CN101752084B - 电子部件以及电子部件内置基板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 24
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 21
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 41
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 3
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明提供一种电子部件以及电子部件内置基板,该电子部件,为了防止激光对外部端子电极以外的电子部件外表面的照射,可以对外部端子电极表面具有余量地照射激光。电子部件(2),具有:电子部件主体(2),其具有相面对的第1、第2主面(2a)、(2b),相面对的第1侧面(2e)、(2f)以及相面对的第1、第2端面(2c)、(2d);第1、第2外部端子电极(5)、(6),其设置于第1主面(2a);该电子部件的第1、第2外部端子电极(5)、(6)夹着间隙区域G而相隔,将连结第1、第2端面的方向即电子部件主体(2)的长度方向尺寸设定为L,将连结第1、第2侧面(2e)、(2f)的宽度方向尺寸设定为W,将间隙区域G的沿着上述长度方向的尺寸设定为g时,满足W<L-g<2W且L-g+W-{2(L-g)W}1/2>(L-g)/2。
Description
技术领域
本发明涉及一种例如层叠陶瓷电容器等的电子部件以及内置该电子部件而成的电子部件内置基板,更详细的是涉及一种在外表面形成多个外部端子电极的电子部件,以及在具有与该外部端子电极电连接的部分的基板,内置该电子部件的电子部件内置基板。
背景技术
近年来,便携式电话机和便携式音乐播放器等的各种电子设备进行着小型化以及薄型化。伴随于此,即使是安装于电子设备的布线基板和安装于布线基板的电子部件中,也在进行着小型化,进一步进行着高密度安装。另外,为了谋求进一步的小型化,电子部件嵌入布线基板内的电子部件内置基板也在进行开发。
电子部件内置基板中,在布线基板的内部预先嵌入电子部件。需要布线基板的布线与嵌入的电子部件电连接,以各种方法进行电连接。
例如,在下面叙述的专利文献1中,公开以下的电连接方法。首先,将电子部件嵌入布线基板内。其次,从布线基板瞄准内部的电子部件的外部端子电极,来照射激光从而形成通孔。在通孔的内部填充导电性材料,将布线基板的布线与电子部件的外部端子电连接。
图12,是用于说明使用这种以往的激光的通孔形成方法的示意的平面图。在此,仅表示埋设于布线基板内的电子部件的上面。图12所表示的电子部件101中,在上面101a上形成第1、第2的外部端子电极102、103。布线基板部分位于电子部件101的周围。
虽然第1、第2的外部端子电极102、103,由布线基板的基板层所覆盖,但是在专利文献1中所述的电连接方法中,从基板侧照射激光,形成使第1外部端子电极102露出的通孔、或者将第2外部端子电极103露出的通孔。外部端子电极102、103,由反射激光的金属镀膜例如铜镀膜形成。若在设置外部端子电极102、103的部分以外的电子部件101的外表面,例如外部端子电极102与外部端子电极103之间的间隙区域G照射激光,则电子部件101受到损伤。
[专利文献1]特开2003-309373号公报
如图12所示,对外部端子电极102、103分别照射激光的情况下,需要以激光的照射区域不达到间隙区域G的方式进行。激光具有直线前进性,若以与外部端子电极102、103正交的方式照射激光,则照射区域成为圆形。因此,如图12所示,与间隙区域G相切的虚线A作为激光照射区域,为所允许的最大的区域。换句话说,以成为容纳于由上述虚线A所表示圆形的区域内的直径的照射区域的方式,来照射激光即可。
由上述虚线A所表示的圆的直径,在将上述电子部件101的长度方向尺寸设为L,将宽度方向尺寸设为W,将沿着上述第1、第2的外部端子电极102、103之间的间隙G的长度方向的尺寸设为g的情况下,以上述虚线A所表示的圆的直径成为(L-g)/2,这是直径的上限值。因此,以往的电子部件101,在由激光的照射所进行的通孔形成时的激光的照射中,必须高精度地照射激光的情况下,照射区域的位置的控制时的容许误差较低。
发明内容
本发明的目的是为了解除上述的以往技术的缺点,而提供如下的电子部件以及电子部件内置基板,以可靠地防止激光对外部端子电极以外的电子部件外表面的照射的方式,而可以在外部端子电极表面具有余量地进行照射激光的电子部件,以及该电子部件内置于基板的电子部件内置基板,即可以容易地并且高精度地形成到达上述电子部件的外部端子电极的通孔导体的电子部件内置基板。
根据本发明,提供一种电子部件,具有:电子部件主体,其具有相面对的第1主面以及第2主面,相面对的第1侧面以及第2侧面,相面对的第1端面以及第2端面;第1外部端子电极,其设置于所述电子部件主体的第1主面;第2外部端子电极,在所述电子部件主体的第1主面,以与所述第1外部端子电极夹着规定的间隙区域从而与所述第1外部端子电极相隔的方式设置;所述第1外部端子电极以及所述第2外部端子电极,在所述第1主面,具有包含上底、下底、面临所述间隙的边即斜边的梯形形状,在所述第1外部端子电极面临所述间隙区域的斜边,与所述第2外部端子电极的面临所述间隙区域的斜边平行,将连结所述电子部件的所述第1、第2端面的方向即长度方向的尺寸设为L,将连结所述第1侧面以及第2侧面的宽度方向的尺寸设为W,将所述间隙区域的沿着所述长度方向的尺寸设为g时,满足W<L-g<2W且L-g+W-{2(L-g)W}1/2>(L-g)/2。
根据本发明中电子部件的某些指定的方面,所述第1、第2外部端子电极位于所述第1主面的部分的梯形形状的上底以及下底,分别位于所述第1主面与所述第1侧面所形成的边缘以及所述第1主面与所述第2侧面所形成的边缘,所述梯形形状的除上底、下底以及面临所述间隙的斜边以外的剩下的边,位于所述第1主面与所述第1端面所形成的边缘或者所述第1主面与所述第2端面所形成边缘。该情况下,由于梯形形状的第1、第2外部端子电极覆盖除了上述间隙区域以外的电子部件的第1主面,因此能够可靠地防止由激光的照射引起的电子部件主体表面的损伤。
在本发明中的电子部件的其他指定的方面,进一步具有内部电极,在该内部电极所述电子部件主体内形成,并与所述第1外部端子电极以及所述第2外部端子电极电连接。这样,本发明的电子部件,可以是具有内部电极的层叠型的电子部件。
根据由本发明所限定的指定方面,所述内部电极,具有:第1内部电极,其与所述第1外部端子电极电连接;第2内部电极,其与所述第2外部端子电极电连接。这样,按照本发明能够提供可以取出第1、第2内部电极之间的电阻、静电电容、电感等的电子部件。
本发明中的电子部件的进一步其他的指定方面中,进一步具有:第1连接导体,其将所述第1内部电极与所述第1外部端子电极电连接;第2连接导体,其将所述第2内部电极与所述第2外部端子电极电连接。这样第1、第2连接导体的方式,并不特别限定,也可以是经过通孔导体,和电子部件主体的第1、第2端面等的连接电极。
本发明中的电子部件的进一步指定的方面中,所述第1、第2外部端子电极,也形成于所述电子部件主体的所述第2主面,第1、第2外部端子电极位于所述第2主面上的部分,选择与所述第1、第2外部端子电极位于所述第1主面上的部分相同的形状。在这种情况下,由于在电子部件主体的第2主面上,第1、第2外部端子电极部分也形成与第1主面上的第1、第2外部端子电极部分相同的形状,因此从第1主面以及第2主面的任意一侧,内置于基板的状况下,能够从基板外照射激光从而高精度地形成通孔。
本发明中的电子部件的进一步其他的指定方面中,在所述电子部件主体的第2主面上,所述第1、第2外部端子电极不具有所述梯形形状的电极部分,所述梯形形状的部分,仅设置于所述第1主面上。这样,第1、第2外部端子电极的上述梯形形状部分,可以设置于第1主面,该情况下,在第1主面侧,从内置电子部件的基板的外表面照射激光即可。该结构中,由于第1、第2外部端子电极的梯形形状的电极部分并未设置与第2主面上,因此可以减小其厚度。
根据本发明,提供一种电子部件内置基板,具有:本发明的电子部件;含有第1主面、与第1主面相面对的第2主面,并在外部收纳所述电子部件的基板;该电子部件内置基板中,在所述基板上形成有从所述基板的所述第1主面或者第2主面起在连结所述基板的第1、第2主面的厚度方向延伸的贯通孔,该贯通孔以使所述电子部件的所述第1或者第2的外部端子电极露出的方式设置,该电子部件内置基板进一步具有从所述基板的第1主面或者第2主面起到所述贯通孔,并且与第1或者第2外部端子电极电连接的通孔导体
由于本发明的电子部件内置基板中,本发明的电子部件收纳于上述基板内,因此能够从基板的第1主面或者第2主面照射激光从而容易并且高精度地形成贯通孔。由此,能够形成可靠性方面优异的通孔导体,并且难以产生由电子部件主体的激光的错误照射引起的损伤。
根据本发明中的电子部件,由于在电子部件主体的第1主面上,第1、第2外部端子电极具有梯形形状,并满足W<L-g<2W以及L-g+W-{2(L-g)W}1/2>(L-g)/2,因此从外部向第1、第2外部端子电极照射激光时,激光难以超过第1、第2外部端子电极而到达间隙区域。也就是说,由于能够将激光照射的圆形区域的最大直径较大地设定,因此能够提高激光照射时的误差容许度。
由此,由于将本发明的电子部件收纳于基板内,并从基板外照射激光从而形成通孔时,能够提高激光照射位置的容许误差,或者照射更大直径的激光,因此能够形成更大直径的通孔。另外,照射更大直径的激光的情况下,能够增大填充于通孔的导电性材料,与外部端子电极的接触面积,由此,可以提高电连接的可靠性,并降低等效串联电阻(ESR)。
附图说明
图1(a)是本发明的第1实施方式的电子部件的平面图,(b)是正面图,(c)是正面截面图。
图2是作为用于说明第1实施方式的电子部件的内部电极形状的电子部件主体的陶瓷烧结体的平面截面图。
图3是用于说明作为第1实施方式的电子部件的陶瓷电容器的电子部件主体的第1主面上的第1、第2外部端子电极的形状的示意的平面图。
图4是用于说明为了形成第1实施方式的外部端子电极的假想的第1主面的示意的平面图。
图5是表示在形成第1实施方式的外部端子电极时所研究的假想的第1主面上形成最大直径的圆的状况的示意的平面图。
图6(a)以及(b)是表示在第1实施方式的层叠陶瓷电容器的制造时所准备的母印刷电路基板的各平面图。
图7是表示为了获得第1实施方式的层叠陶瓷电容器所准备的母层叠体的示意的平面图。
图8是表示作为第1实施方式的变形例中的电子部件的层叠陶瓷电容器的正面截面图。
图9是表示本发明的第2实施方式中的层叠陶瓷电容器的正面截面图。
图10(a)以及(b)是本发明的第1实施方式中电子部件的其他变形例中的层叠陶瓷电容器的各正面截面图。
图11是用于说明作为本发明的实施方式的电子部件内置基板的正面截面图。
图12是用于说明以往的电子部件中的外部端子电极直径的电子部件的平面图。
图中:
1-层叠陶瓷电容器
2-陶瓷烧结体
2A-第1主面
2B-第2主面
2a-第1主面
2b-第2主面
2c-第1端面
2d-第2端面
2e-第1侧面
2f-第2侧面
3、4-内部电极
3A-第1内部电极
3B-第2内部电极
4A-第1内部电极
4B-第2内部电极
5-第1外部端子电极
5A-第1外部端子电极
5B-第1连接电极
5a-上底
5b-下底
5c-斜边
5d-边
6-第2外部端子电极
6a-上底
6b-下底
6c-斜边
6d-边
11、12-印刷电路基板
13、14-内部电极糊图形
15-层叠体
21、31-电子部件
32-第1通孔导体
33-第2通孔导体
41-电子部件内置基板
42-基板
43~45-基板材料
44a-开口部
45a、45b-贯通孔
46-树脂层
47、48-通孔电极
49、50-布线
具体实施方式
下面,通过参照附图对本发明的具体实施方式进行说明,来明确本发明。
图1(a)以及图1(b),是表示作为本发明的第1实施方式中的电子部件的层叠陶瓷电容器的平面图以及正面图,(c)是正面截面图。
层叠陶瓷电容器1,具有作为电子部件主体的陶瓷烧结体2。陶瓷烧结体2,具有大致长方体状的形状,具有作为第1主面的2a,与第1主面相面对的第2主面2b,第1、第2的端面2c、2d,相面对的第1、第2的侧面2e、2f。在陶瓷烧结体2中,将连结第1、第2的端面2c、2d的方向在以下设定为长度方向,将连结第1、第2的侧面2e、2f的方向设定为宽度方向,将连结第1、第2的主面2a、2b的方向设定为厚度方向。
在陶瓷烧结体2内,在陶瓷烧结体2的厚度方向交替配置多个第1内部电极3、和多个第2内部电极4。如图1(c)所示,多个第1内部电极3,在第1端面2c被引出,多个第2内部电极4,在第2端面2d被引出。第1内部电极3与第2内部电极4,以隔着陶瓷层互相重叠的方式配置。
如图2所示,第1内部电极3与第2内部电极4,以隔着陶瓷层互相重叠的方式配置,各内部电极3、4具有矩形的平面形状。
在陶瓷烧结体2的第1主面2a上,形成第1外部端子电极5和第2外部端子电极6。第1外部端子电极5以及第2外部端子电极6,隔着设在第1主面2a的中间的间隙区域G而相面对。第1外部端子电极5以及第2外部端子电极6,具有梯形的形状。再者,也可以是由梯形少许偏移的形状,因此,第1、第2的外部端子电极5、6可以具有大致梯形的形状。
第1外部端子电极5,在上述梯形形状中,具有:第1主面2a与侧面2f形成的边缘为梯形的上底5a,沿着第1主面2a与第1侧面2e所形成的边缘的部分为下底5b,面临间隙区域G的边为斜边5c的梯形形状。由于第1主面1a具有矩形形状,因此剩下的边5d,在前述的宽度方向延伸。
第2外部端子电极6,也具有相同的形状,第2外部端子电极6中,沿着第1主面2a与第1侧面2e所形成的边缘的边6a为上底,沿着第1主面2a与第2侧面2f所形成的边缘的边为下底6b,沿着间隙区域G的边为斜边6c,剩下的边6d沿着第1主面2a与第2端面2d所形成的边缘。
上述第1外部端子电极5的斜边5c,与第2外部端子电极6的斜边6c平行地延伸。因此,形成平行四边形的间隙区域G。在此,第1外部端子电极5与第2的外部端子电极6,是相同面积的梯形形状。
如图1(b)所示,在陶瓷烧结体2的第2主面2b,也形成与上述第1、第2的外部端子电极5、6相同形状的第1、第2的外部端子电极5A、6A。不过,第1主面上的间隙区域G与第2主面上的间隙区域G,以在平视陶瓷烧结体2时进行交叉的方式配置。也就是说,在第1、第2的外部端子电极5A、6A中,上底以及下底的位置,与上述的第1、第2的外部端子电极5、6的情况相反。
但是,第1、第2的外部端子电极5A、6A,也可以形成于平视在主面2a侧设置的第1、第2的外部端子电极5、6与陶瓷烧结体2时重叠的形状的位置。
另外,本实施方式中,为将第1、第2的外部端子电极5、6,与第1、第2的外部端子电极5A、6A电连接,以覆盖第1、第2的端面2c、2d的方式,分别具有第1、第2的连接电极5B、6B。连接电极5B、6B,分别在第1、第2的端面2c、2d引出,与第1、第2的内部电极3、4电连接。连接电极5B、6B也可以以绕到侧面2e、2f的方式形成。
制造时,陶瓷烧结体2根据周知的层叠陶瓷电容器的制造方法而得到。也就是说,准备由钛酸钡系陶瓷等的电介质陶瓷构成的陶瓷印刷电路基板。在该陶瓷印刷电路基板的上面作为内部电极糊,将Ag-Pd糊等进行丝网印刷,准备图6(a)以及(b)所示的第1、第2的母印刷电路基板11、12。在母印刷电路基板11、12上,分别印刷内部电极糊图形13、14。将适当的张数的该第1、第2的母印刷电路基板交替层叠,进而在上下层叠图示的母陶瓷印刷电路基板,来得到母层叠体。这样一来,能够得到图7所示的母层叠体15。其次,图7所示,在母层叠体15的上面,通过印刷法等形成母外部电极16。在下面也形成母外部电极。接下来,将母层叠体15沿着图示的虚线切断为各个的陶瓷电容器单位的层叠体,并焙烧。这样一来,能够得到具有上述外部电极5、6、5A、6A的陶瓷烧结体2。
然后,通过以从上述陶瓷烧结体2的第1、第2的端面2c、2d至第1主面2a以及第2主面2b为止的方式赋予导电糊并进行烘烤,能够形成上述第1、第2的外部端子电极5、6、5A、6A以及连接电极5B、6B。这样一来,能够得到层叠陶瓷电容器1。但是,上述外部端子电极5、6及5A、6A以及连接电极5B、6B,也可以在陶瓷烧结体2的烧结之前,将导电糊赋予陶瓷成分的外表面,并在陶瓷烧结体2的烧制时,同时通过烘烤而形成。
另外,也可以在得到陶瓷烧结体2之后,通过导电糊的印刷·烘烤以外的其他的电极形成方法,形成外部端子电极5、6。
如图3所示,在本实施方式的层叠陶瓷电容器1中,在第1主面2a上,第1、第2的外部端子电极5、6隔着间隙G而配置。在此,将沿着上述长度方向的陶瓷烧结体2的尺寸设定为L,将沿着宽度方向的尺寸设定为W。并且,若将间隙G的相面对距离设定为g,则在层叠陶瓷电容器1中,满足下面叙述的式(1)以及式(2),由此,能够在例如后面叙述的基板内内置层叠陶瓷电容器1,并从基板外照射激光从而形成通孔时,提高激光照射时的容许误差。或者,能够照射更大的照射直径的及激光。
W<L-g<2W ......式(1)
L-g+W-{2(L-g)W}1/2>(L-g)/2 ......式(2)
由于以满足上述式(1)以及式(2)的方式,形成层叠陶瓷电容器1,因此将如上述提高在通孔形成时的激光的照射位置的容许误差的情况,进行更加具体的说明。
在图3中,对第1、第2的外部端子电极5、6照射激光时的照射区域即圆以虚线表示。在以与外部端子电极5、6正交的方式照射激光的情况下,照射区域成为圆形。
再有,在梯形形状的第1、第2的外部端子电极5、6所收纳的圆之中,最大的面积的圆,是图3所示的直径为R的圆。也就是说,在下底5b沿着主面2a与第1侧面2e所形成的边缘的第一外部端子电极5,沿着该边缘的圆,即与第1端面2c侧的边以及上述的斜边相切的圆成为具有最大直径R的圆。
同样,在第2外部端子电极6,沿着成为梯形的下底6b的第1主面2a、与第2侧面2f所形成的边缘的圆,和与上述斜边以及与斜边相面对的边相切的圆为具有最大直径R的圆。
图4表示在图3所示的主面2a中去除间隙区域G,以及相当于拼接形成第1、第2外部端子电极5、6的区域的形状的矩形的第1的主面2A。再者,图4中为了容易进行说明,去除掉第1主面的拐角部的圆形。
在图4中,将沿着长度方向的尺寸设定为a,将沿着宽度方向的尺寸设定为b。则a=L-g,b=W。
图4中,描绘出收纳于第1主面2A的2个圆C1以及C2。圆C1以及C2,具有相同的面积。圆C1在一个拐角部分,以与主面2A的2边相切的方式配置。圆C2,在位于圆C1所在的拐角部的对角线上的拐角部,与主面2A的2边相切。
若增大圆C1以及圆C2的面积,则如图5所示,在圆C1以及圆C2分别与矩形的主面2A的长边以及短边相切,并且圆C1以及圆C2彼此相切的情况下,圆C1以及圆C2的面积,为圆C1、C2不重合情况下的最大值。
此时,在以通过圆C1与圆C2相切部分,并二等分主面2A的方式分割主面2A时,以图5的虚线D分割主面2A即可。也就是说,该虚线D相当于上述的第1、第2的外部端子电极5、6的梯形形状的斜边。也就是说,在虚线D的区域形成间隙G,并将第1、第2的外部端子电极隔着间隙G而相隔,能够形成第1实施方式的第1、第2的外部端子电极5、6。
接下来,讨论各部分的尺寸。由于主面2A是长方形因此a>b。在a=b的情况下,将外部端子电极5、6进行拼接的图像,并不是长方形是正方形。在这种情况下,由于相切于2个圆的切线到达正方形的对角的顶点,因此分割后的外部端子电极的形状为三角形,这种情况并不优选。
为了确保对于外部端子电极5、6的陶瓷烧结体的紧固力,预选各外部端子电极5、6到达陶瓷烧结体2的多个边缘,也就是说优选梯形形状的情况。
另外,本实施方式中,为a<2b。在a为2b以上的情况下,在长方形的主面2A上,在长度方向可以并列获得直径为b的圆,成为相当于以往例的结构。因此,不能提高激光照射区域的容许误差。
在图5中,最大化2个圆的面积时,各圆C1、C2的直径r可以比以往例中的最大直径即a/2更大。在此,将长方形的左下的拐角设定为原点O时,中点P的坐标为(r/2,r/2),圆C2的中心Q的坐标为(a-r/2,b-r/2)。
因此,将中心P与中心Q之间的距离设为d时,d=r,下面所述的式(3)成立。
d2={(a-r/2)-r/2}2+{(b-r/2)-r/2}2=(a-r)2+(b-r)2 ………式(3)
因此,若d=r,则由上述式(3),得到r=a+b-(2ab)1/2。因此
r>a/2 ………(4)以及
a+b-(2ab)1/2>a/2 ………(5)
成立。由此,若将a=L-g,b=W代入式(5)中,则
(L-g)+W-{2(L-g)W}1/2>(L-g)/2 ………(2)成立。
另外,在为了实际设计外部端子电极5、6而做准备来求取上述梯形的上底和下底的长度的情况下,下底的长度能够通过正交于线段PQ的直线,与图5的X轴的交点求得。线段PQ的倾斜度为(b-r)/(a-r)。因此,正交的上述直线的倾斜度为-(a-r)/(b-r),由于该直线通过坐标(a/2,b/2),因此,y=-(a-r)/(b-r)(x-a/2)+b/2成立。若将y=0代入,则成为x=b(b-r)/2(a-r)+a/2。因此,下底的长度为b(b-r)/2(a-r)+a/2,上底的长度为-b(b-r)/2(a-r)+a/2。如果将L、W以及g代入该a、b值中,则下底长度为W(W-r)/2(L-g-r)+(L-g)/2,上底长度为-W(W-r)/2(W-g-r)+(W-g)/2。
如上述,式(1)以及式(2)成立的情况下,能够将包含于外部端子电极5、6中的圆C1、C2的大小设定为最大,因此在照射激光从而在内置有陶瓷电容器1的基板从外部形成通孔时,能够容易并高精度地形成到达外部端子电极5、6的通孔。也就是说,能够提高照射激光时的照射位置的容许误差。相反,由于能够形成照射更大直径的激光的通孔,因此能够提高电连接的可靠性,并且能够降低ESR。
再有,对于构成上述第1、第2的外部端子电极5、6、5A、6A以及连接电极5B、6B的材料也并不特别限定,可以使用Cu、Ni、Ag、Pd、Au或者Ag-Pd合金等。
另外,外部端子电极5、6的厚度,优选最厚的部分设定为10~50μm。在未达到10μm的情况下,通过激光的照射,有可能除去外部端子电极的一部分,从而激光到达陶瓷烧结体2。若超过50μm,虽然可以有效地反射激光,但是成本提高。
另外,也可以在外部端子电极5、6的表面形成镀膜。对于构成镀膜的材料并不特别限定,例如,可以恰当的使用Cu、Li、Sn、Ag、Pd、Au或者这些的合金等。镀膜也可以形成多层。镀膜的厚度,优选每1层为1~10μm。
再者,如后面叙述的电子部件内置装置,对基板照射激光从而形成通孔即贯通孔的情况下,需要反射激光的外部端子电极5、6。在该情况下,优选形成反射性优异的Cu镀膜。
另外,在外部端子电极5、6,也可以在主电极材料与上述镀膜之间形成应力缓和用的树脂层。
上述的内部电极3、4,可以使用适当的导电糊,例如含有Ni、Cu、Au、Pd、Ag或者Ag-Pd合金等的导电糊来形成。内部电极的厚度并不特别限定,优选设定为0.3~2.0μm左右。
再有,虽然本实施方式中,在陶瓷烧结体2内,形成第1、第2的内部电极3、4,但是本发明也可以适用于不具有内部电极的电子部件。
图8,是表示第1实施方式的层叠陶瓷电容器1的变形例中的电子部件21的正面截面图。第1实施方式中,在第2主面2b,也形成第1、第2外部端子电极5A、6A,但是,本变形例的电子部件21中,在第2主面2b,并不形成第1、第2外部端子电极。这样,通过仅在第1主面2a设置第1、第2外部端子电极5、6,能够减小层叠陶瓷电容器1的厚度。
不过,第1实施方式中,由于在第1主面2a侧以及第2主面2b侧的双方,形成第1、第2外部端子电极,因此能够消除方向性。在内置于基板的状况下,可以从第1主面2a侧以及第2主面2b侧的任意一侧照射激光从而形成通孔。因此,在制造工序的简单化上,优选第1实施方式。
图9是表示本发明的第2实施方式中的电子部件的正面截面图。第2实施方式的电子部件31中,第1内部电极3A、3A以及第2内部电极4A、4A不到达陶瓷烧结体2的第1、第2端面2c、2d。为了将第1内部电极3A、3A电连接,作为代替,在内部电极形成第1通孔导体32。第1通孔导体32,将第1内部电极3A、3A连接,并以到达陶瓷烧结体2的第1主面2a以及第2主面2b的方式,贯穿陶瓷烧结体2。第2内部电极4A、4A,为了并不与上述通孔导体32电连接,在通孔导体32贯通的部分,具有比通孔导体32更大的开口部。
同样,第2通孔导体33,与多个第2内部电极4A、4A电连接,并且以到达陶瓷烧结体的第1、第2的主面2a、2b之间的方式,贯穿陶瓷烧结体2。再有,第2通孔导体33,并不与第1内部电极3A、3A电连接。
由于使用上述通孔导体32、33,第1内部电极3A、3A彼此以及第2内部电极4A、4A彼此起电连接,因此,并不形成第1实施方式中的连接电极5B、6B。关于其他点,电子部件31与层叠陶瓷电容器1相同。
本实施方式中,由于在第1主面2a以及第2主面2b的任意一面,形成第1、第2外部端子电极5、6以及5A、6A,因此与第1实施方式相同,能够提高照射激光时的照射位置的容许误差。另外,由于能够照射相对大的直径的激光,因此形成大的通孔,从而能够提高电连接的可靠性,并降低ESR。
图10(a)以及(b),是用于说明第1实施方式的层叠陶瓷电容器1的其他变形例的各正面截面图。第1实施方式的层叠陶瓷电容器1中,在陶瓷烧结体2内,多个内部电极3、4,在与第1、第2的主面2a、2b平行的平面上配置。对于此,本变形例中,如图10(a)所示,第1内部电极3B,位于包含连结第1、第2主面2a、2b的方向的平面,即包含陶瓷烧结体2的厚度方向的平面内。图10(b)所示的第2内部电极4B也相同。
也就是说,多个第1、第2内部电极3B、4B,位于相对于陶瓷烧结体2的下面即第2主面而正交的方向的平面内。这样,多个内部电极3B、4B,也可以在陶瓷烧结体2,在与第1、第2主面2a、2b正交的方向延伸,在连结第1、第2侧面2e、2f(参照图1)的方向上隔着陶瓷层而层叠。
图11,是表示内置有第1实施方式的层叠陶瓷电容器1的电子部件内置基板的实施方式的正面截面图。
本实施方式的电子部件内置基板41,具有基板42。基板42,通过将第1~第3的基板材料43~45以及该顺序层叠而得到。也就是说,在第1的基板材料43上,通过将第2基板材料44以及第3基板材料45,由树脂层46粘合而一体化,来形成基板42。
作为构成上述基板材料43~45的绝缘性材料,可以使用氧化铝等的绝缘性陶瓷,或者合成树脂等的适当的绝缘性材料。对于上述绝缘性树脂层46,可以使用环氧树脂系粘着剂等的适当的绝缘性树脂材料。
在第2基板材料44,形成有可以收纳上述实施方式的层叠陶瓷电容器1的开口部44a。在该开口部44a内,作为电子部件收纳有层叠陶瓷电容器1。
另一方面,在第2基板44上层叠有第3基板材料45。在第3基板材料45,形成有贯通孔45a、45b。在该贯通孔45a、45b的内周面,通过赋予导电性材料,形成通孔电极47、48。
该通孔电极47、48,与基板42的布线49、50电连接,并在贯通孔45a、45b的最里面部分,与露出的第1、第2外部端子电极5、6电连接。
在制造时,分别层叠第1基板材料43、第2基板材料44,在第2基板材料44的开口部44a收纳层叠陶瓷电容器1,并层叠平板状的第3基板材料45。在该阶段,尚未形成贯通孔45a、45b。
然后,从第3基板材料45的上面通过激光,照射例如CO2激光,形成贯通孔45a、45b。接下来,在贯通孔45a、45b的内表面,赋予导电性材料,形成通孔电极47、48。
本实施方式的电子部件内置基板41中,由于上述贯通孔45a、45b的形成时,层叠陶瓷电容器1的外部端子电极5、6以上述的方式形成,因此提高照射激光时的照射位置的容许误差。也就是说,在层叠陶瓷电容器1的上面即第1主面2a,能够可靠地防止对并未形成外部端子电极5、6的区域的激光的照射。另外,与以往的大部分的电子部件相比,能够照射更大的直径的激光。因此,由于可以形成更大的直径的贯通孔45a、45b,因而,能够提高电连接的可靠性,并且能够降低等效串联电阻ESR。
再者,虽然本实施方式中,作为激光使用CO2激光,但是也可以使用其他的气体激光或者固体激光。
Claims (8)
1.一种电子部件,具有:
电子部件主体,其具有相面对的第1主面以及第2主面、相面对的第1侧面以及第2侧面、相面对的第1端面以及第2端面;
第1外部端子电极,其设置于所述电子部件主体的第1主面;以及
第2外部端子电极,其在所述电子部件主体的第1主面,以与所述第1外部端子电极夹着规定的间隙区域从而与所述第1外部端子电极相隔的方式设置;
所述第1外部端子电极以及所述第2外部端子电极,在所述第1主面上,具有包含上底、下底、面临所述间隙的边即斜边的梯形形状,
所述第1外部端子电极面临所述间隙区域的斜边,与所述第2外部端子电极的面临所述间隙区域的斜边平行,
将连结所述电子部件的所述第1、第2端面的方向即长度方向的尺寸设为L,将连结所述第1侧面以及第2侧面的宽度方向的尺寸设为W,将所述间隙区域的沿着所述长度方向的尺寸设为g时,满足W<L-g<2W且L-g+W-{2(L-g)W}1/2>(L-g)/2。
2.根据权利要求1所述的电子部件,其特征在于,
所述第1、第2外部端子电极位于所述第1主面上的部分的梯形形状的上底以及下底,分别位于所述第1主面与所述第1侧面所形成的边缘以及所述第1主面与所述第2侧面所形成的边缘;
所述梯形形状的除了上底、下底以及面临所述间隙的斜边以外的剩下的边,位于所述第1主面与所述第1端面所形成的边缘或者所述第1主面与所述第2端面所形成的边缘。
3.根据权利要求1或者2所述的电子部件,其特征在于,
进一步具有内部电极,该内部电极在所述电子部件主体内形成,并与所述第1外部端子电极或者所述第2外部端子电极电连接。
4.根据权利要求3所述的电子部件,其特征在于,
所述内部电极,具有:第1内部电极,其与所述第1外部端子电极电连接;以及第2内部电极,其与所述第2外部端子电极电连接。
5.根据权利要求4所述的电子部件,其特征在于,
进一步具有:第1连接导体,其将所述第1内部电极与所述第1外部端子电极电连接;以及第2连接导体,其将所述第2内部电极与所述第2外部端子电极电连接。
6.根据权利要求1或2所述的电子部件,其特征在于,
所述第1、第2外部端子电极,也形成于所述电子部件主体的所述第2主面,第1、第2外部端子电极位于所述第2主面上的部分被设为与所述第1、第2外部端子电极位于所述第1主面上的部分相同的形状。
7.根据权利要求1或2所述的电子部件,其特征在于,
在所述电子部件主体的第2主面上,所述第1、第2外部端子电极不具有所述梯形形状的电极部分,所述梯形形状的部分,仅设置于所述第1主面上。
8.一种电子部件内置基板,
具有:权利要求1~7的任意一项所述的电子部件;以及
基板,其含有第1主面、与第1主面相面对的第2主面,并在内部收纳有所述电子部件;
在所述基板形成有从所述基板的所述第1主面或者第2主面起在连结所述基板的第1、第2主面的厚度方向上延伸的贯通孔,
该贯通孔以使所述电子部件的所述第1或者第2外部端子电极露出的方式设置,
该电子部件内置基板进一步具有从所述基板的所述第1主面或者第2主面起到所述贯通孔为止、并且与第1或者第2外部端子电极电连接的通孔导体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008-302073 | 2008-11-27 | ||
JP2008302073A JP4752901B2 (ja) | 2008-11-27 | 2008-11-27 | 電子部品及び電子部品内蔵基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101752084A CN101752084A (zh) | 2010-06-23 |
CN101752084B true CN101752084B (zh) | 2011-09-21 |
Family
ID=42196037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2009102228581A Active CN101752084B (zh) | 2008-11-27 | 2009-11-19 | 电子部件以及电子部件内置基板 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8144449B2 (zh) |
JP (1) | JP4752901B2 (zh) |
KR (1) | KR101098155B1 (zh) |
CN (1) | CN101752084B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5589891B2 (ja) * | 2010-05-27 | 2014-09-17 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
JP5533387B2 (ja) | 2010-07-21 | 2014-06-25 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品 |
JP5246215B2 (ja) | 2010-07-21 | 2013-07-24 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及び配線基板 |
JP5777302B2 (ja) * | 2010-07-21 | 2015-09-09 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品の製造方法、セラミック電子部品及び配線基板 |
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JP5810706B2 (ja) | 2010-09-06 | 2015-11-11 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
US8649183B2 (en) | 2011-02-10 | 2014-02-11 | Mulpin Research Laboratories, Ltd. | Electronic assembly |
US9113574B2 (en) * | 2012-10-25 | 2015-08-18 | Ibiden Co., Ltd. | Wiring board with built-in electronic component and method for manufacturing the same |
JP5765318B2 (ja) | 2012-11-07 | 2015-08-19 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品 |
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JP6330484B2 (ja) * | 2013-07-10 | 2018-05-30 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品 |
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KR102076151B1 (ko) * | 2013-08-26 | 2020-02-11 | 삼성전기주식회사 | 기판 내장용 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 내장형 인쇄회로기판 |
KR101452131B1 (ko) * | 2013-08-30 | 2014-10-16 | 삼성전기주식회사 | 기판 내장용 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 내장형 인쇄회로기판 |
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JP6867745B2 (ja) | 2015-02-13 | 2021-05-12 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ及び積層コンデンサの実装構造 |
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JP6609137B2 (ja) | 2015-08-11 | 2019-11-20 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品、及びその製造方法 |
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US10971303B2 (en) * | 2016-11-01 | 2021-04-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer electronic component |
JP7182926B2 (ja) * | 2018-07-17 | 2022-12-05 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
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JP7351095B2 (ja) * | 2019-03-27 | 2023-09-27 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
JP7358760B2 (ja) * | 2019-03-27 | 2023-10-11 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
JP7259474B2 (ja) * | 2019-03-27 | 2023-04-18 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
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-
2008
- 2008-11-27 JP JP2008302073A patent/JP4752901B2/ja active Active
-
2009
- 2009-11-16 KR KR1020090110143A patent/KR101098155B1/ko active IP Right Grant
- 2009-11-19 CN CN2009102228581A patent/CN101752084B/zh active Active
- 2009-11-19 US US12/621,655 patent/US8144449B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010129737A (ja) | 2010-06-10 |
KR20100061342A (ko) | 2010-06-07 |
US8144449B2 (en) | 2012-03-27 |
CN101752084A (zh) | 2010-06-23 |
JP4752901B2 (ja) | 2011-08-17 |
US20100128411A1 (en) | 2010-05-27 |
KR101098155B1 (ko) | 2011-12-26 |
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