CN101449311B - 用于发光装置显示器的方法和*** - Google Patents

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Abstract

本发明提供了用于发光装置显示器的方法和***。该***包括：一个或多个像素，每个像素具有发光装置、用于驱动该发光装置的驱动晶体管以及用于选择该像素的开关晶体管；该***还包括用于监视和提取该像素的变化的电路，以校准用于该像素的编程数据。编程数据是用监视的结果校准的。

Description

用于发光装置显示器的方法和***
技术领域
本发明涉及显示技术，更具体而言涉及关于发光装置显示器的方法和***。
背景技术
电致发光显示器已经被广泛地用于诸如蜂窝电话等各种设备。特别是，利用非晶硅(a-Si)、多晶硅、有机或其他驱动背板的有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器，由于诸如切实可行的灵活显示、制造成本较低、分别率高和宽视角等优点，而变得更有吸引力。
AMOLED显示器包括多行多列的像素的的阵列，每个像素具有有机发光二极管(OLED)和布置在行和列阵列中的背板电子装置。因为OLED是电流驱动器件，所以AMOLED的像素电路应能提供精确且恒定的驱动电流。
需要提供一种能够高精度地提供恒定亮度的方法和***。
发明内容
本发明的目的是提供能够避免或消除现有***的至少一个缺点的方法和***。
根据本发明的一个方面，提供一种包括一个或多个像素的显示***。每个像素包括发光装置、用于驱动该发光装置的驱动晶体管以及用于选择该像素的开关晶体管。该显示***包括用于监视和提取(extract)像素变化以校准该像素的编程数据的电路。
根据本发明的另一方面，提供一种驱动显示***的方法。该显示***包括一个或多个像素。该方法包括以下步骤：在提取周期(extraction cycle)，向像素提供操作信号、监视该像素中的节点、基于监视结果提取(extract)像素的老化；以及在编程周期，基于对像素老化的提取来对编程数据进行校准并向该像素提供编程数据。
附图说明
通过以下参考附图所作出的描述，本发明的这些和其他特征将变得更加明显，附图中：
图1示出了适当地应用了根据本发明实施例的像素操作技术的具有2个晶体管(2T)的像素电路的像素阵列的示例；
图2示出了适当地应用了与图1相关的像素操作技术的具有2T像素电路的像素阵列的另一示例；
图3A示出了在提取操作(extraction operation)中应用于图1和2的像素电路的信号波形的示例；
图3B示出了在正常操作中应用于图1和2的像素电路的信号波形的示例；
图4示出了在图3A的提取周期中驱动晶体管的阈值电压的偏离对VDD的电压的影响；
图5示出了具有图1或2的像素阵列的显示***的示例；
图6示出了用于驱动图5的像素阵列的正常和提取周期的示例；
图7示出了适当地应用了根据本发明另一实施例的像素操作技术的3晶体管(3T)像素电路的示例；
图8示出了适当地应用了与图7相关的像素操作技术的3T像素电路的另一示例；
图9A示出了在提取操作中应用于图7和8的像素电路的信号波形的示例；
图9B示出了在正常操作中应用于图7和8的像素电路的信号波形的示例；
图10示出了具有图7或8的像素电路的显示***的示例；
图11A示出了用于驱动图10的像素阵列的正常和提取周期的示例；
图11B示出了用于驱动图10的像素阵列的正常和提取周期的另一示例；
图12示出了具有图7或8的像素电路的显示***的另一示例；
图13示出了用于驱动图12的像素阵列的正常和提取周期的示例；
图14示出了适当地应用了根据本发明的又一实施例的像素操作技术的4晶体管(4T)像素电路的示例；
图15示出了适当地应用了与图14相关的像素操作技术的4T像素电路的另一示例；
图16A示出了在提取操作中应用于图14和15的像素电路的信号波形的示例；
图16B示出了在正常操作中应用于图14和15的像素电路的信号波形的示例；
图17示出了具有图14或15的像素电路的显示***的示例；
图18示出了用于驱动图17的像素阵列的正常和提取周期的示例；
图19示出了具有图14或15的像素电路的显示***的另一示例；
图20示出了用于驱动图19的像素阵列的正常和提取周期的示例；
图21示出了适当地应用了根据本发明的又一实施例的像素操作技术的3T像素电路的示例；
图22示出了适当地应用了与图21相关的像素操作技术的3T像素电路的另一示例；
图23A示出了在提取操作中应用于图21和22的像素电路的信号波形的示例；
图23B示出了在正常操作中应用于图21和22的像素电路的信号波形的示例；
图24示出了具有图21或22的像素电路的显示***的示例；
图25A示出了用于驱动图24的像素阵列的正常和提取周期的示例；
图25B示出了用于驱动图24的像素阵列的正常和提取周期的另一示例；
图26示出了适当地应用了根据本发明又一实施例的像素操作技术的3T像素电路的示例；
图27示出了适当地应用了与图26相关的像素操作技术的3T像素电路的另一示例；
图28A示出了在提取操作中应用于图26和27的像素电路的信号波形的示例；
图28B示出了在正常操作中应用于图26和27的像素电路的信号波形的示例；
图29示出了具有图26或27的像素电路的显示***的示例；
图30示出用于驱动图29的像素阵列的正常和提取周期的示例；
图31A示出了在第j行和第i列具有读出能力的像素电路；
图31B示出了在第j行和第i列具有读出能力的另一像素电路；
图32示出了适当地应用了根据本发明的又一实施例的驱动技术的像素电路的示例；
图33示出了应用于图32的像素布置的信号波形的示例；
图34示出了适当地应用了与图32相关的驱动技术的像素电路的另一示例；
图35示出了应用于图34的像素布置的信号波形的示例；
图36示出了根据本发明的又一实施例的像素阵列的示例；
图37示出了使用图36的像素阵列的RGBW结构；以及
图38示出了用于图37的像素电路的版图。
具体实施方式
利用具有发光装置(例如，有机发光二极管(OLED))和多个晶体管的像素电路来描述本发明的实施例。以下实施例中的像素电路或显示***中的晶体管可以是n型晶体管、p型晶体管或其组合。以下实施例中的像素电路或显示***中的晶体管可以使用非晶硅、纳米/微晶硅、多晶硅、有机半导体技术(例如，有机TFT)、NMOS/PMOS技术或CMOS技术(例如MOSFET)制造。具有像素电路的显示器可以是单色、多色或全色显示器，且可以包括一个或多于一个的电致发光(EL)元件(例如有机EL)。显示器可以是有源矩阵发光显示器(例如，AMOLED)。显示器可以用在TV、DVD、个人数字助理(PDA)、计算机显示器、蜂窝电话或其他应用中。显示器可以是平板的。
在下面的描述中，“像素电路”和“像素”可互换地使用。在下面的描述中，术语“信号”和“线”可互换地使用。在下面的描述中，术语“线”和“节点”可互换地使用。描述中，术语“选择线”和“地址线”可互换地使用。在下面的描述中，“连接(或被连接)”和“耦合(或被耦合)”可互换地使用，且可以用于表示两个或更多的元件彼此直接或间接地物理地或电学接触。描述中，第i行和第j列的像素(电路)可以被称为位置(i，j)处的像素(电路)。
图1示出了适当地应用了根据本发明实施例的像素操作技术的具有2个晶体管(2T)像素电路的像素阵列的示例。图1的像素阵列10包括以“n”行和“m”列布置的多个像素电路12。在图1中，示出了第i行的像素电路12。
每个像素电路12包括OLED14、存储电容器16、开关晶体管18和驱动晶体管20。驱动晶体管20的漏极端子连接到相应行的电源线(例如VDD(i))，且驱动晶体管20的源极端子连接到OLED14。开关晶体管18的一个端子连接到相应列的数据线(例如VDATA(1)，...，或VDATA(m))，且开关晶体管18的另一端子连接到驱动晶体管20的栅极端子。开关晶体管18的栅极端子连接到用于相应行的选择线(例如SEL(i))。存储电容器16的一个端子连接到驱动晶体管20的栅极端子，且存储电容器16的另一端子连接到OLED14和驱动晶体管20的源极端子。OLED14连接在电源(例如，地)和驱动晶体管20的源极端子之间。如下所述，通过监视电源线VDD(i)的电压来提取像素电路12的老化。
图2示出了适当地应用了与图1相关的像素操作技术的具有2T像素电路的像素阵列的另一示例。图2的像素阵列30类似于图1的像素阵列10。像素电路阵列30包括布置成“n”行和“m”列的多个像素电路32。在图2中，示出了第i行的像素电路32。
每个像素电路32包括OLED34、存储电容器36、开关晶体管38和驱动晶体管40。OLED34对应于图1的OLED14。存储电容器36对应于图1的存储电容器16。开关晶体管38对应于图1的开关晶体管18。驱动晶体管40对应于图1的驱动晶体管20。
驱动晶体管40的源极端子连接到用于相应行的电源线(例如VSS(i))，且驱动晶体管40的漏极端子连接到OLED34。开关晶体管38的一个端子连接到用于相应列的数据线(例如，VDATA(1)，...，或VDATA(m))，且开关晶体管38的另一端子连接到驱动晶体管40的栅极端子。存储电容器34的一个端子连接到驱动晶体管40的栅极端子，且存储电容器34的另一端子连接到相应的电源线(例如，VSS(i))。OLED34连接到电源和驱动晶体管40的漏极端子之间。如下所述，通过监视电源线VSS(i)的电压来提取像素电路的老化。
图3A示出了在提取操作中应用于图1和2的像素电路的信号波形的示例。图3B示出了在正常操作中应用于图1和2的像素电路的信号波形的示例。在图3A中，VDD(i)是对应于图1的VDD(i)的电源线/信号，而VSS(i)是对应于图2的VSS(i)的电源线/信号。“Ic”是施加到正被校准的位置(i，j)处的像素的VDD(i)的恒定电流。由于电流Ic在VDD(i)线上产生的电压是(VCD+ΔVCD)，其中VCD是电路的DC偏置点，而ΔVCD是OLED电压和驱动晶体管(图1的20或图2的40)的阈值电压中的放大的偏移。
参考图1、2和3A，通过监视电源线(图1的VDD(i)或图2的VSS(i))来提取位置(i，j)处的像素的老化。图3A中的对于位置(i，j)处的像素的操作包括第一和第二提取周期50和52。在第一提取周期50中，位置(i，j)处的像素中的驱动晶体管(图1的20或图2的40)的栅极端子被充电到校准电压VCG。该校准电压VCG包括基于原先的老化数据计算的老化预测和偏置电压。而且，在第一提取周期中，第i行的另一像素电路被编程为零。
在第二提取周期52中，SEL(i)变为零，且使得位置(i，j)处的像素中的驱动晶体管(图1的20或图2的40)的栅极电压受到诸如电荷注入(chargeinjection)和时钟馈通(clock feed-through)之类的动态效应的影响。在该周期中，驱动晶体管(图1的20或图2的40)用作放大器，因为用通过第i行的电源线(图1的VDD(i)或图2的VSS(i))的恒定电流将它偏置。因此，位置(i，j)处的像素中的驱动晶体管(图1的20或图2的40)的阈值电压(VT)的偏移的效应被放大，且电源线(图1的VDD(i)或图2的VSS(i))的电压相应地改变。因此，该方法能够提取极小量的VT偏移，从而使校准能够非常精确。VDD(i)或VSS(i)的变化被监视。然后，用VDD(i)或VSS(i)的变化来对编程数据进行校准。
参考图1、2和图3B，位置(i，j)处的像素的正常操作包括编程周期62和驱动周期64。在编程周期62中，通过使用监视结果(例如，VDD或VSS的(一种或多种)变化)，位置(i，j)处的像素中的驱动晶体管(图1的20或图2的40)的栅极端子充电到校准的编程电压VCP。该电压VCP通过像素的灰度和老化(例如，涉及灰度的电压和在校准周期中提取的老化之和)定义。接下来，在驱动周期64中，选择线SEL(i)为低(low)，且位置(i，j)处的像素中的驱动晶体管(图1的20或图2的40)为位置(i，j)处的像素中的OLED(图1的14或图2的34)提供电流。
图4示出了在图3A的提取周期中驱动晶体管的阈值电压中的偏移(VT偏移)对电源线VDD的电压的影响。对于本领域技术人员而言，很明显，驱动晶体管可以提供合理 增益，从而使小VT偏移的提取成为可能。
图5示出了具有图1或2的像素阵列的显示***的示例。图5的显示***1000包括具有多个像素1004的像素阵列1002。在图5中，示出了4个像素1004。不过，像素1004的数量可以根据***设计变化，而不局限于4个。像素1004可以是图1的像素电路12或图2的像素电路32。像素阵列1002是有源矩阵发光显示器，且可以形成AMOLED显示器。
SEL(k)(k＝i，i+1)是用于选择第k行的选择线，且对应于图1和图2的SEL(i)。V(k)是电源线，且对应于图1的VDD(j)和图2的VSS(j)。VDATA(1)(1＝j，j+1)是数据线，且对应于图1和图2的VDATA(1)，...，VDATA(m)其中之一。SEL(k)和V(k)在像素阵列1002的公共行像素中共享使用。VDATA(1)在像素阵列1002的公共列像素中共享使用。
栅极驱动器1006驱动SEL(k)和V(k)。栅极驱动器1006包括用于为SEL(k)提供地址信号的地址驱动器。栅极驱动器1006包括用于驱动V(k)和监视V(k)的电压的监视器1010。V(k)被适当地激励，以用于图3A和图3B的操作。数据驱动器1008产生编程数据，并驱动VATA(1)。提取器块1014基于VDD(i)上产生的电压计算像素的老化。使用监视结果(例如，数据线V(k)的变化)校准VDATA(1)。监视结果可被提供给控制器1012。栅极驱动器1006、控制器1012、提取器1014或其组合可以包括用于存储监视结果的存储器。如上所述，控制器1012控制驱动器1006和1008以及提取器1014，以驱动像素1004。图3A和3B的电压VCO、VCP是通过使用列驱动器产生的。
图6示出了用于驱动图5的像素阵列1002的正常和提取周期的示例。在图6中，ROWi(i＝1，2，...)其中每一个代表第i行，“P”代表编程周期，且对应于图3B的60；“D”代表驱动周期，且对应于图3B的62；“E1”代表第一提取周期，且对应于图3A的50；且“E2”代表第二提取周期，且对应于图3A的52。提取可在消隐时间(blanking time)中在每个帧的结尾处发生。在该时间中，可以提取若干像素的老化。而且，可在所有像素都是OFF的若干帧之间可以***额外的帧。在该帧中，可以不影响图像质量地提取若干像素的老化。
图7示出了适当应用了根据本发明另一实施例的像素操作技术的3晶体管(3T)像素电路的示例。图7的像素电路70包括OLED72、存储电容器74、开关晶体管76以及驱动晶体管78。像素电路70形成AMOLED显示器。
驱动晶体管78的漏极端子连接到电源线VDD，且驱动晶体管78的源极端子连接到OLED72。开关晶体管76的一个端子连接到数据线VDATA，且开关晶体管76的另一端子连接到驱动晶体管78的栅极端子。开关晶体管76的栅极端子连接到第一选择线SEL1。存储电容器74的一个端子连接到驱动晶体管78的栅极端子，且存储电容器74的另一端子连接到OLED72和驱动晶体管78的源极端子。
为像素电路70提供传感晶体管(sensing transistor)80。晶体管80可以被包括在像素电路70中。晶体管80的一个端子连接到输出线VOUT，且晶体管80的另一端子连接到驱动晶体管78的源极端子和OLED72。晶体管80的栅极端子连接到第二选择线SEL2。
像素电路70的老化是通过监视输出线VOUT的电压来提取的。在一个示例中，VOUT可以独立于VDATA。在另一示例中，VOUT可以是用于物理邻接列(行)的数据线VDATA。SEL1用于编程，而SEL1和SEL2用于提取像素老化。
图8示出了适当地应用了与图7相关的像素操作技术的3T像素电路的另一示例。图8的像素电路90包括OLED92、存储电容器94、开关晶体管96以及驱动晶体管98。OLED92对应于图7的OLED72。存储电容器94对应于图7的存储电容器74。晶体管96和98对应于图7的晶体管76和78。像素电路90形成AMOLED显示器。
驱动晶体管98的源极端子连接到电源线VSS，且驱动晶体管98的漏极端子连接到OLED92。开关晶体管96连接在数据线VDATA和驱动晶体管98的栅极端子之间。开关晶体管96的栅极端子连接到第一选择线SEL1。存储电容器94的一个端子连接到驱动晶体管98的栅极端子，且存储电容器94的另一端子连接到VSS。
为像素电路90提供传感晶体管100。晶体管100可以被包括在像素电路90中。晶体管100的一个端子连接到输出线VOUT，且晶体管100的另一端子连接到驱动晶体管98的漏极端子和OLED92。晶体管100的栅极端子连接到第二选择线SEL2。
通过监视输出线VOUT的电压提取像素电路90的老化。在一个示例中，VOUT可以独立于VDATA。在另一示例中，VOUT可以是用于物理邻接列(行)的数据线VDATA。SEL1用于编程，而SEL1和SEL2用于提取像素老化。
图9A示出了在提取操作中应用于图7和8的像素电路的信号波形的示例。图9B示出了在正常操作中应用于图7和8的像素电路的信号波形的示例。
参考7，8和图9A，对于位置(i，j)处的像素的提取操作包括第一和第二提取周期110和112。在第一提取周期110中，驱动晶体管(图7的78或图8的98)的栅极端子被充电到校准电压VCG。该校准电压VCG包括基于原先的老化数据计算的老化预测。在第二提取周期112中，第一选择线SEL1变为零，使得驱动晶体管(图7的78或图8的98)的栅极电压被包括电荷注入和时钟馈通(clock feed-through)的动态效应所影响。在第二提取周期112中，驱动晶体管(图7的78或图8的98)用作放大器，因为用通过VOUT的恒定电流(Ic)将它偏置。由于施加到VOUT上的电流Ic而在VOUT上出现的电压为(VCD+ΔVCD)。因此，像素的老化被放大，且VOUT的电压相应地变化。因此，该方法能够提取极小量的阈值电压(VT)偏移，从而能实现高度精确的校准。VOUT中的变化被监视。然后，VOUT中的(一个或多个)变化用于编程数据的校准。
而且，通过在提取周期中向OLED施加电流/电压，可以提取OLED的电压/电流，且***确定OLED的老化因素，且用它来更精确地校准照明数据。
参考图7、8和9B，用于位置(i，j)处的像素的正常操作包括编程周期120和驱动周期122。在编程周期120中，通过使用监视结果(例如，VOUT的变化)，驱动晶体管(图7的78或图8的98)的栅极端子被充电到校准的编程电压VCP。接下来，在驱动周期122中，选择线SEL1为低，且驱动晶体管(图7的78或图8的98)为OLED(图7的72或图8的92)提供电流。
图10示出了具有图7或8的像素电路的显示***的示例。图10的显示***1020包括像素阵列1022，该像素阵列1022具有以行和列的形式排列的多个像素1004。在图10中，示出了4个像素1024。不过，像素1024的数量可以根据***设计变化，而不局限于4个。像素1024可以是图7的像素电路70或图8的像素电路90。像素阵列1022是有源矩阵发光显示器，且可以是AMOLED显示器。
SEL1(k)(k＝i，i+1)是用于选择第k行的第一选择线，且对应于图7和图8的SEL1。SEL2(k)(k＝i，i+1)是用于选择第k行的第二选择线，且对应于图7和图8的SEL2。VOUT(1)(1＝j，j+1)是用于第1列的输出线，且对应于图7和图8的VOUT。VDATA(1)是用于第1列的数据线，且对应于图7和图8的VDATA。
栅极驱动器1026驱动SEL1(k)和SEL2(k)。栅极驱动器1026包括用于为SEL1(k)和SEL2(k)提供地址信号的地址驱动器。数据驱动器1028产生编程数据，并驱动VATA(1)。数据驱动器1028包括用于驱动和监视VOUT(1)的电压的监视器1030。提取器块1034基于VOUT(i)上产生的电压计算像素的老化。VDATA(1)和VOUT(1)被适当地激励，以用于图9A和9B的操作。使用监视结果(例如，VOUT(1)的变化)来校准VDATA(1)。监视结果可被提供给控制器1032。数据驱动器1028、控制器1032、提取器1034或其组合可包括用于存储监视结果的存储器。如上所述，控制器1032控制驱动器1026和1028以及提取器1034，以驱动像素1004。
图11A和11B示出了用于驱动图10的像素阵列的正常和提取周期的两个示例。在图11A和11B中，ROWi(i＝1，2，...)其中每一个代表第i行，“P”代表编程周期，且对应于图9B的120；“D”代表驱动周期，且对应于图9B的122；“E1”代表第一提取周期且对应于图9A的110；且“E2”代表第二提取周期，且对应于图9A的112。在图11A中，提取可在消隐时间中在每个帧的结尾处发生。在该时间中，可以提取若干像素的老化。而且，可在所有像素都是OFF的若干帧之间***额外的帧。在该帧中，可以不影响图像质量地提取若干像素的老化。图11B示出了可以并行于编程周期完成提取的情况。
图12示出了具有图7或8的像素电路的显示***的另一示例。图12的显示***1040包括具有以行和列的形式排列的多个像素1044的像素阵列1042。显示***1040类似于图10的显示***1020。在图12中，数据线VDATA(j+1)用作监视像素的老化的输出线VOUT(j)。
栅极驱动器1046与图10的栅极驱动器1026相同或相类似。栅极驱动器1046包括用于为SEL1(k)和SEL2(k)提供地址信号的地址驱动器。数据驱动器1048产生编程数据并驱动VDATA(1)。数据驱动器1048包括用于监视VDATA(1)的电压的监视器1050。VDATA(1)被适当地激励，以用于图9A和9B的操作。提取器块1054基于VDATA(1)上产生的电压计算像素的老化。使用监视结果(例如，VDATA(1)的变化)校准VDATA(1)。监视结果可被提供给控制器1052。数据驱动器1048、控制器1052、提取器1054或其组合可包括用于存储监视结果的存储器。如上所述，控制器1052控制驱动器1046和1048以及提取器1054，以驱动像素1004。
图13示出用于驱动图12的像素阵列1042的正常和提取周期的示例。在图13中，ROWi(i＝1，2，...)其中每一个代表第i行，“P”代表编程周期，且对应于图9B的120；“D”代表驱动周期，且对应于图9B的122；“E1”代表第一提取周期，且对应于图9A的110；且“E2”代表第二提取周期，且对应于图9A的112。提取可在消隐时间中在每个帧的结尾处发生。在该时间中，可以提取若干像素的老化。而且，可在所有像素都是OFF的若干帧之间***额外的帧。在该帧中，可不影响图像质量地提取若干像素的老化。
图14示出了适当地应用了根据本发明的又一实施例的像素操作技术的4晶体管(4T)像素电路的示例。图14的像素电路130包括OLED132、存储电容器134、开关晶体管136以及驱动晶体管138。像素电路130形成AMOLED显示器。
驱动晶体管138的漏极端子连接到OLED132，且驱动晶体管138的源极端子连接到电源线VSS(例如，地)。开关晶体管136的一个端子连接到数据线VDATA，且开关晶体管136的另一端子连接到驱动晶体管138的栅极端子。开关晶体管96的栅极端子连接到选择线SLE[j]。存储电容器134的一个端子连接到驱动晶体管138的栅极端子，且存储电容器134的另一端子连接到VSS。
为像素电路130提供传感网络(sensing network)140。网络140可以被包括在像素电路130中。电路140包括晶体管142和144。晶体管142和144串联连接在驱动晶体管138的漏极端子和输出线VOUT之间。晶体管142的栅极端子连接到选择线SEL[j+1]。晶体管144的栅极端子连接到选择线SEL[j-1]。
选择线SEL[k](k＝j-1，j，j+1)可以是用于像素阵列的第k行的地址线，选择线SEL[j-1]或SEL[j+1]可以被SEL[j]代替，其中，当SEL[j-1]和SEL[j+1]信号为ON时，SEL[j]为ON。
通过监视输出线VOUT的电压提取像素电路130的老化。在一个示例中，VOUT可以独立于VDATA。在另一示例中，VOUT可以是用于物理邻接列(行)的数据线VDATA。
图15示出了适当地应用了与图14相关的像素操作技术的4T像素电路的另一示例。图15的像素电路150包括OLED152、存储电容器154、开关晶体管156以及驱动晶体管158。像素电路150形成AMOLED显示器。OLED152对应于图14的OLED132。存储电容器154对应于图14的存储电容器134。晶体管156和158对应于图14的晶体管136和138。
驱动晶体管158的源极端子连接到OLED152，且驱动晶体管158的漏极端子连接到电源线VDD。开关晶体管156连接在数据线VDATA和驱动晶体管158的栅极端子之间。存储电容器154的一个端子连接到驱动晶体管158的栅极端子，且存储电容器154的另一端子连接到OLED152和驱动晶体管158的源极端子。
为像素电路150提供传感网络160。网络160可以被包括在像素电路150中。电路160包括晶体管162和164。晶体管162和164串联连接在驱动晶体管158的源极端子和输出线VOUT之间。晶体管162的栅极端子连接到选择线SEL[j-1]。晶体管164的栅极端子连接到选择线SEL[j+1]。晶体管162和164对应于图14的晶体管142和144。
通过监视输出线VOUT的电压提取像素电路150的老化。在一个示例中，VOUT可以独立于VDATA。在另一示例中，VOUT可以是用于物理邻接列(行)的数据线VDATA。
图16A示出了在提取操作中应用于图14和15的像素电路的信号波形的示例。图16B示出了在正常操作中应用于图14和15的像素电路的信号波形的示例。
参考14，15和图16A，用于位置(i，j)处的像素的提取操作包括第一和第二提取周期170和172。在第一提取周期170中，驱动晶体管的栅极端子(图14的138或图15的158)被充电到校准电压VCG。该校准电压VCG包括基于原先的老化数据计算出的老化预测。在第二提取周期172中，选择线SEL[i]变为零，因此驱动晶体管(图14的138或图15的158)的栅极电压被包括电荷注入和时钟馈通的动态效应所影响。在第二提取周期172中，驱动晶体管(图14的138或图15的158)用作放大器，因为用通过VOUT的恒定电流将它偏置。由于施加到VOUT上的电流Ic而在VOUT上出现的电压为(VCD+ΔVCD)。因此，像素的老化被放大，且改变了VOUT的电压。因此，该方法能够提取极小量的阈值电压(VT)偏移，从而能实现高度精确的校准。VOUT中的变化被监视。然后，VOUT中的(一个或多个)变化被用于对编程数据进行校准。
而且，通过在提取周期中向OLED施加电流/电压，***可提取OLED的电压/电流，且***确定OLED的老化因素，用它来更精确地校准照明数据。
参考图14、15和16B，用于位置(i，j)处的像素的正常操作包括编程周期180和驱动周期182。在编程周期180中，通过使用监视结果(例如，VOUT的变化)，驱动晶体管(图14的138或图15的158)的栅极端子被充电到校准的编程电压VCP。在驱动周期182中，选择线SEL[i]为低，且驱动晶体管(图14的138或图15的158)为OLED(图14的142或图15的152)提供电流。
图17示出了具有图14或15的像素电路的显示***的示例，其中VOUT独立于VDATA。图17的显示***1060类似于图10的显示***1020。显示***1060包括具有以行和列的形式排列的多个像素1064的像素阵列。在图17中，示出了4个像素1064。不过，像素1064的数量可以根据***设计变化，而不局限于4个。像素1064可以是图14的像素电路130或图15的像素电路150。图13的像素阵列是有源矩阵发光显示器，且可以是AMOLED显示器。
SEL1(k)(k＝i-1，i，i+1，i+2)是用于选择第k行的选择线，且对应于图14和图15的SEL[j-1]，SEL[j]和SEL[j+1]。VOUT(1)(1＝j，j+1)是用于第1列的输出线，且对应于图14和图15的VOUT。VDATA(1)是用于第1列的数据线，且对应于图14和图15的VDATA。
栅极驱动器1066驱动SEL(k)。栅极驱动器1066包括用于为SEL(k)提供地址信号的地址驱动器。数据驱动器1068产生编程数据，并驱动VATA(1)。数据驱动器1068包括用于驱动和监视VOUT(1)的电压的监视器1070。提取器块1074基于VOUT(1)上产生的电压计算像素的老化。VDATA(1)和VOUT(1)被适当地激励，以用于图16A和16B的操作。VDATA(1)是用监视结果(例如，VOUT(1)的变化)来校准的。监视结果可被提供给控制器1072。数据驱动器1068、控制器1072、提取器1074或其组合可包括用于存储监视结果的存储器。如上所述，控制器1072控制驱动器1066和1068以及提取器1074，以驱动像素1064。
图18示出了用于驱动图17的像素阵列的正常和提取周期的示例。在图18中，ROWi(i＝1，2，...)其中每一个代表第i行，“P”代表编程周期，且对应于图16B的180；“D”代表驱动周期，且对应于图16B的182；“E1”代表第一和第二提取周期，且对应于图16A的170；且“E2”代表第二提取周期，且对应于图16A的172。提取可在消隐时间过程中在每个帧的结尾处发生。在该时间中，可以提取若干像素的老化。而且，可在所有像素都是OFF的若干帧之间***额外的帧。在该帧中，可以不影响图像质量地提取若干像素的老化。
图19示出了具有图14或15的像素电路的显示***的另一示例，其中VDATA用作VOUT。图19的显示***1080类似于图12的显示***1040。显示***1080包括以行和列的形式排列的多个像素1084的像素阵列。在图19中，示出了4个像素1084。不过，像素1084的数量可以根据***设计变化，而不局限于4个。像素1084可以是图14的像素电路130或图15的像素电路150。图19的像素阵列是有源矩阵发光显示器，且可以是AMOLED显示器。
在图19的显示***中，VDATA用作第1列的数据线和用于监视像素老化的输出线。
栅极驱动器1066驱动SEL(k)。栅极驱动线1086包括用于为SEL(k)提供地址信号的地址驱动器。数据驱动器1088产生编程数据，并驱动VDATA(1)。数据驱动器1088包括用于驱动和监视VDATA(1)的电压的监视器1090。提取器块1094基于VDATA(1)上产生的电压计算像素的老化。VDATA(1)被适当地激励，以用于图16A和16B的操作。使用监视结果(例如，VDATA(1)的变化)校准VDATA(1)。监视结果可被提供给控制器1092。数据驱动器1088、控制器1092、提取器1094或其组合可以包括用于存储监视结果的存储器。如上所述，控制器1092控制驱动器1086和1088以及提取器1094，以驱动像素1084。
图20示出了用于驱动图19的像素阵列的正常和提取周期的示例。在图20中，ROWi(i＝1，2，...)其中每一个代表第i行；“P”代表编程周期，且对应于图16B的180；“D”代表驱动周期且对应于图6B的182；“E1”代表第一提取周期，且对应于图16A的170；且“E2”代表第二提取周期，且对应于图16A的172。提取可在消隐时间中在每个帧的结尾处发生。在该时间中，可以提取若干像素的老化。而且，可在所有像素都是OFF的若干帧之间***额外的帧。在该帧中，可不影响图像质量地提取若干像素的老化。
图21示出了适当地应用了根据本发明的又一实施例的像素操作方案的3T像素电路的示例。图21的像素电路190包括OLED192、存储电容器194、开关晶体管196以及驱动晶体管198。像素电路190形成AMOLED显示器。
驱动晶体管198的漏极端子连接到OLED192，且驱动晶体管198的源极端子连接到电源线VSS(例如，地)。开关晶体管196的一个端子连接到数据线VDATA，且开关晶体管196的另一端子连接到驱动晶体管198的栅极端子。开关晶体管196的栅极端子连接到选择线SEL。存储电容器194的一个端子连接到驱动晶体管198的栅极端子，且存储电容器194的另一端子连接到VSS。
为像素电路190提供传感晶体管200。晶体管200可以被包括在像素电路190中。晶体管200连接在驱动晶体管198的漏极端子和输出线VOUT之间。晶体管200的栅极端子连接到选择线SEL。
通过监视输出线VOUT的电压来提取像素电路190的老化。SEL被开关晶体管196和晶体管200共用。
图22示出了适当地应用了与图21相关的像素操作技术的3晶体管(3T)像素电路的另一示例。图22的像素电路210包括OLED212、存储电容器214、开关晶体管216以及驱动晶体管218。OLED212对应于图21的OLED192。存储电容器214对应于图21的存储电容器194。晶体管216和218对应于图21的晶体管196和198。像素电路210形成AMOLED显示器。
驱动晶体管218的漏极端子连接到电源线VDD，且驱动晶体管218的源极端子连接到OLED212。开关晶体管216连接在数据线VDATA和驱动晶体管218的栅极端子之间。存储电容器214的一个端子连接到驱动晶体管218的栅极端子，且存储电容器214的另一端子连接到驱动晶体管218的源极端子和OLED212。
为像素电路210提供传感晶体管220。晶体管220可以被包括在像素电路210中。晶体管220将驱动晶体管218的源极端子和OLED212连接到输出线VOUT。晶体管220对应于图21的晶体管200。晶体管220的栅极端子连接到选择线SEL。
通过监视输出线VOUT的电压来提取像素电路210的老化。SEL被开关晶体管216和晶体管220共用。
图23A示出了在提取操作中应用于图21和22的像素电路的信号波形的示例。图23B示出了在正常操作中应用于图21和22的像素电路的信号波形的示例。
参考图21、22和图23A，提取操作包括提取周期170。在提取周期170中，驱动晶体管(图21的198或图22的218)的栅极端子被充电到校准电压VCG。该校准电压VCG包括基于原先的老化数据计算出的老化预测。在提取周期230中，驱动晶体管(图21的198或图22的218)用作放大器，因为用通过VOUT的恒定电流将它偏置。由于施加到VOUT上的电流Ic而在VOUT上产生的电压为(VCD+ΔVCD)。因此，像素的老化被放大，且改变了VOUT的电压。因此，该方法能够提取极小量的阈值电压(VT)偏移，从而能实现高度精确的校准。VOUT中的变化被监视。然后，VOUT中的(一个或多个)变化用于编程数据的校准。
而且，通过在提取周期中向OLED施加电流/电压，***可以提取OLED的电压/电流和确定OLED的老化因素，并利用它来更精确地校准照明数据。
参考图21、22和23B，正常操作包括编程周期240和驱动周期242。在编程周期240中，通过使用监视结果(例如，VOUT的变化)，驱动晶体管(图21的198或图22的218)的栅极端子被充电到校准的编程电压VCP。在驱动周期242中，选择线SEL为低，且驱动晶体管(图21的198或图22的218)为OLED(图21的192或图22的212)提供电流。
图24示出了具有图21或22的像素电路的显示***的示例，其中VOUT独立于VDATA。图24的显示***1100包括具有以行和列的形式排列的多个像素1104的像素阵列。在图24中，示出了4个像素1104。不过，像素1104的数量可以根据***设计变化，而不局限于4个。像素1104可以是图21的像素电路190或图22的像素电路210。图24的像素阵列是有源矩阵发光显示器，且可以是AMOLED显示器。
SEL(k)(k＝i，i+1)是用于选择第k行的选择线，且对应于图21和图22的SEL。VOUT(1)(1＝j，j+1)是用于第1列的输出线，且对应于图21和图22的VOUT。VDATA(1)是用于第1列的数据线，且对应于图21和图22的VDATA。
栅极驱动器1106驱动SEL(k)。栅极驱动器1106包括用于为SEL(k)提供地址信号的地址驱动器。数据驱动器1108产生编程数据，并驱动VATA(1)。数据驱动器1108包括用于驱动和监视VOUT(1)的电压的监视器1110。提取器块1114基于VOUT(1)上产生的电压计算像素的老化。VDATA(1)和VOUT(1)被适当地激励，以用于图23A和23B的操作。使用监视结果(例如，VOUT(1)的变化)校准VDATA(1)。监视结果可被提供给控制器1112。数据驱动器1108、控制器1112、提取器1114或其组合可以包括用于存储监视结果的存储器。如上所述，控制器1112控制驱动器1106和1108以及提取器1114，以驱动像素1104。
图25A和25B示出了用于驱动图24的像素阵列的正常和提取周期的两个示例。在图25A和25B中，ROWi(i＝1，2，...)其中每一个代表第i行；“P”代表编程周期，且对应于图23B的240；“D”代表驱动周期，且对应于图23B的242；“E1”代表第一提取周期，且对应于图23A的230。在图25A中，可以在消隐时间中在每个帧的结尾发生提取。在该时间中，可以提取若干像素的老化。而且，可在所有像素都是OFF的若干帧之间***额外的帧。在该帧中，可以不影响图像质量地提取若干像素的老化。在图25B中，提取和编程并行进行。
图26示出了适当地应用了根据本发明的又一实施例的像素操作技术的3T像素电路的示例。图26的像素电路260包括OLED262、存储电容器264、开关晶体管266以及驱动晶体管268。像素电路260形成AMOLED显示器。
OLED262对应于图21的OLED192。电容器264对应于图21的电容器194。晶体管264和268分别对应于图21的晶体管196和198。开关晶体管266的栅极端子连接到第一选择线SEL1。
为像素电路260提供传感晶体管270。晶体管270可以被包括在像素电路260中。晶体管270连接在驱动晶体管268的漏极端子和VDATA之间。晶体管270的栅极端子连接到第二选择线SEL2。
通过监视数据线VDATA的电压来提取像素电路260的老化。VDATA被共享用于编程和提取像素。
图27示出了适当地应用了与图26有关的像素操作技术的3T像素电路的另一示例。图27的像素电路280包括OLED282、存储电容器284、开关晶体管286以及驱动晶体管288。像素电路280形成AMOLED显示器。
OLED282对应于图22的OLED212。电容器284对应于图22的电容器214。晶体管286和288分别对应于图22的晶体管216和218。开关晶体管286的栅极端子连接到第一选择线SEL1。
为像素电路280提供传感晶体管290。晶体管290可以被包括在像素电路280中。晶体管290连接在驱动晶体管288的源极端子和VDATA之间。晶体管290对应于图26的晶体管270。晶体管290的栅极端子连接到第二选择线SEL2。
通过监视数据线VDATA的电压提取像素电路280的老化。VDATA被共用于编程和提取像素老化。
图28A示出了在提取操作中应用于图26和27的像素电路的信号波形的示例。图28B示出了在正常操作中应用于图26和27的像素电路的信号波形的示例。
参考图26、27和图28A，提取操作包括第一和第二提取周期300和302。在第一提取周期300中，驱动晶体管的栅极端子(图26的268或图27的288)被充电到校准电压VCG。该校准电压VCG包括基于原先的老化数据计算出的老化预测。在第二提取周期302中，驱动晶体管(图26的268或图27的288)用作放大器，因为用通过VDATA的恒定电流将它偏置。因此，像素的老化被放大，且VDATA的电压相应的变化。因此，该方法能够提取极小量的电压阈值(VT)偏移，从而能实现高度精确的校准。VDATA中的变化被监视。然后，VDATA中的(一个或多个)变化被用于对编程数据进行校准。
而且，通过在提取周期中向OLED施加电流/电压，***可以提取OLED的电压/电流，判断OLED的老化因素并使用它进行照明数据的更精确的校准。
参考图26、27和28B，正常操作包括编程周期310和驱动周期312。在编程周期310中，通过使用监视结果(即，VDATA的变化)，驱动晶体管(图26的268或图27的288)的栅极端子被充电到校准的编程电压VCP。接下来，在驱动周期312中，选择线SEL1为低，且驱动晶体管(图26的268或图27的288)为OLED(图26的262或图27的282)提供电流。
图29示出了具有图26或27的像素电路的显示***的示例。图29的显示***1120包括具有以行和列形式排列的多个像素1124的像素阵列。在图29中，示出了4个像素1124。不过，像素1124的数量可以根据***设计变化，而不局限于4个。像素1024可以是图26的像素电路260或图27的像素电路280。图29的像素阵列是有源矩阵发光显示器，且可以是AMOLED显示器。
SEL1(k)(k＝i，i+1)是用于选择第k行的第一选择线，且对应于图26和图27的SEL1。SEL2(k)(k＝i，i+1)是用于选择第k行的第二选择线，且对应于图26和图27的SEL2。VDATA(1)(1＝j，j+1)是用于第1列的数据线，且对应于图26和图27的VDATA。
栅极驱动器1126驱动SEL1(k)和SEL2(k)。栅极驱动器1126包括用于为SEL1(k)和SEL2(k)提供地址信号的地址驱动器。数据驱动器1128产生编程数据并驱动VDATA(1)。数据驱动器1128包括用于驱动和监视VDATA(1)的电压的监视器1130。提取器块1134基于VDATA(1)上产生的电压计算像素的老化。VDATA(1)被适当地激励，以用于图28A和28B的操作。使用监视结果(例如，VDATA(1)的变化)校准VDATA(1)。监视结果可被提供给控制器1132。数据驱动器1128、控制器1132、提取器1134或其组合可以包括用于存储监视结果的存储器。如上所述，控制器1132控制驱动器1126和1128以及提取器1134，以驱动像素1124。
图30示出用于驱动图29的像素阵列的正常和提取周期的示例。在图30中，ROWi(i＝1，2，...)其中每一个代表第i行；“P”代表编程周期，且对应于图28B的310；“D”代表驱动周期，且对应于图28B的312；“E1”代表第一提取周期，且对应于图28A的300；且“E2”代表第二提取周期，且对应于图28A的302。提取可在消隐时间中在每个帧的结尾处发生。在该时间中，可以提取若干像素的老化。而且，可在所有像素都是OFF的若干帧之间***额外的帧。在该帧中，可以不影响图像质量地提取若干像素的老化。
根据在图1至28B中示出的本发明的实施例，像素老化被提取，且像素编程或偏置数据被校准，这提供了高度精确的操作。根据本发明的实施例，对平板的编程/偏置变得高度精确，从而使误差极少。因此，有利于实现用于显示器和传感器的高分辨率大面积平板。
以下使用图31A至35来进一步详细描述使用共享的数据线和选择线的编程和读出技术。
图31A和31B示出了在第j行和第i列具有读出能力的像素电路。图31A的像素包括用于驱动发光装置(例如，OLED)的驱动器电路352和用于监视来自于像素的采集数据(acquisition data)的感测电路(sensing circuit)356。设置晶体管354以基于选择线SEL[j]上的信号将数据线DATA[i]连接到驱动器电路352。设置晶体管358以将监视电路356的输出端连接到读出线Readout[i]。在图31A中，像素是经由晶体管354通过数据线DATA[i]编程的，且采集数据经由晶体管358通过读出线Readout[i]读回。
感测电路356可以是传感器、TFT或OLED本身。图31A的***使用额外的线(即Readout[i])。
在图31B的像素中，晶体管358连接到数据线DATA[i]或相邻的数据线，例如DATA[i-1]，DATA[i+1]。通过第一选择线SEL1[i]来选择晶体管354，而晶体管358通过额外的选择线SEL2[i]选择。在图31B中，像素经由晶体管354通过数据线DATA[i]编程，且采集数据经由晶体管358通过相同的数据线或用于相邻行的数据线读回。然而，面板中的行数一般小于列数，图31B的***使用额外的选择线。
图32示出了适当地应用了根据本发明的又一实施例的像素操作技术的像素电路的示例。图32的像素电路370位于第j行和第i列。在图32中，数据线和读出线合并起来而不添加额外的选择线。图32的像素电路370包括用于驱动发光装置(例如OLED)的驱动器电路372和用于感测来自于像素的采集数据的感测电路376。设置晶体管374以基于选择线SEL[i]上的信号连接数据线DATA[i]到驱动器电路372。当SEL[j]高时，像素被编程。为感测电路376提供传感网络378。
感测电路376感测驱动器电路352的像素电学、光学或温度信号。因而，感测电路376的输出确定随时间产生的像素老化。监视电路376可以是传感器、TFT、像素的TFT或像素的OLED(例如，图1的14)。
在一个示例中，感测电路376经由传感网络378连接到像素所处的列的数据线DATA[i]。在另一示例中，感测电路376经由传感网络378连接到用于其中一个相邻列(例如DATA[i+1]或DATA[i-1])的数据线。
传感网络378包括晶体管380和382。晶体管380和382串联地连接在监视器电路376的输出端与数据线(例如DATA[i]、DATA[i-1]、DATA[i+1])之间。通过相邻行的选择线(例如SEL[i-1]，SEL[i+1])选择晶体管380。通过选择线SEL[i]选择晶体管382，该选择线还连接到晶体管374的栅极端子。
驱动器电路372、监视器电路376以及开关374、380和382可以用非晶硅、多晶硅、有机半导体或CMOS技术制造。
图32的配置可以使用不同的时间调度。不过，图33中示出了其中的一种。图33的操作周期包括编程周期380、驱动周期392和读回周期394。
参考图32和33，在编程周期390中，当SEL[i]为ON时，通过DATA[i]对像素编程。在驱动周期392中，SEL[i]变为OFF。对于读出处理394，SEL[i]和一个相邻的行选择线SEL[i-1]或SEL[i+1]为ON，所以，通过与传感网络378相连的DATA[i]、DATA[i-1]或DATA[i+1]读回监视数据。
晶体管380和382可以很容易地交换而不影响读出处理。
图34示出了适当地应用了与图32相关的像素操作技术的像素电路的另一示例。图34的像素电路400位于第j行第i列。在图34中，数据和读出线合并，而不添加额外的选择线。图34的像素电路400包括OLED(未示出)、驱动器电路372以及感测电路376。为感测电路376提供传感网络408。传感网络408包括晶体管410和412。晶体管410和412分别与图32的晶体管380和382相同或相似。晶体管410的栅极端子连接到用于(j-1)行的选择线SEL[j-1]。晶体管412的栅极端子连接到用于(j+1)行的选择线SEL[j+1]。当SEL[i]为高时，像素被编程。晶体管412可以被多于一个的像素共用。
在一个示例中，监视电路376经由传感网络408连接到像素所处的列的数据线DATA[j]。在另一示例中，监视电路376经由传感网络408连接到用于其中一个相邻列的数据线(例如DATA[i-1]，DATA[i+1])。
开关410和412可以以非晶硅、多晶硅、有机半导体或CMOS技术制造。
图34的配置可以使用不同的时间调度。不过，图35中示出了其中的一种。图35的操作周期包括编程周期420、驱动周期422和读回周期424。
参考图34和35，在编程周期420中，当SEL[j]为ON时，像素通过DATA[i]编程。在驱动周期422中，SEL[j]变为OFF。对于读出处理424，SEL[j-1]为ON，所以，通过与传感网络408相连的DATA[i]、DATA[i-1]或DATA[i+1]读回监视数据。晶体管410和412可很容易交换，而不影响读出处理。
具有图31和34的像素结构的显示***类似于上述显示***。从传感网络读回的数据用于对编程数据进行校准。
图32至40中示出的根据本发明的实施例的技术共用了用于对像素电路进行编程的数据线和用于提取像素老化数据的读出线，而不会影响像素电路操作且不添加额外的控制信号。与面板相连的信号数显著减小。因而驱动器的复杂度减小。在特定的AMOLED显示器中，这减小了外部驱动器的实施成本，且减小了有源矩阵发光显示器的校准束止(tourniquet)的成本。
用图36至38详细地描述用于增强校准技术的开口率像素电路的技术。
图36示出了根据本发明的又一实施例的像素阵列的示例。图36的像素阵列500包括以行和列的形式排列的多个像素电路510。在图36中，示出了第j列的两个像素510。像素电路510包括OLED512、存储电容器514、开关晶体管516以及驱动晶体管518。OLED512对应于图22的OLED212。存储电容器514对应于图22的存储电容器214。晶体管516和518对应于图22的晶体管216和218。
驱动晶体管518的漏极端子连接到电源线VDD，且驱动晶体管518的源极子连接到OLED512。开关晶体管516连接在相应的数据线Data[j]和驱动晶体管518的栅极端子之间。存储电容器514的一个端子连接到驱动晶体管518的栅极端子，且存储电容器514的另一端子连接到驱动晶体管518的源极端子和OLED512。
为像素阵列500提供传感网络550。网络550包括传感晶体管534和用于每个像素的传感晶体管532。晶体管532可以被包括在像素500中。传感晶体管534连接到用于多个像素510的开关晶体管532。在图36中，传感晶体管534连接到用于第j列中的两个像素510的两个开关晶体管532。
用于位置(i，j)处的像素510的晶体管532经由晶体管534连接到数据线DATA[j+1]，且还连接到位置(i，j)处的像素510中的OLED512。类似地，用于位置(i-h，j)处的像素510的晶体管532经由晶体管534连接到数据线DATA[j+1]，且还连接到位置(i-h，j)处的像素510中的OLED512。DATA[j+1]是用于对(j+1)列进行编程的数据线。
通过第“k”行的选择线SEL[k]选择用于位置(i，j)处的像素510的晶体管532。通过第k’行的选择线SEL[k’]选择用于位置(i-h，j)处的像素510的晶体管532。通过第“t”行的选择线SEL[t]选择传感晶体管534。在“i”、“i-h”、“k”、“k’”和“t”之间可以没有联系。不过，为了使紧凑的像素电路具有较高的分辨率，它们最好是连续。两个晶体管532通过内部线(即监视线Monitor[j，j+1])连接到晶体管534。
一列中的像素510被分成几个片段(每个片段具有“h”个像素)。在图36的像素阵列500中，一列中的两个像素处于一个片段中。校准组件(例如晶体管534)被这两个像素共用。
在图36中，第j列的像素通过数据线DATA[j]编程，且采集数据通过例如DATA[j+1](或DATA[j-1])的相邻列的数据线读回。因为在编程和提取过程中SEL(i)为OFF，开关晶体管516为OFF。传感晶体管534确保没有冲突的读出和编程过程。
图37示出了使用图36的像素矩阵500的RGBW结构。在图37中，两个像素形成一个片段。在图37中，“CSR”、“T1R”、“T2R”和“T3R”是用于红色“R”像素的组件，且对应于图36的514、518、516和532；“CSG”、“T1G”、“T2G”和“T3G”是用于绿色“G”像素的组件，且对应于图36的514、518、516和532；“CSB”、“T1B”、“T2B”和“T3B”是用于蓝色“B”像素的组件，且对应于图36的514、518、516和532；“CSW”、“T1W”、“T2W”和“T3W”是用于白色“W”像素的组件，且对应于图36的514、518、516和532。
在图37中，“TWB”代表被用于“W”和“B”的两个像素共享的传感晶体管，且对应于图36的传感晶体管534；且“TGR”代表被用于“G”和“R”的两个像素共享的传感晶体管，且对应于图36的传感晶体管534。
晶体管T3W和T3G的栅极端子连接到用于第i行的选择线SEL[i]。晶体管T3B和T3R的栅极端子连接到用于第i行的选择线SEL[i+1]。传感晶体管TWB的栅极端子和传感晶体管TGR的栅极端子连接到用于第i行的选择线SEL[i]。
使用SEL[i]来感测的两个相邻片段的传感晶体管TWB和TGR被放置在使用SEL[i]来编程的像素的片段区域中，以减小版图(layout)的复杂度，其中一个片段包括共用相同的传感晶体管的两个像素。
图38示出了用于图37的像素电路的版图。在图38中，“R”是与用于红色的像素相关的区域；“G”是与用于绿色的像素相关的区域；“B”是与用于蓝色的像素相关的区域；“W”是与用于白色的像素相关的区域。“TWB”对应于图37的传感晶体管TWB，且被用于白色的像素和用于蓝色的像素共享。“TGR”对应于图37的传感晶体管TGR，且被用于绿色的像素和用于红色的像素共享。例如，像素的尺寸为208um×208um。它显示出该电路对于高分辨率显示器的极小像素的应用性。
已经通过示例的方式描述了一个或多个当前优选实施例。对于本领域技术人员而言，很明显，可以在不偏离权利要求限定的本发明的范围的情况下做出很多变化和修改。

Claims (18)

1.一种显示***，包括：
布置成多行多列的矩阵形式的多个像素，每个像素具有发光装置、用于驱动所述发光装置的驱动晶体管和用于选择所述像素的开关晶体管；
用于所述多行像素中的每一行像素的电源线，该电源线连接到每个像素的驱动晶体管；
多条用于选择所述矩阵中的所述像素行的选择线；
多条数据线，用于向所述矩阵中的所述像素列供应校准电压和显示数据，所述校准电压包括校准电压VCG，该校准电压VCG在第一提取周期期间被提供到被选像素的所述驱动晶体管的栅极端子，并且包括老化预测；
栅极驱动器，通过所述电源线和所述选择线被连接到每个像素中的驱动晶体管，用于在具有第一提取周期和第二提取周期的提取操作中提取像素的老化，并且
所述栅极驱动器在所述第二提取周期期间，通过所述电源线向被选像素的所述驱动晶体管供应电流，使得所述驱动晶体管作为电压放大器工作以产生与所述被选像素的随着该像素老化而变的特性相对应的放大电压，所述放大电压放大所述被选像素的所述特性中的任何阈值电压偏移。
2.根据权利要求1所述的显示***，包括监视线，并且电路***包括传感网络，用于将所述发光装置和所述驱动晶体管之间的路径连接到所述监视线。
3.根据权利要求2所述的显示***，其中，所述监视线包括直接或间接地连接到所述发光装置或所述驱动晶体管的电源线、用于提供显示数据的数据线或者连接到所述发光装置和所述驱动晶体管中的至少一者的输出数据线。
4.根据权利要求2所述的显示***，其中，通过第一选择线选择每个像素的开关晶体管，且其中，通过第二选择线激励所述传感网络。
5.根据权利要求2所述的显示***，其中，用同一条选择线选择所述 开关晶体管以及激励所述传感网络。
6.根据权利要求2所述的显示***，其中，所述传感网络包括用于将所述路径连接到所述监视线的传感晶体管。
7.根据权利要求6所述的显示***，其中，通过同一条选择线选择所述开关晶体管和所述传感晶体管。
8.根据权利要求2所述的显示***，其中，所述传感网络包括用于将所述路径连接到所述监视线的第一传感晶体管和第二传感晶体管。
9.根据权利要求8所述的显示***，其中，通过选择线选择所述开关晶体管，通过第二选择线选择所述第一传感晶体管，通过第三选择线选择所述第二传感晶体管。
10.根据权利要求1所述的显示***，包括监视线，并且其中，每个像素包括用于监视所述像素老化的感测电路，且其中，所述电路***包括用于将所述感测电路连接到所述监视线的传感网络。
11.根据权利要求10所述的显示***，其中，所述传感网络包括用于将所述电路***连接到所述监视线的第一传感晶体管和第二传感晶体管。
12.根据权利要求11所述的显示***，其中，通过选择线选择所述开关晶体管，通过第二选择线选择所述第一传感晶体管，且通过第三选择线选择所述第二传感晶体管。
13.根据权利要求8所述的显示***，其中，所述第一传感晶体管被分配给每个像素，且其中，第二感测开关被分配给多于一个像素的多于一个的第一传感晶体管。
14.根据权利要求1所述的显示***，其中，所述像素形成RGBW像 素阵列。
15.根据权利要求1所述的显示***，包括为每个像素提供的编程线，该编程线用于提供编程数据和监视所述像素的变化。
16.根据权利要求1所述的显示***，其中，当被选像素行中的一个像素被供应以所述校准电压时，所述驱动器向所述被选像素行供应电流。
17.根据权利要求1所述的显示***，其中，所述***的至少一部分使用选自非晶硅、多晶硅和纳米/微型晶硅中的至少一种材料并利用选自有机半导体技术、TFT、NMOS/PMOS技术、CMOS技术和MOSFET技术中的至少一种技术制造。
18.一种用于驱动显示***的方法，所述显示***包括布置成多行多列的矩阵形式的多个像素，每个所述像素具有发光装置、用于驱动所述发光装置的驱动晶体管和用于选择所述像素的开关晶体管，所述方法包括：
选择所述矩阵中的所述像素行；
向所述矩阵中的像素列供应校准电压和显示数据，所述校准电压包括校准电压VCG，该校准电压VCG在所述第一提取周期期间被提供到被选像素的所述驱动晶体管的栅极端子，并且包括老化预测；
在具有第一提取周期和第二提取周期的提取操作中提取所被选像素的老化；
在所述第二提取周期期间，通过所述电源线向所述被选像素的所述驱动晶体管供应电流，使得所述驱动晶体管作为电压放大器工作以产生与所述被选像素的随着该像素的老化而变的特性相对应的放大电压，所述放大电压放大所述被选像素的所述特性中的任何偏移。 
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