CN101627141A - Fe基软磁性合金、非晶形合金薄带及磁性部件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供在各种变压器、各种电抗器、噪音对策、电源部件、激光电源、加速器用脉冲功率磁性部件、各种马达、各种发动机、磁罩、天线、传感器等中使用的Fe基软磁性合金、及用于制造所述磁性合金的非晶形合金薄带、和使用了所述磁性合金的磁性部件。在所述磁性合金中，包括Cu、B、残部Fe及杂质，按原子％计，Cu量x为0.1≤x≤3，B量y为10≤y≤20，作为杂质，按质量％含有Al：0.01％以下、S：0.001～0.05％、Mn：0.01～0.5％、N：0.001～0.1％、O：0.1％以下，组织的至少一部分包含结晶粒径60nm以下(不包括0)的结晶相。

Description

Fe基软磁性合金、非晶形合金薄带及磁性部件
技术领域
本发明涉及在各种变压器、各种电抗器、噪音对策、电源部件、激光电源、加速器用脉冲功率磁性部件、各种马达、各种发动机、磁罩、天线、传感器等中使用的Fe基软磁性合金、及用于制造所述磁性合金的非晶形合金薄带、和使用了所述磁性合金的磁性部件。
背景技术
作为在各种变压器、各种电抗器、噪音对策、电源部件、激光电源、加速器用脉冲功率磁性部件、各种马达、各种发动机、磁罩、天线、传感器等中使用的Fe基软磁性合金，知道有坡莫合金、铁素体、非晶形合金或Fe基纳米结晶合金材料等。
硅钢板的材料廉价且磁通密度高，但对于高频的用途来说，存在磁心损失大的问题。在制作方法上，难以以与非晶形薄带相同程度变薄地加工，涡电流损失大，因此，在高频区域使用的情况下，伴随于此的损失大，从而不利。在商用频率下，磁滞损失或涡电流损失比非晶形合金等大，在包含商用频率的低频区域中，也存在铁损大的问题。另外，铁素体材料的电阻率高，高频特性优越，但存在饱和磁通密度低，温度特性差的问题，在运行磁通密度大的高功率的用途中，铁素体容易磁饱和，从而不面向该用途。
另外，就Co基非晶形合金来说，饱和磁通密度在实用的材料的情况下，低到1T以下，存在热方面不稳定的问题。因此，在使用于高功率的用途的情况下，存在部件变大或由于经时变化而导致磁心损失增加的问题。
另外，如专利文献1中所述的Fe基非晶形软磁性合金具有良好的低顽磁力，与硅刚等相比，显示优越的软磁特性，磁致伸缩大，因此，得不到与Co基非晶形合金同等的高导磁系数，导致由于应力而特性变差的问题或音频带的电流重叠之类的用途中噪音大的问题。
另外，开发了如专利文献2中所述的纳米结晶软磁性合金材料。纳米结晶软磁性材料中得到比较高的饱和磁通密度和优越的软磁特性，正在作为扼流圈或高频变压器用铁芯材料进展实用化。
【专利文献1】日本特开平5-140703号公报
【专利文献2】日本特开昭64-79342号公报
上述纳米结晶软磁性材料通过将非晶形合金薄带作为出发材料，将其热处理，进行结晶化而制造，但使用纳米结晶软磁性材料用工业原料制造的非晶形合金薄带与用作非晶形磁性材料的非晶形合金薄带相比，存在难以制造的问题。另外，在纳米结晶软磁性材料的制造中使用宽幅的长条非晶形合金薄带在使用工业原料制造的情况下难以制造，薄带制造的成品率或加工成品率差，因此，存在价格上升的问题。另外，由这样的宽幅非晶形合金薄带制造的纳米结晶软磁性合金中还存在磁特性的不均大的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供对于Fe基纳米结晶软磁性材料，适合批量生产的宽幅合金薄带制造或合金薄带的加工容易且软磁特性优越的Fe基软磁性合金、及用于制作所述Fe基软磁性合金的非晶形合金薄带、及使用了所述Fe基软磁性合金的磁性部件。
本发明人等经过专心致志的研究的结果，发现就包括Cu、B、残部Fe及杂质，按原子％计，Cu量x为0.1≤x≤3，B量y为10≤y≤20，作为杂质，按质量％含有Al：0.01％以下、S：0.001～0.05％、Mn：0.01～0.5％、N：0.001～0.1％、O：0.1％以下，组织的至少一部分包含结晶粒径60nm以下(不包括0)的结晶相的Fe基软磁性合金来说，容易制造宽幅长条非晶形合金薄带，由该合金薄带制造的纳米结晶合金显示优越的软磁特性，磁特性的不均也小，批量生产性优越，从而想到了本发明。
在本发明中，Cu量x需要为0.1≤x≤3。在Cu量x小于0.1％的情况下，软磁特性变差，从而不优选。另外，若Cu量x超过3％，则合金显著脆化，难以进行连续的薄带制造，从而不优选。优选的Cu量x为1＜x≤2，在该范围中得到特别优越的软磁性。B量y需要10≤y≤20。该理由如下所述，即：在B量y小于10原子％的情况下，淬火而制造薄带时，难以形成非晶形相，即使进行热处理，也得不到软磁性，若B量y超过20原子％，则饱和磁通密度急剧地降低，而且，软磁特性也变差。在工业原料中含有杂质，但知道这些杂质中有对制造性或磁特性产生影响的物质，需要将其含量设为某个范围。知道了为了调节杂质，通过调节不进行原料的选择或熔融液的精炼的杂质，使制造变得容易，能够减小磁特性的不均。
在本发明中，作为杂质的Al需要按质量％为0.01％以下。因为：若超过0.01％，则在薄带表面容易形成大的晶粒，软磁特性变差。S具有抑制薄带表面的大的晶粒形成的效果，但需要按质量％为0.01％～0.05％的范围。在小于0.001％的情况下，没有抑制表面的结晶的粒径的粗大化的效果，若超过0.05％，则薄带脆化，从而不优选。Mn具有提高热稳定性的效果，Mn量需要按重量％为0.01％～0.5％的范围。在Mn量小于0.01％的情况下，没有效果，若超过0.5％，则在薄带制造时，熔融液和耐火物容易反应，耐火物的寿命变短，因此，不优选。N具有扩大适当热处理条件的效果，但在N按重量％小于0.001％的情况下，没有效果，若超过0.1％，则软磁特性变差，因此不优选。O成为间介物或表面变质等的原因，对磁特性产生影响，因此，其含量需要按重量％为0.1％以下。在后述的其他组成的本发明中，该杂质的限定理由也相同。
另外，本发明的第二侧面涉及一种Fe基软磁性合金，其中，包括Cu、B、X、残部Fe及杂质，按原子％计，Cu量x为0.1≤x≤3，B量y为4≤y≤20，X量z为0＜z≤20、10≤y+z≤30(其中，X为选自由Si、C、Ge、Ga、Be、P构成的组的至少一种元素)，作为杂质，按质量％含有Al：0.01％以下、S：0.001～0.05％、Mn：0.01～0.5％、N：0.001～0.1％、O：0.1％以下，组织的至少一部分包含结晶粒径60nm以下(不包括0)的结晶相。
在本发明的第二侧面中，Cu量x需要0.1≤x≤3。在Cu量x小于0.1％的情况下，软磁特性变差，从而不优选。另外，若Cu量x超过3％，则合金显著脆化，难以进行连续的薄带制造，从而不优选。优选的Cu量x为1＜x≤2，在该范围中得到特别优越的软磁性。B量y需要为4≤y≤20。另外，X是选自由Si、C、Ge、Ga、Be、P构成的组的至少一种元素，具有使薄带形成变得容易，或调节磁特性的效果。X量z需要为0＜z≤20。另外，B量和X量的总和需要为10≤y+z≤30。该理由如下所述，即：在B量y小于4原子％，或B量和X量的总和小于10原子％的情况下，在淬火而制造薄带时难以形成非晶形相，即使进行热处理，也得不到软磁性，若B量y超过20原子％或B量和X量的总和超过30原子％，饱和磁通密度急剧地降低，而且，软磁特性也变差，从而不优选。
如上所述，就所述Fe基软磁性合金来说，宽幅长条非晶形合金薄带的制造容易，由该合金薄带制造的纳米结晶合金显示优越的软磁特性，磁特性的不均也小，批量生产性优越。
另外，本发明的第三侧面涉及一种Fe基软磁性合金，其中，
按原子％计，Cu量x为0.1≤x≤3，B量y为4≤y≤20，X量z为0≤z≤20，M量设为a的情况下，由10≤y+z+a≤30表示(其中，X为选自由Si、C、Ge、Ga、Be、P构成的组的至少一种元素，M是选自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W构成的组的至少一种元素)，作为杂质，按质量％含有Al：0.01％以下、S：0.001～0.05％、Mn：0.01～0.5％、N：0.001～0.1％、O：0.1％以下，组织的至少一部分包含结晶粒径60nm以下(不包括0)的结晶相。
在本发明中，Cu量x需要0.1≤x≤3。在Cu量x小于0.1％的情况下，软磁特性变差，从而不优选。另外，若Cu量x超过3％，则合金显著脆化，难以进行连续的薄带制造，从而不优选。优选的Cu量x为0.4≤x≤2，在该范围中得到特别优越的软磁性。B量y需要为4≤y≤20。另外，X是选自由Si、C、Ge、Ga、Be、P构成的组的至少一种元素，具有使薄带形成变得容易，或调节磁特性的效果。X量z需要为0≤z≤20。M是选自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W构成的组的至少一种元素，具有微细化晶粒，进一步提高软磁特性的效果，B量、X量和M量的总和需要为10≤y+z+a≤30。该理由如下所述，即：在B量y小于4原子％，或B量、X量和M量的总和y+z+a小于10原子％的情况下，在利用液体淬火法，制造薄带时难以形成非晶形相，即使进行热处理，也得不到软磁性，若B量y超过20原子％或B量、X量和M量的总和y+z+a超过30原子％，饱和磁通密度急剧地降低，而且，软磁特性也变差，从而不优选。
就所述Fe基软磁性合金来说，宽幅长条非晶形合金薄带的制造容易，由该合金薄带制造的纳米结晶合金显示优越的软磁特性，磁特性的不均也小，批量生产性优越。
在所述X为Si的情况下，通过添加Si，结晶磁各向异性大的强磁性化合物相开始析出的温度变高，适当的热处理温度范围扩大，得到优选的结果。另外，通过添加Si，具有减少磁致伸缩，或改善软磁性的效果，得到更优选的效果。
所述Fe基软磁性合金含有P及C，其含量按重量％为P：0.001～0.5％、C：0.003～2％的情况下，磁特性的经时变化变小，得到更优选的结果。
可以在所述Fe基软磁性合金中，相对于Fe量，含有小于所述Fe量的50原子％的选自由Co、Ni构成的组的至少一种元素。通过含有Co或Ni，能够赋予更大的感应磁各向异性，变得容易进行磁化曲线的形状控制，但Co、Ni的含量相对于Fe量为50原子％以上的情况下，引起软磁特性的显著的变差，从而不优选。
可以在所述磁性合金中，相对于Fe量，含有所述Fe量的5原子％以下的选自由Cr、Re、铂族元素、Au、Ag、Zn、In、Sn、As、Sb、Sb、Bi、Y及稀土类元素构成的组的至少一种以上元素。通过含有这些元素，具有改善耐腐蚀性，扩大热处理温度范围，提高耐热性等效果。
在本发明的软磁性合金中，为了得到均匀的微细组织，溶解原材料后，利用液体淬火法，制作合金薄带的时点下，得到以非晶形相为主相的组织至关重要。在本发明中，在利用液体淬火法制作的非晶形合金薄带中，纳米比例的微细的晶粒以分散的状态存在也可，但期望在合金薄带的非晶形母相中，10nm以下的粒径的晶粒分散的组织或非晶形单相。然后，在结晶化温度以上的温度范围下实施热处理，形成为晶粒60nm以下的体心立方结构的晶粒在非晶质母相中按体积分率以30％以上分散的组织。通过纳米晶粒相按体积分率以30％以上占据，与热处理前相比，磁致伸缩降低，还提高软磁特性。进而通过按体积分率占据50％以上，能够进一步改善软磁性。
晶粒的体积比是如下所述地求出，即：利用线段法即在显微镜组织中设想任意的直线，将其测试线的长度设为Lt，测定由结晶相占据的线的长度Lc，求出由晶粒占据的线的长度的比例LL＝Lc/Lt来求出。在此，晶粒的体积比为Vv＝VL。在热处理后的合金中存在的晶粒的结晶粒径期望60nm以下。这是因为结晶粒径超过60nm的情况下，引起软磁特性的显著的变差，从而不优选。尤其优选的结晶粒径为5nm～30nm，得到尤其优越的软磁性。
具体的制造方法如下所述，即：利用单辊等淬火技术，将所述组成的熔融液以100℃/秒以上更优选105℃/秒以上的冷却速度淬火，临时制作以非晶形相为主相的合金后，将其加工，实施热处理，形成平均粒系为60nm以下的微结晶组织而得到。热处理前的非晶形相含有结晶相也可，但晶粒存在的情况下，期望形成为10nm以下的纳米比例的晶粒分散的结构。在大气中或Ar、He、氮、一氧化碳、二氧化碳的气氛中或减压下进行利用单辊法等淬火技术的薄带的制作及热处理。通过磁场中热处理，能够利用感应磁各向异性改善软磁特性。在这种情况下，在赋予感应磁各向异性的磁场中热处理中，在热处理中的一部分期间或整个期间施加磁场的同时，进行热处理。施加的磁场可以为直流、交流、重复的脉冲磁场的任一个。在施加磁场为合金磁饱和的程度以上的强度的情况下，得到优选的结果。利用磁场中热处理，得到高方形比的方形性良好的B-H环形或低方形比的直线性良好的B-H环形的材料。可以在大气中、真空中、Ar、氮等惰性气体中进行热处理，但尤其期望在惰性气体中进行。热处理取决于组成，但通常在350℃～650℃的范围内进行。以一定时间保持的时间从批量生产性的观点来说，通常为24小时以下，优选4小时以下。尤其期望从1分钟到1小时。热处理的平均升温速度优选从0.1℃/分钟到10000℃/分钟，更优选100℃/分钟以上，能够抑制顽磁力的增加。热处理可以不是一个阶段，而以多个阶段、多次进行。进而，还可以使电流直接流过合金，利用焦耳热实施热处理，在应力下进行热处理，赋予感应磁各向异性，控制B-H环形状。
对本发明的软磁性合金的热处理形成微细结晶组织为目的。通过调节温度和时间这两个参数，能够控制微观结构或磁特性。即使为高温的热处理，只要非常短时间，就得到能够抑制晶粒生长，还能够减小顽磁力，低磁场中的磁通密度提高，磁滞损失也减小的效果。通过以升温速度的控制各种温度保持一定时间的几个阶段的热处理等，还能够控制核生成。另外，利用在低于结晶化温度的温度下保持一定时间，向核生成赋予充分的时间后，在高于结晶化温度的温度下保持小于1小时的热处理，进行晶粒生长的情况下，晶粒之间相互抑制相互的生长，因此，得到均匀且微细的结晶组织。
就本发明的软磁性微结晶合金来说，若根据需要进行利用以SiO2、MgO、Al2O3等粉末或膜被覆合金薄带表面的化成处理来进行表面处理，形成绝缘层，利用阳极氧化处理，在表面形成氧化物绝缘层，进行层间绝缘等处理，则得到更优选的结果。这是因为具有尤其降低在层间过渡的高频下的涡电流的影响，改善高频下的磁心损失的效果。这效果在由表面状态良好且宽幅的薄带构成的磁心中使用的情况下尤其显著。进而，在由本发明合金制作磁心时，还可以根据需要进行浸渗或涂敷等。本发明的软磁性合金作为高频的用途，尤其在脉冲状电流流过之类的应用品中最大幅度发挥性能，但还可以使用于传感器或低频的磁性部件的用途。尤其，在磁饱和成为问题的用途中能够发挥优越的特性，尤其适合高功率的功率电子学的用途。
沿与在使用时磁化的方向大致垂直的方向施加磁场的同时，进行了热处理的本发明的软磁性合金中得到比以往的高饱和磁通密度的材料低的磁心损失。进而，本发明的软磁性合金在薄膜或粉末的情况下也能够得到优越的特性。
在本发明的软磁性合金的至少一部分或全部中形成有平均粒径60nm以下的晶粒。期望所述晶粒为组织的30％以上的比例，更优选50％以上，尤其优选60％以上。尤其期望的平均结晶粒径为30nm以下，在该范围中得到特别低的顽磁力及磁心损失。
在所述本发明的软磁性合金中形成的微晶粒是主要以Fe为主体的体心立方结构(bcc)的结晶相，固溶有Co、Ni、Si、B、Ge或Zr等也可。另外，含有超结晶格子也可。所述结晶相以外的残部主要为非晶形相，但基本上仅包括结晶相的合金也包括在本发明中。包含Cu或Au的面心立方结构的相(fcc相)存在也可。
在晶粒的周围存在非晶形相的非晶形母相中分散有纳米比例的晶粒的组织的合金中，电阻率高，晶粒生长被抑制，改善高频的磁特性，因此，得到更优选的结果。
在本发明的软磁性合金不含有化合物相的情况下，显示更低的顽磁力、低的磁心损失，但在局部含有化合物相也可。
另外，与所述Fe基软磁性合金相同组成的非晶形合金薄带也相当于本发明。另外，使用了所述Fe基软磁性合金的磁性部件也是本发明的范畴。通过利用所述本发明的Fe基软磁性合金构成磁性部件，能够实现适合阳极电抗器等大电流用各种电抗器、有源过滤器用扼流圈、平滑扼流圈、各种变压器、磁罩、电磁罩、电磁罩材料等噪音对策部件、激光电源、加速器用脉冲功率磁性部件、马达、发电机等的高性能或小型磁性部件。
根据本发明可知，能够以生产水平实现在各种变压器、各种电抗器、噪音对策、电源部件、激光电源、加速器用脉冲功率磁性部件、各种马达、各种发动机、磁罩、天线、传感器等中使用的Fe基软磁性合金、及用于制造其的非晶形合金薄带、和使用了所述磁性合金的磁性部件，因此，其效果显著。
具体实施方式
以下，按照实施例，说明本发明，但本发明不限定于此。
(实施例1)
利用单辊法，使Cu为1.5原子％，B为14原子％，Si为4原子％，残部Fe及杂质表示的合金熔融液淬火，得到宽度25mm厚度21μm的非晶形合金薄带。经过X射线衍射和透过电子显微镜观察的结果，确认到在非晶形合金薄带中形成有按体积分率小于30％的小于10nm的粒径的纳米比例的极微细的晶粒。认为该晶粒为主要以体心立方结构(bcc结构)的Fe为主体的固溶体相。分析该合金薄带的杂质，确认到按质量％，Al含量为0.001％，S含量为0.0025％，Mn含量为0.15％，N含量为0.0047％，O含量为0.008％。其次，将该非晶形合金薄带切断为长度120mm，以升温速度200℃/分钟升温至430℃，保持1小时后，从炉中取出，进行空冷。进行热处理后的试料的利用X射线衍射及透过电子显微镜的组织观察。粒径约25nm的bcc结构的纳米晶粒相在非晶质母相中按体积分率占据50％以上。其次，进行该试料的磁测定。在8000A/m的磁场下大致饱和，8000A/m下的磁通密度设为Bs。显示饱和磁通密度Bs＝1.83T。另外，从制作的薄带选取25个试料，进行热处理，调查顽磁力的结果，顽磁力Hc显示6.1～6.7A/m。另外，使用所述非晶形合金薄带，制作外径100mm、内径90mm的卷绕磁心，但没有引起断裂。为了比较，制作本发明外的杂质含量的合金，进行比较。按重量％，Al含量为0.02％，S为0.1％，O为0.2％，M为0.8％，N为0.15％。显示饱和磁通密度Bs＝1.81T。另外，从制作的薄带选取25个试料，进行热处理，调查长边方向的顽磁力的不均的结果，顽磁力Hc显示6.9～9.7A/m。另外，使用所述非晶形合金薄带，制作外径100mm、内径90mm的卷绕磁心的结果，在卷绕磁心制作中，引起了薄带的断裂。如上所述，确认到本发明的Fe基软磁性合金·非晶形合金薄带与本发明外的Fe基软磁性合金·非晶形合金薄带相比，更适合批量生产，宽幅合金薄带制作或合金薄带的加工容易，软磁特性优越。
(实施例2)
利用单辊法，使表1所示的各种组成的合金熔融液淬火，得到宽度30mm厚度约20μm的约5kg的非晶形合金薄带。利用X射线衍射调查该合金薄带的结晶的有无、及结晶粒径的结果为非晶形单相或粒径小于10nm的晶粒在非晶形相中分散的组织。从这些合金薄带选取25个试料，在370℃～460℃的范围内进行热处理，用B-H描迹器评价热处理后的顽磁力。另外，将制作的非晶形合金薄带以外径50nm、内经45nm卷绕，对制作卷绕磁心时的薄带的断裂进行调查。这些热处理后的磁性合金的组织的至少一部分均包含结晶粒径60nm以下(不包括0)的晶粒。另外，能下载非晶质母相中按体积分率占据50％以上。
在表1中示出杂质成分、卷绕磁心制作时的薄带断裂的有无、25个试料的热处理后的顽磁力的范围。本发明的非晶形合金薄带与杂质量为本发明范围外的合金薄带相比，在加工时难以断裂，在本发明Fe基合金中，热处理后的顽磁力的不均更小，批量生产性优越，显示优越的软磁性。
【表1】
Figure G2008800071921D00111
(实施例3)
利用单辊法，使表2所示的各种组成的合金熔融液淬火，得到宽度30mm厚度18μm的约30kg的非晶形合金薄带。利用X射线衍射，调查该合金薄带的结晶的有无、及结晶粒径的结果，确认为非晶形单相。将这些合金薄带以宽度5mm切割，调查切割时的薄带的破裂的有无。进而对于相当于切割的薄带的内宽方向的中央附近的薄带，从前端部到后端部之间，选取25个试料。将该薄带以外径19mm、内径15mm卷绕，制作卷绕磁心。在500℃～570℃的范围内将该卷绕磁心进行热处理，评价热处理后的卷绕磁心的顽磁力及100kHz、0.2T下的磁心损失Pcv的不均。这些热处理后的磁性合金的组织的至少一部分均含有晶粒60nm以下(不包括0)的晶粒。另外，纳米晶粒相在非晶质母相中按体积分率占据50％以上。表2中示出杂质成分、切割薄带时的薄带破裂的有无、25个试料的热处理后的顽磁力的范围。本发明的非晶形合金薄带与杂质量为本发明范围外的合金薄带相比，在加工时难以断裂，在本发明Fe基合金中，能够减小热处理后的顽磁力的不均，且显示低的值，批量生产性及软磁性优越。在本发明的Fe基合金中，关于磁心损失，也与顽磁力相同地不均小，显示低的值。
【表2】
Figure G2008800071921D00131

Claims (13)

1.一种Fe基软磁性合金，其特征在于，
包括Cu、B、残部Fe及杂质，
按原子％计，Cu量x为0.1≤x≤3，B量y为10≤y≤20，作为杂质，按质量％含有：
Al：0.01％以下、
S：0.001～0.05％、
Mn：0.01～0.5％、
N：0.001～0.1％、
O：0.1％以下，
所述Fe基软磁性合金组织的至少一部分包含结晶粒径60nm以下且不包括0nm的结晶相。
2.一种Fe基软磁性合金，其中，
包括Cu、B、X、残部Fe及杂质，
按原子％计，Cu量x为0.1≤x≤3，B量y为4≤y≤20，X量z为0＜z≤20、10≤y+z≤30，其中，X为选自由Si、C、Ge、Ga、Be、P构成的组的至少一种元素，
作为杂质，按质量％含有：
Al：0.01％以下、
S：0.001～0.05％、
Mn：0.01～0.5％、
N：0.001～0.1％、
O：0.1％以下，
所述Fe基软磁性合金组织的至少一部分包含结晶粒径60nm以下且不包括0nm的结晶相。
3.一种Fe基软磁性合金，其中，
按原子％计，Cu量x为0.1≤x≤3，B量y为4≤y≤20，X量z为0≤z≤20，M量设为a的情况下，由10≤y+z+a≤30表示，其中，X为选自由Si、C、Ge、Ga、Be、P构成的组的至少一种元素，M是选自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W构成的组的至少一种元素，作为杂质，按质量％含有：
Al：0.01％以下、
S：0.001～0.05％、
Mn：0.01～0.5％、
N：0.001～0.1％、
O：0.1％以下，
所述Fe基软磁性合金组织的至少一部分包含结晶粒径60nm以下且不包括0nm的结晶相。
4.根据权利要求2或3所述的Fe基软磁性合金，其中，
所述X为Si。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的Fe基软磁性合金，其中，
在所述Fe基软磁性合金中，相对于Fe量，含有小于所述Fe量的50原子％的选自由Co、Ni构成的组的至少一种元素。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的Fe基软磁性合金，其中，
在所述Fe基磁性合金中，相对于Fe量，含有所述Fe量的5原子％以下的选自由Cr、Re、铂族元素、Au、Ag、Zn、In、Sn、As、Sb、Sb、Bi、Y及稀土类元素构成的组的至少一种以上元素。
7.一种磁性部件，其中，
使用了权利要求1～6中任一项所述的Fe基软磁性合金。
8.一种非晶形合金薄带，其中，
包括Cu、B、残部Fe及杂质，
按原子％计，Cu量x为0.1≤x≤3，B量y为10≤y≤20，作为杂质，按质量％含有：
Al：0.01％以下、
S：0.001～0.05％、
Mn：0.01～0.5％、
N：0.001～0.1％、
O：0.1％以下。
9.一种非晶形合金薄带，其中，
包括Cu、B、X、残部Fe及杂质，
按原子％计，Cu量x为0.1≤x≤3，B量y为4≤y≤20，X量z为0＜z≤20、10≤y+z≤30，其中，X为选自由Si、C、Ge、Ga、Be、P构成的组的至少一种元素，作为杂质，按质量％含有：
Al：0.01％以下、
S：0.001～0.05％、
Mn：0.01～0.5％、
N：0.001～0.1％、
O：0.1％以下。
10.一种非晶形合金薄带，其中，
按原子％计，Cu量x为0.1≤x≤3，B量y为4≤y≤20，X量z为0≤z≤20，M量设为a的情况下，由10≤y+z+a≤30表示，其中，X为选自由Si、C、Ge、Ga、Be、P构成的组的至少一种元素，M是选自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W构成的组的至少一种元素，作为杂质，按质量％含有：
Al：0.01％以下、
S：0.001～0.05％、
Mn：0.01～0.5％、
N：0.001～0.1％、
O：0.1％以下。
11.根据权利要求9或10所述的非晶形合金薄带，其中，
所述X为Si。
12.根据权利要求8～11中任一项所述的非晶形合金薄带，其中，
在所述Fe基软磁性合金中，相对于Fe量，含有小于所述Fe量的50原子％的选自由Co、Ni构成的组的至少一种元素。
13.根据权利要求8～12中任一项所述的非晶形合金薄带，其中，在所述Fe基软磁性合金中，相对于Fe量，含有所述Fe量的5原子％以下的选自由Cr、Re、铂族元素、Au、Ag、Zn、In、Sn、As、Sb、Sb、Bi、Y及稀土类元素构成的组的至少一种以上元素。
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