光器光纤耦合模块

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101833150B (zh)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102255238B (zh) * 2010-09-17 2013-03-20 武汉高晟知光科技有限公司 一种半导体激光器的封装结构及其应用装置
CN102468602A (zh) * 2010-11-17 2012-05-23 北京中视中科光电技术有限公司 一种半导体激光光源
CN102401949A (zh) * 2011-12-02 2012-04-04 北京工业大学 一种平台式折转反射单管半导体激光器光纤耦合模块
CN102590962A (zh) * 2012-02-22 2012-07-18 中国科学院半导体研究所 将多单元半导体激光器与光纤的耦合***
CN102904161B (zh) * 2012-09-27 2014-08-13 夏云 一种高功率集成激光光源
JP5920254B2 (ja) * 2013-03-13 2016-05-18 ウシオ電機株式会社 半導体レーザ装置
WO2015002683A2 (en) 2013-04-09 2015-01-08 Nlight Photonics Corporation Diode laser packages with flared laser oscillator waveguides
US9166369B2 (en) * 2013-04-09 2015-10-20 Nlight Photonics Corporation Flared laser oscillator waveguide
JP2015153889A (ja) * 2014-02-14 2015-08-24 三菱電機株式会社 レーザ合成光学装置
CN103913410A (zh) * 2014-04-09 2014-07-09 江西科技师范大学 新型的多激光流式细胞仪激光整合***
US10186836B2 (en) 2014-10-10 2019-01-22 Nlight, Inc. Multiple flared laser oscillator waveguide
CN104614815A (zh) * 2014-12-11 2015-05-13 北京工业大学 多单管半导体激光器光纤耦合光学模块
CN104868363B (zh) * 2015-05-28 2018-10-26 北京工业大学 一种单管半导体激光光纤耦合***
US10270224B2 (en) 2015-06-04 2019-04-23 Nlight, Inc. Angled DBR-grating laser/amplifier with one or more mode-hopping regions
CN105207054B (zh) * 2015-10-14 2018-01-02 苏州大学 多单管半导体激光器光纤耦合模块
CN105676378B (zh) * 2016-03-28 2018-02-09 北京工业大学 一种光纤耦合***
CN105977771A (zh) * 2016-07-14 2016-09-28 北京凯普林光电科技股份有限公司 一种激光合束装置
CN106785895A (zh) * 2016-11-30 2017-05-31 中国科学院半导体研究所 一种基于光子晶体激光器合束的装置
CN110471144B (zh) * 2019-08-07 2020-11-03 北京工业大学 一种消像差的万瓦级光纤连接器
CN113204158B (zh) 2020-02-03 2022-08-19 中强光电股份有限公司 光源模块及投影装置
CN113253553B (zh) 2020-02-10 2022-11-08 中强光电股份有限公司 照明***及投影装置
CN112952549B (zh) * 2021-03-17 2022-11-04 深圳市星汉激光科技股份有限公司 一种半导体激光耦合***
CN113898883A (zh) * 2021-10-20 2022-01-07 江苏亮点光电研究有限公司 一种激光照明装置
CN114006269A (zh) * 2021-12-29 2022-02-01 深圳市星汉激光科技股份有限公司 一种高功率半导体激光器直接输出***及其偏振合束结构
JP7398517B1 (ja) * 2022-06-22 2023-12-14 株式会社アマダ レーザダイオード装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6993059B2 (en) * 2003-06-11 2006-01-31 Coherent, Inc. Apparatus for reducing spacing of beams delivered by stacked diode-laser bars
CN100460977C (zh) * 2007-01-05 2009-02-11 北京工业大学 实现大功率激光二极管堆光束整形的装置
CN101144909A (zh) * 2007-10-25 2008-03-19 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种面阵半导体激光器的光束整形装置
CN100576666C (zh) * 2008-09-25 2009-12-30 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 大功率光束耦合半导体激光器

Also Published As

Publication number Publication date
CN101833150A (zh) 2010-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101833150B (zh) 一种大功率半导体激光器光纤耦合模块
US8891579B1 (en) Laser diode apparatus utilizing reflecting slow axis collimators
US10763640B2 (en) Low swap two-phase cooled diode laser package
CN202888604U (zh) 半导体激光装置
CN102141683B (zh) 光束整形方法和装置及激光显示光源模组和设备
CN102931585A (zh) 一种外腔合束半导体激光光纤耦合模块
CN105759411B (zh) 光纤耦合激光器、光纤耦合激光器***及其优化方法
CN102916341A (zh) 一种单管半导体激光器合束方法
CN100576666C (zh) 大功率光束耦合半导体激光器
CN104460207B (zh) 一种激光光源及投影显示装置
CN102401949A (zh) 一种平台式折转反射单管半导体激光器光纤耦合模块
CN103078253A (zh) 一种窄光谱高功率半导体激光器耦合装置及方法
CN104716561A (zh) 一种激光器
CN115954761A (zh) 一种多单管半导体激光合束装置
CN102156352B (zh) 光束整形方法和装置及激光显示光源模组和设备
US11454772B2 (en) Short-waveband active optical component based on vertical emitting laser and multi-mode optical fiber
CN110635354A (zh) 基于to封装的绿光单管的光纤耦合半导体激光器模块
CN105071224A (zh) 一种激光器
CN102904161A (zh) 一种高功率集成激光光源
US20170299875A1 (en) Single-emitter line beam system
CN108627983B (zh) 激光合束***及其合束方法
CN214899327U (zh) 一种多管半导体激光器
CN105720462A (zh) 一种多路耦合激光器
CN101369717B (zh) 多重光束耦合大功率半导体激光装置
CN110098559A (zh) 一种半导体激光器壳内准直的装置及方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20170122

Address after: 130117 Jilin province Changchun city ecological city street Jingyue Development Zone No. 6666

Patentee after: Jilin Province Long Ruisi Laser Technology Co Ltd

Address before: 130033 southeast Lake Road, Jilin, Changchun, No. 3888

Patentee before: Changchun Inst of Optics, Fine Machines and Physics, Chinese Academy of Sciences

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110629

Termination date: 20190518