CN101688302A - 蒸镀装置 - Google Patents

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权田俊明
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Abstract

本发明提供一种虽然使用现有的真空蒸镀装置但也能够大幅度缩短对容器的蒸镀时间的蒸镀装置。蒸镀装置设有能以旋转轴为中心旋转的旋转体(14)、在旋转体(14)上朝向周向配设有多个蒸镀单元、在面对旋转体14的周部的位置配置有微波振荡器(34)。在蒸镀单元(15)从蒸镀单元(15)的处理室主体(16)的容器供给位置向容器蒸镀位置旋转移动期间内，利用真空装置对容器(25)内和处理室(24)内进行预减压，在容器蒸镀位置蒸镀单元和振荡器(34)接近后，对容器内和处理室进行了主减压。然后，利用微波振荡器(34)蒸镀容器。

Description

蒸镀装置
技术领域
本发明涉及用于在容器上形成蒸镀膜的蒸镀装置。
背景技术
在下述的专利文献1中，公开有包括输送部件的CVD蒸镀装置。在输送部件上设有圆形状的输送面，输送面以朝向上下方向的旋转轴为中心移动地构成。输送面在周向上被分成4个区域，在各区域上设有保持架和涂敷设备，收容有被蒸镀的塑料瓶等多个零件的壳体借助于保持架而被供给到涂敷设备。
在输送部件的外部确定如下位置：用于面对输送部件地将壳体供给到保持架的供给位置、配设有在蒸镀处理前对涂敷设备进行减压的泵的排出(减压)位置、配设有生成用于蒸镀涂敷设备内的零件的微波的部件和用于对涂敷设备进行减压的泵的涂敷位置、和用于从保持架搬出壳体的卸货位置，在各自的位置上设有用于进行上述作业的设备。
蒸镀装置的作业如下：壳体在壳体的供给位置借助输送部件的保持架被供给到涂敷设备之后，在使输送部件旋转规定角度的排出位置利用泵对涂敷设备内进行减压。对涂敷设备内进行减压之后，使输送部件进一步旋转规定角度，将壳体输送到设有微波生成部件的设置部的涂敷位置。在涂敷位置，涂敷设备内被泵减压到规定压力后，利用涂敷部件涂敷零件。涂敷作业完成后，使输送部件进一步旋转规定角度，将壳体输送到卸货位置，从输送部件中取出壳体。
专利文献1：日本特开2004-3027号公报
为了涂敷零件，涂敷设备内被减压到规定压力之后，对零件实施涂敷，在涂敷工序中，需要较多时间的是该减压作业和涂敷处理。
专利文献1的涂敷装置利用1个涂敷设备处理多个零件，所以涂敷设备内的减压时间变长，需要在涂敷位置上的作业时间。与此相比，将壳体搬入输送部件、进行输送的时间与减压作业和涂敷处理相比，能在短时间内进行作业。因此，即使在壳体的供给位置，完成向输送部件输送壳体，在壳体的卸货位置，完成从输送部件搬出壳体，在涂敷位置上的减压作业、涂敷处理仍在继续进行。
其结果、在壳体的供给位置，壳体在输送部件上处于待机状态，作业效率产生浪费。特别是在专利文献1的涂敷装置中，用1个涂敷设备(处理室)对多个零件进行涂敷，因此，减压时间花费更长时间。而且，用1个涂敷设备(处理室)一次对多个零件进行涂敷，因此难以谋求零件的涂敷层高精度且均匀化，装置也有大型化的倾向。
本发明的目的在于提供一种虽然使用现有的容器供给-取出装置、蒸镀单元、真空装置、微波振荡器等，但能够大幅度地缩短对容器的蒸镀时间，装置也不会大型化，涂敷层均匀化的蒸镀装置。
发明内容
本申请的发明人着眼于专利文献1的涂敷装置中的在涂敷位置的作业花费长时间和输送部件被输送到下一步骤之前存在待机时间的问题，在本发明的蒸镀装置中，大幅度地缩短在涂敷(蒸镀)位置上的作业时间，尽可能地缩短待机时间，从而完成了作业效率高的蒸镀装置。
为了达到上述目的，本发明的蒸镀装置包括：支承台，其能间歇旋转；多个蒸镀单元，其具有开闭自如的处理室，其沿周向隔开间隔地配设在该支承台上，利用该支承台的间歇旋转依次位于搬入/搬出区域、预减压区域、蒸镀区域和减压解除区域；被蒸镀体搬入/搬出部件，其用于将蒸镀有薄膜的被蒸镀体自位于该搬入/搬出区域的该蒸镀单元的该处理室内搬出，且将要蒸镀薄膜的被蒸镀体搬入到被搬出了被蒸镀体的该蒸镀单元的该处理室内；预减压部件，其对位于该预减压区域的该蒸镀单元的该处理室内进行排气而使该处理室内成为减压状态；蒸镀部件，其包括：用于对存在于位于该蒸镀区域的该蒸镀单元的该处理室内的被蒸镀体蒸镀薄膜而对该处理室内进行排气使该处理室内成为减压状态的主减压部件；向该处理室内供给薄膜蒸镀所需要的气体的气体供给部件和用于在该处理室内生成电磁波的电磁波生成部件；减压解除部件，其解除位于该减压解除区域的该蒸镀单元的该处理室内的减压状态。
优选上述蒸镀装置的该蒸镀单元包括基台、处理室主体，该处理室主体相对于该基台上下移动，规定关闭该处理室的关闭位置和打开该处理室的打开位置，该蒸镀单元从该搬入/搬出区域向该预减压区域移动中途或位于该预减压区域后，该处理室主体移动到该关闭位置，该蒸镀单元位于该减压解除区域后该处理室主体移动到该打开位置。
优选上述蒸镀装置的该预减压部件包括：第一流路，其配设在该蒸镀单元的该基台上，一端与该处理室相连通，另一端被打开，且中途具有第一开闭阀部件；第二流路，其配设在第一真空排气***中，一端被打开，另一端与第一真空源相连通，且中途具有第二开闭阀部件；以及第一可动构件，其能使该第一流路和该第二流路处于连接或非连接状态，使位于该预减压区域的该蒸镀单元的该处理室内成为减压状态时，使该第一开闭阀部件和该第二开闭阀部件自该第一开闭阀部件的关闭状态、该第二开闭阀部件的关闭状态且由该第一可动构件连接该第一流路和该第二流路的状态成为打开状态，之后，将该蒸镀单元从该预减压区域移动到该蒸镀区域时，使该第一和该第二开闭阀部件各自成为关闭状态后，由该第一可动构件使该第一流路和该第二流路处于非连接状态。
优选上述蒸镀装置的该主减压部件包括：第一流路，其配设在该蒸镀单元的该基台上，一端与该处理室相连通，另一端被打开，且中途具有第一开闭阀部件；第三流路，其配设在第二真空排气***中，一端被打开、另一端与第二真空源相连通，且中途具有第三开闭阀部件；以及第二可动构件，其能使该第一流路和该第三流路处于连接或非连接状态，使位于该主减压区域的该蒸镀单元的该处理室内成为减压状态时，自该第一开闭阀部件的关闭状态、该第三开闭阀部件的关闭状态且由该第二可动构件连接该第一流路和该第三流路的状态使该第三开闭阀部件成为打开状态，接着使该第一开闭阀部件成为打开状态，之后，将该蒸镀单元从该蒸镀区域移动到该减压解除区域时，使该第一和该第二开闭阀部件各自成为关闭状态后，由该第二可动构件使该第一流路和该第三流路处于非连接状态。
优选上述蒸镀装置的该被蒸镀体是合成树脂制容器，遍及该容器的内表面整体地蒸镀薄膜。
本发明的蒸镀装置具有能间歇旋转的支承台、沿周向隔开间隔地配设在该支承台上、利用该支承台的间歇旋转依次位于搬入/搬出区域、预减压区域、蒸镀区域和减压解除区域，通过缩短蒸镀区域的作业时间、并缩短搬入/搬出区域的待机时间，能使各阶段的实质上的作业时间均匀化，整体上缩短被蒸镀体的蒸镀作业。即，通过用1个阶段进行在被蒸镀物的搬入/搬出区域上的作业，不在蒸镀区域进行蒸镀后的减压解除而分离成独立的阶段，能大幅度地缩短在蒸镀区域上的作业时间，其结果，能够使4个阶段的作业时间均匀化。
附图说明
图1是包括本发明的实施方式的蒸镀装置的蒸镀***的概略俯视图。
图2是图1的蒸镀装置的放大俯视图。
图3是图1的蒸镀装置的放大主视图。
图4是能看见图1的蒸镀装置的微波振荡器的部位的放大侧视图。
图5是图3和图4所示的蒸镀装置的蒸镀单元的放大剖视图。
图6是自图1的蒸镀装置的第2阶段的基台和真空排气***的侧面方向观察到的剖视图。
图7是自图1的蒸镀装置的第2阶段的基台和真空排气***的俯视方向观察到的剖视图。
图8是自图1的蒸镀装置的第2阶段的基台和真空排气***的背面方向(图6的Y-Y线方向)观察到的剖视图。
图9是自图1的蒸镀装置的第3阶段的基台和真空排气***的侧面方向观察到的剖视图。
图10是自图1的蒸镀装置的第3阶段的基台和真空排气***的背面方向(与图6的Y-Y线方向相对应的第3阶段的截面)观察到的剖视图。
图11是表示与基台连接的原料气体的连接部的概略连接图。
图12是在图1的蒸镀装置的第3阶段中，用于决定对处于大气压状态下的基台的流路进行减压所需的待机时间的试验结果。
图13是用于说明本实施例的蒸镀装置用于蒸镀容器的作业的1个循环的时间的图。
附图标记说明
1、蒸镀装置；2、供给输送带；3、容器供给轮；3a、7a、旋转轴；3b、7b、轮；3c、齿轮；4、输送轮；5、6、容器搬入/搬出装置；7、容器排出轮；8、排出输送带；9、内侧输送路径；9a、10a、容器支承部；10、外侧输送路径；12、外框；14、旋转体；14a、外周面；14b、支承台；14c、柱状部；15、蒸镀单元；16、处理室主体；16a、17a、密封构件；17、基台；18、升降单元；18a、导轨；21、导块；23、顶盖；24、处理室；25、容器；27、原料气体供给棒；28、容器支承部；29、31、吸排气口；30、原料气体供给管；32、波导管；32a、R型凸缘部；32b、真空遮蔽板；34、微波振荡器；35、微波振荡器电源；40、滑阀部(第一开闭阀部件)；41a～41c、流路；42、滑板；43、真空截流阀；44a～44c、阀座；45a～45c、下端开口；58、59a～59c、真空法兰盘；61、真空排气***(第一真空排气***)62、72、上部板；63、波纹状配管(第一可动构件)；64、真空阀部(第二开闭阀部件)；65、75a～75c、排气用流路；66、76、作动缸；71、真空排气***(第二真空排气***)；73a～73c、波纹状配管(第二可动构件)；74a～74c、真空阀部(第三开闭阀部件)；81、83、开闭阀；82、原料气瓶；84、原料气罐；85、空气供给部件；89、90、原料气体流量调整阀；86、91、吸入流路；87、88、大气释放阀；95、真空泵(第一真空源)；96、97、真空泵(第二真空源)；f、h、容器交接区域(容器交接位置)。
具体实施方式
图1是表示在本发明的实施方式的容器的蒸镀装置1中，将蒸镀作业分成4个阶段进行的例子的蒸镀***的俯视图。
本发明的蒸镀***利用微波对塑料瓶等容器的内表面蒸镀原料气体。容器经由依次位于从蒸镀***的上游侧到下游侧的供给输送带2、容器供给轮3、输送轮4、容器搬入/搬出装置(机器人)5、6、进入蒸镀装置1，再次经由容器搬入/搬出装置5、6返回到输送轮4，从该输送轮4向容器排出轮7、排出输送带8行进。
供给输送带2是以容器的口部朝向上方的正立姿势将容器向箭头标记a所示的直线方向进行输送的。容器供给轮3具有容器把持部，以旋转轴为中心向箭头标记c所示的逆时针方向旋转，在供给输送带2的交接位置b接受容器。输送轮4具有旋转轴相同的圆形的内侧输送路径9和外侧输送路径10，使上述内外输送路径9、10沿箭头标记e所示的顺时针方向旋转地构成，沿周向整体并列设置有多个容器支承部9a、10a。内侧输送路径9的容器支承部9a的圆形轨道在交接位置d与容器供给轮3的圆形轨道相切，进行容器的交接。
输送轮4的内侧输送路径9的容器支承部9a之间的间距以与容器供给轮3的容器支承部之间相同的间距沿周向配设，以与该容器支承部9a相同的间距将外侧输送路径10的容器支承部10a沿周向配设。内侧输送路径9和外侧输送路径10各自独立旋转地构成。
输送轮4将容器输送到内侧输送路径9的交接区域f，将容器交接到搬入/搬出装置5、6中。搬入/搬出装置5、6使用公知技术的机器人，能以旋转轴为中心转动并翻转容器把持部，由内侧输送路径9的容器支承部9a接受以正立姿势被输送来的容器，并将容器的姿势翻转180度，以倒立的状态将容器供给到蒸镀装置1。
图2是蒸镀装置的放大俯视图，图3是蒸镀装置的主视图，图4是从具有微波振荡器的部分观察到的侧视图。
在蒸镀装置1上设有四边形状的外框12，在该外框12的内部设有旋转体14。旋转体14包括支承台14b和柱状部14c，支承台14b的上端侧向上方外侧突出地形成，在其上部形成有水平面。在支承台14b上配设有柱状部14c。旋转体14能够向箭头标记g(参照图1)所示的顺时针方向旋转，在沿垂直方向延伸的支承台14b的外周部配设有多个蒸镀单元15。在本实施方式中，沿旋转体14的周向配设16个蒸镀单元15，将2个蒸镀单元15作为1组形成。各蒸镀单元15沿着围绕旋转体14的中心轴的圆周方向的轨道移动。
蒸镀单元15包括位于上侧的处理室主体16和位于下侧的基台17。处理室主体16能够利用升降单元18沿着柱状体14c的外周面14a沿垂直方向升降。在升降单元18上具有在柱状体14c的外周面14a上沿上下方向延伸的导轨18a，在该导轨18a上滑动自如地嵌合有导块21。升降单元18利用油压、空气压力、驱动电动机等驱动部件使导块21沿上下方向升降。导块21支承1组处理室主体16，使处理室主体16移动到上升位置、下降位置。
图5表示处理室主体16处于下降位置的状态，处理室主体16和基台被17连结成一体，是在处理室24内支承有容器25的状态的概略剖视图。蒸镀单元15的基台17被固定在各处理室主体16的正下方，与旋转体14一起沿周向移动。
在蒸镀单元15上，在形成于处理室主体16和基台17之间的密封安装部上安装有密封构件17a，能够使处理室24成为气密地设有密封构件17a。在基台17上借助排气管连接有吸排气口31，该吸排气口31与用于进行处理室24的排气而使处理室24成为减压状态的真空泵连通。
另一方面，在基台17上设有容器25的口颈部的支承部，以将该口颈部配置在下侧的状态支承容器25。在容器25的内部***有立起设置在容器支承部28上的原料气体供给棒27。在基台17上还设有用于对容器25内进行减压的吸排气口29。
图6～图8表示基台17和配设在用于对蒸镀单元的处理室24以及容器25内进行减压的第2阶段(参照图2)的真空排气***61，图6是基台17和真空排气***61的侧视图，图7是俯视图，图8是后视图。
在基台17的内部设有与容器25侧的吸排气口29连通的流路41a、41c以及与处理室24侧的吸排气口31连通的流路41b，在流路41a～41c中配设有滑阀部40。另外，各流路41a～41c和配设在它们上的阀构造实质上是相同的构造，所以一起说明它们。
在滑阀部40设有与未图示的作动缸相连结的滑板42和与该滑板42相连结的真空截流阀43。真空截流阀43能够利用作动缸沿水平方向前后移动，在前进位置与形成于流路41a～41c上的阀座44a～44c抵接而关闭，遮断流路41a～41c的气体的流动，在后退位置打开而容许流路41a～41c的气体的流动。在流路41a～41c的下端部形成有下端开口45a～45c。
被配设在第2阶段(参照图2)的真空排气***61能贴靠、分离地配设在基台17的底面，在其上端部设有上部板62。在上部板62的下部配设有波纹状配管63、真空阀部64，在波纹状配管63、真空阀部64之间设有流路65。上部板62利用作动缸66可升降地构成，在上升位置与基台17的下端开口45a～45c气密连结，将流路41a～41c、波纹状配管63和下游侧的流路65连通。在上部板62的内部，基台17侧的流路41a～41c汇合。
在上部板62的下降位置，基台17和真空排气***61成为分离状态，基台17侧的流路41a～41c的下端开口45a～45c与大气连通。波纹状配管63能伸缩，容许上部板62的升降。
在真空阀部64的侧部设有真空法兰盘58，与真空泵95相连接。真空阀部64通过开闭连通、遮断空气在真空泵95和流路65之间的流动。真空泵95在滑阀部40和真空阀部64打开的状态下对处理室24和容器25内进行减压。
图9和图10表示配设在第3阶段的状态的基台17和真空排气***71。
真空排气***71能贴靠、分离地配设在基台17的下部，真空排气***71的上端部设有上部板72，在上部板72的下部配设有波纹状配管73a～73c、真空阀部74a～74c，设有将真空阀部74a～74c和波纹状配管73a～73c连通的流路75a～75c。上部板72利用位于两端部的油压(或空气压力)缸76可升降地构成，在上升位置，基台17的下端开口45a～45c和真空排气***71的流路75a～75c气密地连结。在上部板72的下降位置，基台17和真空排气***71成为分离状态，流路41a～41c的下端开口45a～45c与大气连通。波纹状配管73a～73c能伸缩，容许上部板72的升降。
在真空阀部74a～74c的侧部设有真空法兰盘59a～59c。在真空法兰盘59a～59c中，位于左右外侧的真空法兰盘59a、59c上连接有真空泵96，在中央的真空法兰盘59b上连接有真空泵97。真空阀部74a、74c能够连通、遮断气体在真空泵96和流路75a、75c之间的流动，真空阀部74b能够连通、遮断气体在真空泵97和流路75b之间的流动。真空泵96在滑阀部40和真空阀部74a、74c打开的状态下对容器25内进行减压，真空泵97在滑阀部40和真空阀部74b打开的状态下对处理室24进行减压。
另外，第2阶段的真空排气***61和第3阶段的真空排气***71的不同点在于，与第2阶段的法兰盘58连接的真空泵95是1个，而在第3阶段真空泵配设有2个。在图8所示的第2阶段的真空排气***61中，通过使连通于容器25的吸排气口29和连通于处理室24的吸排气口31的流路41a～41c汇合，能利用1台真空泵95从流路65同时对处理室24和容器25内进行减压处理。实际上，在1个阶段上设有2个基台17，在1个基台17上具有2个处理室24、容器25，所以用1个真空泵95同时对4个处理室24和4个容器25进行预排气。
在第3阶段的真空排气***71中，在真空法兰盘59a、59c上连接有真空泵96，在真空法兰盘59b上连接有真空泵97，2台真空泵96、97相连接。
如上所述，在1个阶段设有4个处理室24和4个容器25，所以通过连通流路可用1个真空泵96同时对4个容器25内部进行减压，用1个真空泵97同时对4个处理室24进行减压。这样，在第2阶段配设1个真空泵95，在第3阶段配设2个真空泵96、97，在蒸镀装置1上合计配设3个真空泵。
另外，使容器25内成为比处理室24更高的真空度，在第3阶段，对容器25的内部进行减压的真空泵96使用比对处理室24进行减压的真空泵97更能减压到更高真空度的真空泵。
而且，在原料气体供给棒27上连结有供给原料气体的原料气体供给管30，在原料气体供给棒27上形成有排出这些气体的多个孔。
如图11所示，在原料气体供给棒27上借助开闭阀81和原料气体流量调整阀89连结有填充了氧的原料气瓶82，还借助开闭阀83和原料气体流量调整阀90连结有填充了HMDSO(六甲基二硅醚)的原料气罐84。
在基台17上设有与吸排气口29相连通的吸入流路91，在吸入流路91上连接有大气释放阀87，还设有与吸排气口31相连通的吸入流路86，在吸入流路86上连接有大气释放阀88。
在处理室主体16的侧壁设有与处理室24连通的波导管32。在波导管32的顶端部设有圆板形状的R型凸缘部32a，为了保持处理室24的气密状态，真空遮蔽板32b将波导管32的一端气密地闭塞。在R型凸缘部32a上接合有微波振荡器34，真空遮蔽板32b只要是透过微波的材料即可，例如由特氟纶(注册商标)、陶瓷、石英玻璃等形成。
微波振荡器34被固定在静止位置，在本实施方式的蒸镀装置1中具有4个。如图1所示，微波振荡器34配置在位于与搬入/搬出装置5、6在旋转体14的径向相反的一侧的部位。4个微波振荡器34与沿周向连续的4个处理室主体16相对应地配置。而且，如图4所示，在微波振荡器34上连接有用于使微波激振的微波振荡器电源35，借助波导管32将微波导入处理室24，由此同时进行4个容器25的蒸镀。
容器搬入/搬出装置5、6能够向基台17供给容器25，并且也从能够从基台17取出容器25。上述搬入/搬出装置5、6将容器25放入图2的第1阶段(搬入/排出区域)表示的2个基台17或自2个基台17取出。即，搬入/搬出装置5、6在输送轮4的交接区域h向外侧输送路径10交接容器25。外侧输送路径10向箭头标记e所示的顺时针方向旋转来输送容器25，在交接位置i将容器交接给容器排出轮7的未图示的把持部件。
容器排出轮7向箭头标记j所示的逆时针方向旋转，能在沿容器排出轮7的旋转切线方向延伸的排出输送带8的交接位置k交接容器25。利用排出输送带8将容器25向箭头标记m所示的直线方向输送。
接着，说明本发明的蒸镀装置的作用。
如上所述，利用配设在蒸镀***的上游侧位置的供给输送带2连续地输送容器25。在供给输送带2的交接位置b，容器25由容器供给轮3所具有的未图示的多个把持部中的1个把持。然后，在与旋转轨道相切的输送轮4的内侧输送路径9的交接位置d，将容器25供给到输送轮4。这样，容器供给轮3能够将容器25连续地供给到容器支承部9a，容器被连续配设在容器支承部9a上。
内侧输送路径9向箭头标记e所示的方向旋转，将容器25输送到交接区域f，搬入/搬出装置5、6把持容器支承部9a的容器25，使容器25从正立姿势旋转180度。
旋转体14从图2所示的第1阶段朝向第4阶段每90度且恒定周期地旋转。如图3所示，在第1阶段，处理室主体16处于上升位置，交接容器25时，旋转体14的旋转停止。在图2所示的第1阶段，若有在前一工序被蒸镀的容器25，就利用搬入/搬出装置5、6将被蒸镀了的容器25从处理室主体16预先取出，将容器25交接到外侧输送路径10。然后，利用搬入/搬出装置5、6从内侧输送路径9接受容器25，以倒立状态将容器25供给到基台17上，如图5所示，使容器25的口部支承在容器支承部28上。在2个基台17和输送轮4之间，在容器25的交接完成的时刻，第1阶段完成。另外，蒸镀作业开始时，在处理室主体16中未收容有容器25，所以只进行容器25的供给。
之后使旋转体14旋转90度，以同样的顺序依次将容器25供给排出到后续的处理室主体16中，将容器25连续地供给、排出到2个处理室主体16中的每一个。
在第2阶段(预减压区域)，利用升降单元18使处理室主体16下降，使处理室主体16与基台17接触而连结，由此所形成的处理室24成为密闭状态。接着，由预先连续运转的真空泵95经由吸排气口31对处理室24的内部进行排气，同时由真空泵95经由吸排气口29对容器25的内部进行排气。利用真空遮蔽板32b不会从R型(做成R形状)凸缘部32a丧失气密性。然后，蒸镀单元15在预排气的状态下被输送到配置了微波振荡器34的第3阶段(蒸镀区域)位置。
在第3阶段，4个蒸镀单元15被移送到相对应的微波振荡器34上，使微波振荡器34和处理室主体16的波导管32接近并相面对。在该第3阶段，由预先连续运转的真空泵96、97对处理室24和容器25的内部进行真空排气。
在进行上述的真空排气的同时由原料气体供给管30供给用于蒸镀的原料气体。原料气体由图11所示的原料气瓶82供给O2，由原料气罐84供给HMDSO(六甲基二硅醚)。然后，供给原料气体之后通过微波的振荡而进行成膜。即，微波振荡电源35对微波振荡器34供给电源，微波振荡，微波通过波导管32传递到容器内，在容器25的内部产生等离子体，形成薄膜。在处理室24中对1个容器25进行蒸镀，所以能谋求蒸镀膜的均匀化。
等离子处理完成后，停止供给处理用原料气体和导入微波。完成对容器25的蒸镀就完成第3阶段，使蒸镀单元旋转90度。
在第4阶段(减压解除区域)，打开与基台17连接的大气释放阀87，自与吸排气口29相连通的吸入流路91导入大气，使容器25内恢复为大气压，同时打开大气释放阀88，自与吸排气口31相连通的吸入流路86导入大气，使容器24内恢复为大气压。之后，利用升降单元18使处理室主体16移动到上升位置。这样，第4阶段完成，蒸镀处理的一个工序完成。
第4阶段完成之后，旋转体14旋转90度，容器25由搬入/搬出装置5、6从处理室主体16交接给输送轮4，并反复上述的第1阶段的作业。
另外，在第1阶段，在将容器25放入基台17或自基台17取出容器25的时间内，在与旋转体14相反一侧的第3阶段，同时进行容器25的蒸镀作业，同时在第1阶段的两侧的第2阶段，处理室主体16下降并进行预排气等作业，在第4阶段，大气打开后，处理室主体16上升。
而且，旋转体14旋转的周期以在第3阶段的蒸镀作业时间为基准，旋转体14每90度进行转动。
如图1所示，搬入/搬出装置5、6在输送轮4的交接区域f、h上交接容器25。在容器交接区域h，利用搬入/搬出装置5、6隔着1个容器支承部10a而将2个容器25交接到该容器支承部10a的两侧的容器支承部10a，在容器交接区域f，从4个连续地被输送的容器支承部9a接受容器25。
外侧输送路径10向箭头标记e所示的方向旋转来输送容器25，在交接位置i将容器25交接给容器排出轮7的未图示的把持部件。容器排出轮7向箭头标记j所示的逆时针方向旋转，在排出输送带8的交接位置k交接容器25。用排出输送带8将容器25向箭头标记m所示的直线方向输送，将容器25供给到下一工序。
实施例
如图13所示，在本实施方式中，分2回对处理室24和容器25内进行真空排气，在第2阶段进行处理室24和容器25内的预排气，在第3阶段，通过主减压进行真空排气。这样，预先进行处理室24和容器25内的真空作业，使上述空间迅速减压到规定值。其结果、实际上从真空排气到微波的蒸镀完成进行了7.0秒。
从第1阶段到第4阶段中，最需要时间的是第3阶段，如上所述需要7.0秒。其他的第1、第2和第4阶段的作业时间全部在7.0秒以内进行。因此，如上所述那样的蒸镀1个容器花费7.0秒。在本实施方式中，通过将工序分开、每90度的旋转方式进行作业，所以在第3阶段进行蒸镀作业期间，在第4阶段进行大气打开。这样，将阶段分成4个步骤，与最花费时间的蒸镀真空处理时间相对应地设定各阶段的步骤时间，在第3阶段，不进行大气打开等作业，只进行减压、蒸镀作业，能够谋求作业时间的缩短。
另外，图13中的工作台旋转等作业时间是旋转体14的转动及其他空气压力回路等动作所需的时间。
试验例
对本发明的能够大幅缩短蒸镀时间的第2阶段的预排气作业和第3阶段的真空排气作业的试验例进行说明。
第2阶段的预排气的减压处理顺序如下所述。
开始时(连接基台17和真空排气***61)
使真空阀部64自图6的状态成为关闭状态，使上部板62上升，将基台17和真空排气***61连接，使滑阀部40的真空截流阀43成为打开状态。
开始预排气
从上述开始时的状态，使真空阀部64从关闭状态成为打开状态。此外，处理室24、容器25内部、流路41a～41c和流路65成为连通状态，利用真空泵95对处理室24和容器25内部进行减压。
基台17和真空排气***61的分离准备
上述预排气后，使真空阀部64从打开状态成为关闭状态。接着，使滑阀部40成为关闭状态。
基台17和真空排气***61的分离
使上部板62下降，分离基台17和真空排气***61。然后，使旋转体14旋转，将基台17(蒸镀单元15)移送到第3阶段。
另外，在该状态下，基台17的流路41a～41c的从真空截流阀43的位置到下端开口43a～43c侧通过基台17和第2阶段的真空排气***61分离而成为大气压。
利用旋转体14的旋转，基台17被移送到第3阶段时，基台17位于第3阶段的真空排气***71的上部板72的正上方，进行主减压的减压作业。
参照图9和图10，主减压的减压处理顺序如下所述。
连接基台17和真空排气***71
在预排气完成的状态下，基台17侧的滑阀部40的真空截流阀43是关闭状态，继续保持该状态。然后，使真空排气***71的真空阀部74a～74c成为关闭状态，上部板72从下降位置移动到上升位置，将基台17和真空排气***71连接。
开始真空排气
使真空阀部74a～74c从关闭状态成为打开状态，使基台17侧的流路41a～41c和真空排气***71的流路75a～75c相连通。基台17侧的滑阀部40保持关闭状态下，利用连接于法兰盘59a～59c的真空泵96、97对流路41a～41c以及与流路41a～41c相连通的流路75a～75c内进行减压。
真空排气连接完成
预先对流路41a～41c和流路75a～75c内进行减压之后，使滑阀部40从关闭状态变成打开状态，对处理室24和容器25内进行进一步的减压。
基台17和真空排气***61分离，基台17和真空排气***71连接时流路41a～41c成为大气压，对此以循环内的循环时间和循环内的影响调查为目的，任意地变更流路41a～41c成为大气压所需的待机时间，进行了试验。另外，所谓待机时间是在打开真空阀部74a～74c之后直到打开滑阀部40的时间，以下为待机时间X。
试验结果如下所述。
试验结果
上述待机时间X设为0.5秒、0.6秒、0.8秒、0.4秒、1.5秒，按照该顺序对成为大气压的流路41a～41c进行排气，测量了容器25内部的真空度。试验结果示于图12中。图12所示的预减压开始时，容器25内的压力是大气压(约1×105Pa)。
如图12的椭圆的点划线所示，可知待机时间X越短，容器25内的压力越上升。即，通过分开基台17和真空排气***61，对成为大气压的流路41a～41c进行减压花费时间，若待机时间X短，则不能对流路41a～41c和流路75a～75c进行充分地减压就将容器24和流路41a～41c连接。不过，如图12的箭头标记A所示，蒸镀开始时，不影响待机时间X，真空度大致一致。由此可知，即使缩短待机时间X也不会影响真空度。因此可知，通过分成第2阶段和第3阶段，即使进行减压，也不会产生任何问题。
以上，基于实施方式，参照附图详细地说明了本发明，但是本发明不限定于上述实施方式，能够不脱离本发明的范围地进一步进行其他的变形或变更。
在上述实施方式中，在第3阶段中，通过2个真空泵96、97，利用各自的真空泵对处理室24和容器25内进行了减压，但也可以根据蒸镀处理内容如第2阶段那样用1个真空泵对处理室24和容器25内进行减压。此外，花费设备费，用1个真空泵对4个处理室24和容器25内进行了减压，但是能用1个真空泵分别对1个处理室24、容器25内进行减压。
在本实施方式中，为了便于说明，将蒸镀装置1设为1个，但实际上在输送轮4的周围整体配设5个蒸镀装置1。这样，通过设置多个蒸镀装置1，例如即使1个蒸镀装置因维护、故障等原因而不工作，也可以通过使其他蒸镀装置工作，具有能生产容器的效果。另外，即使4个微波振荡器34中的1个发生故障，也能够通过剩下的3个微波振荡器34继续蒸镀处理容器25。而且，如图1所示，1个蒸镀装置为1个的情况下，能谋求装置的小型化。
在上述实施方式中，为了将原料蒸镀到容器25上，使用了作为电磁波振动装置的微波振荡器34，但也能够使用高频振荡装置来代替微波振荡器34。

Claims (5)

1.一种蒸镀装置，其特征在于，包括：
支承台，能间歇旋转；
多个蒸镀单元，其具有开闭自如的处理室，其沿周向隔开间隔地配设在该支承台上，利用该支承台的间歇旋转依次位于搬入/搬出区域、预减压区域、蒸镀区域和减压解除区域；
被蒸镀体搬入/搬出部件，其用于将蒸镀有薄膜的被蒸镀体自位于该搬入/搬出区域的该蒸镀单元的该处理室内搬出，且将要蒸镀薄膜的被蒸镀体搬入到被搬出L被蒸镀体的该蒸镀单元的该处理室内；
预减压部件，其对位于该预减压区域的该蒸镀单元的该处理室内进行排气而使该处理室内成为减压状态；
蒸镀部件，其包括：为了对存在于位于该蒸镀区域的该蒸镀单元的该处理室内的被蒸镀体蒸镀薄膜而对该处理室内进行排气使该处理室内成为减压状态的主减压部件；向该处理室内供给薄膜蒸镀所需要的气体的气体供给部件和用于在该处理室内生成电磁波的电磁波生成部件；
以及减压解除部件，其解除位于该减压解除区域的该蒸镀单元的该处理室内的减压状态。
2.根据权利要求1所记载的蒸镀装置，其特征在于，
该蒸镀单元包括基台、处理室主体，该处理室主体相对于该基台上下移动，规定关闭该处理室的关闭位置和打开该处理室的打开位置，该蒸镀单元从该搬入/搬出区域向该预减压区域移动中途或位于该预减压区域后，该处理室主体移动到该关闭位置，该蒸镀单元位于该减压解除区域后，该处理室主体移动到该打开位置。
3.根据权利要求1或2所记载的蒸镀装置，其特征在于，
该预减压部件包括：
第一流路，其配设在该蒸镀单元的该基台上，一端与该处理室相连通，另一端被打开，且中途具有第一开闭阀部件；
第二流路，其配设在第一真空排气***中，一端被打开，另一端与第一真空源相连通，且中途具有第二开闭阀部件；
以及第一可动构件，其能使该第一流路和该第二流路处于连接或非连接状态，
使位于该预减压区域的该蒸镀单元的该处理室内成为减压状态时，使该第一开闭阀部件和该第二开闭阀部件自该第一开闭阀部件的关闭状态、该第二开闭阀部件的关闭状态且由该第一可动构件连接该第一流路和该第二流路的状态成为打开状态，之后，将该蒸镀单元从该预减压区域移动到该蒸镀区域时，使该第一和该第二开闭阀部件各自成为关闭状态后，由该第一可动构件使该第一流路和该第二流路处于非连接状态。
4.根据权利要求1～3中任一项所记载的蒸镀装置，其特征在于，
该主减压部件包括：
第一流路，其配设在该蒸镀单元的该基台上，一端与该处理室相连通，另一端被打开，且中途具有第一开闭阀部件；
第三流路，配设在第二真空排气***中，一端被打开另一端与第二真空源相连通，且中途具有第三开闭阀部件；
以及第二可动构件，其能使该第一流路和该第三流路处于连接或非连接状态，
使位于该主减压区域的该蒸镀单元的该处理室内成为减压状态时，自该第一开闭阀部件的关闭状态、该第三开闭阀部件的关闭状态且由该第二可动构件连接该第一流路和该第三流路的状态使该第三开闭阀部件成为打开状态，接着使该第一开闭阀部件成为打开状态，之后，将该蒸镀单元从该蒸镀区域移动到该减压解除区域时，使该第一和该第二开闭阀部件各自成为关闭状态后，由该第二可动构件使该第一流路和该第三流路处于非连接状态。
5.根据权利要求1～4中任一项所记载的蒸镀装置，其特征在于，
该被蒸镀体是合成树脂制容器，薄膜被蒸镀在该容器的内表面整个表面上。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107858654A (zh) * 2017-10-31 2018-03-30 东莞市汇成真空科技有限公司 大型罐体内壁镀膜用真空阴极电弧镀膜机电弧源组件的驱动***

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG11201605837TA (en) * 2014-03-03 2016-08-30 Picosun Oy Protecting an interior of a gas container with an ald coating
DE102016105548A1 (de) * 2016-03-24 2017-09-28 Khs Plasmax Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Behältern
JP6770908B2 (ja) * 2017-02-10 2020-10-21 三菱重工機械システム株式会社 物品処理装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5616208A (en) * 1993-09-17 1997-04-01 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus
JP4683453B2 (ja) * 2001-04-27 2011-05-18 芝浦メカトロニクス株式会社 真空処理装置
DE10139305A1 (de) * 2001-08-07 2003-03-06 Schott Glas Verbundmaterial aus einem Substratmaterial und einem Barriereschichtmaterial
AU2003229286A1 (en) * 2002-05-24 2003-12-12 Sig Technology Ltd. Method and device for the plasma treatment of workpieces
MXPA04011663A (es) * 2002-05-24 2005-07-05 Schott Ag Dispositivo de recubrimiento multiestaciones y metodo para recubrimiento por plasma.
EP1507886B1 (de) * 2002-05-24 2015-09-30 KHS Corpoplast GmbH Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von werkstücken
EP1507895B1 (de) * 2002-05-24 2010-07-21 Schott Ag Rundläufermaschine für cvd-beschichtungen
ATE326557T1 (de) * 2002-05-24 2006-06-15 Schott Ag Vorrichtung für cvd-behandlungen
DE10224546A1 (de) * 2002-05-24 2003-12-04 Sig Technology Ltd Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken
MXPA04011431A (es) * 2002-05-24 2005-08-15 Schott Ag Dispositivo y metodo para el tratamiento de piezas de trabajo.
DE50302862D1 (de) * 2002-05-24 2006-05-18 Schott Ag Vorrichtung für CVD-Beschichtungen
WO2003100125A1 (de) * 2002-05-24 2003-12-04 Sig Technology Ltd. Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von werkstücken
US7109070B2 (en) * 2002-08-07 2006-09-19 Schot Glas Production of a composite material having a biodegradable plastic substrate and at least one coating
US7399500B2 (en) * 2002-08-07 2008-07-15 Schott Ag Rapid process for the production of multilayer barrier layers
DE102006043813B4 (de) * 2006-02-21 2011-05-19 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Schieberventil für eine Beschichtungsanlage und Beschichtungsanlage

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107858654A (zh) * 2017-10-31 2018-03-30 东莞市汇成真空科技有限公司 大型罐体内壁镀膜用真空阴极电弧镀膜机电弧源组件的驱动***
CN107858654B (zh) * 2017-10-31 2023-06-02 东莞市汇成真空科技有限公司 大型罐体内壁镀膜用真空阴极电弧镀膜机电弧源组件的驱动***

Also Published As

Publication number Publication date
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EP2192208A1 (en) 2010-06-02
WO2009144814A1 (ja) 2009-12-03
JP4798288B2 (ja) 2011-10-19
US20100319620A1 (en) 2010-12-23

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