CN101535172A - 使用特定前驱体生长金属纳米点 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种在二步骤工艺中形成金属纳米点的技术，其包括：(1)使含硅气体前驱体(101)(例如硅烷)反应以在介电膜层(103B)上形成硅核(117)；以及(2)使用金属前驱体形成金属纳米点，其中所述金属纳米点将来自步骤(1)的所述硅核(117)用作成核点。因此，所述原始硅核(117)是用于后期金属囊封步骤的核心材料。金属纳米点应用于例如快闪存储器晶体管等装置中。
Description
技术领域
本发明大体上涉及半导体装置，且更特定来说，涉及在介电材料上产生金属纳米结构的制造工艺。
背景技术
电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)结构常用在集成电路中以用于非易失性数据存储。如已知，EEPROM装置结构通常包括具有电荷存储能力的浮动栅极。可使用控制电压迫使电荷进入所述浮动栅极结构或从所述浮动栅极结构中移除电荷。下伏于浮动栅极的沟道的传导性由于存储在浮动栅极中的电荷的存在而显著地改变。由于带电或不带电的浮动栅极的传导性差异可经电流感测，因此允许确定二进制存储器状态。传导性差异也由与处在两种不同状态下的装置相关联的阈值电压(Vt)的偏移表示。
随着半导体装置不断发展，此类半导体装置的操作电压通常降低以适应低功率应用。需要实现所述工作电压降低，同时确保装置的速度和功能性得以维持或改进。包括浮动栅极的编程和擦除装置所需的操作电压的控制因素为载流子在浮动栅极与下伏沟道区之间交换所经由的隧道氧化物的厚度。
在许多现有技术装置结构中，浮动栅极由导电材料或例如多晶硅的半导电材料的均一层形成。在此类现有技术装置结构中，在浮动栅极下方的较薄隧道介电层呈现电荷经由较薄隧道介电层中的缺陷从浮动栅极泄漏到下伏沟道的问题。此电荷泄漏可导致存储在所述装置内的存储器状态降级且因此是不合意的。为避免此电荷泄漏，通常增加隧道电介质的厚度。然而，较厚隧道电介质需要较高(编程和擦除)电压以从浮动栅极存储和移除电荷，这是因为电荷载流子必须穿过所述较厚隧道电介质。在许多情况下，较高编程电压需要在集成电路上实施电荷泵以增加电源电压来满足编程电压需求。此电荷泵消耗集成电路的大量电路小片区域且因此降低存储器阵列区域的效率且增加总成本。
为降低隧道电介质的所需厚度且通过降低对电荷泵的需要来改进存储器结构的区域效率，可使用作为隔离电荷存储元件操作的多个纳米团簇取代用于浮动栅极的均一材料层。此类纳米团簇通常也称为纳米晶体，因为其可由硅晶体形成。呈组合形式的多个纳米团簇提供足够的电荷存储能力，同时保持物理上彼此隔离，以使得相对于单一纳米团簇经由局部下伏缺陷发生的任何泄漏不会致使从其它纳米团簇排尽电荷。即，通过控制纳米团簇之间的平均间隔，可确保浮动栅极中的纳米团簇之间不存在测向电荷流。由此，较薄隧道电介质可用在这些装置结构中。发生在此类较薄隧道介电装置中的泄漏效应不会导致在包括均一浮动栅极层的装置中发生状态信息损失。
制造包括由多个纳米团簇构成的浮动栅极的装置的限制因素涉及控制浮动栅极结构内的纳米团簇的尺寸、密度和均一性。纳米团簇的密度对于确定装置的阈值电压在使浮动栅极充电或放电的状态之间的变化来说是重要的。较高的密度是合意的，因为当每个存储元件的电荷密度固定时，其导致增加的阈值电压变化。在氧化物隧道电介质上形成纳米团簇的现有技术的技术限于低到每平方厘米5(1011)个纳米团簇的密度。近年来，已报导每平方厘米1(1012)个纳米团簇的纳米团簇密度。对于此有限的隔离存储元件的密度，迫使每纳米团簇的电荷密度或每一纳米团簇必须保留的载流子数目达到提高的水平。每纳米团簇的较高存储密度呈现由于量子局限导致的存储(即编程)大量电子的困难。与较高纳米团簇密度的此限制相比，较低纳米团簇密度在给定编程时间时产生较小的编程窗口。此外，随着每纳米团簇的电荷密度提高，添加后续载流子所需的编程时间不断增加。甚至增加编程时间可能不足以产生合适数目的载流子。
在一种形成硅纳米团簇的现有技术中，使用离子植入以将硅原子植入到介电材料中。植入后，退火步骤使这些植入的硅原子经由相位分离分组在一起以形成纳米团簇。使用此技术由于难以控制归因于相位分离的硅纳米团簇在介电材料中的形成的深度而出现问题。因为形成隔离存储元件的深度显著地影响所得装置的电特性，所以离子植入未提供制造情况中所需的控制水平。
在形成硅纳米团簇的另一现有技术中，将非晶硅薄层沉积在隧道介电材料上。使用后续退火步骤以使非晶硅再结晶为纳米团簇。为产生所需密度和尺寸的纳米团簇，应将非晶硅层沉积以使得其厚度约为7-10埃。所述非晶硅薄层的沉积难以控制，且因此在制造工艺中是不实用的。除了此些控制问题，由于非晶硅层内先前存在的结晶区可能导致出现其它问题。此些先前存在的雏晶充当晶体生长的成核部位，其不利地干扰形成纳米团簇所需的自发晶体生长。
在形成纳米团簇的其它现有技术中，使用例如低压化学气相沉积(LPCVD)的化学气相沉积(CVD)技术以使纳米团簇在隧道氧化物上直接成核且生长。此些现有技术的LPCVD技术通常涉及非常短的沉积时期，大约10秒到30秒。此沉积时期的部分包括培育期，其中在形成纳米团簇的结晶结构的团簇化活动开始之前在电介质表面上产生足够数目的硅原子。所述时间的剩余部分用以使纳米团簇成核且生长到所需尺寸。因为与成核和生长相关联的时期如此短，所以处理参数中的轻微偏差对所得纳米团簇的所得密度和尺寸均一性具有深远影响。而且，***性影响可为显著的。举例来说，靠近反应物气体源的被处理的硅晶片的部分可能实现高得多的纳米团簇密度和尺寸，而较远离反应物气体源的晶片的部分将经历纳米团簇的较低密度和较小尺寸。此些工艺非均一性在制造工艺中是不合意的。
存在的现有技术的技术仅涉及生长半导体纳米团簇或纳米晶体。并不存在涉及在半导体成核点(即，核)周围生长金属纳米点的已知方法。目前已知的既有方法仅基于例如在退火步骤期间发生的去湿现象的金属物理气相沉积(PVD)涂布，或单一步骤金属CVD沉积。然而，这些技术均不允许控制纳米团簇密度和纳米团簇尺寸。
与半导体纳米晶体相比，金属纳米点的优点包括：因为几乎无或无量子局限发生，所以能够存储更多电子(例如在快闪存储器应用中)。因此，目前仍需要以提供存储元件的高密度，且同时维持对存储元件的尺寸偏差的控制的方式将金属纳米团簇包括在半导体装置内的方法。
发明内容
一般来说，本发明关于具有包括多个金属纳米点的浮动栅极的半导体存储器元件，和有用于制造此类装置的技术。为防止所形成的纳米点发生氧化，可在形成控制介电层之前将纳米团簇囊封或钝化。所述囊封可包括在所述纳米点上形成较薄介电膜层，例如氮化硅。随后在控制电介质和部分囊封电介质上形成栅极电极。多个纳米点和囊封电介质中的不下伏于栅极电极的部分被选择性地移除。通过将掺杂剂植入或扩散到半导体层中来形成源极和漏极区，以使得在源极区与漏极区之间形成下伏于栅极电极的沟道区。
在一示范性实施例中，本发明为形成金属纳米点的方法。所述方法包括：将衬底置于反应器腔室中；提高衬底的温度；以及降低腔室内的压力。在所述衬底的表面上形成介电膜层，且在所述介电膜层的暴露表面上形成多个硅成核部位。所述硅成核部位是通过包括以下各项的步骤而形成：(1)将含硅前驱体气体引入所述反应器腔室中，以及(2)使含硅前驱体气体的至少一部分离解。大体上所述多个硅成核部位中的每一者被金属涂层囊封，其中大体上仅在所述硅成核部位周围形成所述金属涂层。通过以下步骤执行金属囊封：(1)将含金属前驱体气体引入所述反应器腔室中，以及(2)使含金属前驱体气体的至少一部分离解。
在另一示范性实施例中，本发明为形成快闪存储器晶体管的方法，其包括：将衬底放置在反应器腔室中；提高衬底的温度；以及降低腔室内的压力。在所述衬底的表面上形成二氧化硅膜层达到经选择以充当隧穿层的厚度。通过以下步骤在所述二氧化硅膜层的暴露表面上形成多个硅成核部位：(1)将含硅前驱体气体引入所述反应器腔室中，和(2)使含硅前驱体气体的至少一部分离解。大体上所述多个硅成核部位中的每一者被金属涂层囊封，因此形成多个金属纳米点。通过以下步骤大体上仅在所述硅成核部位周围选择性地形成所述金属涂层：(1)将含金属前驱体气体引入所述反应器腔室中，和(2)使所述含金属前驱体气体的至少一部分离解。在所述多个金属纳米点上形成介电层且在所述介电层上形成栅极电极。
在另一示范性实施例中，本发明为快闪存储器装置。所述快闪存储器装置包括衬底，在所述衬底上形成的隧穿介电膜层，和在所述隧穿介电层上形成的多个金属纳米点。所述多个金属纳米点包含在硅成核部位上形成的金属涂层。在所述多个金属纳米点上形成控制介电膜层且在所述控制介电膜层上形成栅极电极。
附图说明
图1为形成核心稳定的硅团簇的图表描述。
图2为在化学沉积工具内生长核心硅团簇的图表描述。
图3A到图3C指示在产生金属纳米点的图2中产生的稳定硅团簇上沉积的金属生长。
图4为图3C的用于形成快闪存储器装置的金属纳米点的一示范性应用的横截面图。
具体实施方式
例如在CVD工具中发生的基本薄膜沉积方法通常包括多个连续步骤。在CVD腔室内产生的原子和/或分子吸附在衬底的表面上。吸附后，所述原子和/或分子常在并入衬底的表面上所存在的任何介电膜层之前扩散一段距离。并入涉及所吸附的物质彼此以及与表面发生反应或聚集，以形成所吸附物质与介电膜层材料之间的键结。所吸附物质的聚集称为成核。
参看图1，原子工艺的示范性实施例说明纳米点形成的初始形成阶段。例如硅烷(SiH4)或二硅烷(Si2H6)的前驱体分子在半导体装置105的介电膜层103B的表面103A上形成前驱体101。介电膜层103B可为(例如)在衬底107上热生长或沉积的二氧化硅膜。如果介电膜层103B为热生长的二氧化硅层，则衬底107可为硅晶片。而且，针对介电膜层103B使用二氧化硅可有用于构建快闪存储器装置。下文将参考图3A到图3D详细地描述所述快闪存储器装置。
前驱体分子(在此情况下为二硅烷)可直接吸附在二氧化硅的表面上，且在介电膜层表面103A上形成硅吸附原子109。此整个工艺可在例如具有冷壁反应器腔室的低压CVD(LPCVD)或超高真空CVD(UHCVD)沉积工具的典型半导体制造工具内进行。下文详细描述腔室的细节。
称为粘附系数的反应性因素是到达介电膜层表面的分子并入所述膜中的概率。粘附系数可从1变化到小于1(10-3)。如用于此示范性实施例中的二硅烷的粘附系数非常小(远小于1)且因此大多数二硅烷前驱体以未反应的状态离开反应器。在图1的示范性实施例中所说明的工艺中，在介电膜层103B附近局部加热前驱体101且因此形成活性基团亚硅烷基。活性亚硅烷基具有接近1的粘附系数且吸附在介电膜层103B的表面130A上。活性基团亚硅烷基容易分解以形成硅吸附原子109。介电膜层103B的表面103A上的多个硅吸附原子109在表面103A上扩散。由于多个硅原子109的无规则碰撞而形成具有不同尺寸的硅吸附原子的团簇113。硅吸附原子的团簇也可离解(未图示)。团簇继续形成，直到形成具有大于临界尺寸的尺寸的较大团簇115为止。临界尺寸大约为数个原子。稳定团簇117可通过表面吸附原子109或其它彼此粘附的团簇113、115的扩散而生长。稳定团簇117也可通过活性基团或前驱体的直接碰撞而生长。稳定团簇117将充当在稳定团簇117周围形成金属层的后期沉积步骤的成核部位。
反应副产物双原子氢(H2)的解吸附是必需的且经常出现，其暴露介电膜层表面103A的用于形成吸附原子109的区域。如所指示，吸附原子109可经受蒸发123的工艺。蒸发123是不合意的，因为其减少吸附原子109可用于成核的表面。如可从以上描述推断，通过原子成核作用形成纳米点成核部位是复杂的工艺，但可通过仔细关注工艺条件来进行控制。图2中呈现刚描述的工艺的示范性实施方案。
图2的冷壁LPCVD腔室201的横截面包括衬底加热元件203、入口和出口。安装在腔室201内的衬底205具有形成在衬底205的最上表面上的介电膜层207。衬底加热元件203使衬底205和介电膜层207在腔室201内围绕中心垂直轴旋转。如参考图1所论述，在腔室201内可以各种方式操纵吸附原子的形成速率以及表面扩散和原子蒸发以增加所得纳米点的表面密度。
当含有前驱体分子的前驱体气体211在腔室201内流动时，在介电膜层207和衬底205上建立流体动力和热边界层209。腔室201的内部温度通常处于温度Ti。可调整衬底加热元件203以维持衬底温度Ts，以使得Ts>Ti。边界层209有助于实现吸附原子的所需形成速率。
在一特定示范性实施例中，腔室201内的总压力约在10托到70托的范围内，但可使用1托到300托或更高的压力范围。腔室201的壁经冷却到比衬底205的温度低得多的温度。衬底205由衬底加热元件203加热且维持在相对固定的温度下。在此实施例中，衬底205的表面温度在约400℃到1000℃的范围内。衬底加热元件203可实施为光热源、辐射热源的形式或通过例如电阻性加热元件的其它加热元件实施。
边界层209呈气态。边界层209的上边界209A和下边界209B在下边界209B处具有几乎等于衬底205的温度Ts的温度且在上边界209A处具有接近入口温度Ti的温度。例如二硅烷气体的前驱体以及例如氢气(H2)的大量过量的惰性载气在入口处进入腔室201且所述前驱体和载气被混合。
在一特定示范性实施例中，前驱体气体的分压力经选择为在约10毫托到1000毫托的范围内以用于从硅烷或二硅烷形成硅成核部位。所述气体的入口温度通常近似于环境温度。在努森数(Knudsen number)小于0.1的条件下在腔室201内存在任何流动气体时形成边界层209。努森数(Kn)是被定义为分子平均自由路径长度与代表性物理长度标度的比率的无因次数。努森数在数学上定义为：
其中λ为平均自由路径(nm)，L为物理长度标度(nm)，kB为波耳兹曼常数(Boltzmann′s constant)(1.38(10-23)焦耳/°K)，T为气体的温度(°K)，σ为所研究的气体分子的直径(nm)，且P为总压力(Pa)。
前驱体分子211(例如)在其横跨边界层209输送到介电膜层207的上表面时被加热。加热前驱体分子211致使所述前驱体气体部分或完全离解。举例来说，已知发生如下文将描述的气相分解反应。
因此，使介电膜层207的表面暴露于二硅烷213、硅烷215和亚硅烷基217的混合物。亚硅烷基217为很具活性的物质且容易吸附在介电膜层207的表面上，而二硅烷和硅烷在表面上具有大体上较低的粘附系数和反应速率。所吸附的表面分子(二硅烷、硅烷和亚硅烷基)随后在衬底温度下分解以形成硅吸附原子219。双原子氢H2作为副产物被解吸附且被从边界层209移除。硅原子219成核形成稳定硅团簇221。
图2进一步展示在边界层209内形成的气流速度廓线223。在下边界209B(与介电膜层207的顶面重合)处，气流速度的流体动力无滑动条件(no-slip condition)暗示0速度条件，而上边界209A处的气流速度约等于腔室201内的平均速度。
参考图3A，图1和图2中所述的沉积工艺完成。多个稳定硅团簇221形成在介电膜层207上。在一特定示范性实施例中，衬底205为硅晶片衬底205。介电膜层207为下文所述的充当快闪存储器装置的隧道氧化物的二氧化硅层。
在图3B中，将参考图1和图2所描述的类似沉积技术应用于金属前驱体。金属前驱体分子301仅与多个稳定硅团簇221(图3A)相互作用以形成多个小金属纳米点303。多个纳米点221中的每一者的核心因此是稳定硅团簇221(图3B中未展示)。金属前驱体分子仅沉积在稳定硅团簇221的核心材料周围。因此，由于金属前驱体分子301、稳定硅团簇221和介电膜层207之间的化学相互作用的性质，沉积并不发生在介电膜层207上。可使用的特定含金属气体前驱体包括四氯化钛(TiCl4)或六氟化钨(WF6)，其每一者以与氢气载气的混合物(例如TiCl4-H2或WF6-H2)的形式传递。通过使用这些前驱体气体中的一者在稳定硅团簇221上产生金属涂层。所述金属涂层为(例如)硅化钛(TiSi2)或钨(W)。其它金属前驱体和所得金属对于所属领域的技术人员来说是已知的。
在另一示范性实施例中，使TiCl4与H2和二氯硅烷(SiH2Cl2或DCS)混合。DCS用来平衡在成核部位上的沉积选择性与自成核或在毯覆式氧化层上形成金属层。在一特定示范性实施例中，在1托到100托的压力下，在650℃到1000℃的温度下，且在DCS和TiCl4分压力为0.1托到5托且每一者具有H2载气的情况下在反应器中实行所述工艺。另外，可添加锗烷(GeH4)或氯化氢(HCI)以进一步增强选择性控制。
在采用选择性钨生长的另一示范性实施例中，使WF6与H2和SiH4混合。此处，SiH4用来平衡在成核部位上的沉积选择性与自成核或在毯覆式氧化层上形成金属层。在一特定示范性实施例中，在1毫托到100毫托的压力下，在300℃到700℃的温度下，且WF6的流动速率为5到50sccm，SiH4的流动速率为2到10sccm，在存在氩气(Ar)载气的情况下在反应器中实行所述工艺。另外，可添加较小H2流以进一步增强选择性控制。
总体来说，如果Si核心纳米团簇的形成和在核心纳米团簇周围的金属生长在同一反应器(例如在同一LPCVD反应器内或在常见团簇工具内，使得所有工艺在不破坏真空的情况下或在N2环境下执行)内发生，因此防止任何自然氧化物层在所述核心纳米团簇上生长，则将增强所述工艺的选择性。
金属前驱体分子301继续沉积，直到形成较大尺寸的金属纳米点305为止(图3C)。气体流动速率、沉积时间和衬底温度为可变化的参数以实现金属纳米点305的特定目标尺寸范围。
在图4中，使用金属纳米点305形成示范性快闪存储器装置400。衬底205可为各种材料。对于半导体应用，衬底205可为硅、锗或绝缘体上硅(SOI)。然而，可使用其它衬底材料。举例来说，可容易地采用化合物半导体(例如元素的化合物，尤其是元素周期表第III-V族和第II-VT族的元素的化合物)作为衬底205。介电膜层207可为各种材料，例如二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。此外，介电膜层207可包含多层电介质或高介电常数(高k)材料(高k介电材料在此项技术中是已知的且包括例如五氧化二钽(Ta2O5)、氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)和锆钛酸铅(PZT)的膜)。然而，也可采用其它介电材料。
在一特定示范性实施例中，介电膜层207为通过将硅加热氧化而形成在硅衬底的最上表面上的二氧化硅。金属纳米点通过本文所述的方法形成在介电膜层207上。
另一介电膜层401，例如沉积的氮化硅层形成在金属纳米点305上。控制栅极极403随后沉积在额外的介电膜层401上。控制栅极极层403可为经沉积的多晶硅层。使用常规光刻技术将介电膜层207的剩余部分、额外的介电膜层401和控制栅极层403蚀刻到如图4所示的最终形式。膜层的沉积(不同于金属纳米点305的生长和沉积)和光刻技术在此项技术中是已知的。
通过沉积毯覆式介电膜层(未图示)、图案化和蚀刻而形成介电间隔物405。通常使用反应性离子蚀刻(RIE)工艺来执行蚀刻，因此主要移除毯覆式介电膜层的那些大体上平行于衬底205的最上表面的部分(即水平部分)。所述RIE工艺因此留下大体上完整的毯覆式介电膜层的垂直部分。因此，所得介电间隔物405与给定特征自对准。此外，介电间隔物405允许围绕给定特征的蚀刻或对准台阶低于光刻分辨率极限，因为蚀刻或对准现在仅基于毯覆式介电膜层的厚度和近似结构的台阶高度。因为介电间隔物405的尺寸取决于所选膜层的厚度，所以可产生薄至约30
或小于30的间隔物。
最终掺杂步骤为示范性快闪存储器装置400提供源极和漏极掺杂剂区域407。如所属领域的技术人员所已知，可植入或扩散掺杂剂区域407。
在上述说明书中，已参看本发明的特定实施例描述了本发明。然而，所属领域的技术人员将明白，在不脱离如所附权利要求书中所陈述的本发明的更广精神和范围的情况下可对本发明作出各种修改和改变。举例来说，所属领域的技术人员应了解，可采用各种类型的介电层或介电层堆叠作为形成纳米点的基础。此外，存在可通过采用本文中所描述的技术而实施以形成纳米点的各种类型金属前驱体气体。此些技术可在多种工艺工具中实施，所述工具例如为那些在原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)、低压CVD(LPCVD)、等离子体增强型CVD(PECVD)或等离子体辅助型CVD(PACVD)中使用的工具。因此应将本说明书和图式视为具有说明性意义而非限制性意义。
Claims (22)
1.一种形成金属纳米点的方法，所述方法包含：
在衬底的表面上形成介电膜层；
在所述介电膜层的暴露表面上形成多个硅成核部位，所述多个硅成核部位是通过包括以下各项的步骤而形成：
(i)将含硅前驱体气体引入反应器腔室中，和
(ii)使所述含硅前驱体气体的至少一部分离解；以及
使用金属涂层囊封所述多个硅成核部位，所述金属涂层是通过包括以下各项的步骤而大体上仅选择性地形成在所述硅成核部位周围：
(i)将含金属前驱体气体引入所述反应器腔室中，和
(ii)使所述含金属前驱体气体的至少一部分离解。
2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述含硅前驱体气体选择为硅烷。
3.根据权利要求1所述的方法，其中将所述含硅前驱体气体选择为二硅烷。
4.根据权利要求1所述的方法，其中将所述含金属前驱体气体选择为四氯化钛。
5.根据权利要求1所述的方法，其中将所述含金属前驱体气体选择为六氟化钨。
6.根据权利要求1所述的方法，其中将所述衬底的温度提高到约400℃到1000℃的范围。
7.根据权利要求1所述的方法，其中将所述腔室内的压力降低到约1托到300托的范围。
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含将所述介电膜层选择为二氧化硅。
9.一种形成快闪存储器晶体管的方法，所述方法包含：
在衬底的表面上将二氧化硅膜层形成至经选择以充当隧穿层的厚度；
在所述二氧化硅膜层的暴露表面上形成多个硅成核部位，所述硅成核部位是通过包括以下各项的步骤而形成的：
(i)将含硅前驱体气体引入反应器腔室中，和
(ii)使所述含硅前驱体气体的至少一部分离解；
使用金属涂层囊封所述多个硅成核部位，因此形成多个金属纳米点，所述金属涂层是通过包括以下各项的步骤而大体上仅选择性地形成在所述硅成核部位周围：
(i)将含金属前驱体气体引入所述反应器腔室中，和
(ii)使所述含金属前驱体气体的至少一部分离解；
在所述多个金属纳米点上形成介电层；以及
在所述介电层上形成栅极电极。
10.根据权利要求9所述的方法，其中将所述含硅前驱体气体选择为硅烷。
11.根据权利要求9所述的方法，其中将所述含硅前驱体气体选择为二硅烷。
12.根据权利要求9所述的方法，其中将所述含金属前驱体气体选择为四氯化钛。
13.根据权利要求9所述的方法，其中将所述含金属前驱体气体选择为六氟化钨。
14.根据权利要求9所述的方法，其中经选择以用于所述栅极电极的材料是多晶硅。
15.一种快闪存储器装置，其包含：
衬底；
隧穿介电膜层，其形成在所述衬底上；
多个金属纳米点，其形成在所述隧穿介电层上，所述多个金属纳米点中的每一者包含形成在硅成核部位上的金属涂层；
控制介电膜层，其形成在所述多个金属纳米点上；以及
栅极电极，其形成在所述控制介电膜层上。
16.根据权利要求15所述的快闪存储器装置，其中所述隧穿介电膜层包含二氧化硅。
17.根据权利要求15所述的快闪存储器装置，其中所述隧穿介电膜层包含氮化二氧化硅。
18.根据权利要求15所述的快闪存储器装置，其中所述隧穿介电膜层包含氮氧化硅。
19.根据权利要求15所述的快闪存储器装置，其中所述隧穿介电膜层包含高k介电材料。
20.根据权利要求15所述的快闪存储器装置，其中所述衬底包含硅。
21.根据权利要求20所述的快闪存储器装置，其中所述隧穿介电膜层包含热生长的二氧化硅。
22.根据权利要求15所述的快闪存储器装置，其进一步包含：
源极掺杂剂区域，其形成在所述多个金属纳米点的第一边缘上和所述衬底的表面附近，且与所述多个金属纳米点电连通；以及
漏极掺杂剂区域，其形成在所述多个金属纳米点的第二边缘上和所述衬底的表面附近，且与所述多个金属纳米点电连通，所述第二边缘远离所述第一边缘。
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