CN101546136A - 一种光刻胶去除方法 - Google Patents

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王鹏
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Abstract

本发明提供了一种光刻胶去除方法，其在一灰化设备的反应腔中进行。现有技术中晶圆的温度为200至300摄氏度，氧气与稀释气体的配比大于10，从而使去除速率过大且难以控制，易在晶圆上生成损伤或缺陷。本发明首先将欲去除光刻胶的晶圆设置在反应腔中；然后调控反应腔的温度以使晶圆上的温度稳定在一预设温度范围内，该预设温度范围为70至150摄氏度；之后调控反应腔的压力且使其稳定在一预设压力范围内；最后向反应腔中通入氧气和稀释气体且开启微波发生器并持续一预设时段，其中，该氧气与稀释气体的配比范围为0.1至10。本发明可降低光刻胶的去除速率，从而使光刻胶的去除变得易于控制，并可避免因光刻胶去除过度而在晶圆上产生损伤或缺陷的事情发生。

Description

一种光刻胶去除方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光刻胶去除方法。
背景技术
随着半导体器件的最小特征尺寸的不断减小，光刻工艺中涂布在晶圆表面的光刻胶的厚度也在不断减小。本来厚度就很薄的光刻胶在刻蚀工艺中还会消耗掉一定厚度，故导致完成刻蚀工艺后晶圆上的光刻胶的厚度非常薄甚至小于500埃。现通常在灰化设备的反应腔中去除光刻胶，去除光刻胶时首先调控反应腔的温度以确保晶圆上的温度为200至300摄氏度，然后再调控反应腔的压力且将其调整到93至173帕斯卡间，之后再向反应腔中通入配比大于10：1的氧气和稀释气体(可为氮气(N2)或联胺(N2H2))且开启微波发生器，氧气在微波的作用下形成氧等离子体，氧等离子体即与光刻胶发生反应，从而将晶圆上的光刻胶去除。
但是，上述光刻胶去除方法的光刻胶去除速率太快(可达到20000埃/分)，如此高的光刻胶去除速率无法满足晶圆上的越来越薄的光刻胶的去除要求，其会致使光刻胶的去除变得难以控制，并经常发生因光刻胶去除过度而在晶圆上造成损伤或缺陷的事情。
因此，如何提供一种光刻胶去除方法以提供较低的光刻胶去除速率，从而使光刻胶的去除变得易于控制，并可避免因光刻胶去除过度而在晶圆上产生损伤或缺陷的事情发生，已成为业界亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光刻胶去除方法，通过所述去除方法可降低光刻胶的去除速率，从而使光刻胶的去除变得易于控制，并可避免因光刻胶去除过度而在晶圆上产生损伤或缺陷的事情发生。
本发明的目的是这样实现的：一种光刻胶去除方法，其在一灰化设备的反应腔中进行，该反应腔中设置有一微波发生器，该方法包括以下步骤：a、将欲去除光刻胶的晶圆设置在反应腔中，该晶圆上具有预设厚度的光刻胶；b、调控反应腔的温度以使晶圆上的温度稳定在一预设温度范围内；c、调控反应腔的压力且使其稳定在一预设压力范围内；d、向反应腔中通入氧气和稀释气体且开启微波发生器，并持续一预设时段；其中，该预设温度范围为70至150摄氏度，在步骤d中，氧气与稀释气体的配比范围为0.1至10。
在上述的光刻胶去除方法中，在步骤a中，该预设厚度小于500埃。
在上述的光刻胶去除方法中，在步骤b中，该稀释气体为氮气或联胺。
在上述的光刻胶去除方法中，在步骤c中，该预设压力范围为93至173帕斯卡。
在上述的光刻胶去除方法中，在步骤d中，该预设时段为10秒至30秒。
与现有技术中去除光刻胶时晶圆的温度为200至300摄氏度，氧气与稀释气体的配比大于10相比，本发明的光刻胶去除方法中将晶圆上的温度调整为70至150摄氏度，且将氧气与稀释气体的配比调整至0.1至10的范围内，从而大大降低了光刻胶的去除速率，且使光刻胶的去除变得易于控制，并可避免因光刻胶去除过度而在晶圆上产生损伤或缺陷的事情发生。
附图说明
本发明的光刻胶去除方法由以下的实施例及附图给出。
图1为灰化设备的组成结构示意图；
图2为本发明的光刻胶去除方法的流程图。
具体实施方式
以下将对本发明的光刻胶去除方法作进一步的详细描述。
本发明的光刻胶去除方法在一灰化设备的反应腔中进行，参见图1，其显示了灰化设备的组成结构示意图，如图所示，所述灰化设备具有反应腔1，反应腔1中设置有承片台10、微波发生器11、加热模块12和多个支脚13，反应腔1上设置有进气管14和排气管15。所述加热模块12设置在承片台10下且用于加热设置在承片台上的晶圆，所述多个支脚13具有升起和降下两种状态，当支脚13处于升起状态时，其将晶圆支离承片台10，当支脚13处于降下状态时，晶圆直接设置在承片台10上。氧气和稀释气体等反应气体经由进气管道14进入反应腔1，反应腔1中反应后的废气通过排气管15排出。
参见图2，结合参见图1，本发明的光刻胶去除方法首先进行步骤S20，将欲去除光刻胶的晶圆设置在反应腔中，即将晶圆设置如图1所示的承片台10上且将涂布有光刻胶的一面朝上，所述晶圆上具有预设厚度的光刻胶，所述预设厚度小于500埃。在本发明的第一、第二和第三实施例中，所述晶圆上的光刻胶厚度分别为300、400和500埃。
接着继续步骤S21，调控反应腔的温度以使晶圆上的温度稳定在一预设温度范围内，在此通过调控加热模块12来调控反应腔的温度，所述预设温度范围为70至150摄氏度。在本发明的第一、第二和第三实施例中，所述晶圆上的温度分别为70、100和150摄氏度。
需说明的是，在步骤S21中，可通过两种方式来将晶圆的温度稳定在70至150摄氏度；方法一是将支脚13设定在升起状态，再调整加热模块12的温度来使晶圆上的温度位于70至150摄氏度；方式二是将支脚13设定在降下状态，再调整加热模块12的温度来使晶圆上的温度位于70至150摄氏度；在方式一和方式二下，承片台10的温度范围分别为200至300摄氏度以及70至150摄氏度。
接着继续步骤S22，调控反应腔的压力且使其稳定在一预设压力范围内，所述预设压力范围为93至173帕斯卡。在本发明的第一、第二和第三实施例中，所述反应腔的压力均为133帕斯卡。
接着继续步骤S23，向反应腔中通入氧气和稀释气体且开启微波发生器，并持续一预设时段，在此氧气与稀释气体的配比范围为0.1至10，所述稀释气体为氮气或联胺，所述预设时段为10秒至30秒。在本发明的第一、第二和第三实施例中，所述氧气与稀释气体的配比分别为0.1、5和10，预设时段均为20秒。
使用电子显微镜对经本发明的第一、第二和第三实施例去除光刻胶后的晶圆进行观察，发现晶圆上的光刻胶已经全部去除，且在晶圆上没发现明显损伤或缺陷。
综上所述，本发明的光刻胶去除方法中将晶圆上的温度调整为70至150摄氏度，且将氧气与稀释气体的配比调整至0.1至10的范围内，从而大大降低了光刻胶的去除速率，且使光刻胶的去除变得易于控制，并可避免光刻胶去除过度而在晶圆上产生损伤或缺陷的事情发生。

Claims (5)

1、一种光刻胶去除方法，其在一灰化设备的反应腔中进行，该反应腔中设置有一微波发生器，该方法包括以下步骤：a、将欲去除光刻胶的晶圆设置在反应腔中，该晶圆上具有预设厚度的光刻胶；b、调控反应腔的温度以使晶圆上的温度稳定在一预设温度范围内；c、调控反应腔的压力且使其稳定在一预设压力范围内；d、向反应腔中通入氧气和稀释气体且开启微波发生器，并持续一预设时段；其特征在于，该预设温度范围为70至150摄氏度，在步骤d中，氧气与稀释气体的配比范围为0.1至10。
2、如权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于，在步骤a中，该预设厚度小于500埃。
3、如权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于，在步骤b中，该稀释气体为氮气或联胺。
4、如权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于，在步骤c中，该预设压力范围为93至173帕斯卡。
5、如权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于，在步骤d中，该预设时段为10秒至30秒。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102193344A (zh) * 2010-03-15 2011-09-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 深n阱工艺去除光刻胶的方法
CN102768476A (zh) * 2012-07-26 2012-11-07 中微半导体设备(上海)有限公司 光刻胶的去除方法
CN102135734B (zh) * 2010-01-27 2013-09-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光阻去除方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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CN102193344A (zh) * 2010-03-15 2011-09-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 深n阱工艺去除光刻胶的方法
CN102193344B (zh) * 2010-03-15 2013-04-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 深n阱工艺去除光刻胶的方法
CN102768476A (zh) * 2012-07-26 2012-11-07 中微半导体设备(上海)有限公司 光刻胶的去除方法
CN102768476B (zh) * 2012-07-26 2014-08-20 中微半导体设备(上海)有限公司 光刻胶的去除方法

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