CN101803033A - 含锡酸镉的透明导电材料 - Google Patents

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Abstract

一种光伏电池可包括透明导电层，该透明导电层包括锡酸镉。

Description

含锡酸镉的透明导电材料
本申请要求于2008年5月1日提交的第61/049,602号美国临时专利申请、于2008年7月24日提交的第61/083,317号美国临时专利申请和于2009年2月25日提交的第61/155,307号美国临时专利申请的优先权，这些美国临时专利申请通过引用被完全包含于此。
技术领域
本发明涉及透明导电材料。
背景技术
在光伏器件的制造过程中，可以将多层半导体材料涂覆到基底，一层半导体材料作为窗口层，第二层半导体材料作为吸收层。窗口层可允许太阳辐射透过到达吸收层，在吸收层光能被转化为电能。一些光伏器件可以使用透明的薄膜，所述透明的薄膜也是电荷的导体。导电薄膜可包括透明导电层，透明导电层含有透明导电氧化物(TCO)，例如掺杂氟的氧化锡、掺杂铝的氧化锌或者氧化铟锡。TCO可以让光通过半导体窗口层到达活性的光吸收材料，还可以作为用来传输离开光吸收材料的光生载荷子的欧姆接触件。后电极可以形成在半导体层的后表面上。后电极可包含导电材料，例如金属银、镍、铜、铝、钛、钯、铬、钼或者它们任意可用的组合。
发明内容
总的说来，一种导电材料可包含透明导电氧化物，所述透明导电氧化物包含镉、锡和氧，其中，镉的浓度按重量计大于67％。按总金属含量的重量百分比来计算镉的百分数。例如，Cd重量/(Cd重量+Sn重量)×100＝67％(重量)。
在某些情况下，光伏器件可包括在基底上的透明导电层，透明导电层包括锡酸镉，其中镉的浓度按重量计大于67％，大于70％，大于72％，小于78％，小于76％，小于74％，在72％和67％之间或在70％和72％之间。
在其他情况中，光伏器件可包括在基底上的透明导电层，透明导电层包括锡酸镉，其中镉的浓度按重量计大于67％，大于70％，大于72％，小于80％，小于78％，小于76％，在75％和67％之间或在70％和75％之间。
光伏器件可具有大于0.9的品质因数，所述品质因数是1/((平均吸收率*薄层电阻)的平方根)，平均吸收率是针对350-850纳米的波长间隔求平均的吸收率。该器件还可包括在透明导电层上的半导体层。以百分数为单位测量平均吸收率，即0表示吸收率为0％，0.5表示50％的吸收率，1表示100％的吸收率。以欧姆平方为单位测量薄层电阻。因此，提供的品质因数的单位为1/欧姆平方。
在某些情况中，光伏器件可包括在基底上的透明导电层，透明导电层包括锡酸镉，镉和锡的比大于大约2.15∶1，大于大约2.2∶1或小于大约2.4∶1。
在其他情况下，光伏器件可包括在基底上的透明导电层，透明导电层包括锡酸镉，镉和锡的比大于大约2.15∶1，大于大约2.2∶1或大于大约2.4∶1，小于大约2.6∶1，或小于大约3∶1。
在某些情况下，一种制造透明导电材料的方法包括在材料表面上沉积锡酸镉的步骤，锡酸镉中镉的浓度按重量计大于67％。沉积锡酸镉的步骤可包括从合金靶溅射锡酸镉膜，该合金靶包含镉和锡，其中合金靶中镉的浓度按重量计大于67％，大于70％，大于72％，小于78％，小于76％，小于74％，在72％和67％之间，在70％和72％之间。
在其他情况下，一种制造透明导电材料的方法包括在材料表面上沉积锡酸镉的步骤，锡酸镉中镉的浓度按重量计大于67％。沉积锡酸镉的步骤包括从合金靶溅射锡酸镉膜，该合金靶包含镉和锡，其中合金靶中镉的浓度按重量计大于67％，大于70％，大于72％，小于80％，小于78％，小于76％，在75％和67％之间，在70％和75％之间。
在其他情况下，制造光伏电池的方法可包括在基底上设置第一半导体层，基底具有表面；在基底的所述表面上设置透明导电层，其中，该透明导电层包括锡酸镉，镉的浓度按重量计大于70％。
透明导电氧化物或透明导电层具有大于0.9的品质因数，所述品质因数是1/((平均吸收率*薄层电阻)的平方根)，平均吸收率是针对350-850纳米的波长间隔求平均的吸收率。
要求保护的方法可以包括通过溅射、通过化学气相沉积、旋涂、喷涂、浸涂来沉积或设置透明导电层。该方法还可以包括在第一半导体层上设置第二半导体层。
一种制造光伏电池的方法可包括在基底上设置第一半导体层，基底具有表面；在基底的所述表面上设置透明导电层，其中，该透明导电层包括锡酸镉，其中镉和锡的比大于2.15∶1，大于2.2∶1或大于2.4∶1。该方法还可以包括在第一半导体层上设置第二半导体层。
在其他情况下，一种制造光伏电池的方法还可包括在基底上设置第一半导体层，基底具有表面；在基底的所述表面上设置透明导电层，其中，该透明导电层包括锡酸镉，其中镉和锡的比大于2.15∶1，大于2.2∶1，大于2.4∶1，小于2.6∶1或小于3∶1。该方法还可包括在第一半导体层上设置第二半导体层。可以通过溅射来沉积透明导电层。溅射工艺可包括将材料(例如原子)驱出金属靶、镉靶、锡靶或同时包含镉和锡的靶，或者从金属靶、镉靶、锡靶或同时包含镉和锡的靶喷射材料(例如原子)。靶可以是管或板。
在某些情况下，溅射钯可包含以大于2.15∶1，大于2.2∶1，大于2.4∶1，小于2.6∶1或小于3∶1的重量比基本上均匀地分布在靶内的镉和锡。可通过将镉和锡制造成管形，将镉和锡铸造成套管的形状并将它们焊接在一起，包括压制(例如等静压制)的粉末冶金，缠绕线或热喷射来制造溅射靶。
在附图和下面的描述中阐述了一个或多个实施例的细节。根据这些描述和附图以及权利要求书，其他特征、目的和优点将变得清楚。
附图说明
图1是基底上的透明导电材料的示意图。
图2是具有多层的光伏器件的示意图。
图3是第一组实验用样品的图表，该图表示出了与透明导电材料的金属百分数的相关的品质因数。
图4是第二组实验用样品的图表，该图表示出了与透明导电材料的金属百分数的相关的品质因数。
图5是示出了透明导电材料的金属百分数的X射线光电子能谱(XPS)分析的图表。
具体实施方式
参照图1，透明导电层21可被沉积在基底20的表面上。透明导电层包括透明导电材料。透明导电材料可包括宽带隙半导体，所述宽带隙半导体可被较高水平地掺杂，并可被制造成表现出良好透光性和导电性的薄膜。例如，透明导电材料可以是锡酸镉。在一个示例中，锡酸镉可以从锡酸镉靶得到，其中锡酸镉靶中镉的浓度按重量计可大于67％，大于70％，小于80％，小于78％，小于76％，在67％和75％之间，或者在70％和75％之间。
形成透明导电层的方法可包括将金属(例如锡酸镉)膜沉积到透明基底上的步骤。例如，金属膜可以由溅射、化学气相沉积、旋涂、喷涂或浸涂来形成。在一个示例中，基本上非晶的锡酸镉的层可以通过适当的技术(如溅射)沉积到适当的透明基底上(例如，玻璃或钠钙玻璃)。溅射靶可以由镉和锡按最终的锡酸镉材料中期望的比混合来制成。在另一个示例中，可以通过将基底浸到由镉化合物和锡化合物得到的含镉和锡的反应物溶液中来形成金属膜。在又一示例中，可以通过喷涂或旋涂将锡酸镉沉积到玻璃基底上。将锡酸镉膜沉积到透明基底上的方法已经在美国专利6,221,495、6,137,048、5,922,142、4,229,491和4,048,372中描述过，通过参考完全包含上述每一篇美国专利。
在沉积锡酸镉膜之后，可以将其他不同导电类型的半导体材料沉积在锡酸镉膜上用作器件中的半导体。参照图2，光伏器件10可包括基底100上的透明导电层110、第一半导体层120和第二半导体层140，第一半导体层120是位于透明导电层上方的第一半导体层，第二半导体层140是位于第一半导体层和后金属接触件150之间的第二半导体层。例如，透明导电层可包括诸如镉的金属或锡酸镉，锡酸镉可具有在氢氟酸和盐酸中容易蚀刻的优点。透明导电层中金属的浓度沿着透明导电层的长度而变化。例如，镉的重量百分数浓度可以大于67％，大于70％，小于80％，小于78％，小于76％，在67％和75％之间或在70％和75％之间。
参照图3，示出了第一组实验用锡酸镉TCO样品的曲线图，该曲线图描绘出被定义的品质因数与镉重量百分数。用绘制成菱形和方形的点来表示样品，菱形点表示的样品具有图3中所反映的相应的镉的重量百分数，并且通过反应溅射在56％的氧环境中形成。方形的点表示的样品具有图3中所反映的相应的镉的重量百分数，并且通过反应溅射在58％的氧环境中形成。如图3所示，两种氧浓度中一种或两种的样品显示出高于基线的品质因数，基线是不含镉的TCO涂覆的玻璃(用三角形的点来表示)。例如，当镉的浓度大于67％，大于70％，小于80％，小于78％，小于76％，在67％和75％之间或者在70％和75％之间时或当镉和锡的重量比变得大于大约2.15∶1，大于大约2.2∶1，大于大约2.4∶1，小于大约2.6∶1或小于大约3∶1时，观察到升高的品质因素值。
从光吸收数据可以得出品质因数等于1/((平均吸收率*薄层电阻)的平方根)，其中针对350-850纳米的波长间隔计算平均吸收率。因此，对于具有上述镉浓度的样品来说，载流子浓度的清楚的最大值和膜电阻的清楚的最小值是显而易见的。利用从跨过透明导电层的“1×1”样品获取的X射线光电子能谱来测量镉的浓度。参照图4，对于第二组实验用锡酸镉TCO样品，示出了第二个曲线图，该曲线图描绘出被定义的品质因数与镉重量百分数。用绘制成菱形和方形的点来表示样品，如上所述。如图4所示，两种氧浓度中一种或两种的样品显示出高于基线的品质因数，基线是不含镉的TCO涂覆的玻璃(用三角形的点来表示)。例如，当镉的浓度为大约63wt％到大约71wt％时，观察到品质因数预料不到的提高，当镉的浓度为大约67wt％到大约70wt％时，观察到品质因数具有局部最大值。这等同于镉和锡的比为大约2.03∶1到2.33∶1。镉和锡的比为大约2.05∶1到大约2.30∶1。
得到品质因数等于1/((平均吸收率*薄层电阻)的平方根)，其中针对波长范围为350-850纳米的波长间隔计算平均吸收率。因此，对于具有上述镉浓度的样品来说，载流子浓度的清楚的最大值和膜电阻的清楚的最小值是显而易见的。
参照图5，示出了分级的锡酸镉靶的X射线光电子能谱分析。
作为示例，第一半导体层可以为CdS层，第二半导体层可以为CdTe层。然而，可使用不同导电类型的半导体材料的任何适合的组合。透明导电层可沉积在前接触件和第一半导体层之间，并且可具有足够高的电阻率来减少第一半导体层中的针孔(pinholes)效应。第一半导体层中的针孔会导致在第二半导体层和第一接触件之间形成分流(shunt formation)，导致围绕针孔的局部场上形成漏(drain)。该通道的电阻的小幅度的增加可以显著地减小受分流影响的区域。
溅射工艺经常被用于沉积金属薄膜，如透明导电层。当通过溅射利用金属氧化物制备化合物薄膜时，靶中金属氧化物中的化合物的重量百分数与沉积膜中的化合物的重量百分数成正比。
在一个示例中，可以通过将靶溅射到基底上来制备锡酸镉膜，该锡酸镉膜可包含化学计量的金属氧化物，例如氧化锡和氧化镉。溅射可以在氧中进行，所述氧基本上没有可与存在的金属氧化物反应的杂质。例如，在反应溅射过程中，最佳的氧浓度可为例如56％-58％。溅射可以在室温下执行。溅射工艺可包括从金属靶、镉靶、锡靶或包含镉和锡的靶喷射材料(例如原子)或者将材料(例如原子)驱出金属靶、镉靶、锡靶或包含镉和锡的靶。靶可以是管或板。因为通过溅射进行沉积，所以透明导电层基本上是非晶态的。本领域技术人员清楚的是，利用较薄的膜获得较高的透光率，利用较厚的膜获得较低的薄层电阻率。申请人已经发现改变膜中金属氧化物的浓度产生了最大的载流子浓度和最小的膜电阻率，因此增加了导电率。
在一个示例中，溅射靶可包含以大于2.15∶1，大于2.2∶1，大于2.4∶1，小于2.6∶1或小于3∶1的重量比基本上均匀地分布在靶中的镉和锡。溅射靶可包含重量比是大约2.03∶1到大约2.33∶1的镉和锡。溅射靶可包含重量百分比是大约2.05∶1到大约2.30∶1的镉和锡。溅射靶可以是利用任何合适的溅射工具、机器、设备或***通过任何工艺并按任何适于应用的形状、组成或结构而制造、形成和/或成形的镉和锡。
可通过铸造冶金法来制造溅射靶。可以由镉、由锡或由镉和锡来制造溅射靶。镉和锡在同一靶中可以按照化学计量的合适的量存在。溅射靶可以以任何合适的形状被制造成单片。溅射靶可以是管。可通过将金属材料铸造成任何合适的形状(例如管形)来制造溅射靶。
可以由不止一片来制造溅射靶。可以由不止一片金属(例如一片镉和一片锡)来制造溅射靶。可以按照任何合适的形状(例如套管)制造镉和锡，并且可以按照任何合适的方式或结构结合或连接镉和锡。例如，可将一片镉和一片锡焊接在一起来形成溅射靶。一个套管可以位于另一个套管内。
可以通过粉末冶金来制造溅射靶。可以通过将金属粉末(例如镉或锡粉末)压实而形成靶来形成溅射靶。金属粉末可以通过任何合适的工艺(例如，诸如等静压制的压制)并按照任何合适的形状将金属粉末压实。压实可以在任何适合的温度下进行。溅射靶可以由包括不止一种金属粉末(例如，镉和锡)的金属粉末形成。不止一种金属粉末可以以化学计量的合适的量存在。
可以通过邻近基体设置包含靶材料的线来制造溅射靶。例如，含有靶材料的线可以缠绕基体管。所述线可包括以化学计量的合适的量存在的多种金属(例如镉和锡)。基体管可由将不被溅射的材料形成。所述线可被按压(例如，通过等静压制)。
可以通过将靶材料喷射到基体上来制造溅射靶。可以通过任何合适的喷射工艺(包括热喷射和等离子体喷射)来喷射金属靶材料。金属靶可包含以化学计量的合适的量存在的多种金属(例如镉和锡)。在其上喷射的金属靶材料的基体可以是管。
光伏电池可以具有多层。所述多层可包括底层、覆盖层、窗口层、吸收层和顶层，所述底层可以是透明导电层。可以用单独的沉积气体供应部和真空密封沉积室在生产线的不同的沉积站沉积每层，其中，所述单独的沉积气体供应部和真空密封沉积室根据需要处于每个站上。可以通过辊式传送机将基底从一个沉积站传送到另一个沉积站，直到沉积完所有的期望的层。可以使用诸如溅射的其他技术来添加另外的层。导电体可分别连接到顶层和底层以收集当太阳能传入到吸收层上时产生的电能。可将顶基底层放置在顶层的顶部上，从而形成夹层结构并完成光伏电池。
底层可以为透明导电层，例如可以是透明导电氧化物，如氧化锡或掺杂有氟的氧化锡。半导体层在高温下直接沉积在透明导电氧化物层上会引起对光伏器件的性能和稳定性有消极影响的反应。沉积具有高化学稳定性的材料(例如二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、三氧化二硼和其他类似的物质)的覆盖层可以显著减小这些反应对装置性能和稳定性的影响。因为使用的材料的电阻率高，所以覆盖层的厚度应该被最小化。否则，会出现与期望的电流相反的电阻阻滞。覆盖层可通过填充表面的不规则性(irregularities)来减少透明导电氧化物层的表面粗糙度，这可以有助于窗口层的沉积并且可使窗口层具有较薄的横断面，减小的表面粗糙度可有助于提高窗口层的均匀性。在光伏电池中包括覆盖层的其他优点可包括提高光学清晰度，提高带隙一致性，提供结处更好的场强度以及提供更好的以开路电压损失来衡量的器件效率。例如，覆盖层已经在美国专利公开20050257824中被描述过，通过引用完全包含该美国专利公开。
例如，窗口层和吸收层可包括二元半导体，例如II-VI族、III-V族或IV族半导体，例如ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgO、MgS、MgSe、MgTe、HgO、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb或它们的混合物。窗口层和吸收层的示例可以是被CdTe所涂覆的CdS层。顶层可覆盖半导体层。例如，顶层可包括金属，如铝、钼、镍、钛、钨，或者它们的合金。
例如，第5,248,349、5,372,646、5,470,397、5,536,333、5,945,163、6,037,241和6,444,043号美国专利中描述了在制造光伏器件的过程中沉积各种层，通过引用完全包含每篇美国专利。沉积可以涉及蒸气从源到基底的传输或密闭***中固体的升华。制造光伏电池的设备可包括传送机，例如带有辊的传送机。其他类型的传送机是可以的。传送机将基底传输到用于在基底的暴露表面上沉积材料层的一系列的沉积站中的一个或多个中。美国临时申请11/692,667中描述了传送机，通过引用完全包含该申请。
沉积室可以被加热成达到不小于大约450℃且不大于大约700℃的处理温度，例如，温度的范围可为450-550℃、550-650℃、570-600℃、600-640℃或者为大于450℃小于大约700℃的任何其他范围。沉积室包括连接到沉积蒸气供应部的沉积分布器。分布器可以被连接到用于沉积多个层的多个蒸气供应部，或者可以移动基底，使基底通过具有自己的蒸气分布器和供应部的多个沉积站。分布器可以是喷嘴的形式，其中，通过改变喷嘴的几何形状来促进蒸气供给的均匀分布。
光伏电池的底层可以是透明导电层。薄的覆盖层可位于透明导电层的顶部并至少部分地覆盖透明导电层。沉积的下一层是第一半导体层，第一半导体层可用作窗口层。并且根据透明导电层和覆盖层的用途第一半导体层可以更薄。沉积的下一层是第二半导体层，第二半导体层用作吸收层。其他层(例如包含掺杂物的层)，可以在整个制造过程中根据需要而沉积或另外地放置在基底上。
透明导电层可以是可掺杂有例如氟的透明导电氧化物，例如金属氧化物，(如氧化锡)。该层可以沉积在前接触件和第一半导体层之间，并且可具有足够高的电阻率来减少第一半导体层中的针孔效应。第一半导体层中的针孔会导致在第二半导体层和第一接触件之间形成分流，导致围绕针孔的局部场上形成漏。该通道的电阻的小幅度的增加可以显著地减小受分流影响的区域。
可设置覆盖层来提供电阻的所述增加。覆盖层可以是非常薄的具有高化学稳定性的材料层。覆盖层与具有相同厚度的半导体材料即相当厚度的半导体材料相比具有更高的透明度。适合用作覆盖层的材料的示例包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、三氧化二硼和其他类似的物质。覆盖层还可以用来将透明导电层与第一半导体层电学地和化学地隔离，来防止在高温下发生的会对性能和稳定性产生消极影响的反应。覆盖层还可提供导电表面，该导电表面可以更适于接受第一半导体层的沉积。例如，覆盖层可以提供具有降低的表面粗糙度的表面。
第一半导体层可以用作用于第二半导体层的窗口层。第一半导体层可比第二半导体层更薄。因为更薄，所以第一半导体层可允许更短波长的入射光更大程度地透过到达第二半导体层。
例如，第一半导体层可以是II-VI族、III-V族或IV族半导体，例如ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgO、MgS、MgSe、MgTe、HgO、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb或它们的混合物。第一半导体层可以是二元半导体，例如可以是CdS。第二半导体层可沉积到第一半导体层上。当第一半导体层作为窗口层时，第二半导体层可用作入射光的吸收层。和第一半导体层类似，例如第二半导体层也可以是II-VI族、III-V族或IV族半导体，例如ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgO、MgS、MgSe、MgTe、HgO、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb或它们的混合物。
已经描述了许多实施例。然而，应当理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可做出各种修改。例如，半导体层可包括各种其他的材料，只要这些材料可以用于缓冲层和覆盖层即可。另外，装置在第二半导体层和后金属电极之间可包含界面层，以减少第二半导体层和后电极之间的界面上的电阻损失和复合(recombination)损失。因此，其他实施例在权利要求的范围之内。

Claims (52)

1.一种导电材料，所述导电材料包括透明导电氧化物，所述透明导电氧化物包含镉、锡和氧，其中，镉的浓度按重量计大于大约67％。
2.如权利要求1所述的导电材料，所述导电材料包括锡酸镉，其中镉和锡的比大于大约2.03∶1，并小于大约3∶1。
3.如权利要求2所述的导电材料，其中，镉和锡的比是大约2.05∶1到大约2.3∶1。
4.一种光伏器件，所述光伏器件包括位于基底上的透明导电层，所述透明导电层包括锡酸镉，其中镉的浓度按重量计为大约67％至大约75％。
5.如权利要求1所述的导电材料，其中，镉的浓度按重量计为大约67％至大约70％。
6.如权利要求4所述的光伏器件，其中，透明导电氧化物具有大于0.9的品质因数，所述品质因数是1/((平均吸收率*薄层电阻)的平方根)，平均吸收率是针对350-850纳米的波长间隔求平均的吸收率。
7.如权利要求4中所述的光伏器件，所述光伏器件还包括位于透明导电层上的半导体层。
8.如权利要求4中所述的光伏器件，其中，镉和锡的比是大约2.03∶1到大约3.0∶1。
9.如权利要求8中所述的光伏器件，其中，镉和锡的比是大约2.03∶1到大约2.3∶1。
10.一种光伏电池的制造方法，所述方法包括以下步骤：
在基底上设置第一半导体层，基底具有表面；
在基底的所述表面上设置透明导电层，其中，所述透明导电层包括锡酸镉，镉的浓度按重量计为大约67％至大约75％。
11.如权利要求10所述的方法，其中，镉的浓度按重量计为大约67％至大约70％。
12.如权利要求10所述的方法，其中，透明导电氧化物具有大于0.9的品质因数，所述品质因数是1/((平均吸收率*薄层电阻)的平方根)，平均吸收率是针对350-850纳米的波长间隔求平均的吸收率。
13.如权利要求10所述的方法，所述方法还包括在第一半导体层上设置第二半导体层。
14.如权利要求10所述的方法，其中，镉和锡的比是大约2.03∶1到大约3.0∶1。
15.如权利要求14所述的方法，其中，镉和锡的比是大约2.05∶1到大约2.3∶1。
16.如权利要求14所述的方法，其中，透明导电氧化物具有大于0.9的品质因数，所述品质因数是1/((平均吸收率*薄层电阻)的平方根)，平均吸收率是针对350-850纳米的波长间隔求平均的吸收率。
17.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括通过溅射来设置所述透明导电层。
18.如权利要求17所述的方法，其中，所述溅射包括从金属靶喷射材料。
19.如权利要求17所述的方法，其中，所述溅射包括从镉靶喷射材料。
20.如权利要求17所述的方法，其中，所述溅射包括从锡靶喷射材料。
21.如权利要求17所述的方法，其中，所述溅射包括从包含镉和锡的靶喷射材料。
22.如权利要求21所述的方法，其中，靶包括管。
23.如权利要求21所述的方法，其中，靶包括板。
24.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括通过化学气相沉积来设置所述透明导电层。
25.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括通过旋涂来设置所述透明导电层。
26.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括通过喷涂来设置所述透明导电层。
27.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括通过浸涂来设置所述透明导电层。
28.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括在第一半导体层上设置第二半导体层。
29.一种基本由镉和锡组成的溅射靶，其中，镉和锡的重量比为大约2.03∶1到大约3.0∶1，且镉和锡基本均匀地分布在靶内。
30.如权利要求29所述的溅射靶，其中，通过将镉和锡铸造成单片管的形状来制造所述溅射靶。
31.如权利要求29所述的溅射靶，其中，通过将镉和锡铸造成套管的形状并将它们焊接在一起来制造所述溅射靶。
32.如权利要求29所述的溅射靶，其中，利用等静压制通过粉末冶金来制造所述溅射靶。
33.如权利要求29所述的溅射靶，其中，通过缠绕线来制造所述溅射靶。
34.如权利要求29所述的溅射靶，其中，通过热喷涂来制造所述溅射靶。
35.一种制造溅射靶的方法，所述方法包括使镉和锡基本上分布在所述溅射靶内。
36.如权利要求35所述的方法，其中，使镉和锡基本上分布在所述溅射靶内的步骤包括按照化学计量来分布镉和锡。
37.如权利要求35所述的方法，所述方法还包括将镉和锡放在模具中的步骤。
38.如权利要求37所述的方法，其中，所述模具被构造成将所述溅射靶铸造成管形。
39.如权利要求35所述的方法，其中，使镉和锡基本上分布在所述溅射靶内的步骤包括形成包含镉的片，形成包含锡的片，连接包含镉的片和包含锡的片，从而形成所述溅射靶。
40.如权利要求39所述的方法，其中，包含镉的片和包含锡的片中的每片通过铸造形成。
41.如权利要求39所述的方法，其中，包含镉的片和包含锡的片被成形为套管。
42.如权利要求39所述的方法，其中，通过焊接来连接包含镉的片和包含锡的片。
43.如权利要求35所述的方法，其中，使镉和锡基本上分布在所述溅射靶内的步骤包括压实镉粉和锡粉以形成所述溅射靶。
44.如权利要求43所述的方法，其中，压实镉粉和锡粉的步骤包括按压镉粉和锡粉。
45.如权利要求44所述的方法，其中，按压镉粉和锡粉的步骤包括对镉粉和锡粉进行等静压制。
46.如权利要求35所述的方法，其中，使镉和锡基本上分布在所述溅射靶内的步骤包括邻近基体设置包含镉和锡的线。
47.如权利要求46所述的方法，其中，邻近基体设置包含镉和锡的线的步骤包括用所述线缠绕所述基体。
48.如权利要求47所述的方法，其中，所述基体包括管。
49.如权利要求46所述的方法，所述方法还包括按压所述线的步骤。
50.如权利要求49所述的方法，其中，按压所述线的步骤包括对所述线进行等静压制。
51.如权利要求35所述的方法，其中，使镉和锡基本上分布在所述溅射靶内的步骤包括将镉和锡喷射到基体上。
52.如权利要求51所述的方法，其中，将镉和锡喷射到基体上的步骤包括热喷射镉和锡。
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