CN101807598A - 一种pnpnp型双向可控硅 - Google Patents

一种pnpnp型双向可控硅 Download PDF

Info

Publication number
CN101807598A
CN101807598A CN 201010125974 CN201010125974A CN101807598A CN 101807598 A CN101807598 A CN 101807598A CN 201010125974 CN201010125974 CN 201010125974 CN 201010125974 A CN201010125974 A CN 201010125974A CN 101807598 A CN101807598 A CN 101807598A
Authority
CN
China
Prior art keywords
type
injection region
trap
region
well
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 201010125974
Other languages
English (en)
Other versions
CN101807598B (zh
Inventor
李明亮
董树荣
韩雁
宋波
苗萌
马飞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang University ZJU
Original Assignee
Zhejiang University ZJU
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang University ZJU filed Critical Zhejiang University ZJU
Priority to CN 201010125974 priority Critical patent/CN101807598B/zh
Publication of CN101807598A publication Critical patent/CN101807598A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101807598B publication Critical patent/CN101807598B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/87—Thyristor diodes, e.g. Shockley diodes, break-over diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
    • H01L29/0692—Surface layout

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明公开了一种PNPNP型双向可控硅，包括P型衬底，所述的P型衬底内设有N型埋层，N型埋层上注有P阱，P阱侧面和P型衬底之间注有与P阱结深相同的环形的N阱，P阱内注有第一N型漂移区和第二N型漂移区，第一N型漂移区内设有第一P+注入区和第一N+注入区，第二N型漂移区内设有第二P+注入区和第二N+注入区，其中第一P+注入区和第二P+注入区位于内侧，P型衬底、N阱和P阱上均覆有氧化隔离层。本发明PNPNP型双向SCR结构实现工艺与业界常用的BCD工艺兼容，由于该PNPNP型双向SCR结构具有较高并且对称的正反向击穿电压，因此更适用于一些混合电压接口电路或不同电源域间的ESD防护应用。

Description

一种PNPNP型双向可控硅
技术领域
本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种PNPNP型双向可控硅。
背景技术
自然界的静电放电(ESD)现象是引起集成电路产品失效的最主要的可靠性问题之一。有关研究调查表明，集成电路失效产品的30％都是由于遭受静电放电现象所引起的。因此，改善集成电路片上静电放电防护的可靠性对提高集成电路产品的成品率乃至带动整个国民经济具有不可忽视的作用。
静电放电现象根据电荷来源的不同，通常分为三种放电模式：HBM(人体放电模式)，MM(机器放电模式)，CDM(组件充电放电模式)。而最常见也是工业界产品必须通过的两种静电放电模式是HBM和MM。当发生静电放电时，电荷通常从芯片的一只引脚流入而从另一只引脚流出，此时静电电荷产生的电流通常高达几个安培，在电荷输入引脚产生的电压高达几伏甚至几十伏。如果较大的ESD电流流入内部芯片则会造成内部芯片的损坏，同时，在输入引脚产生的高压也会造成内部器件发生栅氧击穿现象，从而导致电路功能的失效。因此，为了防止内部芯片遭受ESD损伤，对芯片的每个引脚都要进行有效的ESD防护。而ESD防护单元的设计主要考虑两个要点：一是ESD防护单元能够泄放较大的ESD电流；二是ESD防护单元能将输入引脚端电压箝制在低电位。
在ESD防护的研究发展过程中，二极管、GGNMOS(栅接地的NMOS)、可控硅(SCR)等器件通常被作为ESD防护单元。随着CMOS工艺的发展，CMOS集成电路已经成为集成电路发展的主流。对于CMOS集成电路，在芯片的输入\输出端通常带有输入缓冲级\输出缓冲级或是MOS器件的栅极作为输入。因此，在发生ESD事件时，ESD产生的应力(电压)会直接作用于MOS器件的栅氧化层上，如果ESD防护单元不能及时开启并将输入端箝制在低电位(通常指低于MOS器件的栅氧化层击穿电压)，则会引起输入端\输出端MOS器件的栅氧化层发生击穿现象，从而造成芯片功能的失效。
由于SCR结构具有很低的维持电压，并且内部存在正反馈回路，因此，SCR结构具有很强的ESD电流泄放能力，在ESD防护领域成为了主流的防护结构。
如图1～4所示，一种CMOS工艺下的SCR结构，该SCR在一个方向上的触发电压较高，触发后以SCR的形式工作，而在另一方向的触发电压较低(一般为正向二极管的导通电压)，因此该SCR结构难以适用于一些混合电压接口电路的ESD防护(如RS232等)。
发明内容
本发明提供了一种基于BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺下的PNPNP型双向可控硅，该可控硅在两个方向上具有相同的较高的触发电压。
一种PNPNP型双向可控硅，包括P型衬底，所述的P型衬底内设有N型埋层，N型埋层上注有P阱，P阱侧面和P型衬底之间注有与P阱结深相同的环形的N阱，P阱内注有第一N型漂移区和第二N型漂移区，第一N型漂移区内设有第一P+注入区和第一N+注入区，第二N型漂移区内设有第二P+注入区和第二N+注入区，P型衬底、N阱和P阱上均覆有氧化隔离层。
优选地，所述的第一P+注入区和第二P+注入区位于内侧，其SCR结构的鲁棒性性能更佳。
N型漂移区一般是在高压器件LDNMOS(横向双扩散NMOS)中用于实现LDNMOS的漏端漂移区的，N型漂移区的掺杂浓度一般大于N阱的掺杂浓度而小于N+注入区的掺杂浓度，N型漂移区结深(纵向深度)要比N+注入区和P+注入区的结深更深而比N阱以及P阱的结深要浅。
本发明PNPNP型双向SCR结构实现工艺与业界常用的BCD工艺兼容，由于该PNPNP型双向SCR结构具有较高并且对称的正反向击穿电压(触发电压)，因此更适用于一些混合电压接口电路(如输入信号0～5V，电源电压0～12V)或不同电源域间(电源电压VDD1为3.3V，电源电压VDD2为5V)的ESD防护应用。
附图说明
图1为现有CMOS工艺下的SCR纵向剖面图；
图2为图1所示SCR的等效电路图；
图3为图1所示SCR寄生单元示意图；
图4为图1所示SCR的实现版图；
图5为本发明SCR的纵向剖面图；
图6为图5所示的SCR的等效电路图；
图7为图5所示SCR寄生单元示意图；
图8为图5所示SCR的实现版图。
具体实施方式
如图5所示，一种PNPNP型双向可控硅，包括P型衬底50，P型衬底50呈敞口型，敞口底面设有N型埋层51，N型埋层上注有P阱53，P阱53的侧面与P型衬底之间设有环形的N阱52，N阱52和P阱53的结深相同，将P阱53与P型衬底50完全隔离。
P阱内注有对称的N型漂移区54a和N型漂移区54b，N型漂移区54a内注有P+注入区56和N+注入区55，N型漂移区54b内注有P+注入区57和N+注入区58，其中P+注入区57、P+注入区56位于内侧，同时P型衬底50、N阱52和P阱53上覆有氧化隔离层59。
N型漂移区54a和N型漂移区54b的结深介于P阱和P+注入区之间，其掺杂浓度高于N阱的掺杂浓度而低于N+注入区的掺杂浓度。
如图7所示，上述双向可控硅寄生了PNP型双极型晶体管Q1、PNP型双极型晶体管Q2、NPN型双极型晶体管Q3、N型漂移区电阻Rng1和N型漂移区电阻Rng2。
P+注入区56、N型漂移区54a、P阱53分别充当PNP型双极型晶体管Q1的发射极、基极和集电极；N型漂移区54a、P阱53、N型漂移区54b分别充当NPN型双极型晶体管Q3的集电极、基极和发射极；P阱53、N型漂移区54b、P+注入区57分别充当PNP型双极型晶体管Q2的集电极、基极和发射极。P+注入区56和N+注入区55相连接构成连接端子510，P+注入区58和N+注入区57相连接构成连接端子511。
PNP型双极型晶体管Q1和NPN型双极型晶体管Q3构成SCR1，PNP型双极型晶体管Q2和NPN型双极型晶体管Q3构成SCR2，其等效电路如6所示。
上述SCR工作原理如下：
使用时，上述SCR的两个连接端子连接于芯片的任意两个引脚，当ESD事件发生在连接端子510，而电极连接端子511接地时，ESD电流在电极连接端子510上产生的电压会导致N型漂移区54a和P阱53间构成的反向PN结发生雪崩击穿，当雪崩击穿产生的载流子在N型漂移区电阻63上产生的压降达到P+注入区域56和N型漂移区54a所构成的正向二极管的开启电压时(如0.7V)，寄生的SCR1开启并将连接端子510上的电压维持在一个较低的电位，此时ESD电流通过寄生的SCR1来泄放。
当ESD事件发生在电极连接端子511，而电极连接端子510接地时，ESD电流在电极连接端子511上产生的电压会导致N型漂移区54b和P阱53间构成的反向PN结发生雪崩击穿，当雪崩击穿产生的载流子在N型漂移区电阻64上产生的压降达到P+注入57和N型漂移区54b所构成的正向二极管的开启电压时(如0.7V)，寄生的SCR2开启并将电极连接端子511上的电压维持在一个较低的电位，此时ESD电流通过寄生的SCR2来泄放。因此，该PNPNP型双向SCR结构具有对称的I-V(电流-电压)曲线，可以获得对称的ESD防护性能。

Claims (2)

1.一种PNPNP型双向可控硅，包括P型衬底(50)，其特征在于：所述的P型衬底(50)内设有N型埋层(51)，N型埋层上注有P阱(53)，P阱(53)侧面和P型衬底(50)之间注有与P阱(53)结深相同的环形的N阱(52)，P阱(53)内注有第一N型漂移区(54a)和第二N型漂移区(54b)，第一N型漂移区(54a)内设有第一P+注入区(56)和第一N+注入区(55)，第二N型漂移区(54b)内设有第二P+注入区(57)和第二N+注入区(58)，P型衬底(50)、N阱(52)和P阱(53)上均覆有氧化隔离层(59)。
2.根据权利要求1所述的PNPNP型双向可控硅，其特征在于：所述的第一P+注入区(56)和第二P+注入(57)区位于内侧。
CN 201010125974 2010-03-17 2010-03-17 一种pnpnp型双向可控硅 Expired - Fee Related CN101807598B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010125974 CN101807598B (zh) 2010-03-17 2010-03-17 一种pnpnp型双向可控硅

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010125974 CN101807598B (zh) 2010-03-17 2010-03-17 一种pnpnp型双向可控硅

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101807598A true CN101807598A (zh) 2010-08-18
CN101807598B CN101807598B (zh) 2011-12-14

Family

ID=42609304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201010125974 Expired - Fee Related CN101807598B (zh) 2010-03-17 2010-03-17 一种pnpnp型双向可控硅

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101807598B (zh)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102034857A (zh) * 2010-10-28 2011-04-27 浙江大学 一种pmos场效应晶体管辅助触发的双向可控硅
CN102082183A (zh) * 2010-10-22 2011-06-01 上海北京大学微电子研究院 用于静电放电保护的器件和***
CN102522404A (zh) * 2011-12-30 2012-06-27 无锡新硅微电子有限公司 低触发电压的双向scr esd保护电路
CN102956632A (zh) * 2011-08-31 2013-03-06 北京中电华大电子设计有限责任公司 一种低寄生电容的双向scr静电放电保护结构
CN102969323A (zh) * 2011-08-31 2013-03-13 索尼公司 固态摄像装置和电子设备
CN103035635A (zh) * 2011-09-29 2013-04-10 无锡华润上华半导体有限公司 静电放电保护装置
CN103137615A (zh) * 2011-11-25 2013-06-05 旺宏电子股份有限公司 高压半导体结构及其操作方法
CN103165681A (zh) * 2011-12-09 2013-06-19 上海华虹Nec电子有限公司 钳位二极管及其制造方法
CN103354229A (zh) * 2013-07-11 2013-10-16 江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司 一种穿通型瞬态电压抑制器
CN103855153A (zh) * 2012-12-07 2014-06-11 中国科学院微电子研究所 一种基于scr的集成电路静电保护器件
CN103985710A (zh) * 2014-05-13 2014-08-13 西安电子科技大学 一种双向scr结构的esd防护器件
CN104241274A (zh) * 2014-08-30 2014-12-24 电子科技大学 一种基于横向pnp结构的双向esd保护器件
CN104733445A (zh) * 2015-03-17 2015-06-24 北京中科新微特科技开发股份有限公司 Esd保护结构、包括该结构的栅控功率器件及制造方法
CN105097798A (zh) * 2014-05-22 2015-11-25 上海北京大学微电子研究院 Esd保护器件结构与***
CN106024779A (zh) * 2016-07-14 2016-10-12 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种双向耐高压的esd保护器件结构
CN106206569A (zh) * 2016-08-12 2016-12-07 电子科技大学 一种基于埋层触发的低触发电压双向scr器件
CN109585288A (zh) * 2013-09-26 2019-04-05 意法半导体(图尔)公司 具有温度稳定特性的scr部件
CN112635458A (zh) * 2020-10-14 2021-04-09 上海华力微电子有限公司 一种硅控整流器及其制造方法
CN113299640A (zh) * 2021-04-27 2021-08-24 西安理工大学 SiGe工艺中基于SCR的ESD防护器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6258634B1 (en) * 1998-06-19 2001-07-10 National Semiconductor Corporation Method for manufacturing a dual-direction over-voltage and over-current IC protection device and its cell structure
US20020079538A1 (en) * 2000-03-30 2002-06-27 Yuan-Mou Su Scr-type electrostatic discharge protection circuit
CN1462479A (zh) * 2001-05-09 2003-12-17 新电元工业株式会社 半导体装置及其制造方法
CN101174629A (zh) * 2006-10-30 2008-05-07 上海华虹Nec电子有限公司 用于cmos静电放电保护的可控硅结构

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6258634B1 (en) * 1998-06-19 2001-07-10 National Semiconductor Corporation Method for manufacturing a dual-direction over-voltage and over-current IC protection device and its cell structure
US20020079538A1 (en) * 2000-03-30 2002-06-27 Yuan-Mou Su Scr-type electrostatic discharge protection circuit
CN1462479A (zh) * 2001-05-09 2003-12-17 新电元工业株式会社 半导体装置及其制造方法
CN101174629A (zh) * 2006-10-30 2008-05-07 上海华虹Nec电子有限公司 用于cmos静电放电保护的可控硅结构

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102082183A (zh) * 2010-10-22 2011-06-01 上海北京大学微电子研究院 用于静电放电保护的器件和***
CN102034857B (zh) * 2010-10-28 2011-12-14 浙江大学 一种pmos场效应晶体管辅助触发的双向可控硅
CN102034857A (zh) * 2010-10-28 2011-04-27 浙江大学 一种pmos场效应晶体管辅助触发的双向可控硅
CN102956632B (zh) * 2011-08-31 2016-09-14 北京中电华大电子设计有限责任公司 一种低寄生电容的双向scr静电放电保护结构
CN102956632A (zh) * 2011-08-31 2013-03-06 北京中电华大电子设计有限责任公司 一种低寄生电容的双向scr静电放电保护结构
CN102969323A (zh) * 2011-08-31 2013-03-13 索尼公司 固态摄像装置和电子设备
CN103035635B (zh) * 2011-09-29 2016-05-11 无锡华润上华半导体有限公司 静电放电保护装置
CN103035635A (zh) * 2011-09-29 2013-04-10 无锡华润上华半导体有限公司 静电放电保护装置
CN103137615B (zh) * 2011-11-25 2015-09-30 旺宏电子股份有限公司 高压半导体结构及其操作方法
CN103137615A (zh) * 2011-11-25 2013-06-05 旺宏电子股份有限公司 高压半导体结构及其操作方法
CN103165681A (zh) * 2011-12-09 2013-06-19 上海华虹Nec电子有限公司 钳位二极管及其制造方法
CN103165681B (zh) * 2011-12-09 2015-12-02 上海华虹宏力半导体制造有限公司 钳位二极管及其制造方法
CN102522404B (zh) * 2011-12-30 2013-09-18 无锡新硅微电子有限公司 低触发电压的双向scr esd保护电路
CN102522404A (zh) * 2011-12-30 2012-06-27 无锡新硅微电子有限公司 低触发电压的双向scr esd保护电路
CN103855153A (zh) * 2012-12-07 2014-06-11 中国科学院微电子研究所 一种基于scr的集成电路静电保护器件
CN103354229A (zh) * 2013-07-11 2013-10-16 江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司 一种穿通型瞬态电压抑制器
CN103354229B (zh) * 2013-07-11 2016-04-27 江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司 一种穿通型瞬态电压抑制器
CN109585288B (zh) * 2013-09-26 2022-01-07 意法半导体(图尔)公司 具有温度稳定特性的scr部件及其制作方法
CN109585288A (zh) * 2013-09-26 2019-04-05 意法半导体(图尔)公司 具有温度稳定特性的scr部件
CN103985710A (zh) * 2014-05-13 2014-08-13 西安电子科技大学 一种双向scr结构的esd防护器件
CN103985710B (zh) * 2014-05-13 2016-07-06 西安电子科技大学 一种双向scr结构的esd防护器件
CN105097798A (zh) * 2014-05-22 2015-11-25 上海北京大学微电子研究院 Esd保护器件结构与***
CN104241274B (zh) * 2014-08-30 2017-09-29 电子科技大学 一种基于横向pnp结构的双向esd保护器件
CN104241274A (zh) * 2014-08-30 2014-12-24 电子科技大学 一种基于横向pnp结构的双向esd保护器件
CN104733445B (zh) * 2015-03-17 2017-12-29 北京中科新微特科技开发股份有限公司 Esd保护结构、包括该结构的栅控功率器件及制造方法
CN104733445A (zh) * 2015-03-17 2015-06-24 北京中科新微特科技开发股份有限公司 Esd保护结构、包括该结构的栅控功率器件及制造方法
CN106024779A (zh) * 2016-07-14 2016-10-12 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种双向耐高压的esd保护器件结构
CN106024779B (zh) * 2016-07-14 2018-12-21 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种双向耐高压的esd保护器件结构
CN106206569A (zh) * 2016-08-12 2016-12-07 电子科技大学 一种基于埋层触发的低触发电压双向scr器件
CN106206569B (zh) * 2016-08-12 2019-05-10 电子科技大学 一种基于埋层触发的低触发电压双向scr器件
CN112635458A (zh) * 2020-10-14 2021-04-09 上海华力微电子有限公司 一种硅控整流器及其制造方法
CN112635458B (zh) * 2020-10-14 2024-04-30 上海华力微电子有限公司 一种硅控整流器及其制造方法
CN113299640A (zh) * 2021-04-27 2021-08-24 西安理工大学 SiGe工艺中基于SCR的ESD防护器

Also Published As

Publication number Publication date
CN101807598B (zh) 2011-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101807598B (zh) 一种pnpnp型双向可控硅
CN108701693B (zh) 用于静电放电保护的嵌入式pmos触发可控硅整流器
CN103378092B (zh) 双向静电放电(esd)保护器件
CN103456731B (zh) 精密收发器的低电压保护设备及其形成方法
KR101975608B1 (ko) 고전압용 esd 트랜지스터 및 그 정전기 보호 회로
US7732834B2 (en) Semiconductor ESD device and method of making same
CN101834433B (zh) 一种基于互补型scr的静电放电防护电路
CN103633087B (zh) 一种具有esd保护功能的强抗闩锁可控ligbt器件
CN104167414A (zh) 双槽区结隔离型电压钳位器件及其形成方法
CN102034858A (zh) 一种用于射频集成电路静电放电防护的双向可控硅
CN102142440B (zh) 一种可控硅器件
US20070020818A1 (en) ESD protection device in high voltage and manufacturing method for the same
US8703547B2 (en) Thyristor comprising a special doped region characterized by an LDD region and a halo implant
US10497696B2 (en) Electrostatic discharge protection circuit with a bi-directional silicon controlled rectifier (SCR)
CN100463177C (zh) 低触发电压硅控整流器和其电路
CN102569360A (zh) 一种基于二极管辅助触发的双向可控硅器件
CN107799517A (zh) 用于半导体结构的esd装置
CN104269440B (zh) 堆栈式n型晶体管以及静电保护电路
CN110047921A (zh) 双向可控硅结构
CN104716132A (zh) 一种低触发电压和高维持电压的硅控整流器及其电路
CN106653736A (zh) Esd保护电路及其半导体器件
CN104409454A (zh) 一种nldmos防静电保护管
US10163888B2 (en) Self-biased bidirectional ESD protection circuit
CN104143549B (zh) 一种静电释放保护电路版图及集成电路
CN103515379B (zh) 无受闩锁影响的esd保护

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20111214

Termination date: 20150317

EXPY Termination of patent right or utility model