CN101785120B - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有优良的彩色再现性的发光装置。其包含：发光元件；红色荧光体，其由氮化物荧光体构成；绿色荧光体，其由卤代硅酸盐构成，发光光谱具有：440nm以上470nm以下的第一峰值波长、510nm以上550nm以下的第二峰值波长、630nm以上670nm以下的第三峰值波长，上述第二峰值波长和上述第三峰值波长之间的最低相对发光强度值是：上述第二峰值波长的相对发光强度值和上述第三峰值波长的相对发光强度值中较低的一方的值的80％以下。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及一种发光装置，特别是涉及一种含有发光元件、红色荧光体和绿色荧光体且发出白色光的发光装置。 
背景技术
作为具有高的光通量和高的现色性且发出白色光的发光装置，提出了一种下述的发光装置，其具有蓝色半导体发光元件、及由该发光元件发出的光所激励而发光的红色荧光体及绿色荧光体(例如参照专利文献1)。 
这些发光装置中，来自红色系发光成分的发光强度高，广泛应用于照明用途。 
专利文献1：日本特开2007-2796号公报 
但是，白色发光装置的用途多种多样，在上述现有的含有蓝色半导体发光元件(蓝色LED)和红色荧光体及绿色荧光体的发光装置中的彩色再现中性，有不充分的用途。即，作为这样的用途，例如有液晶等图像装置的背光灯。当将上述现有的白色发光装置用于图像装置的背光灯时，将会发生背光灯的彩色再现性不充分，而使得到的图像的彩色再现性不充分到例如NTCS比不足70％。 
发明内容
本发明的目的在于提供一种可用于上述这样的用途的具有优良的彩色再现性的发光装置。 
本发明第一实施是一种发光装置，其特征在于，包含：发光元件；红色荧光体，其由氮化物荧光体构成；绿色荧光体，其由卤代硅酸盐构成，发光光谱具有：440nm以上470nm以下的第一峰值波长、510nm以上550nm以下的第二峰值波长、630nm以上670nm以下的第三峰值波长，上述第二峰值波长和上述第三峰值波长之间的最低相对发光强度值是：上述第二峰 值波长的相对发光强度值和上述第三峰值波长的相对发光强度值中较低的一方的值的80％以下。 
本发明的第二实施方式是一种如第一实施方式所述的发光装置，其特征在于，上述红色荧光体通过Eu被激活，且可用下述通式(I)表示 
M1 wAlxSiyBzN((2/3)w+x+(4/3)y+z):Eu2+……(I) 
在此，M1为选自由Mg、Ca、Sr及Ba组成的群中的至少一种，且0.056≤w≤9、x＝1、0.056≤y≤18、0≤z≤0.5。 
本发明的第三实施方式是一种如第一或者第二实施方式所述的发光装置，其特征在于，上述绿色荧光体可用下述通式(II)表示 
(M2 1-yRy)aMgM3 bM4 cOa+2b+(3/2)cX2……(II) 
在此，M2为选自由Ca、Sr、Ba、Zn及Mn组成的群中的至少一种，M3为选自由Si、Ge及Sn组成的群中的至少一种，M4为选自由B、Al、Ga及In组成的群中的至少一种，X为选自由F、Cl、Br及I组成的群中的至少一种，R为选自以Eu为必须的稀土类元素中的至少一种，且0.0001≤y≤0.3、7.0≤a＜10.0、3.0≤b＜5.0、0≤c＜1.0。 
本发明的第四实施方式是一种如第一或者第二实施方式所述的发光装置，其特征在于，上述绿色荧光体可用下述通式(III)表示 
M5 xEuyMgSizAlwOaXbNc……(III) 
在此，M5为选自由Ca、Sr、Ba、Zn及Mn组成的群中的至少一种，X为选自由F、Cl、Br及I组成的群中的至少一种，且6.5≤x＜8.0、0.01≤y≤2.0、3.7≤z≤4.3、0＜w≤0.5、a＝x+y+1+2z+(3/2)w-b/2-(3/2)c、1.0≤b≤1.9、0≤c≤3.0。 
本发明的第五实施方式是一种如第一～第四实施方式中任一实施方式所述的发光装置，其特征在于，上述红色荧光体的峰值波长和上述绿色荧光体的峰值波长之差为120nm以上。 
本发明的第六实施方式是一种如第一～第五实施方式中任一实施方式所述的发光装置，其特征在于，还包含通过上述发光元件的光所激励而发光的YAG系荧光体，上述绿色荧光体的峰值波长和上述YAG系荧光体的峰值波长之差为30nm以下，上述YAG系荧光体的添加量按重量比计是所有荧光体的添加量的50％以下。 
本发明的第七实施方式是一种如第六实施方式所述的发光装置，其特征在于，上述YAG系荧光体可用下述通式(IV)表示 
M6 3M7 5O12:Ce……(IV) 
在此，M6为选自由稀土类元素组成的群中的至少一种，M7为选自由B、Al、Ga及In组成的群中的至少一种。 
通过以具有规定的发光波长及峰值强度的方式对发光元件和红色荧光体及绿色荧光体进行组合，可得到具有优良的彩色再现性的发光装置。 
附图说明
图1是表示实施例1的发光装置100的发光光谱的图； 
图2是表示本发明的发光装置100的剖面图； 
图3是表示实施例2的发光装置100的发光光谱的图； 
图4是表示实施例3的发光装置100的发光光谱的图； 
图5是表示实施例4的发光装置100的发光光谱的图； 
图6是表示实施例5的发光装置100的发光光谱的图； 
图7是表示实施例6的发光装置100的发光光谱的图； 
图8是表示冷阴极荧光管(CCFL)的发光光谱的图； 
图9是表示现有的白色LED装置的发光光谱的图； 
图10是表示比较例1的发光装置的发光光谱的图； 
图11是表示比较例2的发光装置的发光光谱的图； 
图12是表示比较例3的发光装置的发光光谱的图； 
图13是表示比较例4的发光装置的发光光谱的图； 
图14是表示比较例5的发光装置的发光光谱的图； 
图15是表示比较例6的发光装置的发光光谱的图； 
图16是表示比较例7的发光装置的发光光谱的图； 
图17是表示比较例8的发光装置的发光光谱的图。 
符号说明 
1：发光元件搭载框体 
2：发光元件 
3A：红色荧光体 
3B：绿色荧光体 
4：透光性树脂 
5、7：导电性接合线 
6、8：外部电极 
9：光反射材料 
100：发光装置 
具体实施方式
图1表示详情后述的本发明实施方式(实施例1)的发光装置100的发光光谱特性。图2是表示发光装置100的剖面图，表示本发明的发光装置的构成例。 
图1的发光光谱在波长455nm附近具有主要由发光元件(蓝色LED)2的发光所引起的第一峰值(第一峰值波长)。在波长525nm附近具有第二峰值(第二峰值波长)。该第二峰值波长主要是绿色荧光体3B通过上述蓝色LED2发出的光所激励而发光从而得以产生。此外，在波长660nm附近具有第三峰值(第三峰值波长)。该第三峰值波长主要是红色荧光体3A通过上述蓝色LED2发出的光所激励而发光从而得以产生。 
这样，本发明的发光装置100具有：蓝色LED(发光元件)2、通过蓝色LED2发出的光所激励而发光红色的红色荧光体(红色发光荧光体)3A、及发光绿色的绿色荧光体(绿色发光荧光体)3B。而且，发光装置100根据蓝色LED2和红色荧光体3A及绿色荧光体3B的混色发光而得到如图1所示的发光光谱。 
另外，为了对比，将迄今用于图像显示装置的背光灯的冷阴极荧光管(CCFL)的发光光谱、和由蓝色LED的光与通过该蓝色LED发出的光所激励的YAG(钇铝柘榴石)等荧光体的双色混合构成的发光装置的发光光谱分别示于图8和图9。 
阴极荧光管(CCFL)的发光光谱具有五个尖锐的峰值，该五个尖锐的峰值包含：水银产生的435nm附近的峰值、绿色荧光体产生的545nm附近的主峰值、490nm附近及585nm附近的两个副峰值。另一方面，由双色混合构成的发光装置的发光光谱，峰值仅看到两个，而且阴极荧光管 (CCFL)及由混色构成的发光装置的任一发光光谱均与图1所示的本发明的发光装置100的发光光谱不同。 
本发明者们反复进行锐意研究的结果发现，通过得到满足下面四种关系的发光光谱，可得到优良的彩色再现性及具有足够宽的彩色再现范围的宽色域的发光装置。 
即，第一，对于发光元件2按照其发光光谱的峰值波长达到合适的范围内(例如440nm以上470nm以下)的方式进行选择，将发光光谱的第一峰值波长设为440nm以上470nm以下。 
第二，作为绿色荧光体3B使用后述详情的卤代硅酸盐，将第二峰值波长设为510nm以上550nm以下。 
第三，作为红色荧光体3A使用后述详情的氮化物荧光体，由此将第三峰值波长设为630nm以上670nm以下。 
这样，通过限制第一～第三峰值波长(发光峰值波长)的范围，可减少具有彩色再现性下降趋势的蓝绿色和橙色的发光比率，进而可提高彩色再现性。 
第四，将第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低相对发光强度值(在发光光谱的第二峰值波长和第三峰值波长之间，最低的相对发光强度值)设为：第二峰值波长的相对发光强度值及第三峰值波长的相对发光强度值中较低的一方的值的80％以下。 
另外，关于该第四个条件，例如，由于红色荧光体3A的峰值波长和绿色荧光体3B的峰值波长之差达到120nm以上，从而能够将第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低相对发光强度值设为：第二峰值波长的相对发光强度值及第三峰值波长的相对发光强度值中较低的一方的值的80％以下。 
这是因为，后述详情的红色荧光体3A的发光光谱的半幅值宽度大致为110nm以下，且后述详情的绿色荧光体3B的半幅值宽度大致为80nm以下。即，通过将具有这样的半幅值宽度的红色荧光体3A的峰值波长和绿色荧光体3B的峰值波长之间隔设为120nm以上，可以将两个峰值之间的谷部即第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低相对发光强度值降低为：第二峰值波长的相对发光强度值及第三峰值波长的相对发光强度值中 较低的一方的值的80％以下。 
通过满足上述的四个条件，就发光装置100的发光光谱而言，可得到例如NTSC比70％以上足够宽的彩色再现范围。 
在此，所谓NTSC比即是：根据美国国家电视标准化委员会(NationalTelevision Standards Committee)以在CIE1931XYZ表色系的色度(x，y)所确定的标准方式的三原色红(0.670，0.330)、绿(0.210，0.710)、蓝(0.140，0.80)得以连结的三角形为基准，比较用于评价的显示器件的红·绿·蓝单色的色度得以连结所得到的三角形之面积比。该面积比即作为彩色再现范围而被定义，判定其比率越高而彩色再现性越高。通常，在广播标准中，NTSC比为72％即处于标准，因而NTSC比至少为70％、优选NTSC比为72％以上作为彩色再现范围即为良好，另一方面，由于在NTSC比不足70％的情况下存在不能显示的范围，因而不优选。 
在将具有这样宽的彩色再现范围的本发明的发光装置用作监控器、数码相机、打印机等显示装置的背光灯的情况下，可使各器件(显示装置)的RGB各色浓厚鲜艳地再现。 
特别是，车载用途的液晶显示装置其作为危险色显示的红色的再现性极为重要，因而强烈期望着能够对红色和橙色的区别。在上述第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低相对发光强度值比第二峰值波长的相对发光强度值及第三峰值波长的相对发光强度值中较低的一方的值的80％大的情况下，红色再现性差，红色显示会被感觉成朱红色或者橙色。另外，在80％以下的情况下，y值成为可感觉成红色的色度范围。另外，所谓y值是指CIE1931XYZ表色系的色度，是表示色调的值之一，且与亮度(绿色系的发光)有密切关系的数值。 
该第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低相对发光强度值相对于第二峰值波长和第三峰值波长中较低的一方而言若越小则就对作为背光灯的深红化的贡献越大。第二峰值波长和第三峰值波长之间的波长范围相当于橙色。该波长范围的相对发光强度值低即表示橙色成分少，因此相对较深的红色成分变多。 
另外，第一峰值波长主要由发光元件2发出的光所形成，但红色荧光体3A发出的光及绿色荧光体3B发出的光(特别是绿色荧光体3B发出的 光)也有助于第一峰值波长的形成。因此，有时第一峰值波长与发光元件2发出的光的峰值波长不同。 
同样，第二峰值波长主要由绿色荧光体3B发出的光所形成，但发光元件2发出的光及红色荧光体3A发出的光也有助于第二峰值波长的形成。因此，有时第二峰值波长与绿色荧光体3B发出的光的峰值波长不同。 
此外，第三峰值波长主要由红色荧光体3A发出的光所形成，但发光元件2发出的光及绿色荧光体3B发出的光也有助于第三峰值波长的形成。因此，有时第三峰值波长与红色荧光体3A发出的光的峰值波长不同。 
下面，对红色荧光体3A、绿色荧光体3B、发光元件(蓝色LED)2等的发光装置100的详情进行说明。 
1.红色荧光体 
红色荧光体(红色发光荧光体)3A为氮化物荧光体，吸收发光元件2发出的紫外线～蓝色光而进行红色发光。 
作为红色荧光体3A，可使用被Eu激活且含有第II族元素M1、Si、AL、B及N的并由下述通式(I)表示的氮化物荧光体。 
M1 wAlxSiyBzN((2/3)w+x+(4/3)y+z):Eu2+……(I) 
在上述式(I)中，M1为选自由Mg、Ca、Sr及Ba组成的群中的至少一种，w、x、y、z中，优选0.056≤w≤9、x＝1、0.056≤y≤18、0.0005≤z≤0.5。 
更优选0.4≤w≤3、x＝1、0.143≤y≤8.7、0≤z≤0.5，最优选0.5≤w≤3、x＝1、0.167≤y≤8.7、0.0005≤z≤0.5。这是由于可得到更优选的色调、高亮度及更优选的发光半幅值宽度。另外，z优选0.5以下，更优选0.3以下，且优选0.0005以上。更优选将硼的摩尔浓度设定为0.001以上0.2以下。这样的氮化物荧光体3A被Eu激活，Eu的一部分可通过选自由Sc、Tm、Yb、Y、La、Cr、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Lu组成的群中的至少一种以上的稀土类元素进行置换。 
在上述式(I)中，优选M1为Ca及Sr中的至少一种，且w、x、y、z中，分别优选0.5≤w≤1.5、x＝1、0.5≤y≤1.5、0≤z≤0.3。这是由于既可得到更优选的色调、高亮度及更优选的发光半幅值宽度，又可以得到橙色发光少且更深的红色发光。 
作为另一优选的氮化物荧光体，是可用下述的通式(I′)表示的氮化物荧光体。 
M1 1-zAlSiBzN((2/3)(1-z)+(7/3)+z):Eu2+……(I′) 
在式(I′)中，M1为选自由Mg、Ca、Sr及Ba组成的群中的至少一种，x的范围为0.001≤x≤0.3、z的范围为0.0005≤z≤0.5。 
作为另一优选的氮化物荧光体，是可用下述的通式(I″)表示的氮化物荧光体。 
M1 wAlSiBzN((2/3)(1-z)+(7/3)+z):Eu2+……(I″) 
在式(I″)中，M1为选自由Mg、Ca、Sr及Ba组成的群中的至少一种，w及z的范围分别为0.04≤w≤3、0.0005≤z≤0.5。 
在上述式(I)、(I′)、(I″)中，作为M1使用Ca的情况下，优选单独使用Ca。但是，也可以用Sr、Mg、Ba、Sr和Ba等置换Ca的一部分。用Sr置换Ca的一部分可调整氮化物荧光体的发光波长的峰值。 
Si虽然也优选单独使用，但是，也可以用第IV族元素的C及Ge置换其一部分。在只使用Si的情况下，可得到廉价且结晶性良好的氮化物荧光体。 
从红色荧光体3A发出的光的峰值波长优选590nm以上700nm以下，更优选630nm以上670nm以下，特别有选640nm以上670nm以下。 
例如，通过使红色荧光体3A发出的光的峰值波长在上述的优选范围内移动，可将发光装置100的第三峰值波长调整(移动)到所期望的范围内。 
例如在上述M1为Ca的情况下，通过增加Eu而向长波长侧调整红色荧光体的峰值波长，通过减少Eu而向短波长侧调整红色荧光体的峰值波长。具体而言，当Ca的3mol％由Eu置换时，红色荧光体3A的峰值波长变为660nm，另外，当Ca的1mol％由Eu置换时，红色荧光体3A的峰值波长变为650nm。 
另外，通过作为M1部分使用或者全部使用Sr，可使红色荧光体3A的波长向短波长侧移动。 
通常，当红色荧光体3A的峰值波长向短波长侧移动时，发光装置100的发光光谱的第三峰值波长也向短波长侧移动；当红色荧光体3A的峰值 波长向长波长侧移动时，发光装置100的发光光谱的第三峰值波长也向长短波长侧移动。 
另外，如上述有时红色荧光体3A的峰值波长和第三峰值波长不一致，即使红色荧光体3A的峰值波长不在630nm～670nm之间，但是第三峰值波长可为630nm～670nm之间。 
活化剂Eu优选单独使用，但是Eu的一部分由Sc、Tm、Yb、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Lu置换也可。在Eu的一部分由其它元素置换的情况下，其它元素作为共活化剂起作用。通过使用共活化剂，可使色调变化，从而使得进行发光特性的调整成为可能。 
就氮化物荧光体即红色荧光体3A而言，还可以按合计计含有1～500ppm以下的选自由Cu、Ag、Au组成的第I族元素、由Ga、In组成的第III族元素、由Ti、Zr、Hf、Sn、Pb组成的第IV族元素、由P、Sb、Bi组成的第V族元素及由S组成的第VI族元素中的至少一种以上的元素。由于这些元素在制造工序的烧成时飞散，因而使得烧成后的含量比向原料的添加量少。因此，优选向原料添加1000ppm以下的量。通过添加这些元素，可进行发光效率的调整。 
优选Fe、Ni、Cr、Ti、Nb、Sm及Yb的摩尔浓度对M1的摩尔浓度的比率为0.01以下。这是由于当大量含有Fe、Ni、Cr、Ti、Nb、Sm及Yb时有可能降低发光亮度的缘故。 
2.绿色荧光体 
下面，说明绿色荧光体(绿色发光荧光体)3B。绿色荧光体3B由卤代硅酸盐构成。绿色荧光体3B吸收发光元件2发出的紫外线～蓝色光而进行绿色发光。 
作为可用作绿色荧光体3B的荧光体的例，可列举用下述通式(II)表示的荧光体。 
(M2 1-yRy)aMgM3 bM4 cOa+2b+(3/2)cX2……(II) 
在式(II)中，M2为选自由Ca、Sr、Ba、Zn及Mn组成的群中的至少一种，M3为选自由Si、Ge及Sn组成的群中的至少一种，M4为选自由B、Al、Ga及In组成的群中的至少一种，X为选自由F、Cl、Br及I组成的群中的至少一种，R为选自稀土类元素中以Eu为必须的至少一种。另 外，y、a、b及c分别为，0.0001≤y≤0.3、7.0≤a＜10.0、3.0≤b＜5.0、0≤c＜1.0。 
通式(II)的绿色荧光体含有优选选自由Ca、Sr、Ba、Sn及Mn组成的群中的至少一种，更优选含有Ca。在含有Ca的情况下，使用将Ca的一部分由Mn、Sr、Ba置换的荧光体也可。 
在上述式(II)的荧光体中，更优选的绿色荧光体是由以下的通式(II′)表示。用通式(II′)表示的绿色荧光体3B，由于亮度高、发光半幅值宽度窄、蓝绿及橙色成分少因而彩色再现性更优良。 
(M2 1-yEuy)aMgM3 bOa+2bX2……(II′) 
在式(II′)中，M2为Ca或者Mn中的至少一种，M3为Si及Ge中的至少一种，X为选自由F、Cl、Br及I组成的群中的至少一种。 
另外，y、a、及b分别为，0.001≤y≤0.3、7.0≤a＜10.0、3.0≤b＜5.0。 
上述通式(II)及(II′)的绿色荧光体优选含有选自由Ca、Sr、Ba、Zn及Mn组成的群中的至少一种元素，更优选含有Ca。在含有Ca的情况下，使用将Ca的一部分由Mn、Sr、Ba置换的荧光体也可。 
上述通式(II)及(II′)的绿色荧光体含有选自由Si、Ge及Sn组成的群中的至少一种元素，更优选含有Si。在含有Si的情况下，使用将Si的一部分由Ge、Sn置换的荧光体也可。 
上述通式(II)及(II′)的绿色荧光体含有选自由F、Cl、Br及I组成的群中的至少一种元素，更优选含有Cl。在含有Cl的情况下，使用将Cl的一部分由Fn、Br、I置换的荧光体也可。 
上述通式(II)的绿色荧光体含有以Eu为必须的至少一种稀土类元素。稀土类是钪、钇及镧族诸元素共计17种元素的总称，其中，最优选Eu。使用将Eu的一部分由Ce、Pr、Nd、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb置换的荧光体也可。更优选使用将Eu的一部分由Ce、Pr、Nd、Sm、Tb、Dy、Ho、Tm置换的荧光体也可。 
由上述通式(II)及(II′)表示的绿色荧光体在从490以上584以下的绿色区域到黄色区域的波长范围具有峰值波长。例如，在具有Ca、Eu、Mg、Si、O、Cl元素的情况下，在500nm～520nm附近具有峰值波长；在含有Ca、Mn、Eu、Mg、Si、O、Cl元素的情况下，在530nm～570nm附近具有峰值波长。由于随着所含有的元素量及组成而该峰值波长变动，因而绿色荧光体3B按照具有所希望的峰值波长的方式根据需要进行调整。 
绿色荧光体3B优选具有490nm以上560nm以下的峰值波长，更优选具有500nm以上550nm以下的峰值波长，最优选具有505nm以上540nm以下的峰值波长。 
通过使绿色荧光体3B发出的光的峰值波长在上述优选的范围内移动，可将发光装置100的第二峰值波长调整(移动)到所期望的范围内。 
例如，在(Ca，Eu)8MgSi4O16Cl2的组成中，通过将Eu的比率增加到Ca的10mol％，可将绿色荧光体3B的峰值波长调整(移动)到长波长侧直至525nm。另一方面，通过将Eu的比率相对于Ca而言进行降低，可将峰值波长移动到短波长侧。例如通过使Eu的比率下降至Ca的1mol％，可将峰值波长短波长化至500nm左右。 
另外，在(Ca，Eu，Mn)8MgSi4O16Cl2的组成中，通过将Mn的比率增加到Ca的5mol％，可使仅由Eu的发光峰值变化到Mn发光的545nm附近的发光。 
通常，当绿色荧光体3B的峰值波长向短波长侧移动时，发光装置100的发光光谱的第二峰值波长也向短波长侧移动；当绿色荧光体3B的峰值波长向长波长侧移动时，发光装置100的发光光谱的第二峰值波长也向长波长侧移动。 
另外，如上述，有时绿色荧光体3B的峰值波长和第二峰值波长不一致，即使绿色萤光体3B的峰值波长不在510nm～550nm之间，而第二峰值波长处于510nm～550nm之间也有可能。 
下面，对作为可用作绿色荧光体3B的另一绿色荧光体，即由下述的通式(III)表示的荧光体进行说明。 
M5 xEuyMgSizAlwOaXbNc……(III) 
在通式(III)中，M5为选自由Ca、Sr、Ba、Zn及Mn组成的群中的至少一种，X为选自由F、Cl、Br及I组成的群中的至少一种。另外，x、y、w、a、b及c分别为，6.5≤x＜8.0、0.01≤y≤2.0、3.7≤z≤4.3、0≤w ≤0.5、a＝x+y+1+2z+(3/2)w-b/2-(3/2)c、1.0≤b≤1.9、0≤c≤3.0。 
由于可得到更优良的亮度，因而优选由上述通式(III)表示的绿色荧光体为w＝0及c＝0。该情况下，(III)式可记载为M5 xEuyMgSizOaXb。 
通过使用以上所说明的红色荧光体3A和绿色荧光体3B，且将红色荧光体3A的峰值波长和绿色荧光体3B的峰值波长之差设为120nm以上，发光装置100可使其发光光谱的第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低相对发光强度值是：上述第二峰值波长的相对发光强度值及上述第三峰值波长的相对发光强度值中较低的一方的值的80％以下。 
3.黄绿或者黄色荧光体 
本发明的发光装置100不仅使用红色萤光体3A和绿色萤光体3B，而且还使用发光为从黄绿至黄色的YAG系萤光体(YAG系发光萤光体)3C。通过使该YAG系荧光体3C满足以下两个条件，可得到发光装置100的发光光谱的第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低相对发光强度值是：第二峰值波长的相对发光强度值及第三峰值波长的相对发光强度值中低的一方的值的80％以下的发光装置。 
(1)绿色荧光体3B的峰值波长和YAG系荧光体3C的发光峰值之差为30nm以上。 
(2)YAG系荧光体3C的添加量按重量比计是所有荧光体添加量(黄色荧光体3A、绿色荧光体3B和YAG系荧光体3C的添加量的合计)的50％以下。 
通过添加YAG系荧光体，与仅使用红色荧光体3A和绿色荧光体3B两种荧光体的情况相比，发光装置100可几乎不降低彩色再现性且实现高亮度、高信赖性。 
YAG系萤光体3C的峰值波长，通过用Gd置换Y可以调节(迁移)至长波长侧、通过用Ga置换Al可以调节(迁移)至短波长侧。另外，增加Ce量时YAG系萤光体3C的峰值波长可以向长波长侧微调节，减少Ce量时峰值波长可以向短波长侧微调节。 
发出的光为从黄绿至黄色的YAG系萤光体3C只要满足上述的两个条件就无特别限制，可使用公知的YAG系荧光体。作为优选的YAG系荧光体3C，例如使用可用下述通式(IV)表示的荧光体。 
M6 3M7 5O12:Ce……(IV) 
在式(IV)中，M6为选自由稀土类元素组成的群中的至少一种，M7为选自由B、Al、Ga及In组成的群中的至少一种。 
4.发光装置的构成 
下面，参照图2详细说明发光装置100的一实施方式。图2所示的发光装置100为表面安装式发光装置，但不局限于此，可在炮弹型发光二极管等迄今使用的发光装置的方式中使用本发明。。 
发光装置100具有发光元件搭载框体(框体)1，其具有上方开设开口的凹部。在框体1的凹部的底面用装片剂固定发光元件(蓝色LED)2，分散有荧光体3A、3B的透光性树脂4覆盖在发光元件2上。发光元件2的一电极经由第一接合线(导电性接合线)5与第一外部电极6连接，发光元件2的另一电极经由第二导线(导电性接合线)7与第二外部电极8连接。另外，在框体1的凹部的内面覆盖有光反射材料9。 
下面，说明发光装置100的各构成要素。 
(发光元件) 
发光元件2具有例如由氮化镓系化合物半导体构成的发光层。发光元件2发出的光形成在本发明中所使用的白色发光装置100的发光光谱的第一峰值波长，且激励红色荧光体2A及绿色荧光体3B。 
作为氮化物系化合物半导体(通式为IniGajAlkN，其中，0≤i、0≤j、0≤k、i+j+k＝1)以InGaN及掺杂有各种杂质的GaN为首具有各种组成。发光元件2可通过利用MOCVD法等在基板上以InGaN及GaN等半导体作为发光层而成长从而得以形成。作为半导体的结构，可列举具有MIS结、PI结及PN结等的同质结构、异质结构或者双异质结构。通过根据氮化物半导体层的材料及其混合晶比例选择各种发光波长，可将发光元件2的峰值波长设为440nm以上470nm以下。另外，发光元件2采用将半导体活性层由产生量子效应的薄膜形成的单量子阱结构及多量子阱结构也可。 
(发光元件搭载框体) 
就发光元件搭载框体(框体)1而言，为了使来自发光元件2的光***露到外部而优选由遮光率高的材料构成。另外，由于与外部电极6及8等接触，因而必须由具有绝缘性的材料构成。 
作为具体的材料，例如有玻璃环氧树脂层叠板、BT树脂层叠板、陶瓷、液晶聚合物、聚酰亚胺。框体1例如可通过在模型内配置作为外部电极6及8的金属片之后、注入上述材料进行金属镶嵌衬套形成且冷却后从模型取出而形成。 
(外部电极) 
外部电极6及8是用于经由第一接合线5及第二接合线7使发光元件2与框体1的外部进行电连接的电极，优选电传导性优良。例如可将镍等的喷涂金属或者磷青铜、铁、铜等电的良导体用作外部电极6及8。。 
(光反射材料) 
作为光反射材料例如可使用在聚对苯二甲酸乙二脂树脂、聚碳酸酯树脂、聚丙烯树脂等树脂中作为反射材料含有钛酸钡、氧化铝、氧化钛、氧化硅、磷酸铍等而形成的薄膜状部件。光反射材料9例如可通过硅酮树脂及环氧树脂等固定于框体1的侧壁。 
另外，将Al、Ag、Au等金属膜通过电镀、溅射等形成于框体1的侧壁的内面或者外面或者双面用作光反射材料9也可。 
(装片剂) 
装片剂用于将发光元件2固定于发光元件搭载框体的凹部内。装片剂为了不让发光元件2释放出的热而使特性损害就需要具有耐热性。作为装片剂例如可使用环氧树脂、Ag糊剂、共晶材料。 
(导电性接合线) 
第一接合线5及第二接合线7为导电性接合线。要求第一接合线5及第二接合线7其与发光元件的电极的欧姆性、机械连接性、电传导性及热传导性良好。作为用作第一接合线5及第二接合线7的导电性接合线的材料，例如可使用金、铜、铂、铝等金属以及它们的合金。 
(透光性树脂) 
框体1的凹部内所充填的透光性树脂4，分散有红色荧光体3A及绿色荧光体3B，同时，具有将保护发光元件2、导电性接合线(第一接合线及第二接合线)5及7密封而使其免受外部应力的功能。作为透光性树脂(密封树脂)4可使用各种树脂，例如适合使用环氧树脂、尿素树脂、硅酮等耐候性优良的透明树脂。另外，通过使透光性树脂4含有扩散剂以缓 和来自发光元件2的指向性，进而可增加视野角。作为扩散剂例如适合使用碳酸钡、氧化钛、氧化铝、氧化硅等。另外，可以根据发光元件2的发光色而在透光性树脂中含有各种荧光体，从而做成任意的发光色的发光装置。 
实施例 
下面，说明本发明的实施例。这些实施例用于便于理解本发明，其目的并非限定本发明的技术范围。 
(实施例1) 
向正和负一对外部电极6及8被***且被限域的模型内倒入融化的聚酚酰亚胺树脂，使其硬化，形成框体1。框体1具有可收纳发光元件2的开口部(凹部)。通过使模型冷却将框体1和外部电极6及8成型为一体。 
在这样形成的框体1的凹部的底面，将峰值波长为455nm的发光元件(LED芯片)2由环氧树脂进行装片，之后，用导电性接合线5将外部电极6和发光元件2电连接，用导电性接合线7将外部电极8和发光元件2电连接。 
然后，向硅酮树脂组成物3g中添加混合：在525nm附近具有峰值波长的卤代硅酸盐Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.5，Eu0.5)MgSi4O16Cl2)约0.25g和在660nm附近具有峰值波长的氮化物荧光体CaAlSiBN3:Eu((Ca0.97，Eu0.03)AlSiBN3)约0.06g。将得到的透光性树脂4充填于框体1的开口部内且填充至与开口部的两端部上表面成同一平面线为止。最后，在70℃下实施3个小时热处理，再在150℃下实施1个小时热处理。 
图1是得到的发光装置100的发光光谱。 
第一峰值波长位于450nm附近，第二峰值波长位于540nm附近，第三峰值波长位于660nm附近。 
第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低相对发光强度值为0.22(22％)，相对于比第三峰值波长的相对发光强度值0.39(39％)更低的第二峰值波长的相对发光强度值0.35(35％)为63％。 
此外，所谓平均显色评价指数Ra是指根据日本工业规范、JIS Z 8726所规定的现色性(也称显色性)的评价方法，对基于基准光源的色彩是否忠实地再现以指数进行表示，作为原则判定Ra越接近100则显色性越好。 
当将得到的发光装置100用作14英寸液晶背光灯光源时，NTSC比达到72％以上，可再现深红色，且在白色的亮度也不会大幅度降低。 
(实施例2) 
向硅酮树脂组成物3g中添加混合：在520nm附近具有峰值波长的卤代硅酸盐Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.6，Eu0.4)MgSi4O16Cl2)约0.3g、和在540nm附近具有峰值波长且发光光谱比绿色荧光体宽的YAG系荧光体(Y2.95(Al0.8，Ga0.2)5O12:Ce0.05)0.1g、和在660nm附近具有峰值波长的氮化物荧光体CaAlSiBN3:Eu((Ca0.97，Eu0.03)AlSiBN3)约0.11g，除此之外，以与实施例1相同的方法制作发光装置100。 
在本实施例中，绿色荧光体的峰值波长和YAG系荧光体的峰值波长之差为20nm，YAG系荧光体的添加量为所有荧光体的添加量的约20％。 
图3是所得到的发光装置100的发光光谱。 
第一峰值波长位于450nm附近，第二峰值波长位于520nm附近，第三峰值波长位于650nm附近。 
第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低相对发光强度值相对于比第三峰值波长的相对发光强度值低的第二峰值波长的相对发光强度值而言为52％。 
当将该发光装置100作为与实施例1同样的背光灯光源时，NTSC比达到72％以上，此外，在白色的亮度上升。另外，Ra为79，表示高的现色性。 
(实施例3) 
向硅酮树脂组成物3g中添加混合：在520nm附近具有峰值波长的卤代硅酸盐Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.6，Eu0.4)MgSi4O16Cl2)约0.3g、和在540nm附近具有峰值波长且发光光谱比绿色荧光体宽的YAG系荧光体(Y2.95(Al0.8，Ga0.2)5O12:Ce0.05)0.15g、和在660nm附近具有峰值波长的氮化物荧光体CaAlSiBN3:Eu((Ca0.97，Eu0.03)AlSiBN3)约0.11g，除此之外，以与实施例1相同的方法制作发光装置100。 
在本实施例中，绿色荧光体的峰值波长和YAG系荧光体的峰值波长之差为20nm，YAG系荧光体的添加量为所有荧光体的添加量的约27％。 
图4是所得到的发光装置100的发光光谱。 
第一峰值波长位于450nm附近，第二峰值波长位于520nm附近，第三峰值波长位于640nm附近。 
第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低相对发光强度值相对于比第三峰值波长的相对发光强度值低的第二峰值波长的相对发光强度值而言为61％。 
当将发光装置100与实施例1同样用作背光灯光源时，NTSC比达到72％以上，此外，在白色的亮度上升。另外，表现出Ra高达84的高现色性。 
(实施例4) 
向硅酮树脂组成物3g中添加混合：在520nm附近具有峰值波长的卤代硅酸盐Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.5，Eu0.5)MgSi4O16Cl2)约0.3g、和在540nm附近具有峰值波长且发光光谱比绿色荧光体宽的YAG系荧光体(Y2.95(Al0.8，Ga0.2)5O12:Ce0.05)0.25g、和在660nm附近具有发光峰值的氮化物荧光体CaAlSiBN3:Eu((Ca0.97，Eu0.03)AlSiBN3)约0.13g，除此之外，以与实施例1同样的方式制作发光装置100。 
在本实施例中，绿色荧光体的峰值波长和YAG系荧光体的峰值波长之差为20nm，YAG系荧光体的添加量为所有荧光体的添加量的约37％。 
图5是所得到的发光装置100的发光光谱。 
第一峰值波长位于450nm附近，第二峰值波长位于520nm附近，第三峰值波长位于640nm附近。 
第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低相对发光强度值相对于比第三峰值波长的相对发光强度值低的第二峰值波长的相对发光强度值而言为75％。 
当将该发光装置100与实施例1同样用作背光灯光源时，NTSC比达到70％以上，此外，在白色的亮度上升。另外，表现出Ra高达89的高现色性。 
(实施例5) 
向硅酮树脂组成物3g中添加混合：在515nm附近具有峰值波长的卤代硅酸盐Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.7，Eu0.3)MgSi4O16Cl2)约0.28g、和在540nm附近具有峰值波长且发光光谱比绿色荧光体宽的YAG系荧光体 (Y2.95(Al0.8，Ga0.2)5O12:Ce0.05)0.16g、和在650nm附近具有峰值波长的氮化物荧光体CaAlSiBN3:Eu((Ca0.99，Eu0.01)AlSiBN3)约0.2g，除此之外，以与实施例1相同的方法制作发光装置100。。 
在本实施例中，绿色荧光体的峰值波长和YAG系荧光体的峰值波长之差为25nm，YAG系荧光体的添加量为所有荧光体的添加量的约31％。 
图6是所得到的发光装置100的发光光谱。 
第一峰值波长位于450nm附近，第二峰值波长位于520nm附近，第三峰值波长位于640nm附近。 
第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低相对发光强度值相对于比第二峰值波长的相对发光强度值低的第三峰值波长的相对发光强度值而言为73％。当与实施例1同样将发光装置100用作背光灯光源时，NTSC比达到72％以上，此外，在白色的亮度上升。另外，表现出Ra高达80的高现色性。 
(实施例6) 
向硅酮树脂组成物3g中添加混合：在525nm附近具有峰值波长的卤代硅酸盐Ca7.65Eu0.5MgSi4.3O15.91Cl1.84约0.26g、和在660nm附近具有峰值波长的氮化物荧光体CaAlSiBN3:Eu((Ca0.97，Eu0.03)AlSiBN3)约0.06g，除此之外，以与实施例1相同的方法制作发光装置100。 
图7是所得到的发光装置100的发光光谱。 
发光装置100具有与实施例1同样的发光光谱，第一峰值波长位于450nm附近，第二峰值波长位于540nm附近，第三峰值波长位于660nm附近。第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低相对发光强度值相对于比第二峰值波长的相对发光强度值低的第三峰值波长的相对发光强度值为64％。 
当与实施例1同样将发光装置100用作背光灯光源时，NTSC比达到72％，此外，在白色的亮度上升。另外，表现出Ra高达78的高现色性。 
(比较例1) 
向硅酮树脂组成物3g中添加混合：在570nm附近具有峰值波长的YAG系荧光体(Y0.8，Gd0.2)2.85Al5O12:Ce0.15)0.76g，除此之外，以与实施例2相同的方法制作了发光装置。 
在比较例使用的YAG系荧光体的添加量是所有荧光体的添加量的100％。 
图10是所得到的发光装置的发光光谱。这样得到的本比较例的发光装置的发光光谱，仅是LED(发光元件)的峰值和YAG的宽的峰值之两个峰值。当将发光装置用作背光灯光源时，NTSC比为62％及低的彩色再现性，Ra也低到66的值。 
(比较例2) 
向硅酮树脂组成物3g中添加混合：在520nm附近具有峰值波长的卤代硅酸盐Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.6，Eu0.4)MgSi4O16Cl2)约0.1g、和在540nm附近具有峰值波长且发光光谱比绿色荧光体宽的YAG系荧光体(Y2.95(Al0.8，Ga0.2)5O12:Ce0.05)0.3g、和在660nm附近具有峰值波长的氮化物荧光体CaAlSiBN3:Eu((Ca0.97，Eu0.03)AlSiBN3)约0.11g，除此之外，以与实施例1相同的方法制作发光装置。 
在本比较例中，绿色荧光体的发光峰值和YAG系荧光体的发光峰值之差为20nm，YAG系荧光体的添加量为所有荧光体的添加量的约59％。 
图11是所得到的发光装置的发光光谱。 
第一峰值波长位于450nm附近，第二峰值波长位于530nm附近，第三峰值波长位于640nm附近。 
在这样得到的发光装置的发光光谱中，第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低相对发光强度值相对于比第三峰值波长的相对发光强度值低的第二峰值波长的相对发光强度值而言为96％。 
当与实施例1同样将该发光装置用作背光灯光源时，为NTSC比低到64％的彩色再现性，此外，表现出Ra高达93的相当高的现色性。 
(比较例3) 
向硅酮树脂组成物3g中添加混合：在515nm附近具有峰值波长的卤代硅酸盐Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.7，Eu0.3)MgSi4O16Cl2)约0.22g、和在560nm附近具有峰值波长且发光光谱比绿色荧光体宽的YAG系荧光体(Y2.95Al5O12:Ce0.05)0.2g、和在650nm附近具有峰值波长的氮化物荧光体CaAlSiBN3:Eu((Ca0.99，Eu0.01)AlSiBN3)约0.1g，除此之外，以与实施例1相同的方法制作发光装置。 
在本比较例中，绿色荧光体的峰值波长和YAG系荧光体的峰值波长之差为45nm，YAG系荧光体的添加量为所有荧光体的添加量的约38％。 
图12是所得到的发光装置的发光光谱。 
第一峰值波长位于450nm附近，第二峰值波长位于520nm附近，第三峰值波长位于630nm附近。 
在这样得到的发光装置的发光光谱中，第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低相对发光强度值相对于比第二峰值波长的相对发光强度值低的第三峰值波长的相对发光强度值而言为97％。当与实施例1同样将该发光装置用作背光灯光源时，是NTSC比低到68％的彩色再现性。在白色的亮度比实施例5更提高。此外，表现出Ra高达90的相当高的现色性。 
(比较例4) 
向硅酮树脂组成物3g中添加混合：在515nm附近具有发光峰值的卤代硅酸盐Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.7，Eu0.3)MgSi4O16Cl2)约0.18g、和在560nm附近具有峰值波长且发光光谱比绿色荧光体宽的YAG系荧光体(Y2.95Al5O12:Ce0.05)0.08g、和在650nm附近具有峰值波长的氮化物荧光体CaAlSiBN3:Eu((Ca0.99，Eu0.01)AlSiBN3)约0.26g，除此之外，以与实施例1相同的方法制作发光装置。 
在本比较例中，绿色荧光体的发光峰值和YAG系荧光体的发光峰值之差为45nm，YAG系荧光体的添加量为所有荧光体的添加量的约50％。 
图13是所得到的发光装置的发光光谱。 
在这样得到的发光装置的发光光谱中，具有LED的发光峰值和YAG系荧光体的宽的发光峰值这两个峰值，明显的第三峰值不能被确认。当与实施例1同样将该发光装置用作背光灯光源时，是NTSC比低到62％的彩色再现性。另一方面，在白色的亮度比实施例5更提高。此外，表现出Ra高达92的相当高的现色性。 
(比较例5) 
向硅酮树脂组成物3g中添加混合：在515nm附近具有发光峰值的卤代硅酸盐Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.7，Eu0.3)MgSi4O16Cl2)约0.28g、和在560nm附近具有峰值波长且发光光谱比绿色荧光体宽的YAG系荧光体(Y2.95Al5O12:Ce0.05)0.16g、和在650nm附近具有发光峰值的氮化物荧光 体CaAlSiBN3:Eu((Ca0.99，Eu0.01)AlSiBN3)约0.14g，除此之外，以与实施例1相同的方法制作发光装置。 
在本比较例中，绿色荧光体的发光峰值和YAG系荧光体的发光峰值之差为45nm，YAG系荧光体的添加量为所有荧光体的添加量的约25％。 
图14是得到的发光装置的发光光谱。 
第一峰值波长位于450nm附近，第二峰值波长位于520nm附近，第三峰值波长位于640nm附近。 
就这样得到的发光装置的发光光谱而言，第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低相对发光强度值相对于比第二峰值波长的相对发光强度值低的第三峰值波长的相对发光强度值为82％。当与实施例1同样将该发光装置用作背光灯光源时，是NTSC比低到68％的低彩色再现性。另一方面，在白色的亮度比实施例5更提高。此外，表现出Ra高达88的相当高的现色性。 
(比较例6) 
向硅酮树脂组成物3g中添加混合：在515nm附近具有峰值波长的卤代硅酸盐Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.7，Eu0.3)MgSi4O16Cl2)约0.28g、和在570nm附近具有峰值波长且发光光谱比绿色荧光体宽的YAG系荧光体((Y0.8，Gd0.2)2.85Al5O12:Ce0.05)0.14g、和在650nm附近具有峰值波长的氮化物荧光体CaAlSiBN3:Eu((Ca0.99，Eu0.01)AlSiBN3)约0.2g，除此之外，以与实施例1相同的方法制作发光装置。 
在本比较例中，绿色荧光体的发光峰值和YAG系荧光体的发光峰值之差为55nm，YAG系荧光体的添加量为所有荧光体的添加量的约32％。 
图15是所得到的发光装置的发光光谱。 
第一峰值波长位于450nm附近，第二峰值波长位于520nm附近，第三峰值波长位于630nm附近。 
就这样得到的发光装置的发光光谱而言，第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低相对发光强度值相对于比第二峰值波长的相对发光强度值低的第三峰值波长的相对发光强度值约为83％。当与实施例1同样将该发光装置用作背光灯光源时，是NTSC比低到67％的彩色再现性。另一方面，在白色的亮度比实施例5更上升。另外，表现出Ra高达89的相当高的现 色性。 
(比较例7) 
向硅酮树脂组成物3g中添加混合：在525nm附近具有发光峰值的卤代硅酸盐Ca8MgSi4O16Cl2:Eu((Ca7.5，Eu0.5)MgSi4O16Cl2)约0.16g、和在560nm附近具有峰值波长且发光光谱比绿色荧光体宽的YAG系荧光体(Y2.95Al5O12:Ce0.05)0.12g、和在650nm附近具有峰值波长的氮化物荧光体CaAlSiBN3:Eu((Ca0.99，Eu0.01)AlSiBN3)约0.2g，除此之外，以与实施例1相同的方法制作发光装置。 
在本比较例中，绿色荧光体的发光峰值和YAG系荧光体的发光峰值之差为35nm，YAG系荧光体的添加量为所有荧光体的添加量的约42％。 
图16是所得到的发光装置的发光光谱。就这样得到的发光装置的发光光谱而言，仅有LED的发光峰值和荧光体的宽的发光峰值这两个峰值，没有第三峰值。当与实施例1同样地将该发光装置用作背光灯光源时，是NTSC比低到66％的彩色再现性。另一方面，在白色的亮度比实施例1更提高。此外，表现出Ra高达88的相当高的现色性。 
(比较例8) 
向硅酮树脂组成物3g中添加混合：在515nm附近具有峰值波长的卤代硅酸盐Ca7.85MgSi4.3O15.91Cl11.84约0.22g、和在560nm附近具有峰值波长且发光光谱比绿色荧光体宽的YAG系荧光体(Y2.95Al5O12:Ce0.05)0.2g、和在650nm附近具有峰值波长的氮化物荧光体CaAlSiBN3:Eu((Ca0.99，Eu0.01)AlSiBN3)约0.1g，除此之外，以与实施例1相同的方法制作发光装置。 
在本比较例中，绿色荧光体的发光峰值和YAG系荧光体的发光峰值之差为45nm，YAG系荧光体的添加量为所有荧光体的添加量的约38％。 
图17是所得到的发光装置的发光光谱。 
第一峰值波长位于450nm附近，第二峰值波长位于520nm附近，第三峰值波长位于630nm附近。 
就这样得到的发光装置的发光光谱而言，第二峰值波长和第三峰值波长之间的最低相对发光强度值相对于比第二峰值波长的相对发光强度值低的第三峰值波长的相对发光强度值为97％。当与实施例1同样地将该发 光装置用作背光灯光源时，是NTSC比低到68％的低彩色再现性。另一方面，在白色的亮度比实施例5更上升。此外，表现出Ra高达89的相当高的现色性。 
产业上的可利用性 
本发明不仅能够作为照明装置使用，而且能够作为期望RGB的各色深厚且鲜艳地再现的监视器、数码相机、打印机等显示装置的背光灯使用另外，通过再添加YAG荧光体，可做成兼备高现色性的发光装置。 

Claims (4)

1.一种发光装置，其特征在于，
包含：发光元件；红色荧光体，其由氮化物荧光体构成；绿色荧光体，其由卤代硅酸盐构成，
发光光谱具有：440nm以上470nm以下的第一峰值波长、510nm以上550nm以下的第二峰值波长、630nm以上670nm以下的第三峰值波长，
所述第二峰值波长和所述第三峰值波长之间的最低相对发光强度值是：所述第二峰值波长的相对发光强度值和所述第三峰值波长的相对发光强度值中较低的一方的值的52％以上80％以下，
所述红色荧光体通过Eu被激活，且由下述通式(I)表示；所述绿色荧光体由下述通式(II)或通式(III)表示：
M1 wAlxSiyBzN((2/3)w+x+(4/3)y+z):Eu2+……(I)
在此，M1为选自由Mg、Ca、Sr及Ba组成的群中的至少一种，且0.5≤w≤3、x＝1、0.167≤y≤8.7、0≤z≤0.5，
(M2 1-yEuy)aMgM3 bOa+2bX2……(II)
在此，M2为选自由Ca、Sr、Ba、Zn及Mn组成的群中的至少一种，M3为Si，X为Cl，且0.001≤y≤0.3、7.0≤a＜10.0、3.0≤b＜5.0，
M5 xEuyMgSizOaXb……(III)
在此，M5为选自由Ca、Sr、Ba、Zn及Mn组成的群中的至少一种，X为Cl，且6.5≤x＜8.0、0.01≤y≤2.0、3.7≤z≤4.3、a＝x+y+1+2z-b/2、1.0≤b≤1.9。
2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述红色荧光体的峰值波长和所述绿色荧光体的峰值波长之差为120nm以上。
3.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，还包含通过所述发光元件的光所激励而发光的YAG系荧光体，所述绿色荧光体的峰值波长和所述YAG系荧光体的峰值波长之差为30nm以下，所述YAG系荧光体的添加量按重量比计是所有荧光体的添加量的50％以下。
4.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述YAG系荧光体由下述通式(IV)表示：
M6 3M7 5O12:Ce……(IV)
在此，M6为选自由稀土类元素组成的群中的至少一种，M7为选自由B、Al、Ga及In组成的群中的至少一种。
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