CN101656273B - 选择性发射极太阳能电池单元及其制造方法 - Google Patents

选择性发射极太阳能电池单元及其制造方法 Download PDF

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Abstract

一种选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，包括：提供具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体；在太阳能电池单元基体的受光面形成防反射层；在防反射层上形成母线；使母线穿过防反射层与埋栅电极相连接。相应地，本发明还提供一种选择性发射极太阳能电池单元。本发明将发射极电极与母线分开制作，根据实际使用需要缩小发射极电极的宽度，减少了不必要的使用面积，增加了太阳能电池板接收太阳光的有效面积。本发明将太阳能电池的转换效率从原来的16.5％提高到18％以上。

Description

选择性发射极太阳能电池单元及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，具体来说，涉及一种选择性发射极太阳能电池单元及其制造方法。
背景技术
鉴于常规能源供给的有限性和环保压力的增加，世界上许多国家掀起了开发和利用新能源的热潮。在新能源中，太阳能是一种清洁、无污染、取之不尽用之不竭的绿色能源，世界各国对此都很重视并作了大量的研究，在能源日益紧缺的当今世界，太阳能具有非常广阔的发展前景。
使用太阳能电池将太阳能转换为电能是大规模利用太阳能的重要技术基础，其中所能转换成电能的部分占太阳能电池所吸收到的太阳能的比例称为转换效率(Conversion Efficiency)，理论上转换效率可以达到29％。目前在实验室阶段经过一系列复杂和昂贵的工艺以后，可以达到24％左右。而在实际产业化的过程中，转换效率要更低一些，通常不足20％。为此人们作了很多努力来提高太阳能电池的转换效率，制造选择性发射极(Selective Emitter)结构的太阳能电池单元(Solar Cell)就是其中的一种方法。
在中国期刊《中国建设动态：阳光能源》(国际标准刊号：ISSN 1008-570X)2004年08M期第42～45页的论文《选择性发射极太阳电池结构及其实现方法》(作者：屈盛、刘祖明、廖华、陈庭全，云南师范大学太阳能研究所)中，还可以发现更多与选择性发射极太阳能电池结构相关的信息。
如图1所示，在现有的制造选择性发射极太阳能电池单元的方法中，在半导体衬底100上具有轻掺杂浅扩散区102，在半导体衬底100中形成有大小不同的重掺杂深扩散的沟槽106和110，其中分别形成有金属材料104和108，用作发射极电极或者母线(Bus-Bar)。细的金属材料108作为发射极电极，收集PN结处由光生载流子所产生的电流；而粗的金属材料104不仅作为发射极电极，收集PN结处由光生载流子所产生的电流，还作为太阳能电池单元对外输出电流的母线。即在制造太阳能电池单元的时候，必须有选择地制作一些粗的电极104，这样占据了太阳能电池板的使用面积，减少了太阳能电池板接收太阳光的有效面积，并且粗的电极104与重掺杂深扩散的沟槽106之间的接触电阻较高。另外，现有技术中半导体衬底表面的掺杂浓度偏高，使得太阳能电池单元收集光生载流子尤其是短波光生载流子的能力降低，上述原因都会降低太阳能电池的转换效率。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种选择性发射极太阳能电池单元及其制造方法，提高太阳能电池的转换效率。
为解决上述问题，本发明提供一种选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，包括：提供具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体；在太阳能电池单元基体的受光面形成防反射层；在防反射层上形成母线；使母线穿过防反射层与埋栅电极相连接。
可选地，所述形成具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体包括：在半导体衬底中形成发射极沟槽；在发射极沟槽附近的半导体衬底中形成发射极PN结；在发射极沟槽中依次形成阻挡层、导电层和焊接层，组成埋栅电极。
可选地，所述发射极沟槽的宽度为10～50μm，深度为10～50μm。
可选地，所述母线的宽度为3000～5000μm。
可选地，所述半导体衬底表面的方块电阻大于100Ω/□。
可选地，所述发射极沟槽表面的方块电阻小于30Ω/□。
可选地，所述阻挡层的材料为镍，导电层的材料为铜，焊接层的材料为银。
可选地，所述阻挡层的厚度为2～20μm，导电层的厚度为5～50μm，焊接层的厚度为5～50μm。
可选地，所述母线的材料为银。
可选地，所述母线与埋栅电极上下垂直排列。
可选地，所述埋栅电极互相平行排列且排列间距相同。
可选地，所述母线互相平行排列且排列间距相同。
可选地，在形成选择性发射极太阳能电池单元基体的过程中还包括形成子埋栅电极。
可选地，所述子埋栅电极与埋栅电极在同一平面内垂直相交，并且子埋栅电极位于母线的正下方，与母线上下平行排列。
可选地，共烧太阳能电池单元基体，使母线受热烧穿防反射层与埋栅电极相连接。
本发明还提供一种选择性发射极太阳能电池单元，包括：具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体；形成于太阳能电池单元基体受光面的防反射层；在防反射层上形成的母线，所述母线穿过防反射层与埋栅电极相连接。
可选地，所述具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体包括：半导体衬底；形成于半导体衬底中的发射极沟槽；在发射极沟槽附近的半导体衬底中形成的发射极PN结；在发射极沟槽中依次形成的阻挡层、导电层和焊接层。
可选地，所述发射极沟槽的宽度为10～50μm，深度为10～50μm。
可选地，所述母线的宽度为3000～5000μm。
可选地，所述半导体衬底表面的方块电阻大于100Ω/□。
可选地，所述发射极沟槽表面的方块电阻小于30Ω/□。
可选地，所述阻挡层的材料为镍，导电层的材料为铜，焊接层的材料为银。
可选地，所述阻挡层的厚度为2～20μm，导电层的厚度为5～50μm，焊接层的厚度为5～50μm。
可选地，所述母线的材料为银。
可选地，所述母线与埋栅电极上下垂直排列。
可选地，所述埋栅电极互相平行排列且排列间距相同。
可选地，所述母线互相平行排列且排列间距相同。
可选地，在形成选择性发射极太阳能电池单元基体的过程中还包括形成子埋栅电极。
可选地，所述子埋栅电极与埋栅电极在同一平面内垂直相交，并且子埋栅电极位于母线的正下方，与母线上下平行排列。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：在制造选择性发射极太阳能电池单元的方法中，在选择性发射极太阳能电池单元基体表面形成防反射层，所述选择性发射极太阳能电池单元基体具有埋栅电极，在防反射层上形成母线，使母线穿过防反射层与作为发射极电极的埋栅电极相连接。这样就可以将发射极电极与母线分开制作，可以根据实际使用需要缩小发射极电极的宽度，减少不必要的使用面积，增加太阳能电池板接收太阳光的有效面积，并且降低发射极电极与发射极沟槽之间的接触电阻，进而在一定程度上提高太阳能电池板的转换效率。
另外，在制造选择性发射极太阳能电池单元的方法中，降低半导体衬底表面的掺杂浓度，从而可以提高太阳能电池单元收集光生载流子尤其是短波光生载流子的能力。
再者，在制造选择性发射极太阳能电池单元的方法中，将埋栅电极与母线上下垂直排列，从而可以避免埋栅电极与母线上下平行排列可能造成的位置偏差，进而造成两者接触不良。
最后，在制造选择性发射极太阳能电池单元的方法中，在制作埋栅电极的时候，同步制作一些与埋栅电极在同一平面内垂直相交的子埋栅电极，并且子埋栅电极位于后续制作的母线的正下方，与母线上下平行排列，从而可以增大埋栅电极与母线之间的接触面积，减小两者之间的接触电阻。
本发明通过以上技术改进，所制造的选择性发射极太阳能电池板的转换效率从原来的16.5％提高到18％以上。
附图说明
图1是现有技术形成的一种选择性发射极太阳能电池单元的剖面结构示意图；
图2是本发明的一个实施例的形成选择性发射极太阳能电池单元的方法流程示意图；
图3是本发明的一个实施例所形成的选择性发射极太阳能电池单元的俯视图；
图4至图9是本发明的一个实施例的形成选择性发射极太阳能电池单元的剖面结构示意图；
图10是本发明的另一个实施例所提供的具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体的俯视图；
图11至图14是本发明的一个实施例的形成选择性发射极太阳能电池单元基体的剖面结构示意图。
具体实施方式
本发明在制造选择性发射极太阳能电池单元的方法中，在选择性发射极太阳能电池单元基体表面形成防反射层，所述选择性发射极太阳能电池单元基体具有埋栅电极，在防反射层上形成母线，使母线穿过防反射层与作为发射极电极的埋栅电极相连接。这样就可以将发射极电极与母线分开制作，可以根据实际使用需要缩小发射极电极的宽度，减少不必要的使用面积，增加太阳能电池板接收太阳光的有效面积，并且降低发射极电极与发射极沟槽之间的接触电阻，进而在一定程度上提高太阳能电池板的转换效率。
另外，在制造选择性发射极太阳能电池单元的方法中，降低半导体衬底表面的掺杂浓度，从而可以提高太阳能电池单元收集光生载流子尤其是短波光生载流子的能力。
再者，在制造选择性发射极太阳能电池单元的方法中，将埋栅电极与母线上下垂直排列，从而可以避免埋栅电极与母线上下平行排列可能造成的位置偏差，进而造成两者接触不良。
最后，在制造选择性发射极太阳能电池单元的方法中，在制作埋栅电极的时候，同步制作一些与埋栅电极在同一平面内垂直相交的子埋栅电极，并且子埋栅电极位于后续制作的母线的正下方，与母线上下平行排列，从而可以增大埋栅电极与母线之间的接触面积，减小两者之间的接触电阻。
本发明通过以上技术改进，所制造的选择性发射极太阳能电池板的转换效率从原来的16.5％提高到18％以上。
下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步说明，但不应以此限制本发明的保护范围。
图2是本发明的一个实施例的形成选择性发射极太阳能电池单元的方法流程示意图。如图2所示，包括：执行步骤S201，提供具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体；执行步骤S202，在太阳能电池单元基体的受光面形成防反射层；执行步骤S203，在防反射层上形成母线；执行步骤S204，在太阳能电池单元基体上形成背面电极；执行步骤S205，共烧太阳能电池单元基体，使得母线受热烧穿防反射层而与埋栅电极相连接。
在本实施例中，所述埋栅电极是指埋入半导体衬底中的发射极电极；所述共烧是指两种或两种以上材料共同加热的热处理方法。
图3是本发明的一个实施例所形成的选择性发射极太阳能电池单元的俯视图，所述选择性发射极太阳能电池单元400包括半导体衬底200、埋入半导体衬底200中作为太阳能电池单元发射极电极的埋栅电极211以及位于半导体衬底200和埋栅电极211上方且与埋栅电极211上下垂直排列的母线216，所述母线216穿过覆盖半导体衬底200和埋栅电极211的防反射层(未图示)与埋栅电极211相连接。
在其它实施例中，所述母线216还可以与下方的埋栅电极211倾斜排列，母线216甚至还可以具有其他多种形状，例如圆弧形或者螺旋形。
图4至图9是本发明的一个实施例的形成选择性发射极太阳能电池单元的剖面结构示意图，其中图4至图9均是沿着图3中的直线A-A’方向截取的剖视图。
如图4所示，提供具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体300，所述太阳能电池单元基体300包括：P型半导体衬底200，所述半导体衬底200的表面202为N型，所述N型表面202具有一定的深度，由此在半导体衬底200的表面附近形成有表面PN结901；在半导体衬底200中形成有发射极沟槽204，所述发射极沟槽204的深度大于表面PN结901的结深；在发射极沟槽204附近的半导体衬底中形成发射极PN结902，掺杂杂质为N型，所述发射极沟槽204附近的区域212的掺杂浓度高于半导体衬底200的表面202；在发射极沟槽204中具有埋栅电极211，所述埋栅电极211包括依次形成的阻挡层206、导电层208和焊接层210，作为太阳能电池单元的发射极电极。
在本实施例中，所述提供的具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体300的俯视图如图5所示。埋入半导体衬底200中作为太阳能电池单元发射极电极的埋栅电极211可以互相平行排列且排列间距可以相同。
在其它实施例中，所述埋栅电极211之间的排列间距也可以不相同。
如图6所示，在选择性发射极太阳能电池单元基体300的受光面形成防反射层214，所述形成防反射层214的方法可以采用本领域技术人员的公知技术，例如化学气相淀积法；所述防反射层214的材料可以为氮化硅、氧化硅或者两者的组合，用来减少太阳能电池板在接收太阳光照射时由于太阳能电池板表面过于光滑而造成的全发射和漫反射。
如图7所示，在防反射层214上形成母线216，所述形成母线216的方法可以为本领域技术人员的公知技术，例如丝网印刷法；所述母线216的宽度可以为3000～5000μm，所用的材料可以为银；所述母线216彼此之间可以互相平行排列并且排列间距可以相同，与埋栅电极211上下垂直排列；所述母线216用来收集各埋栅电极211处由光生载流子所产生的电流，并且作为选择性发射极太阳能电池板对外输出电流的接口。
在不同的实施例中，所述母线216的宽度可以根据需要确定，具体例如3000μm、3500μm、4000μm、4500μm或5000μm等，优选4000μm。
在其它实施例中，所述母线216之间的排列间距也可以不相同。
如图8所示，在选择性发射极太阳能电池单元基体300上形成背面电极220，所述形成背面电极220的方法可以为本领域技术人员的公知技术，例如丝网印刷法；所述形成背面电极220的时候还包括形成背场(Back Side Field，BSF)218；所述背面电极220的材料可以为银，背场218的材料可以为铝；所述背面电极220与太阳能电池单元基体300的母线216一起构成回路，作为选择性发射极太阳能电池板对外输出电流的接口；所述背场218可以用来增加少子的收集效率，并且也可以作为半导体衬底200的吸杂器。
如图9所示，对选择性发射极太阳能电池单元基体300进行加热共烧，使得母线216受热烧穿防反射层214而与埋栅电极211相连接，同时背面电极220和背场218在高温的作用下也部分渗透进入半导体衬底200中，形成最终的选择性发射极太阳能电池单元400。
在其它实施例中，还可以采用其它方式实现母线与埋栅电极的连接，例如通过在防反射层214上形成一些凹槽，其中填入金属材料形成母线216，从而使母线216穿过防反射层214与埋栅电极211相连接。
如图10所示是本发明的另一个实施例所提供的具有埋栅电极的选择性发射极太阳能单元基体300的俯视图。所述选择性发射极太阳能单元基体300具体包括埋栅电极211和子埋栅电极211，所述子埋栅电极211与埋栅电极211在同一平面内相交，并且子埋栅电极211位于后续制作的母线216(未图示)的正下方，与母线216上下平行排列；所述形成子埋栅电极211的方法和材料与埋栅电极211均相同；所述子埋栅电极211的宽度和深度可以根据实际使用需要而设定；所述子埋栅电极211可以增大母线与下方埋栅电极211之间的接触面积，减小两者之间的接触电阻。
在本实施例中，为了简化生产工艺，缩短生产流程，所述子埋栅电极211的宽度和深度均与埋栅电极211相同。
图11至图14是本发明的一个实施例的形成选择性发射极太阳能电池单元基体的剖面结构示意图。其中图11至图14均是沿着图5中的直线A-A’方向截取的剖视图。
如图11所示，提供半导体衬底200，所述半导体衬底200为P型，具有绒面201；所述在半导体衬底200的表面形成绒面201的方法可以为本领域技术人员的公知技术，例如可以将半导体衬底200浸入酸性或者碱性溶液中腐蚀形成。
如图12所示，对半导体衬底200的表面进行掺杂，所述掺杂方法为本领域技术人员的公知技术，例如扩散法；所述掺杂杂质可以为三氯氧磷(POCl3)；经过掺杂的半导体衬底的表面为N型，并且向下延伸进入半导体衬底200中，在半导体衬底200的表面附近形成一定深度的N型掺杂层202，所述N型掺杂层202与P型半导体衬底200形成表面PN结901。
在本实施例中，所述经过N型杂质掺杂的半导体衬底200的表面的方块电阻大于100Ω/□。
如图13所示，在半导体衬底200中形成发射极沟槽204，所述发射极沟槽204的深度大于表面PN结901的结深。对发射极沟槽204进行掺杂，所述掺杂方法为本领域技术人员的公知技术，例如扩散法；所述掺杂杂质可以为三氯氧磷(POCl3)；经过掺杂的发射极沟槽204的表面为N型，并且向外扩张进入半导体衬底200中，在发射极沟槽204的附近形成一定厚度/深度的N型掺杂层212；所述N型掺杂层212的掺杂浓度大于半导体衬底200的附近形成的N型掺杂层202的掺杂浓度；所述N型掺杂层212与P型半导体衬底200形成发射极PN结902；然后将半导体衬底200放入氢氟酸中清洗，去除发射极沟槽204的表面的绝缘层(未图示)。
在本实施例中，所述在半导体衬底200中形成发射极沟槽204的方法可以为激光切割法或者金刚石锯切割法；所形成的发射极沟槽204的宽度可以为10～50μm，深度可以为10～50μm。
在不同的实施例中，所述形成的发射极沟槽204的宽度具体例如10μm、20μm、30μm、40μm或者50μm等，优选25μm；所述形成的发射极沟槽204的深度具体例如10μm、20μm、30μm、40μm或者50μm等，优选25μm。
在本实施例中，所述经过N型杂质掺杂的发射极沟槽204的表面的方块电阻小于30Ω/□。
在本实施例中，所述发射极沟槽204的表面的绝缘层主要是由于成分为硅的半导体衬底200与氧气被动发生反应，在半导体衬底200的表面包括发射极沟槽204的表面形成的一层致密的二氧化硅层，阻隔了发射极PN结902与后续制作的发射极电极(未图示)之间的电学连接，造成了断路，所以用氢氟酸将其去除。
如图14所示，在发射极沟槽204中依次形成阻挡层206、导电层208和焊接层210，形成具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体300；所述阻挡层206、导电层208和焊接层210共同组成埋栅电极211，作为选择性发射极太阳能电池单元的发射极电极；所述阻挡层206的材料可以为镍，导电层208的材料可以为铜，焊接层210的材料可以为银；所述阻挡层206、导电层208和焊接层210的形成方法为本领域技术人员的公知技术，例如电镀法；所述阻挡层206用来阻挡后续形成的导电层208，以避免可能发生的导电层208穿过发射极沟槽204的表面而在半导体衬底200中形成有害尖刺的问题；所述导电层208用来连接发射极PN结902和后续形成的母线216(未图示)，以便将太阳能电池板上收集到的电流通过母线216向外传输；所述焊接层210用来使得发射极电极与后续形成的母线216(未图示)更好的连接。
在不同的实施例中，所述阻挡层206的厚度可以为2～20μm；所述导电层208的厚度可以为5～50μm；所述焊接层210的厚度可以为5～50μm。
在不同的实施例中，所述阻挡层206的厚度具体例如2μm、5μm、8μm、11μm、14μm、17μm或者20μm，优选8μm；所述导电层208的厚度具体例如5μm、15μm、25μm、35μm、45μm或者50μm，优选25μm；所述焊接层210的厚度具体例如5μm、15μm、25μm、35μm、45μm或者50μm，优选15μm。
在本实施例中，所述形成选择性发射极太阳能电池单元基体300的方法还包括切除半导体衬底200的周边PN结部分(未图示)，然后将半导体衬底200放入氢氟酸中清洗，去除半导体衬底200表面上的绝缘层(未图示)。
在本实施例中，所述半导体衬底200表面上的绝缘层主要是由于成分为硅的半导体衬底200与氧气被动发生反应，在半导体衬底200的表面上形成的一层致密的二氧化硅层，阻隔了埋栅电极211与后续制作的母线216(未图示)之间的电学连接，并且阻隔了半导体衬底200的背面PN结(未图示)与后续制作的背面电极220和背场218之间的电学连接，造成了断路，所以用氢氟酸将其去除。
本发明在制造选择性发射极太阳能电池单元的方法中，在选择性发射极太阳能电池单元基体表面形成防反射层，所述选择性发射极太阳能电池单元基体具有埋栅电极，在防反射层上形成母线，使母线穿过防反射层与作为发射极电极的埋栅电极相连接。这样就可以将发射极电极与母线分开制作，可以根据实际使用需要缩小发射极电极的宽度，减少不必要的使用面积，增加太阳能电池板接收太阳光的有效面积，并且降低发射极电极与发射极沟槽之间的接触电阻，进而在一定程度上提高太阳能电池板的转换效率。
另外，在制造选择性发射极太阳能电池单元的方法中，降低半导体衬底表面的掺杂浓度，从而可以提高太阳能电池单元收集光生载流子尤其是短波光生载流子的能力。
再者，在制造选择性发射极太阳能电池单元的方法中，将埋栅电极与母线上下垂直排列，从而可以避免埋栅电极与母线上下平行排列可能造成的位置偏差，进而造成两者接触不良。
最后，在制造选择性发射极太阳能电池单元的方法中，在制作埋栅电极的时候，同步制作一些与埋栅电极在同一平面内垂直相交的子埋栅电极，并且子埋栅电极位于后续制作的母线的正下方，与母线上下平行排列，从而可以增大埋栅电极与母线之间的接触面积，减小两者之间的接触电阻。
本发明通过以上技术改进，所制造的选择性发射极太阳能电池板的转换效率从原来的16.5％提高到18％以上。
本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。

Claims (27)

1.一种选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，包括：
提供具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体；
在太阳能电池单元基体的受光面形成防反射层；
在防反射层上形成母线；
使母线穿过防反射层与埋栅电极相连接；
所述形成具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体包括：
在半导体衬底中形成发射极沟槽；
在发射极沟槽附近的半导体衬底中形成发射极PN结；
在发射极沟槽中依次形成阻挡层、导电层和焊接层，组成埋栅电极。
2.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述发射极沟槽的宽度为10～50μm，深度为10～50μm。
3.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述母线的宽度为3000～5000μm。
4.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底表面的方块电阻大于100Ω/□。
5.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述发射极沟槽表面的方块电阻小于30Ω/□。
6.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为镍，导电层的材料为铜，焊接层的材料为银。
7.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为2～20μm，导电层的厚度为5～50μm，焊接层的厚度为5～50μm。
8.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述母线的材料为银。
9.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述母线与埋栅电极上下垂直排列。
10.根据权利要求9所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述埋栅电极互相平行排列且排列间距相同。
11.根据权利要求9所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述母线互相平行排列且排列间距相同。
12.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，在形成选择性发射极太阳能电池单元基体的过程中还包括形成子埋栅电极。
13.根据权利要求12所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述子埋栅电极与埋栅电极在同一平面内垂直相交，并且子埋栅电极位于母线的正下方，与母线上下平行排列。
14.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，共烧太阳能电池单元基体，使母线受热烧穿防反射层与埋栅电极相连接。
15.一种选择性发射极太阳能电池单元，其特征在于，包括：
具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体；
形成于太阳能电池单元基体受光面的防反射层；
在防反射层上形成的母线，所述母线穿过防反射层与埋栅电极相连接；
所述具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体包括：
半导体衬底；
形成于半导体衬底中的发射极沟槽；
在发射极沟槽附近的半导体衬底中形成的发射极PN结；
在发射极沟槽中依次形成的阻挡层、导电层和焊接层。
16.根据权利要求15所述的选择性发射极太阳能电池单元，其特征在于，所述发射极沟槽的宽度为10～50μm，深度为10～50μm。
17.根据权利要求15所述的选择性发射极太阳能电池单元，其特征在于，所述母线的宽度为3000～5000μm。
18.根据权利要求15所述的选择性发射极太阳能电池单元，其特征在于，所述半导体衬底表面的方块电阻大于100Ω/□。
19.根据权利要求15所述的选择性发射极太阳能电池单元，其特征在于，所述发射极沟槽表面的方块电阻小于30Ω/□。
20.根据权利要求15所述的选择性发射极太阳能电池单元，其特征在于，所述阻挡层的材料为镍，导电层的材料为铜，焊接层的材料为银。
21.根据权利要求15所述的选择性发射极太阳能电池单元，其特征在于，所述阻挡层的厚度为2～20μm，导电层的厚度为5～50μm，焊接层的厚度为5～50μm。
22.根据权利要求15所述的选择性发射极太阳能电池单元，其特征在于，所述母线的材料为银。
23.根据权利要求15所述的选择性发射极太阳能电池单元，其特征在于，所述母线与埋栅电极上下垂直排列。
24.根据权利要求23所述的选择性发射极太阳能电池单元，其特征在于，所述埋栅电极互相平行排列且排列间距相同。
25.根据权利要求23所述的选择性发射极太阳能电池单元，其特征在于，所述母线互相平行排列且排列间距相同。
26.根据权利要求15所述的选择性发射极太阳能电池单元，其特征在于，在形成选择性发射极太阳能电池单元基体的过程中还包括形成子埋栅电极。
27.根据权利要求26所述的选择性发射极太阳能电池单元，其特征在于，所述子埋栅电极与埋栅电极在同一平面内垂直相交，并且子埋栅电极位于母线的正下方，与母线上下平行排列。
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