CN101534466A - 一种硅麦克风芯片及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种硅麦克风芯片,振膜的残余应力较小,麦克风芯片的灵敏度高;且其背极板的厚度可控,刚性强度较好,为此,本发明还提供了该芯片的制作方法。其包括振膜、背极板、基体,其特征在于:所述振膜包括振膜中心部分、直梁、旋转梁、窄槽,所述振膜的圆弧处外部为所述旋转梁,所述旋转梁连接外部的直梁,所述旋转梁与所述振膜中心部分的连接处开有窄槽,所述基体底部对应上部振膜位置有空腔,所述空腔的上部基体部分为所述背极板。制作时,单晶硅基体的双面氧化、对所述基体的背面进行深刻蚀、在所述基体的正面进行掺杂、对所述背极板进行刻蚀,制备内声孔、在所述背极板上表面淀积绝缘材料、在所述绝缘材料上形成振膜、对所述振膜进行刻蚀,制备窄槽和外声孔;刻蚀所述振膜和绝缘材料层,形成连通所述背极板的孔槽、在所述振膜整个表面淀积金属材料,再对金属材料进行刻蚀,形成振膜电极和背极板电极、对所述支撑层进行腐蚀。
Description
(一)技术领域
本发明涉及一种硅麦克风芯片,发明还涉及该芯片的制作方法。
(二)背景技术
现有的电容式硅麦克风芯片结构,其振膜存在较大的残余应力,残余应力对硅麦克风芯片的性能有较大影响,大的残余应力能大幅度降低麦克风芯片的灵敏度,压应力还能减小麦克风芯片的耐压能力,严重时能使得麦克风无法正常工作,现有的去除残余应力的工艺:一是通过附加工艺,入退火的方式,这种方式对工艺的控制要求极高,重复性不是很好;另外一种是通过结构调整,如制作自由膜或纹膜结构,但这种结构的制作会导致工艺复杂度的增加,可能需要添加多步工艺,来控制振膜。
此外现有硅麦克风芯片的背极板的厚度很难控制,其刚性强度不能得到满足。目前也是有两种方法来解决,一是制作厚背极,但是通过常规的淀积工艺很难得到需要的厚背极;还有一种方法是通过结构调整来提高背极板的刚性,但也是要增加工艺的复杂度。
(三发明内容
针对上述问题,本发明提供了一种硅麦克风芯片,振膜的残余应力较小,麦克风芯片的灵敏度高;且其背极板的厚度可控,刚性强度较好,为此,本发明还提供了该芯片的制作方法。
其技术方案是这样的:其包括振膜、背极板、基体,其特征在于:所述振膜包括振膜中心部分、直梁、旋转梁、窄槽,所述振膜的圆弧处外部为所述旋转梁,所述旋转梁连接外部的直梁,所述旋转梁与所述振膜中心部分的连接处开有窄槽,所述基体底部对应上部振膜位置有空腔,所述空腔的上部基体部分为所述背极板。
其进一步特征在于:所述振膜形状为一个四周倒角的矩形,所述背极板上开有内声孔,所述振膜中心部分、旋转梁上开有外声孔,所述内声孔、外声孔形状为圆形、方形、椭圆等任意形状,所述直梁支承于绝缘支撑结构,所述绝缘支撑结构支承于所述基体,所述振膜与所述背极板间隔开。
所述芯片的制作方法,其特征在于:其包括以下步骤,
(1)、单晶硅基体的双面氧化;
(2)、对所述基体的背面进行深刻蚀,形成空腔,对应所述空腔上部的基体为背极板;
(3)、在所述基体的正面进行掺杂,形成导电层,作为电容的一个基体;
(4)、对所述背极板进行刻蚀,制备内声孔;
(5)、在所述背极板上表面淀积绝缘材料,形成支撑层;
(6)、在所述绝缘材料上形成振膜,振膜为导电材料或导电材料与绝缘材料的复合层;
(7)、对所述振膜进行刻蚀,制备窄槽和外声孔;刻蚀所述振膜和绝缘材料层,形成连通所述背极板的孔槽;
(8)、在所述振膜整个表面淀积金属材料,再对金属材料进行刻蚀,形成振膜电极和背极板电极;
(9)、对所述支撑层进行腐蚀,形成麦克风芯片的绝缘支撑结构。
采用本发明的工艺制作芯片,由于所述振膜的圆弧处为所述旋转梁,所述旋转梁连接外部的直梁,所述旋转梁与所述振膜中心部分的连接处开有窄槽,所述基体底部对应上部振膜位置有深度可调的空腔,所述空腔的上部基体部分即为所述背极板。所述残余应力可通过直梁、旋转梁的旋转变形来释放,所述旋转梁与所述振膜中心部分的连接处开有窄槽,一方面是为了制作旋转梁,同时也是为了增加振膜的柔软度,提高了麦克风的灵敏度。由于所述基体底部对应上部振膜位置有深度可调的空腔,所述空腔的上部基体部分即为所述背极板,所述背极板的厚度即为所述基体厚度减去所述空腔的可调深度,故所述背极板的厚度可调,满足其刚性强度要求。
(四)附图说明
图1为本发明的流程示意图;
图2为本发明的麦克风芯片结构示意主视图;
图3为图2的俯视图示意图;
图4为图2的仰视图示意图。
(五)具体实施方式
见图2、图3、图4,本发明中的芯片包括振膜1、背极板2、基体3,振膜1包括振膜中心部分4、直梁5、旋转梁6、窄槽7,振膜1的圆弧处为旋转梁6,旋转梁6连接外部的直梁5,旋转梁6与振膜中心部分4的连接处开有窄槽7,基体6底部对应上部振膜1位置有一定深度的空腔8,空腔8的上部基体部分即为背极板2。振膜1形状为一个四周倒角的矩形,背极板2上均布有内声孔9,振膜中心部分4、旋转梁6上开有外声孔10,内声孔9、外声孔10形状为圆形、方形、椭圆等任意形状,直梁5支承于绝缘支撑结构11,绝缘支撑结构11支承于基体3,振膜1与背极板2间隔一定距离。13为振膜电极、14为背极板电极。
下面结合附图描述芯片的制作方法,其流程如下:单晶硅基体3的双面氧化;对基体3的背面进行深刻蚀,形成空腔8,对应空腔8上部的基体3为背极板2;在基体3的正面进行掺杂,形成导电层,作为电容的一个基体;对背极板3进行刻蚀,制备内声孔9;在背极板2上表面淀积绝缘材料,形成支撑层;在绝缘材料上形成振膜1,振膜1可为导电材料或导电材料与绝缘材料的复合层;对振膜1进行刻蚀,制备窄槽7和外声孔10;刻蚀振膜1和绝缘材料层,形成连通背极板2的孔槽12;在振膜1整个表面淀积金属材料,再对金属材料进行刻蚀,形成振膜电极13和背极板电极14;对支撑层进行腐蚀,形成麦克风芯片的绝缘支撑结构11。
Claims (3)
1、一种硅麦克风芯片,其包括振膜、背极板、基体,其特征在于:所述振膜包括振膜中心部分、直梁、旋转梁、窄槽,所述振膜的圆弧处外部为所述旋转梁,所述旋转梁连接外部的直梁,所述旋转梁与所述振膜中心部分的连接处开有窄槽,所述基体底部对应上部振膜位置有深度可调的空腔,所述空腔的上部基体部分即为所述背极板。
2、根据权利要求1所述一种硅麦克风芯片,其特征在于:所述振膜形状为一个四周倒角的矩形,所述背极板上开有内声孔,所述振膜中心部分、旋转梁上开有外声孔,所述内声孔、外声孔形状为圆形、方形、椭圆等任意形状,所述直梁支承于绝缘支撑结构,所述绝缘支撑结构支承于所述基体,所述振膜与所述背极板间隔开。
3、一种硅麦克风芯片的制作方法,其特征在于:其包括以下步骤,
(1)、单晶硅基体的双面氧化;
(2)、对所述基体的背面进行深刻蚀,形成空腔,对应所述空腔上部的基体为背极板;
(3)、在所述基体的正面进行掺杂,形成导电层,作为电容的一个基体;
(4)、对所述背极板进行刻蚀,制备内声孔;
(5)、在所述背极板上表面淀积绝缘材料,形成支撑层;
(6)、在所述绝缘材料上形成振膜,振膜为导电材料或导电材料与绝缘材料的复合层;
(7)、对所述振膜进行刻蚀,制备窄槽和外声孔;刻蚀所述振膜和绝缘材料层,形成连通所述背极板的孔槽;
(8)、在所述振膜整个表面淀积金属材料,再对金属材料进行刻蚀,形成振膜电极和背极板电极;
(9)、对所述支撑层进行腐蚀,形成麦克风芯片的绝缘支撑结构。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101835079A (zh) * | 2010-04-09 | 2010-09-15 | 无锡芯感智半导体有限公司 | 一种电容式微型硅麦克风及其制备方法 |
CN101854578A (zh) * | 2010-06-01 | 2010-10-06 | 无锡芯感智半导体有限公司 | 一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法 |
CN102056061A (zh) * | 2009-10-29 | 2011-05-11 | 苏州敏芯微电子技术有限公司 | 电容式微型硅麦克风及其制造方法 |
CN105142092A (zh) * | 2015-07-21 | 2015-12-09 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 基板及制作方法、显示装置 |
CN107690114A (zh) * | 2016-08-04 | 2018-02-13 | 北京卓锐微技术有限公司 | Mems麦克风振膜及mems麦克风 |
CN113556657A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-10-26 | 歌尔微电子股份有限公司 | Mems麦克风 |
CN117459868A (zh) * | 2023-12-11 | 2024-01-26 | 瑞声光电科技(常州)有限公司 | 麦克风芯片、微机电麦克风及终端设备 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1352515A (zh) * | 2001-12-07 | 2002-06-05 | 清华大学 | 单片集成电容式硅基微传声器及其制作工艺 |
US6667189B1 (en) * | 2002-09-13 | 2003-12-23 | Institute Of Microelectronics | High performance silicon condenser microphone with perforated single crystal silicon backplate |
US6901804B2 (en) * | 2000-03-21 | 2005-06-07 | Nokia Corporation | Method of manufacturing a membrane sensor |
CN101022685A (zh) * | 2007-03-23 | 2007-08-22 | 胡维 | 电容式微型硅麦克风及其制备方法 |
JP2007309892A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 静電容量型センサ |
CN101272636A (zh) * | 2007-03-21 | 2008-09-24 | 歌尔声学股份有限公司 | 电容式传声器芯片 |
-
2009
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6901804B2 (en) * | 2000-03-21 | 2005-06-07 | Nokia Corporation | Method of manufacturing a membrane sensor |
CN1352515A (zh) * | 2001-12-07 | 2002-06-05 | 清华大学 | 单片集成电容式硅基微传声器及其制作工艺 |
US6667189B1 (en) * | 2002-09-13 | 2003-12-23 | Institute Of Microelectronics | High performance silicon condenser microphone with perforated single crystal silicon backplate |
JP2007309892A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 静電容量型センサ |
CN101272636A (zh) * | 2007-03-21 | 2008-09-24 | 歌尔声学股份有限公司 | 电容式传声器芯片 |
CN101022685A (zh) * | 2007-03-23 | 2007-08-22 | 胡维 | 电容式微型硅麦克风及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
吴俊徐: ""硅微通道结构的制作工艺研究"", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》 * |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102056061A (zh) * | 2009-10-29 | 2011-05-11 | 苏州敏芯微电子技术有限公司 | 电容式微型硅麦克风及其制造方法 |
CN101835079A (zh) * | 2010-04-09 | 2010-09-15 | 无锡芯感智半导体有限公司 | 一种电容式微型硅麦克风及其制备方法 |
CN101835079B (zh) * | 2010-04-09 | 2013-01-02 | 无锡芯感智半导体有限公司 | 一种电容式微型硅麦克风及其制备方法 |
CN101854578A (zh) * | 2010-06-01 | 2010-10-06 | 无锡芯感智半导体有限公司 | 一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法 |
CN101854578B (zh) * | 2010-06-01 | 2013-03-27 | 无锡芯感智半导体有限公司 | 一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法 |
CN105142092A (zh) * | 2015-07-21 | 2015-12-09 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 基板及制作方法、显示装置 |
CN107690114A (zh) * | 2016-08-04 | 2018-02-13 | 北京卓锐微技术有限公司 | Mems麦克风振膜及mems麦克风 |
CN113556657A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-10-26 | 歌尔微电子股份有限公司 | Mems麦克风 |
CN117459868A (zh) * | 2023-12-11 | 2024-01-26 | 瑞声光电科技(常州)有限公司 | 麦克风芯片、微机电麦克风及终端设备 |
CN117459868B (zh) * | 2023-12-11 | 2024-02-23 | 瑞声光电科技(常州)有限公司 | 麦克风芯片、微机电麦克风及终端设备 |
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