CN101626010B - 覆晶薄膜封装结构以及覆晶薄膜封装方法 - Google Patents

覆晶薄膜封装结构以及覆晶薄膜封装方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101626010B
CN101626010B CN2008101330516A CN200810133051A CN101626010B CN 101626010 B CN101626010 B CN 101626010B CN 2008101330516 A CN2008101330516 A CN 2008101330516A CN 200810133051 A CN200810133051 A CN 200810133051A CN 101626010 B CN101626010 B CN 101626010B
Authority
CN
China
Prior art keywords
elastic layer
chip
packing structure
film
cover brilliant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008101330516A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101626010A (zh
Inventor
徐嘉宏
王威
周忠诚
陈进勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Raydium Semiconductor Corp
Original Assignee
Raydium Semiconductor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Raydium Semiconductor Corp filed Critical Raydium Semiconductor Corp
Priority to CN2008101330516A priority Critical patent/CN101626010B/zh
Publication of CN101626010A publication Critical patent/CN101626010A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101626010B publication Critical patent/CN101626010B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector

Landscapes

  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明披露了一种覆晶薄膜封装结构,其中该覆晶薄膜封装结构包含软性基板、导线层、绝缘层以及弹性层。其中,该软性基板具有一表面;该导线层形成于该表面上并且包含多条导线;该绝缘层形成于该导线层上;该弹性层形成于该绝缘层上,并且其对应这些导线中的至少一条导线。当该软性基板受外力而弯曲时,该弹性层能缓冲该对应导线的形变。由此,可避免该对应导线因过度形变而断裂。本发明还提供了一种覆晶薄膜封装方法,可增加覆晶薄膜封装结构的耐折度,以解决现有技术的问题。

Description

覆晶薄膜封装结构以及覆晶薄膜封装方法
技术领域
本发明涉及一种覆晶薄膜封装结构以及覆晶薄膜封装方法,并且特别地,本发明涉及一种可增加耐折度的覆晶薄膜封装结构以及完成该覆晶薄膜封装结构的覆晶薄膜封装方法。
背景技术
由于现在电子产品不断朝小型化、高速化以及高脚数等特性发展,IC的封装技术也朝此方向不断演进,液晶显示器(Liquid CrystalDisplay,LCD)上的驱动IC也不例外。其中,覆晶薄膜封装工艺可以提供上述功能并且可用于软性电路板,适合使用于液晶显示器的驱动IC封装。
覆晶封装技术泛指将芯片翻转后,以面朝下的方式透过金属导体与基板进行接合。当应用于软性基板时,其芯片可固定于薄膜上,仅靠金属导体与软性基板电性连接,因此称为覆晶薄膜封装(ChipOn Film,COF)。
请参阅图1,图1示出了现有技术中覆晶薄膜封装结构1的侧视图。如图1所示,覆晶薄膜封装结构1的基板10上设置导线层12,并且导线层12上进一步设置绝缘层14。芯片16通过金属凸块18与导线层12电性连接。芯片16以及金属凸块18的周围填充绝缘材料19,用以固定芯片16以及金属凸块18,并且对固定芯片16以及金属凸块18进一步绝缘。
以覆晶薄膜封装的驱动IC趋向高接脚数以及更精细的导线宽度。然而,在导线宽度越来越窄的状况下,软性基板弯曲时,导线有可能受损或断裂,而降低甚至失去传输功能。换言之,覆晶薄膜封装结构的耐折度将随接脚数以及导线线宽发展而降低。上述情况将对驱动IC的良率以及可靠度造成严重影响。另一方面,由于单位面积内的接脚数以及导线数目提高,产生的热量将更不容易逸散,因此,散热问题也成为覆晶薄膜封装结构的研究重点。
发明内容
因此,本发明的一个目的在于提供一种覆晶薄膜封装结构,可增加其结构的耐折度,以解决上述问题。
根据一个具体实施例,本发明的覆晶薄膜封装结构包括软性基板、导线层、绝缘层以及弹性层。导线层形成于软性基板的表面上,并且其包括多条导线。绝缘层形成于导线层上,弹性层则进一步形成于绝缘层上,并且进一步对应至少一条导线的位置。
在本具体实施例中,当软性基板受到外力而弯曲时,弹性层可缓冲导线因弯曲而产生的形变,使导线不致因过度形变而断裂,因此,本具体实施例的弹性层可增加覆晶薄膜封装结构的耐折度。
根据本发明所述的覆晶薄膜封装结构,进一步包含设置于该表面上并电性连接该导线层的芯片。
根据本发明所述的覆晶薄膜封装结构,在一种实施方式中,该弹性层延伸覆盖该芯片。
根据本发明所述的覆晶薄膜封装结构,在一种实施方式中,该芯片通过导电凸块电性连接该导线层。
根据本发明所述的覆晶薄膜封装结构,在一种实施方式中,该芯片是液晶显示器驱动芯片。
根据本发明所述的覆晶薄膜封装结构,在一种实施方式中,该弹性层通过网板印刷方式形成于该绝缘层上。
根据本发明所述的覆晶薄膜封装结构,在一种实施方式中,该弹性层由高传导性材料制成。
根据本发明所述的覆晶薄膜封装结构,在一种实施方式中,该绝缘层上具有至少一个孔洞,并且该高传导性材料填充于该至少一个孔洞中以接近或接触该导线层。
根据本发明所述的覆晶薄膜封装结构,在一种实施方式中,该高传导性材料是银胶(silver epoxy)。
根据本发明所述的覆晶薄膜封装结构,在一种实施方式中,该弹性层接地。
根据另一具体实施例,弹性层可为高传导性(高导热性或高导电性)材料。在本具体实施例中,弹性层可以形成于覆晶薄膜结构上热量较不易逸散的区域,例如芯片或是接脚及导线密集的区域。借助于弹性体的高导热性,可帮助覆晶薄膜封装结构进行散热。
本发明的另一目的在于提供一种覆晶薄膜封装方法,可增加覆晶薄膜封装结构的耐折度,以解决现有技术的问题。
根据一个具体实施例,本发明的覆晶薄膜封装方法包含下列步骤:首先,制备软性基板;接着,在软性基板的表面上形成导线层,其中导线层包含多条导线;之后,在导线层上形成绝缘层;最后,在绝缘层上形成对应至少一条导线的弹性层。
根据本具体实施例的覆晶薄膜封装方法所完成的覆晶薄膜封装结构,当软性基板受到外力而弯曲时,弹性层可缓冲导线因弯曲而产生的形变,使导线不致因过度形变而断裂,因此,本具体实施例所形成的弹性层可增加覆晶薄膜封装结构的耐折度。
根据本发明的覆晶薄膜封装方法,进一步包含以覆晶薄膜工艺将芯片封装于该表面上并电性连接该导线层的步骤。
根据本发明的覆晶薄膜封装方法,在一种实施方式中,该弹性层延伸覆盖该芯片。
根据本发明的覆晶薄膜封装方法,在一种实施方式中,该芯片通过导电凸块电性连接该导线层。
根据本发明的覆晶薄膜封装方法,在一种实施方式中,该芯片是液晶显示器驱动芯片。
根据本发明的覆晶薄膜封装方法,在一种实施方式中,该弹性层通过网板印刷方式形成于该绝缘层上。
根据本发明的覆晶薄膜封装方法,在一种实施方式中,该弹性层由高传导性材料制成。
根据本发明的覆晶薄膜封装方法,进一步包含下列步骤:在该绝缘层上形成至少一个孔洞;以及将该高传导性材料填充于该至少一个孔洞中以接近或接触该导线层。
根据本发明的覆晶薄膜封装方法,在一种实施方式中,该高传导性材料是银胶。
根据本发明的覆晶薄膜封装方法,在一种实施方式中,该弹性层接地。
根据另一具体实施例,上述的覆晶薄膜封装方法所形成的弹性层可为高传导性(高导热性或高导电性)材料。在本具体实施例中,弹性层可以设置于覆晶薄膜封装结构上热量较不易逸散的区域,例如,芯片或是接脚及导线密集的区域。借助于弹性体的高导热性,可帮助覆晶薄膜封装结构进行散热。
关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及附图得到进一步的了解。
附图说明
图1示出了现有技术中覆晶薄膜封装结构的侧视图。
图2示出了根据本发明的一个具体实施例的覆晶薄膜封装结构的示意图。
图3示出了根据本发明另一具体实施例的覆晶薄膜封装结构的示意图。
图4示出了根据本发明的另一具体实施例的覆晶薄膜封装结构的示意图。
图5示出了根据本发明的一个具体实施例的覆晶薄膜封装方法的步骤流程图。
图6示出了根据本发明的另一具体实施例的覆晶薄膜封装方法的步骤流程图。
具体实施方式
请参阅图2,图2示出了根据本发明的一个具体实施例的覆晶薄膜封装结构2的示意图。如图2所示,覆晶薄膜封装结构2用以将芯片3封装于软性基板20上,并且,覆晶薄膜封装结构2包含软性基板20、导线层22、绝缘层24以及弹性层26。
在本具体实施例中,导线层22可设置于软性基板20的表面200上,其包含多条导线。请注意,导线层22在实际应用中可为多条导线组成,并不限于其层状结构,在本具体实施例中的导线层22之所以应用“层”这个字,是为了方便解释图标,而非限制导线层22为层状结构。此外,绝缘层24形成于导线层22之上,用以保护整体电路架构并对其绝缘。
在本具体实施例中,弹性层26形成于绝缘层24之上,并且其在绝缘层24上的位置对应导线层22中的至少一条导线。在实际应用中,弹性层26的形成位置可对应导线中较容易因弯曲形变而断裂的部位。因此,当软性基板20受到外力作用而弯曲时,弹性层26可缓冲对应导线的弯曲形变,由此,弹性层26可增加覆晶薄膜封装结构2的耐折度,使对应导线不至于因过度的弯曲形变而断裂。此外,弹性层26可通过网板印刷或是其他适合工艺形成于绝缘层24之上。
在本具体实施例中,芯片3的功能面朝向软性基板20,并且,芯片3的功能面通过导电凸块30与导线层22电性连接,进而使软性基板20可通过导电凸块30和导线层22与芯片3沟通。此外,在实际应用中,芯片3与导电凸块30周围可填充绝缘材料28,以固定芯片3与导电凸块30,并进一步提供绝缘功能。在实际应用中,芯片3可为液晶显示器的驱动芯片,用以驱动液晶显示器面板的液晶分子旋转的角度。
请参阅图3,图3示出了根据本发明的另一具体实施例的覆晶薄膜封装结构2的示意图。如图3所示,本具体实施例与上一具体实施例不同处在于,本具体实施例的覆晶薄膜封装结构2的弹性层26可延伸覆盖整个覆晶薄膜封装结构2。由此,当软性基板20受到外力作用而弯曲时,弹性层26可缓冲覆晶薄膜封装结构2的各部分的弯曲形变,使覆晶薄膜封装结构2的各部分不至于因弯曲形变而断裂,由此,弹性层26可增加覆晶薄膜封装结构2的耐折度。
请参阅图4,图4出了根据本发明的另一具体实施例的覆晶薄膜封装结构2的示意图。如图4所示,本具体实施例与上述具体实施例不同处在于,本具体实施例的覆晶薄膜封装结构2的绝缘层24可具有孔洞240。在实际应用中,孔洞240的数量根据使用者或是设计者需求而定,并不限于本说明书所列举的具体实施例。此外,在实际应用中,孔洞240可选择性地贯穿绝缘层24。
在本具体实施例中,当弹性层26形成于绝缘层24以及孔洞240上时,弹性层26可被填充进入孔洞240。此外,弹性层26在本具体实施例中是高传导性(高导热性或高导电性)材料。当弹性层26被填充入孔洞240而接近或接触导线层22时,由于其高导热性从而可帮助导线层22散热。更进一步地,在另一具体实施例中,弹性层26也可覆盖芯片3以及覆晶薄膜封装结构2的其余部分,以增加覆晶薄膜封装结构2的散热效率。
在实际应用中,弹性层26也可具有高导电性,当弹性层26接触导线层22并且弹性层26本身接地时,可进一步增强覆晶薄膜封装结构2的电性屏蔽。
上述具有高传导性(高导热性或高导电性)的弹性层26,在实际应用中可使用软性金属以同时达到其高传导性以及缓冲导线层22的弯曲形变的功能。举例而言,弹性层26可利用银胶(silver epoxy)或是金来制成。
综上所述,本发明的覆晶薄膜封装结构可形成弹性层于绝缘层上的导线易断裂的位置,当覆晶薄膜封装结构的软性基板受力而弯曲时,弹性层可缓冲导线的弯曲形变以避免导线因过度形变而断裂,进而增加覆晶薄膜封装结构的耐折度。此外,弹性层若具有高传导性,也可更进一步增强覆晶薄膜封装结构的散热效果以及电性屏蔽效应。
请参阅图5,图5示出了根据本发明的一个具体实施例的覆晶薄膜封装方法的步骤流程图。本具体实施例的覆晶薄膜封装方法可完成耐折度较高的覆晶薄膜封装结构。
如图5所示,本具体实施例的覆晶薄膜封装方法包含下列步骤:在步骤S40中,制备软性基板;在步骤S42中,在软性基板的表面上形成导线层,其中,导线层包含多条导线;在步骤S44中,在导线层上形成绝缘层;以及,在步骤S46中,在绝缘层上对应至少一条导线的位置形成弹性层,以完成覆晶薄膜封装结构。
在实际应用中,本具体实施例所形成的导线层可由多条导线组成,并不受限于层状结构。绝缘层可保护整体电路架构并进一步对其绝缘。此外,弹性层可通过网板印刷或是其他适合的工艺形成于绝缘层上。另一方面,在另一具体实施例中,覆晶薄膜封装方法可进一步包含将芯片封装于软性基板的表面上并电性连接芯片与导线层的步骤。上述封装芯片于软性基板表面的步骤在实际应用中可进一步包含以导电凸块电性连接芯片以及导线层的步骤,以及在芯片与导电凸块周围填充绝缘材料的步骤。此外,在实际应用中芯片可为液晶显示器的驱动芯片,用以驱动液晶显示器面板的液晶分子旋转的角度。
在本具体实施例中,在绝缘层上形成弹性层的位置可对应导线层中较易受弯曲应力的位置。当本具体实施例所完成的覆晶薄膜封装结构的软性基板受力而弯曲时,弹性体可缓冲导线层的对应位置的弯曲形变,使导线层不至于因过度的弯曲形变而断裂,进而增加覆晶薄膜封装结构的耐折度。
请参阅图6,图6示出了根据本发明的另一具体实施例的覆晶薄膜封装方法的步骤流程图。如图6所示,本具体实施例与上一具体实施例不同处在于,本具体实施例的覆晶薄膜封装方法进一步包含下列步骤:在步骤S440中,在绝缘层上形成至少一个孔洞,其中,孔洞可选择性地贯穿绝缘层;以及,在步骤S460中,将弹性层填充至孔洞中以接近或接触导线层。
在实际应用中,步骤S440与步骤S44可在同一工艺(或步骤)中完成,也就是,绝缘层以及绝缘层的孔洞同时形成于导线层上。另一方面,步骤S460与步骤S46也可在同一工艺(或步骤)中完成,也就是,在绝缘层上以及孔洞中同时形成弹性体。上述具体实施例的各步骤顺序可根据使用者或设计者需求而定,并不限于本说明书所列举的具体实施例。
在本具体实施例中,弹性层可为高导热性材料,因此,当弹性层被填充进入孔洞中以接近或接触导线层时,其高导热特性可帮助导线层散热。更进一步地,若弹性层同时形成于芯片以及覆晶薄膜封装结构的其余部分,也可进一步增加覆晶薄膜封装结构整体的散热效率。
在另一具体实施例中,弹性层也可为高导电性材料。当弹性层被填充进入孔洞中以接触导线层并且弹性层本身接地时,覆晶薄膜封装结构的电性屏蔽也可进一步被加强。
在实际应用中,上述具有高传导性(高导电性或高导热性)的弹性层可使用软性金属制成,以同时达到其高传导性以及缓冲导线层形变的功能。举例而言,弹性层可利用银胶或是金来制成。
综上所述,本发明的覆晶薄膜封装方法可在绝缘层上对应易断裂的导线的位置形成弹性层,以完成覆晶薄膜封装结构。当软性基板受力而弯曲时,弹性层可缓冲导线的弯曲形变以避免导线因过度形变而断裂,进而增加覆晶薄膜封装结构的耐折度。此外,弹性层若具有高传导性,也可更进一步增强覆晶薄膜封装结构的散热效果以及电性屏蔽效应。
相比于现有技术,本发明的覆晶薄膜封装结构以及覆晶薄膜封装方法可以通过弹性层缓冲导线受力产生的形变,进而增加覆晶薄膜封装结构整体的耐折度,使其不因弯曲而造成导线断裂甚至影响其良率。此外,若弹性层具有高传导性,可更进一步增强覆晶薄膜封装结构的散热效率以及电性屏蔽效应。
通过以上优选具体实施例的详述,希望能更加清楚描述本发明的特征与精神,而并非以上述所披露的优选具体实施例来对本发明的范围加以限制。相反地,其目的是希望能将各种改变及等同替代涵盖于本发明的权利要求的范围内。因此,本发明的权利要求的范围应该根据上述的说明作最宽广的解释,以致使其涵盖所有可能的改变以及等同替代。
主要组件符号说明
1:覆晶薄膜封装结构      10:基板
12:导线层               14:绝缘层
16:芯片                 18:金属凸块
19:绝缘材料             2:覆晶薄膜封装结构
20:软性基板             22:导线层
24:绝缘层               26:弹性层
28:绝缘材料             200:表面
240:孔洞                3:芯片
30:导电凸块             S40~S46:流程步骤
S440、S460:流程步骤。

Claims (20)

1.一种覆晶薄膜封装结构,包含:
软性基板,具有一表面;
导线层,形成于所述表面上,并且所述导线层包含多条
导线;
绝缘层,形成于所述导线层上;以及
弹性层,形成于所述绝缘层上并且对应这些导线中的至少一条导线;
其中,当所述软性基板受到外力而弯曲时,所述弹性层能缓冲所述对应导线的形变。
2.根据权利要求1所述的覆晶薄膜封装结构,进一步包含:
芯片,设置于所述表面上并电性连接所述导线层。
3.根据权利要求2所述的覆晶薄膜封装结构,其中,所述弹性层延伸覆盖所述芯片。
4.根据权利要求2所述的覆晶薄膜封装结构,其中,所述芯片通过导电凸块电性连接所述导线层。
5.根据权利要求2所述的覆晶薄膜封装结构,其中,所述芯片是液晶显示器驱动芯片。
6.根据权利要求1所述的覆晶薄膜封装结构,其中,所述弹性层通过网板印刷方式形成于所述绝缘层上。
7.根据权利要求1所述的覆晶薄膜封装结构,其中,所述弹性层由高传导性材料制成。
8.根据权利要求7所述的覆晶薄膜封装结构,其中,所述绝缘层上具有至少一个孔洞,并且所述高传导性材料填充于所述至少一个孔洞中以接近或接触所述导线层。
9.根据权利要求7所述的覆晶薄膜封装结构,其中,所述高传导性材料是银胶。
10.根据权利要求7所述的覆晶薄膜封装结构,其中,所述弹性层接地。
11.一种覆晶薄膜封装方法,包含下列步骤:制备软性基板,其具有一表面;
在所述表面上形成导线层,其包含多条导线;
在所述导线层上形成绝缘层;以及
在所述绝缘层上形成弹性层,并且所述弹性层对应这些
导线中的至少一条导线,以完成覆晶薄膜封装结构;
其中,当所述软性基板受到外力而弯曲时,所述弹性层
能缓冲所述对应导线的形变。
12.根据权利要求11所述的覆晶薄膜封装方法,进一步包含下列步骤:
以覆晶薄膜工艺将芯片封装于所述表面上并电性连接所述导线层。
13.根据权利要求12所述的覆晶薄膜封装方法,其中,所述弹性层延伸覆盖所述芯片。
14.根据权利要求12所述的覆晶薄膜封装方法,其中,所述芯片通过导电凸块电性连接所述导线层。
15.根据权利要求12所述的覆晶薄膜封装方法,其中,所述芯片是液晶显示器驱动芯片。
16.根据权利要求11所述的覆晶薄膜封装方法,其中,所述弹性层通过网板印刷方式形成于所述绝缘层上。
17.根据权利要求11所述的覆晶薄膜封装方法,其中,所述弹性层由高传导性材料制成。
18.根据权利要求17所述的覆晶薄膜封装方法,进一步包含下列步骤:
在所述绝缘层上形成至少一个孔洞;以及
将所述高传导性材料填充于所述至少一个孔洞中以接近或接触所述导线层。
19.根据权利要求17所述的覆晶薄膜封装方法,其中,所述高传导性材料是银胶。
20.根据权利要求17所述的覆晶薄膜封装方法,其中,所述弹性层接地。
CN2008101330516A 2008-07-08 2008-07-08 覆晶薄膜封装结构以及覆晶薄膜封装方法 Expired - Fee Related CN101626010B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008101330516A CN101626010B (zh) 2008-07-08 2008-07-08 覆晶薄膜封装结构以及覆晶薄膜封装方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008101330516A CN101626010B (zh) 2008-07-08 2008-07-08 覆晶薄膜封装结构以及覆晶薄膜封装方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101626010A CN101626010A (zh) 2010-01-13
CN101626010B true CN101626010B (zh) 2012-02-08

Family

ID=41521781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101330516A Expired - Fee Related CN101626010B (zh) 2008-07-08 2008-07-08 覆晶薄膜封装结构以及覆晶薄膜封装方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101626010B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9210810B2 (en) * 2012-07-12 2015-12-08 Universal Display Corporation Method of fabricating flexible devices
TWI495061B (zh) * 2012-11-20 2015-08-01 Raydium Semiconductor Corp 封裝結構製造方法
TWI575673B (zh) * 2014-11-07 2017-03-21 瑞鼎科技股份有限公司 雙面覆晶薄膜封裝結構及其製造方法
CN104409366A (zh) * 2014-11-19 2015-03-11 三星半导体(中国)研究开发有限公司 芯片封装方法及封装基底
TWI618205B (zh) * 2015-05-22 2018-03-11 南茂科技股份有限公司 薄膜覆晶封裝體及其散熱方法
CN105826353B (zh) * 2016-03-25 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 覆晶薄膜和显示装置
CN106842733B (zh) 2017-02-13 2019-03-15 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板及其阵列基板
KR102374755B1 (ko) * 2017-09-27 2022-03-15 엘지디스플레이 주식회사 터치 구조물을 포함하는 디스플레이 장치
TWI700786B (zh) * 2018-03-28 2020-08-01 南茂科技股份有限公司 薄膜覆晶封裝結構
CN108684134B (zh) * 2018-05-10 2020-04-24 京东方科技集团股份有限公司 线路板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101626010A (zh) 2010-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101626010B (zh) 覆晶薄膜封装结构以及覆晶薄膜封装方法
US7923844B2 (en) Semiconductor devices including voltage switchable materials for over-voltage protection
KR100385766B1 (ko) 외부 접속 전극들에 대응하여 분리 제공된 수지 부재들을구비하는 반도체 디바이스
CN102113423B (zh) 基板模块及其制造方法
US20070007639A1 (en) Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, and electronic equipment
US6753613B2 (en) Stacked dice standoffs
US10643948B2 (en) Film package and package module including the same
CN108206178A (zh) 包括传热块的半导体封装及其制造方法
US20060151206A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method therefor
US10121043B2 (en) Printed circuit board assembly with image sensor mounted thereon
CN101378052A (zh) 具有无源元件的集成电路封装
JP2004228403A (ja) 半導体モジュールおよびその製造方法並びにスイッチング電源装置
JP2000269369A (ja) 半導体装置
CN109830466A (zh) 热界面材料层及包括热界面材料层的层叠封装件器件
JPH0974115A (ja) テープキャリアパッケージ
CN212136426U (zh) 倒装芯片和芯片封装结构
TWM324375U (en) Stacked packaging structure for communication module
US6605779B2 (en) Electronic control unit
JP5026735B2 (ja) 半導体チップ及び半導体チップパッケージ
CN111210730B (zh) 显示面板以及显示装置
US20080290514A1 (en) Semiconductor device package and method of fabricating the same
TW201001641A (en) Package structure and method for chip on film
US20100052190A1 (en) Semiconductor device
CN111613607B (zh) 柔性有机发光二极管显示面板
JPH11340380A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120208