CN101438631B - 辐射发生装置、光刻设备、器件制造方法及其制造的器件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种通过电操作放电产生辐射的设备，所述设备具有第一电极(喷嘴21a产生)、第二电极和电容器组(24)。该电极被彼此间隔一定距离配置以便允许等离子体激发。该电容器组的第一终端(A)电连接到该第一电极而第二终端(B)电连接到该第二电极，并被配置成存储放电能量。该电极和电容器组组成电路。至少该第一电极通过经由第一馈送管线(45)提供的电传导流体形成。该设备还具有充电器(51)和第一高电感单元(50)。该充电器连接到所述终端中的至少一个。该第一高电感单元被设置在该第一馈送管线中的该第一终端上游以电解耦该电路。
Description
技术领域
本发明涉及一种辐射发生装置，一种光刻设备，一种器件制造方法及其制造的器件。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单独的衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印(imprinting)到所述衬底上，将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。
在光刻设备中，能够被成像在衬底上的特征的尺寸受到辐射束波长的限制。为了产生具有更高器件密度以及随之而来的更高操作速度的集成电路，需要能够成像更小特征。虽然大多数现有的光刻投影设备使用由汞灯或准分子激光器产生的紫外光，但是也已经提出了可以采用较短波长辐射，例如，大约13nm。这种辐射是所谓的极紫外线(EUV)或软X射线，并且可能的光源包括激光诱导的等离子体源和放电等离子体源。这些源利用高电压并且需要操作者在操作中注意安全。
发明内容
考虑到现有技术，需要提供一种产生具有改进的性能的辐射的设备。
为此，在实施例中，本发明提供一种通过电操作放电产生辐射的设备。该设备包括第一电极和第二电极，该第一和第二电极被彼此间隔一定距离配置，以便允许该第一和第二电极之间的气态介质的等离子体激发；在第一终端电连接到该第一电极而在第二终端电连接到该第二电极的电容器组，该电容器组被配置成存储等离子体激发所需的放电能量，该第一电极、第二电极和电容器组组成电路，其中至少该第一电极通过经由第一馈送管线提供的电传导流体形成。
该设备还可以包括连接到该第一和第二终端中的至少一个以时间改变的方式给该电容器组充电的充电器；提供在该第一馈送管线中的该第一终端上游以电解耦该电路的第一高电感单元。
此外，本发明提供一种光刻设备，包括：配置成调节辐射束的照射***；配置成支撑图案形成装置的支架，该图案形成装置被配置成将图案在该辐射束的横截面上赋予该辐射束以形成图案化的辐射束；配置成保持衬底的衬底台；以及配置成将该图案化的辐射束投影到该衬底的目标部分上的投影***，其中该照射***包括这种通过电操作放电产生辐射的设备。
另外，本发明提供一种利用这种光刻设备制造的器件。
本发明同样涉及一种通过电操作放电产生辐射的设备。该设备包括第一电极和第二电极，该第一和第二电极被彼此间隔一定距离配置以便允许该第一和第二电极之间的气态介质的等离子体激发；在第一终端电连接到该第一电极而在第二终端电连接到该第二电极的电容器组，该电容器组被配置成存储等离子体激发所需的放电能量，该第一电极、第二电极和电容器组组成电路，其中该第一电极通过经由第一馈送管线提供的电传导流体形成，并且该第二电极通过经由第二馈送管线提供的电传导流体形成，该第一馈送管线包括配置成以一定材料的第一喷射流形式提供该第一电极的第一喷嘴，并且该第二馈送管线包括配置成以一定材料的第二喷射流形式提供该第二电极的第二喷嘴。
该设备还可以包括以时间改变的方式给该电容器组充电的充电器；提供在该第一馈送管线中的该第一终端上游的第一高电感单元，该第一高电感单元包括该第一馈送管线的第一线圈形状部分；提供在该第二馈送管线中的该第二终端上游的第二高电感单元，该第二高电感单元包括该第二馈送管线的第二线圈形状部分。
附图说明
在此仅借助示例，参照所附示意图对本发明的实施例进行描述，在所附示意图中，相同的附图标记表示相同的部分，且其中：
图1描述的是根据本发明实施例的光刻设备；
图2描述的是根据现有技术的辐射源；
图3描述的是包括能与图2中的辐射源结合使用的反馈***的组件；
图4描述的是提供有本发明实施例的图3中所描述的组件；
图5描述的是图4中所描述的高电感元件的实施例；以及
图6描述的是图4中所描述的组件中的另一个位置处的高电感元件的实施例。
具体实施方式
图1示意性地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述设备包括：照射***(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；支撑件(例如掩模台)MT，配置用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；以及投影***(例如折射式投影透镜***)PS，所述投影***PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。
所述照射***可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形和/或控制辐射。
支撑件支撑图案形成装置，例如承担所述图案形成装置的重量。它以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑件可以采用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术保持图案形成装置。所述支撑件可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑件可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影***)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上所需的图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，可以独立地倾斜每一个小反射镜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
应该将这里使用的术语“投影***”广义地解释为包括任意类型的投影***，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学***、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影***”同义。
如这里所示的，所述设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在将一个或更多个其它台和/或支撑结构用于曝光的同时，在一个或更多个台上执行预备步骤。
所述光刻设备也可以是其中衬底的至少一部分被折射率相对高的液体(例如水)所覆盖以便填充所述投影***和所述衬底之间的空隙的类型。浸没液也可以被应用到光刻设备中的其它空隙中，例如在掩模和投影***之间的空隙。在此所使用的术语“浸没”并不意味着结构(例如衬底)必须浸没在液体中，而仅仅意味着在曝光过程中，液***于投影***和衬底之间。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成光刻设备的组成部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递***BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其他情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时的所述束传递***BD一起称作辐射***。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑件(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影***PS，所述PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和定位传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个定位传感器IF1用于将掩模MA相对于所述辐射束B的路径精确地定位。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是他们可以位于目标部分之间的空隙(这些公知为划线对齐标记)上。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。
可以将所述设备用于以下模式的至少一种：
1.在步进模式中，在将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上的同时，将掩模台MT和衬底台WT保持为基本静止(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影***PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一的动态曝光中的所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持为基本静止状态，并且在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对所述衬底台WT进行移动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
在本描述中，将通过应用于由申请人在美国专利申请公开出版物2006/0011864A1中所描述的辐射源例子解释本发明的实施例。但是，应该意识到相似的或其它实施例可以被应用于不同的辐射源，例如，如同Philips的国际申请公开出版物WO2005/025280中所描述的EUV/软X射线源。
图2描述的是美国专利申请公开出版物US2006/0011864A1中已知的辐射源SO’。该辐射源SO’包括配置成容纳两个喷嘴21a，21b的外壳20，该两个喷嘴21a，21b电连接到电容器组24，在这种情况下，该电容器组包括配置成存储放电能量的单个电容器。该电容器组24具有正端子B和负端子A。喷嘴21a，21b提供电传导流体喷射流23a，23b。该流体通过馈送管线(未示出)供给，例如，配置成容纳流体流的合适软管或导管。贯穿整个说明书，流体指的是液体状态的材料(例如熔融物)，和作为载体浸没在液体中的固态颗粒。所述流体可以包括选择自包括锡(Sn)、铟(In)、镓(Ga)和锂(Li)的组中的一个或更多个元素。像Sn、In、Ga或Li的电传导材料的使用确保喷射流23a，23b和电容器组24的电连接。因此，喷射流23a，23b可以认为是电极。在图2描述的情况下，喷射流23a具有正电压并因此起到阳极的作用。另一个喷射流，即喷射流23b，具有负电压并因此起到阴极的作用。
外壳20还容纳两个储存器25a，25b。当喷射流23a，23b前进到外壳20内的空间中时，它们分别分解成液滴26a，26b。储存器25a，25b配置成分别收集分开的液滴26a，26b。分解成液滴26a，26b阻止储存器25a，25b和电容器组24之间的电接触。一定可以意识到除了两个储存器25a，25b之外，也能够使用单个储存器分别收集两个喷射流23a，23b的独立的液滴26a，26b。为了确保它们将分别分解成液滴26a，26b，对于0.2-1mm的喷射流直径，喷射流23a，23b的合适长度是3-30cm。
外壳20还容纳配置成提供例如激光束28的能量束的能量源，例如，激光源27。激光束28对准喷射流23a，23b中的一个，在该情况下对准喷射流23a，对于局部位置，即激光束28接触喷射流23a的位置，蒸发喷射流23a中的电传导材料以形成气态介质32。这种气态介质32的存在允许放电30导致的等离子体的激发，从而产生辐射29，例如，EUV辐射或软X射线辐射。
激光源27的典型的参数是：
每个脉冲能量：对于Sn放电是10-100mJ而对于Li放电是1-10mJ；
脉冲持续时间：1-100ns；
激光波长：0.2-10μm；以及
激光频率：5-100kHz。
图3示意性地描述了包括能够和图2的辐射源结合使用的反馈***40的组件。反馈***40被配置成重新使用由储存器25a，25b分别收集在液滴26a，26b中的电传导流体。在图3中，描述了单个储存器41。该反馈***包括熔融室42，泵43和过滤器44。该熔融室被用来熔融由储存器41所收集的电传导材料以形成流体以便使其适于通过合适的导管和软管45，即馈送管线，向喷嘴21a，21b传输。在接合点C，馈送管线45分成对应负端子A的第一馈送管线45a和对应正端子B的第二馈送管线45b。泵43使这种传输能够实现，同时过滤器44将污染物从该流体过滤出去。熔融室42、泵43和过滤器44可以被接合成单个流体供给单元或反馈单元，但是也可以形成反馈***40，作为分立单元的组合。
存储在电容器组24中的放电能量导致电容器组24的相对侧上的馈送管线间的高的电压差。因此，通过馈送管线45a和45b中的电传导流体的端子A和B之间的电阻抗需要较高。然而，实际上，高电压仍然到达该反馈***。为了适应于该高电压，反馈***40可以是两个，即每个喷嘴21a，21b具有单独的加热室42、泵43和过滤器44以确保喷射流23a，23b的形成而整个组件中没有任何短路。另外，该高电压可以被施加到两个喷射流23a，23b中的一个，并因此将只到达两个反馈***中的一个。但是，这种辐射源SO’的操作变得更复杂和危险。
图4示意性地描述了提供有本发明实施例的图3中所描述的组件。在该实施例中，该组件还包括高电感单元50和脉冲充电器51，例如，脉冲同步充电器。该高电感单元50位于接合点A，B和接合点C之间。如美国专利申请公开出版物2006/0011864A1中所公开的，放电30所产生的电流感生磁场。该磁场产生收缩(压缩)，离子和自由电子在其中通过碰撞而产生。在所述收缩中，一些电子将落到比原子的导带低的带并因此产生上述辐射29。为了有效地操作辐射源SO’，即最小化能量损耗，两个喷射流23a、23b、电容器组24和放电30形成的电路(即“内电路”)的电感，需要尽可能的小。这可以通过最小化上述元件和现象之间的距离来完成。高电感单元50还增加这一方面，因为其提供端子A和接合点C之间、以及端子B和接合点C之间的高电感。因此，反馈***40从内电路解耦。另外，高电感单元50在主放电30之前阻止能量损耗。
在一实施例中，脉冲充电器51被配置成对电容器组24的一侧进行负向充电，并对电容器组24的另一侧进行正向充电，其中正负电荷的幅度相等。因此，由于该高电感单元50的存在，馈送管线45和反馈***40的主要部分被限定在接地电位并且保持在该电位。
在另一个实施例中，脉冲充电器51被配置成对电容器组24的一侧进行正向或负向充电，而电容器组24的另一侧接地。在这种情况下，在一实施例中，高电感单元不从具有接地电位的喷射流23a解耦，而只是从连接到脉冲充电器51的充电侧的喷射流23b解耦。在这种实施例中，泵43受到很好的保护以免由于电压导致的损坏。
图5示意性地描述了图4中描述的高电感单元50的实施例。该高电感单元50包括用于每个馈送管线的通过成形各自馈送管线的部分为各自的绕线而形成的线圈55a，55b。为了提供更高的电感值，并因此导致更长的高电感单元保留时间，并且为了减少传导损耗，饱和铁心56，例如铁磁心，可以被用在线圈55a，55b中。这种饱和铁心56的使用能够实现0.01-10mH的电感。应该可以意识到的是，饱和铁心56也可以以线性(非饱和)方式操作。合适的电感取决于充电时间，而充电时间取决于充电单元能获得的能量。例如，2mC的总电荷，2.4kV的电压以及10μs的充电时间将产生1mH的最小电感。相似地，较短的充电时间，即1μs，将导致0.01mH的最小电感。饱和铁心56可包括铁磁材料，例如像金属玻璃非晶态金属(METGLAS)2605CO的纳米晶体合金以能够获得大约5-100kHz频率的操作，即EUV源的合理频率。另外，这种合金具有高磁导率，即50,000-100,000，以及大约400-450℃的相当高的居里温度。在另一实施例中，饱和铁心56包括另一种铁磁材料，即铁氧体。
应该可以意识到的是两个线圈51a，51b之间的饱和铁心56的示意性表示并不意味着饱和铁心56被设置在两个线圈51a，51b之间。实际上，两个线圈51a，51b通常围绕饱和铁心56缠绕。可替换地，两个线圈51a，51b可以具有它们各自的饱和铁心56。
另外，应该意识到在参照图4描述的实施例中，两个喷射流23a，23b中只有一个被解耦，两个线圈51a，51b中只有一个被提供。也就是说，对于喷射流23a被充电而喷射流23b被保持地电位的情况，只有喷射流23a将被线圈51a感应地解耦。
取代通过将储存器，例如图2中的储存器25a、25b设置在一位置以致于它们收集已经分解成液滴，例如液滴26a、26b的电传导材料将内电路从反馈***解耦，可以使用用于解耦的不同配置。在这种配置中，如图6中描述的，附加的高电感单元60定位在储存器62a、62b和反馈管线63a、63b之间。反馈管线63a、63b分别向反馈***40传输储存器62a、62b所收集的材料。应该意识到的是反馈管线63a、63b可以连接到位于附加高电感单元60和反馈***40之间的接合点以便形成单个反馈管线63，如图6中所示，但是也可以包括分立的反馈管线。
由于储存器62a、62b没有必要再位于这一位置，在该位置处像图2中的喷射流23a、23b的分立电极的电传导材料被分解成液滴，从而在本实施例中收集单个储存器中的材料是不可能的。在这种情况下，内电路将会短路。
在图6所示的实施例中，附加的高电感单元60包括两个线圈61a、61b。每个线圈对应于向反馈***40传输分别收集在储存器62a、62b中的材料的反馈管线。通过成形各自反馈管线的部分为各自的绕线来形成用于每个反馈管线的线圈61a，61b。为了提供更高的电感值，并因此带来更长的高电感单元保留时间，并且为了减少传导损耗，饱和铁心64(例如铁磁心)可以被用在线圈61a，61b中。这种饱和铁心64的使用能够实现0.01-10mH的电感。应该可以意识到的是，饱和铁心64也可以以线性(非饱和)方式操作。合适的电感取决于充电时间，而充电时间取决于充电单元能获得的能量。例如，2mC的总电荷，2.4kV的电压以及10μs的充电时间将产生1mH的最小电感。相似地，较短的充电时间，即1μs，将导致0.01mH的最小电感。饱和铁心64可包括例如像METGLAS 2605 CO的纳米晶体合金以能够获得频率为5-100kHz的操作，即EUV源的合理频率。另外，这种合金具有高的磁导率，即50,000-100,000，以及大约400-450℃的相当高的居里温度。在另一实施例中，饱和铁心64包括铁氧体。
再次，应该意识到的是两个线圈61a，61b之间的饱和铁心64的示意性表示并不意味着饱和铁心64被设置在两个线圈61a，61b之间。实际上，两个线圈51a，51b通常围绕饱和铁心56缠绕。可替换地，两个线圈61a，61b可以具有它们各自的饱和铁心64。
尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造IC，但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学***、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”和“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻的情况中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明可以用于其他应用中，例如压印光刻，并且只要情况允许，不局限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。
在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。
以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。
Claims (41)
1.一种通过电操作放电产生辐射的设备，包括：
第一电极和第二电极，所述第一和第二电极被彼此间隔一定距离配置以便允许在所述第一和第二电极之间的气态介质中激发等离子体激发；
电容器组，所述电容器组在第一终端电连接到该第一电极而在第二终端电连接到该第二电极，所述电容器组被配置成存储该等离子体激发所需的放电能量，所述第一电极、第二电极和电容器组组成电路，其中至少所述第一电极通过经由第一馈送管线提供的电传导流体形成，所述设备还包括：
充电器，所述充电器连接到所述第一和/或第二终端，配置用于以时间改变的方式给所述电容器组充电；以及
第一高电感单元，所述第一高电感单元设置在该第一馈送管线中的该第一终端上游以电解耦所述电路。
2.根据权利要求1的设备，其中所述辐射是极紫外辐射。
3.根据权利要求1的设备，其中所述充电器是脉冲充电器。
4.根据权利要求1的设备，还包括：
激光束，所述激光束配置用于通过提供配置用于部分地蒸发所述电传导流体的激光束的方式形成所述气态介质。
5.根据权利要求1的设备，其中所述第一高电感单元包括所述第一馈送管线的第一线圈形状部分。
6.根据权利要求5的设备，其中所述第一线圈形状部分具有第一饱和铁心。
7.根据权利要求6的设备，其中所述第一饱和铁心包括包含纳米晶体合金的组的铁磁材料。
8.根据权利要求7的设备，其中所述纳米晶体合金是金属玻璃非晶态金属(METGLAS)或铁氧体。
9.根据权利要求6的设备，其中所述第一高电感单元被配置成提供0.01-10mH的电感。
10.根据权利要求1的设备，其中所述第一馈送管线包括第一喷嘴，所述第一喷嘴配置成提供材料喷射流形式的第一电极。
11.根据权利要求10的设备，其中所述材料包括包含锡、铟、镓和/或锂的一组元素。
12.根据权利要求1的设备，其中所述第一电极通过经由第一馈送管线供给的电传导流体形成，并且所述第二电极通过经由第二馈送管线施加的电传导流体形成，所述第一馈送管线包括位于配置成以第一材料喷射流形式提供所述第一电极的所述第一终端下游的第一喷嘴，并且所述第二馈送管线包括位于配置成以第二材料喷射流形式提供所述第二电极的所述第二终端下游的第二喷嘴，其中所述设备还包括位于所述第二馈送管线中的所述第二终端上游的第二高电感单元以电解耦所述电路。
13.根据权利要求12的设备，其中所述第一高电感单元包括所述第一馈送管线的第一线圈形状部分，而所述第二高电感单元包括所述第二馈送管线的第二线圈形状部分。
14.根据权利要求13的设备，其中所述第一线圈形状部分提供有第一饱和铁心，而所述第二线圈形状部分提供有第二饱和铁心。
15.根据权利要求14的设备，其中所述第一饱和铁心和第二饱和铁心中的至少一个包括包含纳米晶体合金的组的铁磁材料。
16.根据权利要求15的设备，其中所述纳米晶体合金是金属玻璃非晶态金属(METGLAS)或铁氧体。
17.根据权利要求15的设备，其中所述第一高电感单元和第二高电感单元中的至少一个被配置成提供0.01-10mH的电感。
18.根据权利要求12的设备，其中所述材料包括包含锡、铟、镓和/或锂的一组元素。
19.根据权利要求10的设备，还包括：
储存器，所述储存器配置成在所述喷射流已经分解成液滴的位置收集所述材料喷射流。
20.根据权利要求10的设备，其中所述设备还包括配置成收集所述材料喷射流的储存器和配置成向所述第一馈送管线反馈所述储存器中所收集的材料的反馈***，所述反馈***包括：
熔融室，所述熔融室连接到所述储存器，并被配置成熔融所收集的材料以形成特定材料的熔融物；
过滤器，所述过滤器连接到所述第一馈送管线，并被配置成从所述材料的熔融物中过滤出污物；以及
泵，所述泵配置成从所述熔融室向所述过滤器泵送所述熔融物。
21.根据权利要求20的设备，其中所述储存器包括配置成收集对应于所述第一电极的所述喷射流材料的第一收集单元，所述设备还设置有在所述储存器和反馈***之间的第一反馈管线中的第三高电感单元。
22.根据权利要求21的设备，其中所述第三高电感单元包括所述第一反馈管线中的第三线圈形状部分。
23.根据权利要求22的设备，其中所述第三线圈形状部分提供有第三饱和铁心。
24.根据权利要求23的设备，其中所述第三饱和铁心包括包含纳米晶体合金的组的铁磁材料。
25.根据权利要求24的设备，其中所述纳米晶体合金是金属玻璃非晶态金属(METGLAS)或铁氧体。
26.根据权利要求23的设备，其中所述第三高电感单元被配置成提供0.01-10mH的电感。
27.根据权利要求12的设备，还包括：
第一储存器，所述第一存储器配置成收集所述特定材料的第一喷射流；
第二储存器，所述第二储存器配置成收集所述特定材料的第二喷射流；以及
反馈***，所述反馈***经由第一反馈管线连接到所述第一储存器并且经由第二反馈管线连接到所述第二储存器，所述反馈***被配置成向所述第一馈送管线和/或第二馈送管线反馈收集在所述第一和第二储存器中的所述特定材料，所述反馈***包括：
熔融室，所述熔融室连接到所述第一和第二储存器，并被配置成熔融分别收集的材料以形成特定材料的熔融物；
过滤器，所述过滤器连接到所述第一馈送管线和/或第二馈送管线，并被配置成从所述材料的熔融物中过滤出污物；以及
泵，所述泵配置成从所述熔融室向所述过滤器泵送所述熔融物，其中所述设备还设置有位于所述第一反馈管线中的所述第一储存器下游的第三高电感单元以及位于所述第二馈送管线中的所述第二储存器下游的第四高电感单元。
28.根据权利要求27的设备，其中所述第三高电感单元包括所述第一反馈管线中的第三线圈形状部分，并且所述第四高电感单元包括所述第二反馈管线中的第四线圈形状部分。
29.根据权利要求28的设备，其中所述第三线圈形状部分设置有第三饱和铁心，而所述第四线圈形状部分设置有第四饱和铁心。
30.根据权利要求29的设备，其中所述第三饱和铁心和第四饱和铁心中的至少一个包括包含纳米晶体合金的组的铁磁材料。
31.根据权利要求30的设备，其中所述纳米晶体合金是金属玻璃非晶态金属(METGLAS)或铁氧体。
32.根据权利要求29的设备，其中所述第三高电感单元和第四高电感单元中的至少一个被配置成提供0.01-10mH的电感。
33.一种光刻设备，包括：
照射***，所述照射***配置成调节辐射束；
支撑件，所述支撑件配置成支撑图案形成装置，所述图案形成装置被配置成将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束；
衬底台，所述衬底台配置成保持衬底；以及
投影***，所述投影***配置成将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上，其中所述照射***包括通过电操作放电产生辐射的设备，该设备包括：
第一电极和第二电极，所述第一和第二电极被彼此间隔一定距离配置以便允许在所述第一和第二电极之间的气态介质中激发等离子体；
电容器组，所述电容器组在第一终端电连接到所述第一电极而在第二终端电连接到所述第二电极，所述电容器组被配置成存储所述等离子体激发所需的放电能量，所述第一电极、第二电极和电容器组组成电路，其中至少所述第一电极通过经由第一馈送管线提供的电传导流体形成，该设备还包括：
充电器，所述充电器连接到所述第一和/或第二终端，并配置用于以时间改变的方式给该电容器组充电；以及
第一高电感单元，所述第一高电感单元设置在所述第一馈送管线中的所述第一终端上游，并配置成电解耦所述电路。
34.一种通过电操作放电产生辐射的设备，包括：
第一电极和第二电极，所述第一和第二电极被彼此间隔一定距离配置以便允许在所述第一和第二电极之间的气态介质中激发等离子体；
电容器组，所述电容器组在第一终端电连接到所述第一电极而在第二终端电连接到所述第二电极，所述电容器组被配置成存储等离子体激发所需的放电能量，所述第一电极、第二电极和电容器组组成电路，其中所述第一电极通过经由第一馈送管线提供的电传导流体形成，并且所述第二电极通过经由第二馈送管线供给的电传导流体形成，所述第一馈送管线包括配置成以第一材料喷射流形式提供所述第一电极的第一喷嘴，并且所述第二馈送管线包括配置成以第二材料喷射流形式提供所述第二电极的第二喷嘴，该设备还包括：
充电器，所述充电器配置成以时间改变的方式给该电容器组充电；
第一高电感单元，所述第一高电感单元设置在所述第一馈送管线中的该第一终端上游，所述第一高电感单元包括所述第一馈送管线的第一线圈形状部分；以及
第二高电感单元，所述第二高电感单元设置在所述第二馈送管线中的所述第二终端上游，所述第二高电感单元包括所述第二馈送管线的第二线圈形状部分。
35.根据权利要求34的设备，其中所述辐射是极紫外辐射。
36.根据权利要求34的设备，其中所述充电器是脉冲充电器。
37.根据权利要求34的设备，其中所述第一线圈形状部分和/或第二线圈形状部分具有饱和铁心。
38.根据权利要求37的设备，其中所述饱和铁心包括包含纳米晶体合金的组的铁磁材料。
39.根据权利要求38的设备，其中所述纳米晶体合金是金属玻璃非晶态金属(METGLAS)或铁氧体。
40.根据权利要求37的设备，其中所述第一高电感单元和/或第二高电感单元被配置成提供0.01-10mH的电感。
41.一种器件制造方法，包括步骤：
提供来自配置成通过电操作放电产生辐射的辐射源的辐射，该辐射源包括
第一电极和第二电极，所述第一和第二电极被彼此间隔一定距离配置以便允许在该第一和第二电极之间的气态介质中激发等离子体；
电容器组，所述电容器组在第一终端电连接到所述第一电极而在第二终端电连接到所述第二电极，所述电容器组被配置成存储所述等离子体激发所需的放电能量，所述第一电极、第二电极和电容器组组成电路，其中至少所述第一电极通过经由第一馈送管线提供的电传导流体形成，该设备还包括：
充电器，所述充电器连接到该第一和/或第二终端，并配置用于以时间改变的方式给所述电容器组充电；以及
第一高电感单元，所述第一高电感单元设置在所述第一馈送管线中的所述第一终端上游以电解耦所述电路；
调节来自该辐射的辐射束；
图案化所述辐射束；以及
将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。
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| KR102669702B1 (ko) * | 2019-10-11 | 2024-05-24 | 사이머 엘엘씨 | 방전 레이저용 도전성 부재 |
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4889605A (en) * | 1987-12-07 | 1989-12-26 | The Regents Of The University Of California | Plasma pinch system |
| CN1466860A (zh) * | 2000-07-28 | 2004-01-07 | 产生x-光或euv辐射的方法和装置 | |
| CN1721999A (zh) * | 2004-07-14 | 2006-01-18 | Asml荷兰有限公司 | 辐射产生器件、光刻装置、器件制造方法及由此制造的器件 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1368090A (en) * | 1971-08-02 | 1974-09-25 | Messner G | Process for the extraction of aluminium from its alloys |
| US5204506A (en) * | 1987-12-07 | 1993-04-20 | The Regents Of The University Of California | Plasma pinch surface treating apparatus and method of using same |
| JPH05161340A (ja) * | 1991-11-21 | 1993-06-25 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 溶融金属循環ポンプ |
| JP3307988B2 (ja) * | 1992-07-17 | 2002-07-29 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
| US5963616A (en) * | 1997-03-11 | 1999-10-05 | University Of Central Florida | Configurations, materials and wavelengths for EUV lithium plasma discharge lamps |
| US6815700B2 (en) * | 1997-05-12 | 2004-11-09 | Cymer, Inc. | Plasma focus light source with improved pulse power system |
| US6408052B1 (en) * | 2000-04-06 | 2002-06-18 | Mcgeoch Malcolm W. | Z-pinch plasma X-ray source using surface discharge preionization |
| DE10342239B4 (de) | 2003-09-11 | 2018-06-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Extrem-Ultraviolettstrahlung oder weicher Röntgenstrahlung |
| JP4429302B2 (ja) * | 2005-09-23 | 2010-03-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 電磁放射線源、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、および該製造方法によって製造されたデバイス |
-
2006
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-
2007
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- 2007-04-27 AT AT07747411T patent/ATE547924T1/de active
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4889605A (en) * | 1987-12-07 | 1989-12-26 | The Regents Of The University Of California | Plasma pinch system |
| CN1466860A (zh) * | 2000-07-28 | 2004-01-07 | 产生x-光或euv辐射的方法和装置 | |
| CN1721999A (zh) * | 2004-07-14 | 2006-01-18 | Asml荷兰有限公司 | 辐射产生器件、光刻装置、器件制造方法及由此制造的器件 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JP特开平5-161340A 1993.06.25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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