CN101421815B - 采用用于离子注入***的变角度狭槽阵列的离子束角度测量***及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于在离子注入期间测量离子束入射角的角度测量***，包括变角度狭槽阵列和位于变角度狭槽阵列下游的电荷测量器件阵列。变角度狭槽阵列包括形成在结构中从入射表面到出射表面的狭槽。每一个狭槽具有变化的接收角范围。电荷测量器件阵列个别地与狭槽相关，且能测量穿过狭槽的细光束的电荷或电子束电流。这些测量结果以及变化的或不同的接收角范围随后能被应用于确定离子束的测量出的入射角和/或角度内容。
Description
技术领域
本发明主要涉及半导体器件加工和离子注入，且更具体地，涉及在调定期间或在最初的位置处定向校准、探测和/或修正离子束入射角。
背景技术
离子注入为在半导体器件加工中使用的选择性地注入掺杂剂到半导体和/或晶片材料的物理过程。因此，注入的作用不依赖于掺杂剂和半导体材料之间的化学相互作用。为了离子注入，掺杂剂原子/分子被离子化、加速、形成束、分解、以及掠过晶片，或者晶片被所述束穿过。物理上掺杂剂离子轰击晶片、进入表面并在表面下的它们的能量所及的深度静止。
离子注入***为精密复杂的子***的集合，其每一个都对掺杂剂离子执行特别的作用。掺杂剂元素，以气体或固体形式，被定位在电离室内并通过适当的电离处理被离子化。在一个典型的处理中，所述室维持在低压(真空)。灯丝置于所述室中且被加热到从灯丝源中产生电子的程度。负电子被同样在室中的相反电性的正极吸引。在从灯丝到正极的迁移期间，电子与掺杂剂源元素(例如，分子或原子)碰撞并从分子中的元素产生许多阳离子。
通常，除了想得到的掺杂剂离子外还产生了其他阳离子。想得到的掺杂剂离子通过称为分析、质量分析、选择、或离子分离的处理从所述离子中分离。选择利用质量分析器实现，质量分析器产生磁场，经过该磁场离子从电离室迁移。离子以较高的速度离开电离室并由磁场弯曲成弧。弧的半径由单个离子的质量、速度、和磁场强度控制。分析器的出口仅仅允许一种离子，需要的掺杂剂离子，脱离质量分析器。
加速***被用于加速或减速想得到的掺杂剂离子到预定的动量(例如，掺杂剂离子的质量乘以它的速度)以穿过晶片表面。为了加速，所述***通常具有带有沿着其轴线的环形动力电极的线性设计。当掺杂剂离子进入其中时，它们经由这里被加速。
随后，在所述束中加速的离子对准目标晶片或位置。离子束以实际的入射角射入目标，其典型地以正常的一或两维来测量。此实际角度可不同于想要得到的或选定的注入角。
如果出现了校准误差或角度误差(例如，处理设备没有适当地校准)，离子注入能以与预期的不同的角度、位置和/或深度被执行。这样的误差可能不合乎要求地更改注入面，未能加入掺杂剂到确定的区域，注入掺杂剂到非预期的区域，损坏器件结构，注入掺杂剂到错误的深度，等等。另外，由于器件尺寸继续被减小，此角度校正变得更加重要。
发明概述
下面介绍简要的概述以便给出本发明的一个或多个方面的基本理解。该概述不是本发明的详尽的全面评述，而且既不打算识别本发明的关键或重要的要素，也不打算详细记述其范围。相反地，本概述的主要目的是以简要的形式介绍本发明的一些概念作为后面介绍的更详细的说明的序言。
本发明通过探测或测量入射离子束的入射角值并在离子注入步骤前和或期间任选地校正角误差，利于半导体器件的加工。本发明采用变角度狭槽阵列，该阵列由具有多个限定在其中的狭槽的结构组成狭槽。狭槽阵列根据变化的接收角从离子束中选择一个或多个细光束。电荷测量传感器，诸如拾取传感器，测量与阵列的每个狭槽有关的电荷或电子束电流。从这些测量结果和每个狭槽的接收角，可获得离子束的入射角值。
根据本发明的一个方面，公开了一角度测量***。所述***用于测量离子注入期间离子束的入射角，包括变角度狭槽阵列和位于变角度狭槽阵列下游的电荷测量器件阵列。变角度狭槽阵列包括形成在从入射表面到出射表面结构中的狭槽。每个狭槽具有变化的接收角范围。电荷测量器件阵列个别地与所述狭槽相关，且能测量穿过狭槽的细光束的电荷或电子束电流。这些测量结果和变化的接收角范围随后能用于确定离子束的测量入射角和/或角度内容。也公开了其他***、方法及探测器。
为了实现前述的相关目标，本发明包括在下文中充分地描述的并在权利要求中特别指出的特征。下面的说明和附图详细的阐明本发明的某些示范性方面和实施方式。然而，这些表明本发明的原理可被以仅仅很少的不同方式应用。其他目标，当结合附图考虑时，本发明的优点和新颖性的特征将从下面的本发明的详细说明中变得显而易见。
附图说明
图1为框图形式的适于本发明的一个或多个方面的离子注入***。
图2为阐明根据本发明的一方面的角度测量***的框图。
图3为阐明根据本发明的一方面的部分变角度狭槽阵列的示图。
图4A和4B为阐明根据发明的一方面的变角度狭槽阵列的单个狭槽的示图。
图5为根据本发明的一方面的变角度狭槽阵列的透视图。
图6A为阐明根据本发明的一方面的另一变角度狭槽阵列600的示图。
图6B为根据本发明的一方面的变角度阵列600的近视图。
图7为根据本发明的一方面的离子注入器件的示例性的终端站的透视图。
图8为根据阐明的本发明的一方面的变角度狭槽阵列在处理盘上的构造的俯视图。
图9为阐明根据本发明的一方面的获得入射角值的方法的流程图。
具体实施例
现在将参照附图描述本发明，其中自始至终同样的附图标记用于指示同样的元件。本领域技术人员将理解本发明不局限于示范性实施例以及在下文中举例说明和描述的方面。
本发明通过探测或测量入射离子束的入射角值和在离子注入步骤之前和/或之间任选地校正角度误差，利于半导体器件的加工。本发明采用变角度狭槽阵列，该阵列由具有多个限定在其中的狭槽的结构组成狭槽狭槽。狭槽阵列根据变化的接收角从离子束选择一个或多个细光束。电荷测量传感器，诸如拾取传感器，测量与阵列的每个狭槽相关的电荷或电子束电流。从这些每个狭槽的测量结果和接收角，能够获得离子束的入射角值。
开始参考图1，适于执行本发明的一个或多个方面的离子注入***100以框图的形式描述。***100包括用于沿着离子束路径产生离子束104的离子源102。离子束源102包括例如带有相关电源108的等离子体源106。等离子体源106可例如包括相对长的等离子体密封室，离子束可从中提取。
束流线组件110提供在离子源102的下游以接收来自于那里的离子束104。束流线组件110包括质量分析器112、可包括例如一个或多个狭槽隙的加速结构114、和角度能量过滤器116。束流线组件110沿着接收离子束104的路径放置。质量分析器112包括磁场发生部分，例如磁铁(未示出)，并运作以提供横过离子束路径的磁场使得根据质量(例如，荷质比)以变化的轨道偏转离子束104的离子。穿过磁场迁移的离子感受这样的力，其指引期望质量的特定离子沿着离子束路径以及偏转不期望质量的离子远离离子束路径。
加速狭槽隙或在加速结构114中的狭槽隙可实行加速和/或减速离子束中的离子以在工件上达到需要的深度。因此，将理解，当术语加速器和/或加速狭槽隙可在此处被利用于描述本发明的一个或多个方面时，这样的术语不意味着被狭义地解释以致于限定于加速的字面解释，而是被广义地解释以致于包括，减速和方向的改变在其中。将进一步理解，加速/减速装置可被应用于质量分析器112的磁场分析之前和之后。
在***100中还提供终端站118给来自束流线组件110的离子束104。为了使用质量分析净化的离子束104注入，终端站118沿着离子束路径支撑一个或多个诸如半导体晶片(未示出)的工件。终端站118包括用于翻译或扫描一个或多个彼此相关的目标工件和离子束104的目标扫描***120。目标扫描***120可提供批量或连续注入，例如，当在可期望的给定环境、运行参数和/或目标下。
终端站118还包括角度测量***116，其测量离子束104的入射角值，也称为角度校正。可替换地，如果测量***116定位的角度代表在终端站内的角度，角度测量***116可位于终端站的外面。角度测量***116包括一个或多个变角度狭槽阵列和一个或多个接收来自狭槽的电流的收集器或拾取器。变角度狭槽阵列是具有变化的接收角度值的狭槽的阵列。相关的电荷收集器测量穿过变角度狭槽阵列的细光束的离子或电子束电流。电荷收集器或拾取器能相对于地线和/或狭槽偏置，且绝缘表面能被设置在临近的电荷收集器或拾取器之间。电荷测量结果和已知的接收角值随后被应用于确定离子束104的测量出的或实际的入射角值。
如果测量出的入射角值和选定的或期望的入射角值之间的变化，也称为角度变化出现，此信息能被终端站118和/或束流线组件110采用向期望的或选定的入射角值改变或矫正实际入射角值。
图2为阐明根据本发明的一个方面的角度测量***200的框图。***200从具有变化的接收角的一排或多个狭槽获得一个或多个细光束。随后得到细光束的电荷测量结果并与变化的接收角一起用于确定测量出的入射角值。
通过提供测量出的入射角值，的，***200在离子注入***202上或与其一起运转，用于在离子注入前校准或用于在离子注入期间校准调节。离子注入***202产生离子束并使离子束指向目标位置，例如目标晶片。离子注入***202控制注入过程的多个参数，诸如选择掺杂剂或种类、电子束电流、剂量、能量以及注入角。如果测量出的角度不同于期望的或选定的注入角，离子注入***202能采用来自***200的角度测量结果，来向着期望的或选定的注入角调节注入角。
***200包括变角度狭槽阵列204、拾取传感器206和控制器208。变角度狭槽阵列204由定位在至少部分离子束的路径中的一排狭槽组成。所述狭槽在构架或掩膜中形成和/或限定。在阵列204中的每一个狭槽具有来自离子束的离子能穿过相关狭槽的角度范围的接收角。附加的变角度狭槽阵列的例子将在下面给出。
变角度狭槽阵列204从离子束中获得一个或多个细光束。细光束具有相应于其穿过的狭槽的角度分量。
一排拾取传感器206从变角度狭槽阵列204中接收一个或多个细光束，并测量来自于其的电荷或电子束电流。传感器206每一个与狭槽阵列204的一个狭槽相关。结果，测量出的电荷或电子束电流的出现与否能被应用于确定测量出的入射角。
拾取传感器206可维持在接地端或其附近的某电位，或者它们可偏置于某正或负电位以致于改善或有利于期望的离子电流测量结果的精度。其它由导电或绝缘材料构成的结构，能被定位在拾取传感器206和变角度狭槽阵列204之间、在临近的拾取传感器之间、以及其它在拾取传感器附近或在狭槽阵列204附近的位置。这些附加的结构也能维持在接地端或其附近的某电位，或者它们可浮动或偏置于变化的负或正电位以致于改善或有利于期望的离子电流测量结果的精度。
控制器208从拾取传感器206接收传感器测量结果，并确定测量出的入射角值。注入处理的调节或校正通过控制器208确定并随后提供给离子注入***202。包括电子束电流测量结果的传感器测量结果，与给定的接收角一起用于确定测量出的入射角值。
注意到，角度测量***200能采样全部或仅仅一部分离子束。在某些方面，采样全部离子束可能，例如，需要通过离子束来移动拾取传感器206和变角度狭槽阵列204或通过变角度狭槽阵列204和拾取传感器206扫过离子束。
例如，如果狭槽阵列204和/或拾取传感器206没有跨越全部离子束，或感兴趣的部分离子束，通过离子束狭槽阵列204和/或拾取传感器206可被单独地或分别地在一个或多个方向上移动，或者离子束在一个或多个方向上横跨狭槽阵列和/或拾取传感器，或两者兼有。另外，以给定角度的狭槽可由单个狭槽或以同样角度的一排狭槽构成。拾取传感器也可由用于所有角度的所有狭槽、单一角度的所有狭槽、或以单一角度的一排狭槽中的单一狭槽的单一传感器构成。
图3为阐明根据本发明的一方面的一部分变角度狭槽阵列300的示图。狭槽阵列300根据变化的接收角获取细光束，随后测量电荷或电子束电流。
给出图3以利于更好的理解本实施例，但不意味着以所描述的和图3所示的来限定本发明。此外，为了解释的目的选定尺寸。
变角度狭槽阵列300包括带有多个狭槽的结构302，其中形成有第一狭槽304，第二狭槽306，和第三狭槽308。结构302由适当的材料，诸如石墨、铝等等组成，在该例子中在入射侧具有凸起的弯曲表面，且在该例子中在出射侧具有凹入的弯曲表面。狭槽304、306和308以不同的接收角形成，其为离子可穿过的正常角度范围。
包括第一拾取传感器314、第二拾取传感器316和第三拾取传感器318的拾取传感器，测量穿过狭槽304、306和308的细光束的电荷或电子束电流。由拾取传感器314、316和318测量出的电子束电流或电荷的出现与否能指示实际的或测量出的入射角值。
第一狭槽304具有第一接收角，例如，大约-3到-9度。这样，相关的第一拾取传感器314测量在第一接收角范围内的离子的电荷。同样，第二狭槽306具有第二接收角，例如，大约-3到+3度。结果，第二拾取传感器316测量角度在第二接收角范围内的离子的电荷。此外，第三狭槽308具有第三接收角，例如，大约+3到+9度。因此，第三拾取传感器318测量角度在第三接收角范围内的离子的电荷。注意到，狭槽阵列300能包括附加的狭槽和拾取传感器(未示出)以便于测量其它的接收角。
在操作期间，离子束310瞄准目标位置(未示出)。狭槽阵列300沿着离子束310的路径定位，典型地，位于目标位置附近。取决于离子束310的入射角，一个或多个传感器测量电荷。在上述例子中，具有-6度入射角的绝对平行离子束将在第一拾取传感器314上记录电荷测量结果。
可采用角接收范围和相邻狭槽的角间距的选择组合，其导致角度接收的不同重叠狭槽。例如，如果临近的狭槽以狭槽接收范围的一半间隔，而不是如上述描述的整个狭槽接收，那么传感器测量出的电荷或电子束电流能被用于以高精度计算入射角。其它接收角范围和角间距的组合能满足精度和易于测量的不同要求。
图4A和4B为阐明根据本发明的一个方面的变角度狭槽阵列400的单个狭槽404的图示。该图示以例证性目的给出以阐明变角度狭槽阵列中的狭槽的一些相关的特征。所述图示不意味着限定本发明于其所示出和所描述的。
变角度狭槽阵列400包括具有形成于其中的一排狭槽的结构402。结构402由适当的材料，诸如石墨组成，使得结构402阻止离子从其穿过。图4A中示出了狭槽阵列的一个狭槽。
图4A示出了狭槽404的接收角范围406。接收角范围406是这样的角度范围，离子以能够穿越狭槽404的入射角值范围移动。狭槽通常，接收角范围406这样选择，狭槽阵列的至少一个狭槽将穿过来自入射离子束的至少一些离子。然而，本发明的不同方面可应用多种可能的范围。
接收角范围406可由最小接收角407和最大接收角409限定。垂直轴408被示出且典型地被描述为具有零角度。在此示例中，最小角407小于零和垂直轴408，而最大角409大于零。在此示例中，最小角407和最大角409描述为相同的大小，然而，本发明考虑了这些值的变化且对称的变化。
例如，最小角407可为-3度而最大角409可为+3度，形成6度的接收角范围406。
图4B示出了狭槽404的尺寸特征。如所示的，狭槽404具有宽度412和高度410。高度410和宽度412限定狭槽404的展弦比和接收角范围406。增加高度减小接收角范围406而增加宽度412增加接收角范围。
图5为根据本发明的一方面的变角度狭槽阵列500的透视图。该视图以示例性目的给出并作为根据本发明的变角度狭槽阵列的一个示例。
狭槽阵列500由带有一排形成于其中的变角度的狭槽504的结构502组成。可以看出，单个狭槽各自具有变化的接收角。结果，只有在特定角度内迁移的离子能穿过特定的狭槽。例如，来自离子束的离子可穿过在阵列500右侧的一个或多个狭槽，但是被在阵列左侧的一个或多个狭槽阻挡。
示出的入射侧具有凸起形的入射表面，通过它来自离子束的离子或细光束开始进入狭槽504。拾取传感器(未示出)设置在阵列500的下游以便于测量，如果有的话，穿过狭槽504的离子或细光束的电荷或电流。
注意到，本发明考虑了具有其它形状和结构的变角度狭槽阵列，只要这种阵列中的狭槽具有变化的角度。
图6A为阐明根据本发明的一方面的另一变角度阵列600的图示。此处，阵列的入射表面较平，然而，阵列中的狭槽604具有变化的接收角。
变角度狭槽阵列600包括形成在结构602中的变角度狭槽604。结构602的入射表面606较平，但是形成于其中的狭槽604具有变角度。结果，狭槽604具有变化的接收角。出射表面608也是平的。
在运转期间，离子束(未示出)在入射表面606撞击变角度狭槽阵列600。离子束具有入射角值和角度分布。来自具有适当角度的离子束的细光束穿过一个或多个狭槽604，并在穿过出射表面608后，被一个或多个电荷测量器件(未示出)测量。
图6B为根据本发明的一方面的变角度狭槽阵列600的近视图。所述视图再一次示出了形成在结构602中的狭槽604。拾取传感器610也在该示例中示出以测量穿过各个狭槽的离子的电子束电流或电荷。拾取传感器设置在出射表面608的下游。
图6A和6B示出了另一个变角度狭槽阵列的示例，其具有物理上形成在其中的变化的接收角的狭槽，带有另一种结构和狭槽的形状。应当理解，结构和狭槽的形状的其它变化和/或其它变化的构造也被本发明考虑过。
图7A为阐明根据本发明的一方面的另一变角度狭槽阵列700的示图。结构702具有在入射表面的入射开口或狭槽孔704和在出射表面的出射开口或狭槽孔706。在一示例中，结构可包括带有入射开口704的上层板和带有出射开口706的下层板。示出的传感器710在出射开口706的下面或下游，并用于测量穿过结构702的细光束的电荷或电流。
每一个入射开口704与出射开口706中的一个有关。入射和出射开口对中的每一个限定一个仅仅角度接收范围内的离子能穿过的狭槽或区域。因此，狭槽由入射开口的大小和位置、出射开口的大小和位置以及它们之间的距离限定每一对孔的狭槽和角度接收范围。
在运转期间，离子束(未示出)在入射表面撞击变角度狭槽阵列700。离子束具有入射角值和角度分布。来自具有适当角度的离子束的细光束穿过由入射开口704和出射开口限定的一个或多个狭槽，并在穿过结构702后由一个或多个电荷测量器件710测量。
图7B为根据本发明的一方面的变角度狭槽阵列700的近视图。该视图阐明了由入射开口704和出射开口706限定在结构702中的狭槽。此处，示出了在一个入射开口704和一个出射开口706之间的狭槽712。狭槽712为具有在角度接收范围内的角度的离子能穿过的限定路径或区域。拾取传感器710也在此示例中示出以测量穿过各个狭槽的离子的电子束电流或电荷。
图7A和7B示出了还有另一个变角度狭槽阵列的例子，其具有限定在其中的带有另一结构和狭槽的形状的变接收角度狭槽狭槽。应当理解，本发明也考虑了结构和狭槽的形状的其它变化和/或其它变化的构造。
现在转到图8，阐明了根据本发明的一方面的带有变角度狭槽阵列定位的示例的单个晶片终端站800的构造的俯视图。变角度狭槽阵列允许确定引入的离子束的测得或实际的入射角值。站800作为示例给出以阐明包含有变角度狭槽阵列的角度测量***的一些适当的定位。
在此示例中，终端站800包括支撑单个晶片804的臂802。通常，一个或多个角度测量***紧接于单个晶片804设置。晶片804的中心点806被描述以利于理解该示例。此处，终端站800包括如图所示给出和定位的第一角度测量***808和第二角度测量***810。第一角度测量***位于臂802上并在晶片804的左侧。第二角度测量***810在如图所示的第二角度测量***810的上面。第一角度测量***808和第二角度测量***810两者都定位在晶片804周围的相同的平面上。在该示例中，第一角度测量***808测量x方向的角度，而第二角度测量***测量y方向的角度。
图9为阐明根据本发明的一方面的获得入射角值方法900的流程图。方法900可被用于校准和检测或者在离子注入过程中执行校准调节。描述的方法900是关于确定单一轴的入射角值的，但是能扩展到多轴。例如，方法900能被用于获得快速扫描轴和/或慢速扫描轴上的入射角值。此外，方法900能被应用于单一和/或批量离子注入***。
所述方法开始于块902，其中离子注入处理被初始化，其中具有选定的入射角值的离子束指向目标。离子注入处理包括应用在离子注入处理中的许多适当的离子或掺杂剂。例如，根据特殊的制造过程，产生带有选定能量和掺杂剂浓度的离子束。选定的入射角典型地在采用的离子注入***的运转范围中。例如，根据特殊的制造过程或校准程序选择选定的入射角。目标可为目标晶片，诸如生产晶片或检测晶片，或用于校准目的的其它目标。
在块904，通过采用变角度狭槽阵列，一个或多个变角度细光束从离子束获得。在上述的图3和其他地方给出了适当的狭槽阵列例子。变角度狭槽阵列包括形成在结构中的一排狭槽，并沿着离子束路径定位。所述狭槽具有变化的接收角范围，其阻挡不同于它们相关的接收角范围的离子或部分离子束穿过。结果，许多狭槽将阻止任何大量的离子穿过那里。因此，取决于阵列的构造和离子束的角度内容，获得一个或多个变角度细光束。
在块906继续方法900，为了电荷或电子束电流，一个或多个变角度细光束被测量。与阵列中的每一个狭槽有关的拾取传感器能测量穿过那里的离子电荷或电子束电流。一个或多个这样的拾取传感器测量一个或多个变角度细光束的电荷或电子束电流。
在块908，识别用于一个或多个变角度细光束的一个或多个接收角范围。这些范围相应于细光束穿过的特定的狭槽。例如，一个或多个细光束可穿过具有-3到-9度的接收角范围的第一狭槽和具有-9到-15度接收角范围的第二狭槽。
在块910，根据识别的一个或多个接收角范围和电荷测量结果确定测量出的入射角。此外，也能确定角度内容或角分布。
测量出的入射角与选定的入射角相比以确定偏移量。如果偏移量大于可接受的范围，在块912，调整和/或修正被应用于离子注入***以朝着选定的入射角驱动测量出的入射角。进一步，在块902，通过使得离子注入***调整离子束，也能执行调整角度内容或角分布。
应当理解，方法900和其变体，能进一步参照本发明的其它图理解。此外，方法900和其说明也能被用于有助于更好的理解上述描述过的本发明的其他方面。
然而，为了简化说明的目的，方法900以顺次执行的方式描写和描述，应当了解及意识到，本发明不限于阐明的顺序，根据本发明，如一些方面能以不同的顺序发生，和/或与此处所描述和说明的其它方面同时发生。而且，不是所有阐明的特征或块都需要去执行根据本发明的一方面的一套方法。
虽然参照一个或多个实施方式已经阐明和描述了本发明，其它本领域技术人员根据阅读和理解本说明书和附图会实现等价的改变和修改。尤其，考虑到由上述描述的元件(组件、器件、电路、***等等)实现的多种功能，用于描述这样的元件的术语(包括提及的“装置”)意味着相应于，除了指明的其它方式，实现所描述的元件(例如，功能上等价的)的具体功能的任何元件，即使结构上不等价于所公开的实现此处阐明的本发明的示例性实施例的功能的结构。此外，尽管本发明的特定特征已经公开了关于几个实施方式中的仅仅一个，这样的特征可与其它实施方式中的一个或多个其它特征结合，如果其需要和有利于任何给定或特定的应用。而且，到这样的程度，即在详细的说明书和权利要求两者中使用术语“含有、包含、具有、有、和”，或其变体，这样的术语意思是以类似于术语“包括”的方式包含。此外，术语“示范的”意思是指明示例，而不是最佳或较好的方面或实施方式。
Claims (28)
1.一种离子注入***，包括：
产生离子束的离子源；
从离子源接收离子束和处理离子束的束流线组件，所述束流线组件包括质量分析器，所述质量分析器能够操作以在限定平面内偏转所述离子束；
从束流线组件接收离子束的角度测量***，所述角度测量***包括：
变角度狭槽阵列，其包括限定在结构中的各个狭槽，以及具有相关的接收角范围，其选择性地穿过具有相关接收角范围的仅仅一部分离子束，其中，狭槽中的至少两个具有不同的相关的接收角范围，并且其中所述狭槽设置在所述限定平面中；以及
与各个狭槽相关的电荷测量器件阵列，其测量穿过变角度狭槽阵列的部分离子束的电荷；以及
从束流线组件接收离子束的目标位置。
2.权利要求1所述的***，进一步包括位于束流线组件下游的终端站，其在目标位置保持目标晶片。
3.权利要求2所述的***，其中所述终端站进一步包括其上安装有角度测量***结构的处理盘。
4.权利要求2所述的***，其中所述终端站为单个晶片终端站。
5.权利要求1所述的***，进一步包括控制器，所述控制器至少部分地根据穿过变角度狭槽阵列的部分离子束的测量出的电荷确定测量出的入射角。
6.权利要求1所述的***，进一步包括控制器，其识别穿过变角度狭槽阵列的部分离子束的接收角范围，以及根据所述部分的测量出的电荷和识别出的接收角范围确定测量出的入射角值。
7.权利要求5所述的***，其中，根据选定的入射角，束流线组件和/或离子源相对于目标位置调整离子束的入射角。
8.权利要求7所述的***，其中，当测量出的入射角值不同于选定的入射角值，且差值大于阈值量时，控制器发送调整值给束流线组件。
10.权利要求5所述的***，其中根据测量出的入射角调整在目标位置的晶片。
11.权利要求1所述的***，其中，变角度狭槽阵列进一步包括具有凸起形状的入射表面和具有凹入形状的出射表面。
12.权利要求1所述的***，其中，变角度狭槽阵列进一步包括具有凹入形状的入射表面和具有凸起形状的出射表面。
13.权利要求1所述的***，其中，变角度狭槽阵列进一步包括具有大致平的形状的入射表面和具有大致平的形状的出射表面。
14.权利要求1所述的***，进一步包括控制器，所述控制器至少部分地根据部分离子束的测量出的电荷确定角度内容。
15.权利要求14所述的***，其中所述控制器使得束流线组件和/或离子源根据该角度内容调整离子束。
16.权利要求1所述的***，其中，变角度狭槽阵列的结构进一步包括成对的在结构的入射表面上的入射开口和在结构出射表面上的出射开口，其中成对的入射开口和出射开口限定所述狭槽。
17.权利要求1所述的***，其中，所述结构包括固体材料，所述固体材料具有形成在其中限定所述狭槽的多个开口。
18.一种用于测量离子束入射角的角度测量***，其中所述离子束已经通过质量分析器处理，使得所述离子束已经在第一平面中偏转，所述***包括：
变角度狭槽阵列，其包括限定在结构中的从入射表面到出射表面的狭槽，并具有各个接收角范围，其中，所述狭槽中的至少两个具有不同的接收角范围，并且其中所述狭槽设置在所述第一平面中；以及
电荷测量器件阵列，其位于变角度狭槽阵列的下游并与所述狭槽相关，其中，电荷测量器件测量穿过变角度狭槽阵列的狭槽的细光束的电荷。
19.权利要求18所述的***，其中，电荷测量器件包括拾取传感器。
20.权利要求19所述的***，其中所述***进一步包括，位于变角度狭槽阵列和电荷测量器件之间的第二结构，细光束穿过其到电荷测量器件。
21.权利要求20所述的***，其中，拾取传感器偏压于正值，而第二结构偏压于接地附近。
22.权利要求18所述的***，其中，所述结构由导电材料构成并接地。
23.权利要求18所述的***，其中所述结构由从由铝、带有硅涂层的铝、石墨和阳极氧化铝组成的组中选择的材料构成。
24.权利要求18所述的***，其中，所述狭槽包括覆盖离子束角度分布的接收角范围的阵列。
25.权利要求18所述的***，其中，变角度狭槽阵列的结构包括具有入射开口的上层板和具有出射开口的下层板，其中，成对的入射开口和出射开口在它们之间限定所述狭槽。
26.权利要求18所述的***，其中，所述结构包括带有形成于其上限定所述狭槽的多个开口的固体材料。
27.一种获得测量出的入射角的方法，所述方法包括：
产生具有选定的入射角的离子束并在一平面中使离子束指向目标位置；
从离子束中获得一个或多个变角度细光束，通过将所述细光束引导到变角度狭槽阵列，所述变角度狭槽阵列包括限定在结构中的从入射表面到出射表面的狭槽，并具有各个接收角范围，其中所述狭槽设置在所述平面中；
测量一个或多个变角度细光束的电荷；
识别一个或多个变角度细光束的接收角范围；以及
根据测量出的变角度细光束的电荷和识别出的接收角范围，确定测量出的入射角。
28.权利要求27所述的方法，进一步包括，根据测量出的变角度细光束的电荷和识别出的接收角范围确定离子束的角度内容。
29.权利要求27所述的方法，进一步包括，根据测量出的入射角和选定的入射角确定校准调节值。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |