CN101656043B - 像素电路、主动式矩阵有机发光二极管显示器及驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种像素电路、主动式矩阵有机发光二极管显示器及驱动方法，像素电路包括有机发光二极管、储存电容、驱动晶体管以及第一至第四开关晶体管。其中，驱动晶体管用以根据储存电容上存有的电荷量产生像素电流以驱动有机发光二极管产生对应的亮度；第一至第四开关晶体管的导通/截止状态由同一扫描信号控制，且通过第一至第四开关晶体管的电性耦接关系使得流过有机发光二极管的像素电流与电源电压及驱动晶体管的临界电压无关且可随着有机发光二极管长时间操作其跨压上升而提高。本发明还提供采用前述像素电路的主动式矩阵有机发光二极管显示器以及像素电路的驱动方法。

Description

像素电路、主动式矩阵有机发光二极管显示器及驱动方法
技术领域
本发明是有关于一种有机发光二极管显示技术领域，且特别是有关于一种像素电路、主动式矩阵有机发光二极管显示器以及驱动方法。
背景技术
主动式矩阵有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器的像素一般以晶体管搭配储存电容来储存电荷，以控制有机发光二极管的亮度表现。请参见图1，其为传统像素电路的示意图。像素电路200包括P型驱动晶体管202、N型开关晶体管204、储存电容Cst以及有机发光二极管210。驱动晶体管202的源极S电性耦接至电源电压OVDD；开关晶体管204的栅极G因电性耦接关系而接收扫描信号SCAN，漏极D因电性耦接关系而接收数据电压Vdata，源极S电性耦接至驱动晶体管202的栅极；储存电容Cst的两端跨接于驱动晶体管202的栅极G与源极S的间，其电容跨压标示为Vsg；有机发光二极管210的阳极电性耦接至驱动晶体管202的漏极D，阴极电性耦接至另一电源电压OVSS。前述像素结构通过电容跨压Vsg控制流过驱动晶体管202的电流大小，即流过有机发光二极管210的像素电流Ioled＝K*(Vsg-VTH)2；其中，K为常数，Vsg的大小相关于电源电压OVDD及数据电压Vdata的大小，VTH为驱动晶体管202的临界电压。
由于主动式矩阵有机发光二极管显示器上的电源电压OVDD于每个像素间都相连接在一起，当驱动有机发光二极管210发亮时，电源电压OVDD金属在线会有电流流过，而由于本身OVDD金属在线具有阻抗，所以会有电源电压降(IR-drop)存在，使得每一颗像素的电源电压OVDD会有差异，造成像素与像素之间会有像素电流Ioled差异，流过OLED的电流不同其所产生的亮度就会不同，造成面板显示不均匀。另外，由于制造工艺的影响，每一个像素的驱动晶体管202的临界电压VTH均不相同，导致即使给予相同的数据电压Vdata，其所产生的像素电流仍然会有差异，造成面板显示不均匀。此外，有机发光二极管210随着使用时间增加会产生材料衰减问题以致于有机发光二极管210的跨压上升，如此便会造成像素电流Ioled下降，进而导致面板的整体显示亮度下降。
发明内容
本发明的目的的一就是在提供一种像素电路，以改善面板显示不均匀的问题以及有机发光二极管的材料衰减问题。
本发明的再一目的是提供一种主动式矩阵有机发光二极管显示器，以改善面板显示不均匀的问题以及有机发光二极管的材料衰减问题。
本发明的又一目的是提供一种像素电路的驱动方法，以改善面板显示不均匀的问题以及有机发光二极管的材料衰减问题。
本发明一实施例提出的一种像素电路，其包括：有机发光二极管、储存电容、驱动晶体管、第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管以及第四开关晶体管。其中，储存电容包括第一端及第二端；驱动晶体管用以驱动有机发光二极管发亮，其第一源/漏极电性耦接至储存电容的第一端，第二源/漏极电性耦接至有机发光二极管；第一开关晶体管的栅极因电性耦接关系而接收扫描信号，其第一源/漏极电性耦接至预设电压，第二源/漏极电性耦接至储存电容的第一端；第二开关晶体管的栅极因电性耦接关系而接收前述扫描信号，其第一源/漏极电性耦接至储存电容的第二端，第二源/漏极电性耦接至驱动晶体管的栅极；第三开关晶体管的栅极因电性耦接关系而接收前述扫描信号，其第一源/漏极电性耦接至驱动晶体管的第二源/漏极，第二源/漏极电性耦接至驱动晶体管的栅极；第四开关晶体管的栅极因电性耦接关而接收前述扫描信号，其的第一源/漏极电性耦接至储存电容的第二端，第二源/漏极因电性耦接关系而接收数据电压。
在本发明的一实施例中，前述的第一开关晶体管及第二开关晶体管的导通/截止状态与第三开关晶体管及第四开关晶体管的导通/截止状态相反。进一步地，第一开关晶体管及第二开关晶体管可为P型晶体管，第三开关晶体管及第四开关晶体管可为N型晶体管。
本发明再一实施例提出的一种主动式矩阵有机发光二极管显示器，其包括：数据驱动电路、扫描驱动电路以及至少一像素。其中，像素包括：有机发光二极管、储存电容、驱动晶体管、第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管及第四开关晶体管。储存电容包括第一端及第二端；驱动晶体管用以驱动有机发光二极管发亮，其第一源/漏极电性耦接至储存电容的第一端，第二源/漏极电性耦接至有机发光二极管；第一开关晶体管的栅极透过扫描线电性耦接至扫描驱动电路，第一源/漏极电性耦接至预设电压，第二源/漏极电性耦接至储存电容的第一端；第二开关晶体管的栅极透过前述扫描线电性耦接至扫描驱动电路，第一源/漏极电性耦接至储存电容的第二端，第二源/漏极电性耦接至驱动晶体管的栅极；第三开关晶体管的栅极透过前述扫描线电性耦接至扫描驱动电路，第一源/漏极电性耦接至驱动晶体管的第二源/漏极，第二源/漏极电性耦接至驱动晶体管的栅极；第四开关晶体管的栅极透过前述扫描线电性耦接至扫描驱动电路，第一源/漏极电性耦接至储存电容的第二端，第二源/漏极透过数据线电性耦接至数据驱动电路。再者，第一开关晶体管及第二开关晶体管的栅极开启电压与第三开关晶体管及第四开关晶体管的栅极开启电压互为反相。进一步地，第一开关晶体管及第二开关晶体管可为P型晶体管，第三开关晶体管及第四开关晶体管可为N型晶体管。
本发明又一实施例提出一种像素电路的驱动方法，此像素电路包括有机发光二极管、储存电容及驱动晶体管；驱动晶体管用以驱动有机发光二极管发亮，其第一源/漏极电性耦接至储存电容的第一端，第二源/漏极电性耦接至有机发光二极管。其中，驱动方法包括步骤：提供预设电压至储存电容的第一端，并使储存电容的第二端与驱动晶体管的栅极相通；提供数据电压至储存电容的第二端，并使储存电容的第一端透过驱动晶体管及有机发光二极管放电至有机发光二极管的导通电流几乎为零为止，以使储存电容存有一电荷量；以及再提供预设电压至储存电容的第一端以及使储存电容的第二端与驱动晶体管的栅极相通，以致于驱动晶体管根据储存电容上的电荷量产生像素电流驱动有机发光二极管发亮。
在本发明的一实施例中，当像素更包括第一开关晶体管及第二开关晶体管，且第一开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至预设电压，第一开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至储存电容的第一端，第二开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至储存电容的第二端，第二开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至驱动晶体管的栅极时，前述提供预设电压至储存电容的第一端，并使储存电容的第二端与驱动晶体管的栅极相通的步骤包括：导通第一开关晶体管及第二开关晶体管。
在本发明的一实施例中，当像素更包括第三开关晶体管及第四开关晶体管，且第三开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至驱动晶体管的第二源/漏极，第三开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至驱动晶体管的栅极，第四开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至储存电容的第二端，第四开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至数据电压时，前述提供数据电压至储存电容的第二端，并使储存电容的第一端透过驱动晶体管及有机发光二极管放电至有机发光二极管的导通电流几乎为零为止，以使储存电容存有电荷量的步骤包括：截止第一开关晶体管及第二开关晶体管，并导通第三开关晶体管及第四开关晶体管。进一步地，前述提供预设电压至储存电容的第一端，并使储存电容的第二端与驱动晶体管的栅极相通的步骤更可包括：截止第三开关晶体管及第四开关晶体管。
在本发明的一实施例中，前述的第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管及第四开关晶体管的导通/截止状态由同一控制信号决定。
在本发明的一实施例中，前述再提供预设电压至储存电容的第一端以及使储存电容的第二端与驱动晶体管的栅极相通，以致于驱动晶体管根据储存电容上的电荷量产生像素电流驱动有机发光二极管的步骤包括：导通第一开关晶体管及第二开关晶体管，并截止第三开关晶体管及第四开关晶体管。
本发明实施例通过对像素的电路结构进行设计，可使得流过有机发光二极管的像素电流的大小相关于数据电压及有机发光二极管的跨压，而与预设电压及驱动晶体管的临界电压无关。因此，本发明实施例提出的像素电路、主动式矩阵有机发光二极管显示器以及像素电路的驱动方法可有效改善面板显示不均匀的问题以及有机发光二极管的材料衰减问题，以提供高质量的显示画面，进而达成本发明的目的。
为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1绘示出传统像素电路的示意图。
图2绘示出相关于本发明实施例的主动式矩阵有机发光二极管显示器。
图3绘示出相关于本发明实施例的像素电路的驱动方法的时序图。
附图标号：
200：像素电路
202：P型驱动晶体管
204：N型开关晶体管
210：有机发光二极管
Cst：储存电容
G：栅极
D：漏极
S：源极
Vsg：电容跨压
SCAN：扫描信号
Vdata：数据电压
Ioled：像素电流
OVDD、OVSS：电源电压
100：主动式矩阵有机发光二极管显示器
102：数据驱动电路
103：数据线
104：扫描驱动电路
105：扫描线
110：有机发光二极管
M1：驱动晶体管
M2～M5：开关晶体管
Vs1g1：电容跨压
G1～G5：栅极
D1～D5：漏极
S1～S5：源极
S1：第一阶段
S2：第二阶段
S3：第三阶段
L：低电压位准
H：高电压位准
具体实施方式
参见图2，其绘示出相关于本发明实施例的一种主动式矩阵有机发光二极管显示器。主动式矩阵有机发光二极管显示器100包括数据驱动电路102、扫描驱动电路104以及多个像素电路P，图2中仅示出一个像素电路P作为举例，但并非用来限制本发明。如图2所示，数据驱动电路102用以提供数据电压Vdata，扫描驱动电路104用以提供扫描信号SCAN；像素电路P包括储存电容Cst、驱动晶体管M1、开关晶体管M2～M5以及有机发光二极管110。驱动晶体管M1用以驱动有机发光二极管110发亮，驱动晶体管M1的源极S 1电性耦接至储存电容Cst的A端，驱动晶体管M1的漏极D1电性耦接至有机发光二极管110的阳极，而有机发光二极管110的阴极电性耦接至电源电压OVSS。开关晶体管M2的栅极G2电性耦接至扫描线105(图2中仅示出一个作为举例，但并非用来限制本发明)以透过扫描线105从扫描驱动电路104接收扫描信号SCAN，开关晶体管M2的源极S2电性耦接至另一电源电压OVDD，开关晶体管M2的漏极D2电性耦接至储存电容Cst的A端。开关晶体管M3的栅极G3电性耦接至扫描线105以透过扫描线105从扫描驱动电路104接收扫描信号SCAN，开关晶体管M3的源极S3电性耦接至储存电容Cst的B端，开关晶体管M3的漏极D3电性耦接至驱动晶体管M1的栅极G1。开关晶体管M4的栅极G4电性耦接至扫描线105以透过扫描线105从扫描驱动电路104接收扫描信号SCAN，开关晶体管M4的源极S4电性耦接至驱动晶体管M1的漏极D1，开关晶体管M4的漏极D4电性耦接至驱动晶体管M1的栅极G1。开关晶体管M5的栅极G5电性耦接至扫描线105以透过扫描线105从扫描驱动电路104接收扫描信号SCAN，开关晶体管M5的源极S5电性耦接至储存电容的B端，开关晶体管M5的漏极D5电性耦接至数据线103(图2中仅示出一个作为举例，但并非用来限制本发明)以透过数据线103从数据驱动电路102接收数据电压Vdata。此外，开关晶体管M2及M3的栅极开启电压(Gate-On Voltage)与开关晶体管M4及M5的栅极开启电压互为反相，例如开关晶体管M2及M3为P型晶体管，而开关晶体管M4及M5为N型晶体管；相应地，开关晶体管M2及M3的导通/截止状态与开关晶体管M4及M5的导通/截止状态相反。
下面将结合图2及图3详细描述主动式矩阵有机发光二极管显示器100的像素电路的驱动方法，其中图3绘示出相关于本发明实施例的像素P的驱动方法的时序图，从图3中可以得知，驱动像素P的过程包括第一阶段S1、第二阶段S2及第三阶段S3。
具体地，于像素P的驱动方法的第一阶段S1，扫描驱动电路104提供的扫描信号SCAN为低电压位准L，使得开关晶体管M2及M3导通且开关晶体管M4及M5处于截止状态。如此一来，电源电压OVDD便透过导通的开关晶体管M2使储存电容Cst的A端的电压位准为OVDD，储存电容Cst的A端因开关晶体管M3导通而与驱动晶体管M1的栅极G1相通。
接着于第二阶段S2，扫描驱动电路104提供的扫描信号SCAN的电压位准转变为使开关晶体管M2及M3截止的高电压位准H，此时开关晶体管M4及M5导通。如此，储存电容Cst的A端便透过驱动晶体管M1的源-漏极S1-D1与有机发光二极管110对电源电压OVSS放电，直到有机发光二极管的导通电流几乎为零为止，此时有机发光二极管110的阳极具有一电压位准Voled(亦即，有机发光二极管110的跨压与电源电压OVSS的和)，使得储存电容Cst的A端的电压位准为(Voled+VTH)；其中VTH为驱动晶体管M1的临界电压。此电压位准Voled会随着有机发光二极管210的材料衰减特性而变动，即有机发光二极管110操作时间越久，其电压位准Voled会越高。再回到电路上来看，此时数据驱动电路102提供的数据电压Vdata透过导通的开关晶体管M5使储存电容Cst的B端的电压位准为Vdata，以致于储存电容Cst上存储有电荷量(Voled+VTH-Vdata)。
然后于第三阶段S3，扫描驱动电路104提供的扫描信号SCAN的电压位准转变为使开关晶体管M2及M3导通的低电压位准L，此时开关晶体管M4及M5截止。如此一来，驱动晶体管M1便能根据此时储存电容Cst上的电荷量(即电容跨压Vs1g1)产生像素电流Ioled驱动有机发光二极管110产生对应的亮度。此时，储存电容Cst的B端因开关晶体管M3导通而与驱动晶体管M1的栅极G1相通，电源电压OVDD再次透过导通的开关晶体管M2提供至储存电容Cst的A端使得储存电容Cst的A端的电压位准改变为OVDD，且因电容两端电压连续的特性，储存电容Cst的B端的电压位准亦随的增加电压ΔV。此电压ΔV等于A端的电压位准从(Voled+VTH)改变至OVDD的变化量，即ΔV＝OVDD-Voled-VTH。故，储存电容Cst的B端的电压位准最终会改变为(Vdata+ΔV)，即(Vdata+OVDD-Voled-VTH)。
承上述，流过有机发光二极管110的像素电流Ioled＝K*(Vs1g1-VTH)2，栅极G1的电压位准即为B端的电压位准(Vdata+OVDD-Voled-VTH)，而源极S1的电压位准即为A端的电压位准OVDD，故像素电流
Ioled＝K*[(OVDD-Vdata-OVDD+Voled+VTH)-VTH]2
＝K*(Voled-Vdata)2。至此可以得知，于第三阶段S3(亦即显示阶段)中，流过有机发光二极管110的像素电流Ioled的大小仅与电压位准Voled及数据电压Vdata有关，而与临界电压VTH及电源电压OVDD无关；且当有机发光二极管110的阳极上的电压准位Voled因有机发光二极管110操作时间增加而上升时，会提高像素电流Ioled以补偿当有机发光二极管110的亮度下降情况。如此一来，有机发光二极管的材料衰减问题以及因电源电压降(IR-drop)影响及制造工艺对驱动晶体管M1的临界电压的影响而造成的面板显示不均匀的问题可以得到有效改善，从而使得主动式矩阵有机发光二极管显示器100长时间使用下仍能保持较佳的显示质量。
综上所述，本发明实施例通过对像素的电路结构进行设计，可使得流过有机发光二极管的像素电流的大小相关于数据电压及有机发光二极管的跨压，而与预设电压及驱动晶体管的临界电压无关。因此，本发明实施例提出的像素电路、主动式矩阵有机发光二极管显示器以及像素电路的驱动方法可有效改善面板显示不均匀的问题以及有机发光二极管的材料衰减问题，以提供高质量的显示画面，进而达成本发明的目的。
此外，任何熟悉此技术者还可对本发明上述实施例提出的主动式矩阵发光二极管显示器及像素电路的驱动方法作适当变更，例如适当变更像素电路的电路结构、主动式矩阵有机发光二极管显示器的像素数量、各个晶体管的种类(P型或N型)、将各个晶体管的源极与漏极的电连接关系互换等等。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (8)

1.一种像素电路，其特征在于，所述的像素电路包括：
一有机发光二极管；
一储存电容，包括一第一端及一第二端；
一驱动晶体管，用以驱动所述的有机发光二极管发亮，所述的驱动晶体管的第一源/漏极电性耦接至所述的储存电容的所述的第一端，所述的驱动晶体管的第二源/漏极电性耦接至所述的有机发光二极管；
一第一开关晶体管，所述的第一开关晶体管的栅极因电性耦接关系而接收一扫描信号，所述的第一开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至一预设电压，所述的第一开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至所述的储存电容的所述的第一端；
一第二开关晶体管，所述的第二开关晶体管的栅极因电性耦接关系而接收所述的扫描信号，所述的第二开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至所述的储存电容的所述的第二端，所述的第二开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至所述的驱动晶体管的栅极；
一第三开关晶体管，所述的第三开关晶体管的栅极因电性耦接关系而接收所述的扫描信号，所述的第三开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至所述的驱动晶体管的所述的第二源/漏极，所述的第三开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至所述的驱动晶体管的所述的栅极；以及
一第四开关晶体管，所述的第四开关晶体管的栅极因电性耦接关系而接收所述的扫描信号，所述的第四开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至所述的储存电容的所述的第二端，所述的第四开关晶体管的第二源/漏极因电性耦接关系而接收一数据电压；
所述的第一开关晶体管及所述的第二开关晶体管的导通/截止状态与所述的第三开关晶体管及所述的第四开关晶体管的导通/截止状态相反。
2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述的第一开关晶体管及所述的第二开关晶体管为P型晶体管，所述的第三开关晶体管及所述的第四开关晶体管为N型晶体管。
3.一种主动式矩阵有机发光二极管显示器，其特征在于，所述的显示器包括：
一数据驱动电路；
一扫描驱动电路；以及
至少一像素，包括：
一有机发光二极管；
一储存电容，包括一第一端及一第二端；
一驱动晶体管，用以驱动所述的有机发光二极管发亮，所述的驱动晶体管的第一源/漏极电性耦接至所述的储存电容的所述的第一端，所述的驱动晶体管的第二源/漏极电性耦接至所述的有机发光二极管；
一第一开关晶体管，所述的第一开关晶体管的栅极透过一扫描线电性耦接至所述的扫描驱动电路，所述的第一开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至一预设电压，所述的第一开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至所述的储存电容的所述的第一端；
一第二开关晶体管，所述的第二开关晶体管的栅极透过所述的扫描线电性耦接至所述的扫描驱动电路，所述的第二开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至所述的储存电容的所述的第二端，所述的第二开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至所述的驱动晶体管的栅极；
一第三开关晶体管，所述的第三开关晶体管的栅极透过所述的扫描线电性耦接至所述的扫描驱动电路，所述的第三开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至所述的驱动晶体管的所述的第二源/漏极，所述的第三开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至所述的驱动晶体管的所述的栅极；以及
一第四开关晶体管，所述的第四开关晶体管的栅极透过所述的扫描线电性耦接至所述的扫描驱动电路，所述的第四开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至所述的储存电容的所述的第二端，所述的第四开关晶体管的第二源/漏极透过一数据线电性耦接至所述的数据驱动电路；
其中，所述的第一开关晶体管及所述的第二开关晶体管的栅极开启电压与所述的第三开关晶体管及所述的第四开关晶体管的栅极开启电压互为反相。
4.如权利要求3所述的主动式矩阵有机发光二极管显示器，其特征在于，所述的第一开关晶体管及所述的第二开关晶体管为P型晶体管，所述的第三开关晶体管及所述的第四开关晶体管为N型晶体管。
5.一种像素电路的驱动方法，所述的像素电路包括一有机发光二极管、一储存电容及一驱动晶体管，所述的驱动晶体管用以驱动所述的有机发光二极管发亮，所述的驱动晶体管的第一源/漏极电性耦接至所述的储存电容的一第一端，所述的驱动晶体管的第二源/漏极电性耦接至所述的有机发光二极管；所述的驱动方法包括步骤：
提供一预设电压至所述的储存电容的所述的第一端，并使所述的储存电容的一第二端与所述的驱动晶体管的栅极相通；
提供一数据电压至所述的储存电容的所述的第二端，并使所述的储存电容的所述的第一端透过所述的驱动晶体管及所述的有机发光二极管放电至所述的有机发光二极管的导通电流几乎为零为止，以使所述的储存电容存有一电荷量；以及
再提供所述的预设电压至所述的储存电容的所述的第一端以及使所述的储存电容的所述的第二端与所述的驱动晶体管的所述的栅极相通，以致于所述的驱动晶体管根据所述的储存电容的所述的电荷量产生一像素电流驱动所述的有机发光二极管发亮；
当所述的像素更包括一第一开关晶体管及一第二开关晶体管，且所述的第一开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至所述的预设电压，所述的第一开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至所述的储存电容的所述的第一端，所述的第二开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至所述的储存电容的所述的第二端，所述的第二开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至所述的驱动晶体管的所述的栅极时，前述提供所述的预设电压至所述的储存电容的所述的第一端，并使所述的储存电容的所述的第二端与所述的驱动晶体管的栅极相通的步骤包括：
导通所述的第一开关晶体管及所述的第二开关晶体管；
当所述的像素更包括一第三开关晶体管及一第四开关晶体管，且所述的第三开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至所述的驱动晶体管的所述的第二源/漏极，所述的第三开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至所述的驱动晶体管的所述的栅极，所述的第四开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至所述的储存电容的所述的第二端，所述的第四开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至所述的数据电压时，前述提供所述的数据电压至所述的储存电容的所述的第二端，并使所述的储存电容的所述的第一端透过所述的驱动晶体管及所述的有机发光二极管放电至所述的有机发光二极管的导通电流几乎为零为止，以使所述的储存电容存有所述的电荷量的步骤包括：
截止所述的第一开关晶体管及所述的第二开关晶体管，并导通所述的第三开关晶体管及所述的第四开关晶体管。
6.如权利要求5所述的驱动方法，其特征在于，提供所述的预设电压至所述的储存电容的所述的第一端，并使所述的储存电容的所述的第二端与所述的驱动晶体管的栅极相通的步骤更包括：
截止所述的第三开关晶体管及所述的第四开关晶体管。
7.如权利要求5所述的驱动方法，其特征在于，所述的第一开关晶体管、所述的第二开关晶体管、所述的第三开关晶体管及所述的第四开关晶体管的导通/截止状态由同一控制信号决定。
8.如权利要求5所述的驱动方法，其特征在于，再提供所述的预设电压至所述的储存电容的所述的第一端以及使所述的储存电容的所述的第二端与所述的驱动晶体管的所述的栅极相通，以致于所述的驱动晶体管根据所述的储存电容的所述的电荷量产生所述的像素电流驱动所述的有机发光二极管发亮的步骤包括：
导通所述的第一开关晶体管及所述的第二开关晶体管，并截止所述的第三开关晶体管及所述的第四开关晶体管。
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