CN101498016B - 等离子体处理容器的阳极氧化处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供等离子体处理容器的阳极氧化处理方法。该方法能够安全且可靠地对大型且具有开口部的等离子体处理容器进行阳极氧化处理。在通过盖部件(241)从外侧密封侧壁(101b2)的窗口用开口(164)的状态下进行阳极氧化处理。盖部件(241)的内侧通过窗口用开口(164)与处理容器(101)内部连通，形成流入电解液E的电解液流入部(243)。盖部件(241)的框状壁(241b)以从外侧包围O形环配置用槽(301)的方式与其外周侧抵接。
Description
技术领域
本发明涉及相对于对例如平板显示器(FPD)用的玻璃基板等被处理体进行等离子体处理时使用的等离子体处理容器进行阳极氧化处理(防蚀铝处理：alumite)的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法。
背景技术
在以液晶显示器(LCD)为代表的FPD的制造过程中，在真空下对玻璃基板等被处理体实施蚀刻、成膜等各种处理。为了利用等离子体进行上述处理，使用具有能够抽真空的处理容器的等离子体处理装置。作为等离子体处理容器的材料，通常使用铝。
在进行等离子体处理时，存在由于等离子体、腐蚀性气体的作用导致主要是等离子体处理容器的内表面受到损伤的可能性。因此，对铝制的等离子体处理容器的表面实施阳极氧化处理，提高耐腐蚀性。阳极氧化处理通常通过将接受处理的部件浸渍在包含硫酸、草酸的电解液中而进行。
但是，近年来，越来越要求FPD用的基板的大型化，与此相对应，等离子体处理容器也存在大型化的倾向。于是，为了对大型的等离子体处理容器实施阳极氧化处理，需要准备更大型的电解液槽。最近，以一边超过2m的巨大的基板作为处理对象的等离子体处理容器也被制造出来，现有的浸渍方式的阳极氧化处理逐渐到达极限。
作为对大型的处理对象进行阳极氧化处理的技术，例如在专利文献1中提案有以下方法，沿着将要进行阳极氧化处理的筒状体(***内燃机的气缸体(cylinder block)的套筒(sleeve))的内面***棒状的电极，将筒状体作为阳极，将棒状的电极作为阴极，向筒状体的内部流入电解液，进行阳极氧化处理。
专利文献1：日本特开2000-26999号(图2等)
在上述专利文献1的技术中，因为在作为阳极氧化处理的处理对象的筒状体的内部使电解液循环，所以不需要将整个筒状体浸渍在电解液中。因此，能够不使用大型的电解液槽地对大型的筒状体的内表面进行阳极氧化处理。
但是，专利文献1的处理对象是安装在气缸体上的纵长的筒状体的内表面，根据其形状，是比较容易在内部充满电解液并使其循环的结构。另一方面，对FPD用基板进行等离子体处理的等离子体处理容器为上部开口的箱形，在侧壁和底壁上形成有基板的搬入搬出口、观察用的窗口、和用于排气、供电的开口部。因为电解液含有硫酸等有害成分，所以为了将等离子体处理容器本身作为电解液槽进行阳极氧化处理，必须使得电解液不漏出到外部，并在等离子体处理容器内部使电解液循环，从而实施阳极氧化处理。因此，必须可靠地密封上述开口部。
但是，等离子体处理通常在令等离子体处理容器内部为真空状态后进行。因此，在等离子体处理容器的外壁面的上述开口部的周围设置O形环等密封部件，从而维持处理容器内的气密性。在等离子体处理中，等离子体、腐蚀性气体可能通过上述开口部进入外壁面的该密封部件的配置位置。从而，在对等离子体处理容器实施阳极氧化处理的情况下，不仅需要在该容器的内壁面上，而且在上述开口部的周围也需要形成直至外侧(外壁面)的氧化覆膜。
如上所述，为了安全地进行阳极氧化处理，需要可靠地密封开口部，但是为了在开口部的周围的外壁面上也形成氧化覆膜，必须使该部位也浸渍在电解液中。因为难以同时满足这两个必要性，所以没有以等离子体处理容器本身作为电解液槽进行阳极氧化处理。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的，其第一目的是对大型且具有开口部的等离子体处理容器安全且可靠地进行阳极氧化处理，其第二目的是在等离子体处理容器的贯通开口部的周围的外壁面上，也与等离子体处理容器的内壁面同样地进行阳极氧化处理。
本发明的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法是对呈上部开口的箱形且在壁面上具有贯通开口部的等离子体处理容器的表面进行阳极氧化处理的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法，其特征在于：
在上述等离子体处理容器的上述贯通开口部安装有盖部件的状态下，向上述等离子体处理容器内填充电解液，
在上述等离子体处理容器的内部配置作为阴极的电极，并将上述等离子体处理容器作为阳极，从而进行阳极氧化处理。
在本发明的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法中，也可以采用以下方式，在上述贯通开口部的周围的壁面上，设置有为了将上述等离子体处理容器的内部维持为真空状态而配置的第一密封部件的配置预定部位，在将该配置预定部位浸在上述电解液中的状态下进行阳极氧化处理。在此情况下，也可以以包围至少一个上述贯通开口部的方式，使用于防止上述电解液的泄漏的第二密封部件与上述等离子体处理容器的外壁面抵接，隔着该第二密封部件将上述盖部件安装在上述等离子体处理容器的外侧。进一步，也可以采用以下方式，上述第一密封部件的配置预定部位设置在上述贯通开口部的周围的外壁面上，以上述第二密封部件包围上述第一密封部件的配置预定部位的周围的方式安装上述盖部件。
此外，在本发明的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法中，也可以以包围至少一个上述贯通开口部的方式，使用于防止上述电解液的泄漏的第二密封部件与上述等离子体处理容器的内壁面抵接，隔着该第二密封部件将上述盖部件安装在上述等离子体处理容器的内部。在此情况下，也可以使上述第二密封部件抵接在上述贯通开口部与上述第一密封部件的配置预定部位之间。
此外，本发明的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法也可以是，通过在至少一个上述贯通开口部从外侧安装上述盖部件，在上述等离子体处理容器的外部形成与内部连通的电解液流入部，通过使上述电解液流入该电解液流入部，在将上述等离子体处理容器的上述贯通开口部的周围的外壁面浸在上述电解液中的状态下进行阳极氧化处理。在此情况下，上述盖部件也可以为截面为コ字形的结构。
此外，在本发明的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法中，也可以以包围上述等离子体处理容器的上部的上述开口的方式在上述等离子体处理容器的上端部设置辅助壁，并填充上述电解液直至上述电解液的水位到达该辅助壁，从而进行阳极氧化处理。
在此情况下，在上述等离子体处理容器的上端部设置有为了将上述等离子体处理容器的内部维持为真空状态而配置的第三密封部件的配置预定部位，上述辅助壁也可以以包围上述第三密封部件的配置预定部位的方式配置在外侧。
此外，在本发明的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法中，上述电极也可以由多个平板状的电极形成，将该平板状的电极以相对于上述等离子体处理容器的侧壁和底壁的内表面分别平行的方式配置。在此情况下，也可以配置从上述等离子体处理容器的贯通开口部***上述电解液流入部的辅助电极作为阴极，从而进行阳极氧化处理。进一步，上述辅助电极也可以具有与上述等离子体处理容器的外壁面平行地形成的相对部。
在本发明的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法中，采用以下结构，即，在等离子体处理容器的贯通开口部安装有盖部件的状态下，向等离子体处理容器内填充电解液，进行阳极氧化处理。因此，不需要使用电解液槽，并且能够在可靠地防止从贯通开口部的电解液的泄漏的同时实施阳极氧化处理。从而，能够达到相对于大型的等离子体处理容器也能够安全且容易地进行阳极氧化处理的效果。并且，与使用电解液槽的情况相比，能够达到大幅节减使用的电解液的量和与电解液槽相关的设备费用的效果。
此外，在本发明的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法中，因为能够在将上述贯通开口部的周围的外壁面浸在电解液中的状态下进行阳极氧化处理，所以能够达到以下效果：在进行等离子体处理时，对于等离子体、腐蚀性气体容易通过各贯通开口部进入的外壁部分也能够实施阳极氧化处理。
附图说明
图1是表示等离子体蚀刻装置的概略结构的截面图。
图2是对本发明的第一实施方式的阳极氧化处理方法进行说明的图。
图3是表示侧壁上的盖部件和辅助壁的安装示例的主要部位截面图。
图4是放大表示窗口用开口的周围的图。
图5是对本发明的第二实施方式的阳极氧化处理方法中的辅助电极的配置例进行说明的图。
图6是用于对第一实施方式的阳极氧化处理方法的变形例进行说明的图。
符号说明
101 处理容器
101a 底壁
101b (101b1、101b2)侧壁
101c 盖体
105 基座
151 排气用开口
161 基板搬送用开口
164 窗口用开口
177 供电用开口
203、205、207、209、210 O形环
211、211a、221、231、241 盖部件
251 辅助壁
301、303、305、307、309 O形环配置用槽
401、403 阴极板
501 吸入部
503 喷出部
505 泵
507 液体循环机构
具体实施方式
(第一实施方式)
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行详细的说明。
首先，参照图1，对具有等离子体处理容器的等离子体蚀刻装置的概略结构进行说明，其中，该等离子体处理容器为本发明的阳极氧化处理方法的处理对象。如图1所示，等离子体蚀刻装置200构成为对例如FPD用的玻璃基板(以下，简单地记为“基板”)S进行蚀刻的电容耦合型的平行平板等离子体蚀刻装置。其中，作为FPD，能够例举液晶显示器(LCD)、电致发光(Electro Luminescence：EL)显示器、等离子体显示面板(PDP)等。
该等离子体蚀刻装置200具有由表面被阳极氧化处理(防蚀铝处理)过的铝构成的形成为角筒形状的处理容器101。处理容器101的主体(容器主体)通过底壁101a、4个侧壁101b(仅图示101b1、101b2这2个)构成。并且，在处理容器101的主体的上部接合有盖体101c。
在处理容器101的侧壁101b、盖体101c的外壁上以能够装卸的方式安装有例如不锈钢(SUS)等材质的薄板102。薄板102保护处理容器101不受到来自外部的冲击和损伤。在该薄板102受到损伤的情况下，仅更换薄板102即可，因此能够使处理容器101的寿命长期化。
盖体101c构成为能够通过未图示的开关机构被开关。在关闭盖体101c的状态下，盖体101c与各侧壁101b的接合部分通过作为第三密封部件的O形环103被密封，保持处理容器101内的气密性。
在处理容器101内的底部配置有框形状的绝缘部件104。绝缘部件104之上设置有作为能够载置基板S的载置台的基座105。也作为下部电极的基座105具有基材107。基材107由例如铝、不锈钢(SUS)等导电性材料形成。基材107配置在绝缘部件104之上，在两部件的接合部分配置有O形环等密封部件113，用于维持气密性。在绝缘部件104与处理容器101的底壁101a之间也通过O形环等密封部件114维持气密性。基材107的侧部外周被绝缘部件117包围。由此，能够确保基座105的侧面的绝缘性，防止等离子体处理时的异常放电。
在基座105的上方，设置有与该基座105平行且相对的作为上部电极起作用的喷淋头131。喷淋头131被处理容器101的上部的盖体101c支承。喷淋头131为中空状，在其内部设置有气体扩散空间133。此外，在喷淋头131的下表面(与基座105相对的面)上形成有喷出处理气体的多个气体喷出孔135。该喷淋头131被接地，与基座105一同构成一对平行平板电极。
在喷淋头131的上部中央附近设置有气体导入口137。处理气体供给管139连接在该气体导入口137上。在该处理气体供给管139上，通过2个阀141、141和质量流量控制器143，连接有供给用于蚀刻的处理气体的气体供给源145。作为处理气体，除了例如卤素类气体、O2气体之外，还能够使用Ar气体等稀有气体等。
在接近上述处理容器101内的4角的位置，在底壁101a上形成有4个作为贯通开口部的排气用开口151。在各排气用开口151上连接有排气管153。排气管153，在其端部具有凸缘部153a，以在该凸缘部153a与底壁101a之间存在O形环(省略图示)的状态被固定。排气管153与排气装置155连接。排气装置155构成为，设置有例如涡轮分子泵等真空泵，由此能够将处理容器101内抽真空至规定的减压气氛。
此外，在处理容器101的侧壁101b1上，设置有作为贯通开口部的基板搬送用开口161。该基板搬送用开口161通过闸阀162开关，使得在其与邻接的搬送室(省略图示)之间能够搬送基板S。闸阀162，以在其与侧壁101b1之间存在作为第一密封部件的O形环163的状态，使用螺钉等固定部件固定在侧壁101b1上。
此外，在处理容器101的侧壁101b2上，设置有作为贯通开口部的窗口用开口164。在该窗口用开口164上安装有嵌入窗口框165的透明的石英板166。窗口框165，以在其与侧壁101b2之间存在作为第一密封部件的O形环167的状态，使用螺钉等固定部件固定在侧壁101b2上。
在基座105的基材107上连接有供电线171。高频电源175通过匹配箱(M.B.)173连接在该供电线171上。由此，从高频电源175向作为下部电极的基座105供给例如13.56MHz的高频电力。其中，供电线171通过形成在底壁101a上的作为贯通开口部的供电用开口177被导入处理容器101内。
接着，对以上述方式构成的等离子体蚀刻装置200中的处理动作进行说明。首先，在闸阀162被打开的状态下，作为被处理体的基板S利用未图示的搬送装置的叉部，通过基板搬送用开口161被搬入处理容器101内，并被交接给基座105。之后，闸阀162被关闭，通过排气装置155将处理容器101内抽真空至规定的真空度。
接着，打开阀141，将处理气体从气体供给源145通过处理气体供给管139、气体导入口137导入喷淋头131的气体扩散空间133。此时，通过质量流量控制器143进行处理气体的流量控制。被导入气体扩散空间133中的处理气体进一步通过多个喷出孔135相对于载置在基座105上的基板S被均匀地喷出，处理容器101内的压力被维持在规定的值。
在此状态下，从高频电源175通过匹配箱173向基座105施加高频电力。由此，在作为下部电极的基座105与作为上部电极的喷淋头131之间产生高频电场，处理气体离解并等离子体化。利用该等离子体对基板S实施蚀刻处理。
在实施蚀刻处理后，停止从高频电源175施加高频电力，停止气体的导入，之后将处理容器101内减压至规定的压力。接着，打开闸阀162，从基座105将基板S交接给未图示的搬送装置的叉部，从处理容器101的基板搬送用开口161搬出基板S。通过以上的操作，相对于基板S的等离子体蚀刻处理结束。
在等离子体蚀刻装置200内进行的等离子体蚀刻处理中，必须保护处理容器101的内表面免受在处理容器101内生成的等离子体、从气体供给源145供给的卤素类腐蚀性气体的影响。因此，对组装等离子体蚀刻装置200之前的处理容器101实施阳极氧化处理，在处理容器101的内表面上形成氧化覆膜。处理容器101是用于对大型的FPD用的基板S进行处理的大型容器，为了将其整体浸渍在电解液中进行阳极氧化处理，存在必须使用更大型的电解液槽的问题。
上述问题能够通过向处理容器101内注入电解液，利用处理容器101本身作为电解液槽而解决。但是，因为处理容器101具有上述的多个贯通开口部(排气用开口151、基板搬送用开口161、窗口用开口164、供电用开口177)，所以为了使得在阳极氧化处理中使用的电解液不漏出到外部，必须密封这些贯通开口部，再进行阳极氧化处理。为此，在本实施方式中，利用以下说明的方法进行阳极氧化处理。
图2是示意性地对向由底壁101a和4方的侧壁101b(仅图示侧壁101b1和101b2这2个)构成的处理容器101内直接注入电解液E进行阳极氧化处理的状态进行说明的图。如上所述，在底壁101a的中央形成有供电用开口177，进一步在其周围形成有4个排气用开口151(仅图示2个)。并且，在一个侧壁101b1上形成有基板搬送用开口161。在与侧壁101b1相对设置的另一个侧壁101b2上形成有用于观察处理容器101内的窗口用开口164。而且，在各贯通开口部上分别安装有盖部件并且被密封。即，在供电用开口177上安装有盖部件211。在4个排气用开口151上分别安装有盖部件221。并且，在基板搬送用开口161上安装有盖部件231。进一步，在窗口用开口164上安装有盖部件241。此外，在侧壁101b的上端设置有辅助壁251。
在处理容器101内，以与4个侧壁101b的内壁面大致平行的方式配置有阴极板401(仅图示3个)。此外，在处理容器101的底壁101a的附近，以与该底壁101a的内壁面平行的方式配置有阴极板403。在各阴极板401、403上分别连接有供电线405。供电线405的另一端侧通过电源407与作为阳极的处理容器101的主体连接。
此外，在处理容器101上配置有具有用于吸入电解液E的吸入部501、用于喷出电解液E的喷出部503、和泵505的液体循环机构507。它们构成为，通过使该液体循环机构507的泵505工作，能够使电解液E循环，并能够在处理容器101内搅拌。
向配置有阴极板401、403的处理容器101内注入电解液E，在利用液体循环机构507使电解液E循环的同时，利用直流电源407在阴极板401、403与作为阳极的处理容器101之间以规定的电流密度流动电流，由此能够进行阳极氧化处理。其中，阳极氧化处理中的电解液E的种类、处理温度、电流密度等条件能够适当地设定。
接着，以安装在侧壁101b2上的盖部件241为例，对盖部件的结构和作用进行详细的说明。图3表示窗口用开口164与盖部件241的接合部分的放大图。侧壁101b2的窗口用开口164通过盖部件241相对于处理容器101的外侧密封。盖部件241例如由铝、钛等材料构成，由未图示的螺钉等固定部件固定在侧壁101b2上。
盖部件241为具有主体241a和相对于该主体241a垂直设置的框状壁241b的较浅的箱形，其截面为コ字形。盖部件241的框状壁241b的端部与窗口用开口164的形状相配合，为矩形，并且形成得比窗口用开口164大。盖部件241通过主体241a和框状壁241b而形成凹部，该凹部具有比窗口用开口164的面积大的开口面积。该凹部通过窗口用开口164与处理容器101的内部连通，形成在将盖部件241安装在侧壁101b2上的状态下使电解液E流入的电解液流入部243。
盖部件241的框状壁241b隔着作为第二密封部件的O形环203与侧壁101b2抵接。从而，盖部件241和侧壁101b2的抵接部位，在电解液流入部243中充满电解液E的状态下也能够密封，使得电解液E不会漏出。其中，作为第二密封部件，并不限定于O形环，例如还能够使用密封带(其它盖部件211、221、231也同样)。
在侧壁101b2的窗口用开口164的周围设置有用于配置O形环167的O形环配置用槽301，配置该O形环167的目的在于在窗口用开口164上安装窗口框165(参照图1)时保持气密性。盖部件241的框状壁241b以从外侧包围该O形环配置用槽301的方式与其外周侧抵接。
图4表示侧壁101b2的窗口用开口164、O形环配置用槽301、以及盖部件241的框状壁241b隔着O形环203与侧壁101b2抵接的抵接部位203a的位置关系。在图4中，网格所示的区域R既是处理容器101的外壁面，也是被暴露在通过窗口用开口164进入外壁面侧的等离子体、腐蚀性气体下的区域。
如图4所示，在本实施方式中，在比作为第一密封部件的配置预定位置的O形环配置用槽301更靠外侧的位置，形成有盖部件241的框状壁241b的抵接部位203a。由此，在侧壁101b2的外壁上，能够使电解液E到达比O形环配置用槽301的位置更靠外侧的位置。从而，能够使以网格表示的区域R确实地浸在电解液E中。由此，能够可靠地对包括以网格表示的区域R的直至O形环配置用槽301的位置实施阳极氧化处理。另外，在图2～图4中，以在侧壁101b2上形成有O形环配置用槽301的情况为例进行了说明，但也能够在窗口框165(参照图1)这一侧预先形成O形环配置用的槽。在此情况下，也只要将框状壁241b配置在O形环167的抵接预定位置的外侧即可。
此外，在图2～图4中，以在侧壁101b2上安装有盖部件241的情况为例进行了说明，对底壁101a的供电用开口177、排气用开口151、侧壁101b1的基板搬送用开口161分别进行密封的盖部件211、221、231的安装结构及其作用也与上述情况相同。
即，如图2所示，密封供电用开口177的盖部件211隔着作为第二密封部件的O形环205安装在底壁101a上，防止电解液E的漏出。在供电用开口177的周围，为通过作为第一密封部件的密封部件114(O形环)，在绝缘部件104与处理容器101的底壁101a的内壁面之间能够保持气密性的结构(参照图1)，因为等离子体、腐蚀性气体不会进入供电用开口177的周围的外壁面，所以未设置用于配置第一密封部件(O形环)的槽。
此外，用于密封排气用开口151的盖部件221隔着作为第二密封部件的O形环207安装在底壁101a上，防止电解液E的漏出。在此情况下，O形环207配置在比O形环配置用槽303更靠外侧的位置，该O形环配置用槽303是用于配置位于排气管153的凸缘部153a与底壁101a之间的作为第一密封部件的O形环(省略图示)的预定位置。从而，能够使电解液E到达O形环配置用槽303的位置，能够可靠地实施阳极氧化处理。
此外，用于密封基板搬送用开口161的盖部件231隔着作为第二密封部件的O形环209被安装在侧壁101b1上，防止电解液E的漏出。在此情况下，O形环209配置在比O形环配置用槽305更靠外侧的位置，该O形环配置用槽305是用于配置位于闸阀162与侧壁101b1之间的作为第一密封部件的O形环(省略图示)的预定位置。从而，能够使电解液E到达O形环配置用槽305的位置，能够可靠地实施阳极氧化处理。
接着，再次参照图2和图3，对配置在4个侧壁101b的上端的辅助壁251的结构和作用进行说明。辅助壁251形成为截面为L字形的框体。辅助壁251例如由铝、钛等材料构成，通过未图示的螺钉等固定部件固定在侧壁101b的上端。辅助壁251隔着O形环253被固定在侧壁101b的上端。从而，辅助壁251和侧壁101b的抵接部位被密封，使得电解液E不会漏出。
辅助壁251形成为具有足够的高度H，使得在超过处理容器101的侧壁101b的上端地存储有电解液E的情况下，电解液E不会流出。通过设置辅助壁251，能够向处理容器101内注入电解液E直至电解液E的液面超过侧壁101b的上端的高度位置。通过注入电解液E直至液面到达辅助壁251的高度，并进行阳极氧化处理，能够在侧壁101b的顶部也形成氧化覆膜。
在侧壁101b的上端形成有用于配置作为第三密封部件的O形环103的O形环配置用槽307。O形环103用于在如上所述的关闭盖体101c的状态下维持盖体101c与各侧壁101b的接合部分的气密性(参照图1)。因为在盖体101c与侧壁101b的接合边界上形成有细微的间隙，所以存在等离子体、腐蚀性气体进入该缝隙并到达O形环103的配置位置，使得侧壁101b的上端面劣化的情况。在本实施方式中，辅助壁251以包围该O形环配置用槽307的方式设置在其外周侧。即，辅助壁251配置在比作为O形环103的配置预定位置的O形环配置用槽307更靠外侧的位置。通过这种配置，能够直至O形环配置用槽307的位置可靠地以电解液E进行浸渍，能够直至O形环配置用槽307的位置可靠地实施阳极氧化处理。这样，能够提高盖体101c与侧壁101b的接合边界的耐等离子体侵蚀(plasma erosion)性和耐腐蚀性。
另外，在图2和图3中，以在侧壁101b的上端形成有O形环配置用槽307的情况为例进行了说明，但也能够预先在盖体101c这一侧形成O形环配置用的槽。在此情况下，将辅助壁251配置在O形环103的抵接预定位置的外侧即可。
在本实施方式的阳极氧化处理方法中，采用以下结构：在从贯通开口部(供电用开口177、排气用开口151、基板搬送用开口161、窗口用开口164)的外侧安装有密封处理容器101的贯通开口部的盖部件211、221、231、241的状态下，在处理容器101内填充电解液E并进行阳极氧化处理。因此，不仅不需要使用电解液槽，还能够在可靠地防止电解液从贯通开口部漏出的同时实施阳极氧化处理。因此，相对于大型的处理容器101也能够安全且容易地进行阳极氧化处理。并且，与使用电解液槽的情况相比，能够大幅节减使用的电解液的量和与电解液槽相关的设备费用。
此外，在本实施方式的阳极氧化处理方法中，以能够直至各贯通开口部的周围的外壁面以电解液E进行浸渍的方式安装有盖部件211、221、231、241。因此，在利用等离子体蚀刻装置200进行等离子体蚀刻处理的情况下，即使是等离子体、腐蚀性气体容易通过各贯通开口部进入的外壁部分，也能够对其实施阳极氧化处理。而且，通过调节盖部件221、231、241的大小，能够直至第一密封部件的配置预定部位(O形环配置用槽303、305、301)的位置可靠地进行阳极氧化处理。
此外，在本实施方式的阳极氧化处理方法中，在处理容器101的侧壁101b的上端配置辅助壁251，注入电解液E直至该辅助壁251的高度位置，并进行阳极氧化处理。由此，能够超过侧壁101b的上端的高度位置地注入电解液E，能够直至侧壁101b的上端面可靠地进行阳极氧化处理。并且，辅助壁251以包围侧壁101b的上端面的O形环配置用槽307的方式配置在其外侧。从而，能够直至可能暴露在等离子体、腐蚀性气体中的侧壁101b的上端面的O形环配置用槽307的位置可靠地实施阳极氧化处理。
而且，对于与处理容器101的上部接合的盖体101c，也能够与以上所述的方法同样地进行阳极氧化处理。
(第二实施方式)
接着，参照图5，对本发明的第二实施方式进行说明。图5是表示窗口用开口164附近的阴极的配置例的图。在本实施方式中，除了作为阴极的阴极板401、403之外，还配置有***窗口用开口164的内部的小型的辅助电极409。作为阴极的辅助电极409贯通窗口用开口164，被***至电解液流入部243。在图5中，虽然表示了上下1对辅助电极409，但同样也能够在左右(图5的纸面的面前侧和进深侧)配置辅助电极409。
辅助电极409的形状例如能够形成为板状、棒状等适当的形状，在本实施方式中，如图5所示，形成为具有较长部分409a、和从其大致直角地弯曲并与侧壁101b2的外壁面平行的壁面相对部分409b的截面为L字状的板状。
这样，在通过安装在侧壁101b上的盖部件241形成的电解液流入部243中***/配置作为阴极的辅助电极409，由此，能够在包括窗口用开口164的内周部分164a的窗口用开口164的周围形成氧化覆膜。特别是，通过使用具有与外壁面平行的壁面相对部分409b的辅助电极409，对窗口用开口164的周围的外壁面也能够可靠地实施阳极氧化处理。
另外，虽然省略了图示和说明，但是，辅助电极409不仅能够配置于窗口用开口164，还能够配置于处理容器101的其它贯通开口部(排气用开口151、基板搬送用开口161、供电用开口177)，在此情况下也能够获得与上述情况同样的效果。
本实施方式的其它结构、作用和效果与第一实施方式相同。
以上对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不受上述实施方式制约，能够进行各种变形。例如，本发明的阳极氧化处理方法不限于在以FPD用基板为处理对象的处理容器中应用，也能够应用于以例如半导体晶片为处理对象的处理容器。并且，不限于等离子体蚀刻装置的处理容器，本发明也能够应用于进行例如等离子体灰化处理、等离子体CVD处理等其它等离子体处理的处理容器。
此外，在上述实施方式中，采用在所有贯通开口部均从外侧安装用于密封处理容器101的贯通开口部的盖部件211、221、231、241的结构。但是，也存在从贯通开口部的内侧安装盖部件的情况。例如，如图6所示，作为用于密封供电用开口177的盖部件，也能够将盖部件211a安装在处理容器101的内侧。而且，此情况下的盖部件211a也可以是图示那样的平板状。在供电用开口177的周围，为通过作为第一密封部件的密封部件114(O形环)能够在绝缘部件104与处理容器101的底壁101a的内壁面之间确保气密性的结构(参照图1)。因此，在用于配置密封部件114的O形环配置用槽309的内侧(即，在供电用开口177与O形环配置用槽309之间)，隔着作为第二密封部件的O形环210配置盖部件211a，由此，能够可靠地对O形环配置用槽309实施阳极氧化处理。
Claims (10)
1.一种等离子体处理容器的阳极氧化处理方法，其对呈上部开口的箱形且在壁面上具有贯通开口部的等离子体处理容器的表面进行阳极氧化处理，该等离子体处理容器的阳极氧化处理方法的特征在于：
在所述等离子体处理容器的所述贯通开口部安装有盖部件的状态下，向所述等离子体处理容器内填充电解液，
在所述等离子体处理容器的内部配置作为阴极的电极，并将所述等离子体处理容器作为阳极，进行阳极氧化处理，
所述等离子体处理容器的材质为铝，
在所述贯通开口部的周围的壁面上，设置有在等离子体处理时用于将所述等离子体处理容器的内部维持为真空状态而配置的第一密封部件的配置预定部位，以包围所述贯通开口部的方式，使得用于防止所述电解液的泄漏的第二密封部件与所述等离子体处理容器的壁面抵接，隔着该第二密封部件将所述盖部件安装在所述等离子体处理容器的壁面上，以所述第二密封部件包围所述第一密封部件的配置预定部位的周围的方式，在将所述第一密封部件的配置预定部位浸渍在所述电解液中的状态下，对所述等离子体处理容器的壁面进行阳极氧化处理。
2.如权利要求1所述的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法，其特征在于：
所述第一密封部件的配置预定部位设置在所述贯通开口部的周围的外壁面上，所述第二密封部件与所述等离子体处理容器的外壁面抵接，隔着所述第二密封部件将所述盖部件安装在所述等离子体处理容器的外侧。
3.如权利要求1所述的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法，其特征在于：
所述第一密封部件的配置预定部位设置在所述贯通开口部的周围的内壁面上，所述第二密封部件抵接在所述贯通开口部与所述第一密封部件的配置预定部位之间的所述等离子体处理容器的内壁面上，隔着所述第二密封部件将所述盖部件安装在所述等离子体处理容器的内部。
4.如权利要求1或2所述的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法，其特征在于：
通过在至少一个所述贯通开口部从外侧安装所述盖部件，利用该盖部件在所述等离子体处理容器的外部形成与内部连通的电解液流入部，通过使所述电解液流入该电解液流入部，在将所述等离子体处理容器的所述贯通开口部的周围的外壁面浸在所述电解液中的状态下进行阳极氧化处理。
5.如权利要求4所述的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法，其特征在于：
所述盖部件是截面为ュ字形的形状。
6.如权利要求1或2所述的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法，其特征在于：
以包围所述等离子体处理容器的上部的所述开口的方式在所述等离子体处理容器的上端部设置辅助壁，填充所述电解液直至所述电解液的水位到达该辅助壁，进行阳极氧化处理。
7.如权利要求6所述的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法，其特征在于：
在所述等离子体处理容器的上端部设置有用于将所述等离子体处理容器的内部维持为真空状态而配置的第三密封部件的配置预定部位，所述辅助壁以包围所述第三密封部件的配置预定部位的方式配置在外侧。
8.如权利要求1或2所述的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法，其特征在于：
所述电极由多个平板状的电极形成，将该平板状的电极以相对于所述等离子体处理容器的侧壁和底壁的内表面分别平行的方式配置。
9.如权利要求8所述的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法，其特征在于：
进一步配置从所述等离子体处理容器的贯通开口部***所述电解液流入部的辅助电极作为阴极，进行阳极氧化处理。
10.如权利要求9所述的等离子体处理容器的阳极氧化处理方法，其特征在于：
所述辅助电极具有与所述等离子体处理容器的外壁面平行地形成的相对部。
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| US20180195196A1 (en) * | 2017-01-06 | 2018-07-12 | Mks Instruments, Inc. | Protective oxide coating with reduced metal concentrations |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3772163A (en) * | 1971-08-20 | 1973-11-13 | J Jumer | Electrochemical processing of inner surfaces of large vessels |
| CN1062009A (zh) * | 1991-08-01 | 1992-06-17 | 铁道部戚墅堰机车车辆工艺研究所 | 深孔管内壁电解镀镀覆方法及装置 |
| CN2175239Y (zh) * | 1993-09-01 | 1994-08-24 | 大庆石油学院 | 深井泵筒的电解镀铁装置 |
Family Cites Families (8)
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|---|---|---|---|---|
| JPS58167777A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 表面処理方法及び装置 |
| JPH0598494A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-20 | Masao Moriyama | 分割構成される箱形容器の内面をメツキする方法 |
| JP3155199B2 (ja) * | 1996-04-12 | 2001-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
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| JPH11117092A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-27 | Honda Motor Co Ltd | 陽極酸化皮膜装置 |
| JP2000026999A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-01-25 | Yamaha Motor Co Ltd | 筒状内面を有する物品のアルマイト処理方法及び装置 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3772163A (en) * | 1971-08-20 | 1973-11-13 | J Jumer | Electrochemical processing of inner surfaces of large vessels |
| CN1062009A (zh) * | 1991-08-01 | 1992-06-17 | 铁道部戚墅堰机车车辆工艺研究所 | 深孔管内壁电解镀镀覆方法及装置 |
| CN2175239Y (zh) * | 1993-09-01 | 1994-08-24 | 大庆石油学院 | 深井泵筒的电解镀铁装置 |
Non-Patent Citations (1)
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20121212 |