CN101529266A - 可调谐和/或可去调谐的mr接收线圈装置 - Google Patents

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Abstract

公开了MR接收线圈装置，其包括至少一个MR接收线圈或线圈元件或线圈***(9)，能够相对于MR频率对所述至少一个MR接收线圈或线圈元件或线圈***(9)进行调谐和/或去调谐，并且所述MR接收线圈装置还包括用于将所述MR接收线圈或线圈元件或线圈***(9)与MR接收器(10)电连接的传输线(7)。特别公开了这样的MR接收线圈装置，即，所述MR接收线圈装置并非如MR成像或检查***或设备(MRI***)中的全身线圈***那样被设置成固定(或永久)安装或内置在所述MRI***的检查区中，相反，所述MR接收线圈装置是可移动的，例如，其可以是诸如导管的介入或有创装置，或者是例如采用位于检查对象表面上的垫(尤其是柔性垫)的形式、用于对所感兴趣的区域进行检查的表面线圈，或者是诸如鸟笼型线圈的用于包围并对所感兴趣的体积进行检查的体积线圈。最后，公开了包括这种MR接收线圈装置的MR成像或检查***(MRI***)。

Description

可调谐和/或可去调谐的MR接收线圈装置
技术领域
本发明涉及MR接收线圈装置(MR receive coil arrangement)，其包括至少一个MR接收线圈或线圈元件或线圈***，尤其能够相对于MR频率对所述至少一个接收线圈或线圈无件或线圈***进行调谐和去调谐(detune)，并且所述MR接收线圈装置还包括用于将所述MR接收线圈或线圈元件或线圈***与MR接收器电连接的传输线。本发明尤其涉及这样的MR接收线圈装置，即，所述MR接收线圈装置并非如MR成像或检查***或设备(MRI***)中的全身线圈***那样被设置成固定(或永久)安装或内置在所述MRI***的检查区中，相反，所述MR接收线圈装置是可移动的，例如，其可以是诸如导管的介入或有创装置，或者是例如采用位于检查对象表面上的垫(尤其是柔性垫)的形式、用于对所感兴趣的区域进行检查的表面线圈，或者是诸如鸟笼型线圈的用于包围并对所感兴趣的体积进行检查的体积线圈。最后，本发明涉及包括这种MR接收线圈装置的MR成像或检查***(MRI***)。
背景技术
可以在对患者的检查和/或治疗中采用MR成像***。所要检查的身体组织的核自旋通过稳定的主磁场(B0场)来对准，并受到RF脉冲(B1场)的激励。由于所述激励，而使所述核自旋环绕所述主磁场(B0场)方向以翻转角进行。出于进行定位的目的，使所述核自旋进一步暴露于梯度磁场下。在激励之后，所述核自旋发生驰豫，从而与所述主磁场(B0场)对准。通过适当的MR接收线圈装置和MR接收器接收所发射的在下文中被称为MR信号的驰豫信号，并通过MR信号处理***对所述信号进行处理，从而通过已知的方式由所接收到的MR信号形成检查对象的一维、二维或三维图像。
基本上，可以区分出两种类型的MR检查或成像***(MRI***)。第一种是所谓的开放MR***(垂直***)，其中将患者引导到位于C臂的末端之间的检查区中。在检查或治疗过程中，几乎可以从所有的侧面访问患者。第二种是包括将患者引导到其中的水平延伸的筒状(柱状)检查空间(轴向***)的MR***。
提供RF/MR线圈或线圈***用于发射RF脉冲和/或接收驰豫(MR)信号。除了永久性地内置到MR成像设备中的RF/MR线圈***之外，例如，除了用于基本上对患者的全身进行成像的全身线圈之外，还可以采用上述移动MR接收线圈装置，例如MR表面线圈，可以例如将其灵活地装置为围绕所要检查的对象的特定区域或处于所述特定区域中的套筒或垫。
此外，所述移动MR接收线圈装置是以诸如导管的介入装置或其他有创装置的形式提供的，其被引入到患者体中，从而例如在MR成像期间对组织进行采样。这种介入装置包括至少一个MR接收线圈(或线圈元件)，例如振荡器等。出于在所形成的图像中进行定位的目的，即为了导管跟踪，或者出于对围绕所述有创装置的局部区域中的组织进行成像的目的，可以将所述MR接收线圈设置在所述装置(尤其是导管)的尖端区域。可以采用这种包括MR接收线圈(或线圈元件)的有创装置而以高信噪比(SNR)进行成像，从而能够以非常高的SNR在围绕所述MR接收线圈的局部区域中实现非常鲁棒和快速的有源导管跟踪和/或血管内成像。
在MR驰豫信号的接收阶段中，通常使这种移动MR接收线圈谐振。然而，在通过全身RF线圈***发射RF脉冲而进行激励的阶段中，如果所述MR接收线圈在所述RF脉冲的频率上或者该频率附近谐振，则磁场在所述MR接收线圈附近的区域中将是非均匀的。其原因在于在所述MR接收线圈的灵敏度范围内所述组织的核自旋的翻转角的非均匀空间分布。这种不确定的翻转角将导致大范围的图像伪影和较差的信噪比(SNR)。因此，在RF脉冲的发射期间，将使(移动)MR接收线圈暂时去调谐，以保持所述全身RF线圈***的RF激励场的均匀性。
US 2004/0124838公开了对MR成像***中的装置的谐振电路的无线去调谐，所述***在获取数据时检测并发射处于第一范围内的RF信号，其中所述装置还包括与所述谐振电路电通信的光电子部件以及用于控制所述光电子部件使其在多个模式下工作的装置，其中当所述光电子部件在所述模式之一下工作时，所述谐振电路的电部件不易受到处于所述第一范围内的RF信号的影响。
发明内容
已经发现，一方面，如上限定的对移动MR接收线圈装置内的谐振电路的无线去调谐并非在所有的操作条件下都充分可靠。另一方面，通过线路或电缆连接进行调谐/去调谐的缺点在于，由于所述线路上的驻波，而导致所发射的RF脉冲可能使所述线路或电缆连接发热，因为通常必须引导所述线路进入且通过RF激励场，尤其是在MRI***的检查区内。这种发热有可能导致MR接收线圈装置的某些部件的损坏，此外患者也可能被发热的线路灼伤。
本发明的一个目的是提供一种如以上开头部分中所限定的可调谐和/或可去调谐MR接收线圈装置，其不会造成上述无线连接或线路连接的缺点或风险。
此外，本发明的目的是提供一种MR成像或检查***(MRI***)，其能够利用所述检查区内的MR接收线圈装置在RF脉冲发射模式下工作，而不会明显在MR接收线圈装置，尤其是这种MR接收线圈装置的MR接收线圈或线圈元件或线圈***的局部敏感范围或区域中引起非均匀的RF场分布。
所述目的是由根据权利要求1所述的MR接收线圈装置实现的，所述MR接收线圈包括至少一个MR接收线圈或线圈元件或线圈***，尤其能够相对于MR频率对所述至少一个MR接收线圈或线圈元件或线圈***进行调谐和/或去调谐，并且所述装置还包括用于将所述MR接收线圈或线圈元件或线圈***与MR接收器电连接的传输线，其中所述传输线是具有RF安全性的传输线(RF safe transmission)，并且其中提供调谐和/或去调谐电路，可以通过RF控制信号对所述调谐和/或去调谐电路进行控制，以便分别对所述MR接收线圈或线圈元件或线圈***进行调谐和/或去调谐，所述RF控制信号具有一定的频率，使得能够通过所述传输线将其传输至所述调谐和/或去调谐电路。
一般而言，要经常提及调谐电路。应当将调谐理解为在某一频率上对接收线圈进行调谐。因而，调谐可以是在用于接收RF MR(驰豫)信号的MR频率上进行调谐。然而，调谐也可以是在另一频率上进行调谐，以便例如在RF脉冲发射期间不接收处于MR频率上的RF信号，这在本领域中也被称为去调谐。因此，应当将调谐理解为包括调谐和去调谐。
根据权利要求1所述的解决方案的优点在于提供了电缆连接，与无线连接相比所述电缆连接可以更加可靠地控制MR接收线圈的调谐和/或去调谐。通过提供具有RF安全性的传输线，避免了与在检查区内延伸的线路的RF发热相关的问题和风险，其中为了实现控制信号的传输，所述控制信号为RF控制信号，其频率优选处于所述具有RF安全性的传输线的带宽内。
具有RF安全性的传输线(STL)在现有技术中是已知的，例如，其可以是分段传输线，其中通过电感耦合，例如利用变压器使线路段相互连接，使得这种具有RF安全性的传输线不能用于传输DC信号。
从属权利要求公开了本发明的有利和示例性的实施例。
根据权利要求2的实施例的优点在于，只需要一条(共用)传输线将所接收到的MR信号从MR接收线圈传输至MR接收器，以及将RF控制信号传输至MR接收线圈。
在根据权利要求2的共用传输线的情况下，根据权利要求3的双路分支的优点在于，避免了两种信号之间的干扰或扰动。可以通过位于MR接收器的输入端以及位于用于产生RF控制信号的RF发射器的输出端的适当滤波器，或者通过循环器，或者通过其他适当的装置来实现该分支。
根据权利要求4的实施例的优点在于，能够通过相对简单的方式实现调谐和/或去调谐电路，能够通过RF控制信号的(可选择的)幅度对所述调谐和/或去调谐电路进行控制。
根据权利要求5的实施例允许与根据权利要求4的实施例相结合，以实现对MR接收线圈的非常简单的调谐和/或去调谐。
从属权利要求6到8涉及有利的调谐和/或去调谐电路，其中根据权利要求8的实施例的额外优点在于，其也可以用于在MR信号接收期间对柔性或可扩展MR线圈进行调谐。
从属权利要求9涉及MR接收线圈装置的优选实施例，其中权利要求10涉及包括根据本发明的MR接收线圈装置的MR成像***。
应当认识到，在不背离如所附权利要求书所限定的本发明的范围的情况下，能够通过任意组合方式对本发明的特征进行组合。
通过以下参考附图对本发明的优选和示例性实施例进行的说明，本发明的进一步的细节、特征和优点将变得显而易见。
附图说明
图1示意性地示出MR成像或检查***；
图2示意性地示出一种介入装置；
图3示出表明基于变压器的传输电缆或传输线的传输特性的曲线图；
图4示意性地示出根据本发明的AC控制的调谐和/或去调谐电路的第一实施例；
图5示意性地示出根据本发明的AC控制的调谐和/或去调谐电路的第二实施例；以及
图6示意性地示出根据本发明的AC控制的调谐和/或去调谐电路的第三实施例。
具体实施方式
在附图中，采用类似的附图标记表示类似的部件。图1示出了界定了检查区1的MR成像***，在所述检查区1中已经安置了患者P。所述MR成像***包括用于在检查区1中产生基本均匀的磁场(B0场)的磁体2、3，所述磁场用于使患者P的身体组织的核自旋对准。应当指出，如上所述，磁体2、3可以是C形磁体的末端，或者磁体2、3可以是界定了筒状检查区1并且基本包围患者P的柱形磁体。此外，所述MR成像***包括RF发射结构4，其用于发射RF激励脉冲(B1场)，从而激励已对准的核自旋。将RF接收结构5设置为接收RF驰豫信号，在受到RF脉冲激励之后由所述核自旋在驰豫期间发射所述驰豫信号。RF发射结构4和RF接收结构5可以是既用于发射又用于接收的同一结构。
在所示的实施例中，采用诸如导管的介入装置6的形式的移动MR接收线圈装置例如设有接收结构，其用于局部的RF驰豫信号的接收。这种介入装置6设有采用至少一个MR接收线圈或线圈元件或线圈***的形式的接收结构，以便通过显示器的可视化实现对介入装置6的跟踪，和/或以便以高SNR并且高度详细地对一小部分的身体组织例如血管壁进行成像。通常提供传输线或传输电缆7作为所述MR接收线圈装置的一部分，从而将从介入装置6接收的信号传输至MR接收器(在图1中未示出)。
图2更为详细地示出了介入装置6及其连接。介入装置6包括MR接收线圈9和调谐和/或去调谐电路8。通过传输电缆7将所接收到的MR信号12A、12B传输至MR接收器10。实际上，可以将传输电缆7部分或全部结合到介入装置6中。为了防止接收线圈9在RF脉冲发射(B1场)期间接收信号，将所述调谐和/或去调谐电路8配置为响应于控制信号13A、13B使接收结构8、9去调谐而离开MR频率(拉莫尔频率)。由控制信号发射器11产生控制信号13A、13B。MR信号12A、12B和控制信号13A、13B都通过传输电缆7进行传输。
根据本发明，控制信号13A、13B是AC控制信号。具体而言，如上所述，传输电缆7可以是基于变压器的传输电缆，以便防止传输电缆7的RF发热。在这种情况下，不能向调谐装置8提供DC控制信号，而有利的是采用AC(RF)控制信号。
图3示出了基于变压器的传输电缆的实施例的传递函数。水平轴表示信号频率f(单位为MHz)，纵轴表示通过所述电缆传输的信号的以dB为单位的信号衰减S。在图3中，模拟曲线15示出了通过模拟获得的传递函数。测量曲线16示出了测得的传递函数。从测得的传递函数，即从测量曲线16，可以看出，所述电缆展现出大约30MHz(从大约55MHz到大约85MHz)的带宽。通常，采用MR***对处于1.5T的磁场中的氢分子进行成像，所述磁场具有63.87MHz的拉莫尔频率。因而，基于变压器的传输电缆7适于在这种MR***中使用，因为MR信号频率处于所述电缆的带宽内。此外，可以将所述基于变压器的传输电缆设计为在MR信号频率上具有最低衰减。
此外，所述电缆7还适于传输处于所述电缆的带宽内的任何其他AC信号。例如，要通过所述电缆传输的AC控制信号可以具有在63.87MHz的拉莫尔频率之上且在85MHz以下的频率。在实施例中，选择AC控制信号的频率使得满足
f c ≠ 1 - n m f 0
方程1
其中fc是控制频率，f0是拉莫尔频率，n是整数值，m是任何的非零整数值。如果满足方程1的条件，则例如由诸如二极管的非线性元件引起的AC控制信号的任何频率变换都不会干扰拉莫尔频率上的MR信号和/或RF脉冲。优选地，出于这一目的，在满足条件|fc-f0|n≠f0的频率fc上施加RF控制信号。
再次参考图2，提供双路分支14，其用于将MR接收器10和控制信号发射器11耦合至传输电缆7。如果所述控制频率与所述MR频率之间的差不超过20％，则这种双路分支14可以由适当的滤波器电路构成，或者可以由循环器构成。在实施例中，控制信号发射器11可以由连接到RF脉冲发生器(B1场)的信号转换器构成。
图4示出了AC(RF)可控调谐和/或去调谐电路20的第一实施例，其分别包括第一和第二电缆端子Tca1、Tca2，并且分别包括第一和第二MR接收线圈端子Tco1、Tco2。将串联电容器Cs与第一和第二线圈端子Tco1、Tco2串联连接。将并联电容器Cp与第一和第二线圈端子Tco1、Tco2并联连接。将第一二极管D1和第二二极管D2与并联电容器Cp并联连接。使第一二极管D1和第二二极管D2反并联连接。将MR接收线圈L示为连接到第一和第二线圈端子Tco1、Tco2。注意，可以将第二电缆端子Tca2和第二线圈端子Tco2形成为一个端子。
在线圈L接收MR信号期间，将MR信号传输至电缆端子Tca1、Tca2。将适当的电缆连接到电缆端子Tca1、Tca2，并连接到MR接收器，以便将MR信号传输至所述MR接收器。此外，选择串联电容器Cs的电容和并联电容器Cp的电容，从而对包括线圈L的电路进行调谐以接收频率等于拉莫尔频率的MR信号，所述拉莫尔频率例如为63.87MHz(氢；B0＝1.5T)。可以是PIN二极管的第一二极管D1和第二二极管D2将用作电容，因为由MR信号接收导致的电压很低，以至于所述二极管无法开始导电。因此，在考虑二极管D1、D2的电容的情况下选择并联电容器Cp的电容。
在未接收到MR信号时，具体而言，在RF脉冲(B1场)产生期间，向电缆端子Tca1、Tca2提供AC/RF控制信号。选择AC/RF控制信号的幅度，从而将二极管D1和D2交替驱动至传导(正向偏压)状态，以提供(非常)低(的)阻抗，例如在1Ω的数量级上。因此，所述并联电容器被短路，从而使MR接收电路，即调谐电路20和线圈L去调谐。因而，所述电路不接收任何信号。
为了节约空间，可以省略二极管D1、D2中的一个，尽管省略二极管D1、D2中的一个可能降低所述去调谐方法的效果。
图5示出了AC可控调谐电路20的第二实施例，其分别包括第一和第二电缆端子Tca1、Tca2，并且分别包括第一和第二线圈端子Tco1、Tco2。将串联电容器Cs与第一和第二线圈端子Tco1、Tco2串联连接。将并联电容器Cp与第一和第二线圈端子Tco1、Tco2并联连接。使变容二极管D与并联电容器Cp并联连接。使电阻器R和调谐电容器CT的并联连接与变容二极管D串联连接。将线圈L示为连接到第一和第二线圈端子Tco1、Tco2。注意，可以将第二电缆端子Tca2和第二线圈端子Tco2形成为一个端子。
变容二极管D被认为在正向偏压下，即导通时作为二极管工作。然而，在向变容二极管D施加反向偏压时，变容二极管D用作电容器，其电容随着反向偏压的增大而减小。
当在电缆端子Tca1、Tca2上提供AC/RF控制信号时，AC控制信号的正半周将变容二极管D置于正向偏压下，从而允许电流流向调谐电容器CT。所述电流将对调谐电容器CT进行充电。AC/RF控制信号的负半周将使变容二极管D置于反向偏置下，从而阻止调谐电容器CT放电。因而，变容二极管D有效地作为AC/RF控制信号的整流器来工作，所述整流器用于对所述调谐电容器CT进行充电。充电后的调谐电容器CT将通过线圈L在变容二极管D上产生DC电压，从而将变容二极管D置于反向偏置下。变容二极管D上的反向偏压决定着所述变容二极管D的电容。例如，通过对调谐电容器CT进行充电而产生的逐渐增大的DC电压使变容二极管D的电容减小，由此将接收电路，即调谐电路20和接收线圈L调谐至更高的频率。在不提供AC/RF控制信号时，调谐电容器CT将通过电阻器R放电，因而调谐电路20重新调谐至由线圈L、并联电容器Cp和串联电容器Cs的阻抗决定的基频。
注意，可以采用根据图5的实施例对接收电路进行去调谐，但是也可以采用其将接收电路调谐至MR频率。此外，可以在MR信号接收期间，向调谐电路20提供AC/RF控制信号。
对于调谐而言，如上所述，对调谐电容器CT进行充电，以便控制变容二极管D的电容。将调谐电容器CT充电至DC电压
U DC = U C , PP 2 - U F 方程2
其中UDC是调谐电容器CT上的DC电压，UC，PP是变容二极管D上的AC控制电压的峰-峰电压，UF是变容二极管D的正向偏压。因而，通过控制所述AC控制信号的峰-峰电压UC，PP，可以控制所述接收电路的调谐频率。
在实施例中，选择调谐电容器CT的电容，从而使变容二极管D和调谐电容器CT的总电容可以发生显著变化。此外，将调谐电容器CT的电容选择成与变容二极管D的电容相比相对较大。由于变容二极管D可以展现出5pF-100pF量级上的电容，因此可以例如将调谐电容器CT的电容选择为1nF。注意，调谐电容器CT的大电容将导致长充电时间。选择调谐电容器CT具有1nF的电容将导致充电时间在若干微秒的量级上，假设电流大约为1mA，并且反向电压大约为1V。因而，对于通常采用的MR序列而言，所述调谐足够快。在选择电阻器R具有大约10kΩ的电阻的情况下，可以在大约10微秒内执行放电。因而，一切断所述AC/RF控制信号，调谐电路20就可以对于通常采用的MR序列而言足够快地调谐至其基频。
在实施例中，将AC/RF控制频率选择为高于MR信号频率，以便实现通过线圈L损失的控制电流量尽可能小。在另一实施例中，AC控制信号可以起始于几乎等于MR频率的控制频率fc。在调谐和/或去调谐电路20的谐振频率几乎等于控制频率fc时，所引起的谐振可以增强对调谐电容器CT的充电。在另一实施例中，控制频率fc可以随着调谐和/或去调谐电路20的谐振频率的增大而逐渐增大，由此基本上以最佳的方式利用所述谐振效应。注意，在这样的实施例中，可能难以满足方程1的条件。然而，通常包括线圈L的调谐和/或去调谐电路20的带宽要比用于RF激励的带宽大得多，因而最初将控制频率fc选择为略大于MR拉莫尔频率，其处于用于RF激励的带宽之外，但仍然处于包括线圈L的调谐和/或去调谐电路20的带宽之内。
图6示出了AC/RF可控调谐和/或去调谐电路20的第三实施例，其分别包括第一和第二电缆端子Tca1、Tca2，并且分别包括第一和第二线圈端子Tco1、Tco2。将变容二极管D与第一和第二线圈端子Tco1、Tco2串联连接。将并联电容器Cp与变容二极管D以及第一和第二线圈端子Tco1、Tco2并联连接。将电阻器R与并联电容器Cp并联连接。将线圈L示为连接到第一和第二线圈端子Tco1、Tco2。注意，可以将第二电缆端子Tca2和第二线圈端子Tco2形成为一个端子。
在如图6所示的第三实施例中，将调谐和/或去调谐电路20配置为在MR信号接收(获取)期间是可调谐的，这一点与图5所示的第二实施例类似。有利地，可以采用这种在MR信号接收期间的调谐来对诸如可扩展线圈的柔性线圈L进行调谐，以实现血管内成像。在可扩展线圈扩展时，线圈的电感发生变化。所述电感的变化导致接收电路，即调谐和/或去调谐电路20和线圈L的谐振频率的变化，由此导致调谐频率的变化。为了以高SNR接收信号，调谐频率应当基本等于MR信号的频率。因此，可以通过向电缆端子Tca1、Tca2提供适当的AC控制信号而将接收电路(重新)调谐至MR频率。
为了均衡线圈L的电感的变化，将具有可变电容的电容器与线圈L串联连接。在根据图6的实施例中，如上所述，将所述电容器实现为变容二极管D，其在反向偏置下用作具有可变电容的电容器，所述可变电容是所述反向偏压的函数。使线圈L和变容二极管D的串联连接与并联电容器Cp并联连接。在操作当中，变容二极管D用作AC/RF控制信号的整流器(与图5所示的实施例类似)，所述整流器用于对并联电容器Cp进行充电。充电后的并联电容器Cp的DC电压将变容二极管D置于反向偏置下，并且所述DC电压控制变容二极管D的电容。因而，如上所述，通过控制AC/RF控制信号的幅度，可以控制变容二极管D的电容，由此对接收电路进行调谐。类似地，可以对接收电路进行去调谐，即将其调谐至与MR频率，尤其是RF脉冲(B1场)频率明显不同的频率。
提供电阻器R以对并联电容器Cp和变容二极管D进行放电。并联电容器Cp和变容二极管D可以具有大约100pF的总电容。因此，电阻器R可以具有大约1MΩ的电阻，从而获得大约100微秒的时间常数以对所述电容进行放电。可以将这样的电阻器R与线圈L并联连接，而不会显著降低接收电路的质量因子。
尽管在本文中公开了本发明的详细实施例，但是应当理解，所公开的实施例对于本发明仅仅是示例性的，可以通过各种形式来实施本发明。因此，不应将本文中所公开的具体结构和功能细节视为是限制性的，而其只是权利要求的基础，以及教导本领域技术人员在实际当中通过任何适当的具体结构对本发明进行各种实施的基础。此外，在互不相同的从属权利要求中记载了某些措施的事实并不表示不能有利地采用这些措施的组合。
此外，本文中所采用的术语和短语并不旨在是限制性的；相反，其用于提供对本发明的可理解的说明。将本文中采用的术语“一”或“一个”定义为一个或一个以上。将本文中采用的术语“另一个”定义为至少存在第二个或存在更多。将本文中采用的术语“包括”和/或“具有”定义为包含(即，开放性语言)。将本文中采用的术语“耦合”定义为连接，但未必是直接连接，也未必是通过线路连接。

Claims (10)

1、一种MR接收线圈装置，包括至少一个MR接收线圈或线圈元件或线圈***(9，L)，尤其能够相对于MR频率对所述MR接收线圈或线圈元件或线圈***(9，L)进行调谐和/或去调谐，并且所述装置还包括用于将所述MR接收线圈或线圈元件或线圈***(9，L)与MR接收器(10)电连接的传输线(7)，其中所述传输线(7)是具有RF安全性的传输线，并且其中提供调谐和/或去调谐电路(8，20)，可通过RF控制信号对所述调谐和/或去调谐电路(8，20)进行控制，以便分别对所述MR接收线圈或线圈元件或线圈***(9，L)进行调谐和/或去调谐，所述RF控制信号具有一定的频率(fc)，使得能够通过所述传输线(7)将其传输至所述调谐和/或去调谐电路(8，20)。
2、根据权利要求1所述的MR接收线圈装置，
其中将所述传输线(7)设置为将由所述MR接收线圈或线圈元件或线圈***(9，L)接收到的MR信号传输至MR接收器(10)。
3、根据权利要求2所述的MR接收线圈装置，
包括用于将所接收到的MR信号从所述传输线(7)引导至所述MR接收器(10)，以及将所述RF控制信号耦合至所述传输线(7)中的双路分支(14)。
4、根据权利要求1所述的MR接收线圈装置，
其中所述调谐和/或去调谐电路(8，20)包括至少一个频率非线性电子元件(D；D1，D2)，其用于根据所述RF控制信号的幅度通过频率变换对所述MR接收线圈或线圈元件或线圈***(9，L)进行调谐和/或去调谐。
5、根据权利要求4所述的MR接收线圈装置，
包括用于产生具有可选幅度的RF控制信号的RF发射器单元(11)。
6、根据权利要求1所述的MR接收线圈装置，
其中所述调谐和/或去调谐电路(8，20)包括一个二极管或两个反并联二极管(D1，D2)，每一个都与所述MR接收线圈或线圈元件或线圈***(9，L)并联连接，在所述至少一个二极管(D1，D2)上施加具有一定幅度的RF控制信号，而使所述MR接收线圈或线圈元件或线圈***(9，L)去调谐，所述幅度能够将所述至少一个二极管驱动至正向偏压状态并使其具有低阻抗，从而通过短路使所述MR接收线圈或线圈元件或线圈***(9，L)的谐振去调谐。
7、根据权利要求1所述的MR接收线圈装置，
其中所述调谐和/或去调谐电路(8，20)包括与电容器(CT)串联的变容二极管(D)，二者均与所述MR接收线圈或线圈元件或线圈***(9，L)并联连接，通过相应地选择所述RF控制信号的幅度而对所述电容器(CT)进行充电和/或放电，来控制所述变容二极管(D)的电容，从而对所述MR接收线圈或线圈元件或线圈***(9，L)进行调谐和/或去调谐。
8、根据权利要求1所述的MR接收线圈装置，
其中所述调谐和/或去调谐电路(8，20)包括与所述MR接收线圈或线圈元件或线圈***(9，L)串联连接的变容二极管(D)以及与所述变容二极管(D)和所述MR接收线圈或线圈元件或线圈***(9，L)的串联连接相并联连接的电容器(CP)，通过相应地选择所述RF控制信号的幅度而对所述电容器(CP)进行充电和/或放电，来控制所述变容二极管(D)的电容，从而对所述MR接收线圈或线圈元件或线圈***(9，L)进行调谐和/或去调谐。
9、根据权利要求1所述的MR接收线圈装置，采用介入或有创装置、或表面线圈、或体积线圈或其他移动MR接收线圈装置的形式。
10、一种MR成像或检查***(MRI***)，包括根据前述权利要求中的至少一项所述的MR接收线圈装置。
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