CN101415296B - 一种覆铜板结构 - Google Patents

Abstract

一种覆铜板结构，包括两层导体层，至少三层位于两层导体层之间的绝缘介质层，至少一层绝缘介质层为改进的绝缘介质层，改进的绝缘介质层由环氧树脂、潜伏型固化剂、固化促进剂、填料组成，各组分的重量百分比含量为：环氧树脂60-90％，潜伏型固化剂1-15％，固化促进剂0.01-0.3％，填料5-25％。所述填料为无机粉末，无机粉末选自结晶硅微粉、氧化铝粉、氢氧化镁粉、氢氧化铝粉、白垩粉、层状硅酸盐粉末、重晶石粉末、海泡石粉、滑石粉、云母粉中至少一种粉末。本发明对照现有技术的有益效果是，制作出来的覆铜板和不含填料的覆铜板性能相差不大，却有效降低了制作成本，并且不需要对生产设备作出特定的修改，有利于推广。

Description

一种覆铜板结构

技术领域

本发明涉及一种覆铜板结构。

背景技术

现有的覆铜板(CCL)的生产成本构成中，大多数材料的成本难以降低，难以达到降低生产成本的目的。以使用比例最高的玻纤环氧基板为例，原材料占生产成本约70～80％左右，其余则为人工、水电及折旧等难以降低的部分；在原材料成本中，玻纤布约占四成多、铜箔占近三成、环氧树脂亦占近三成。其中玻纤布和铜箔由于主要依赖于上游原料厂家，可替代材料不多，并且现今国际石油价格节节攀高，，所以无法降低玻纤布和铜箔的成本。因此要降低覆铜板的生产成本，比较可行的方案是降低环氧树脂的生产成本，从而达到降低覆铜板的生产成本的目的。

发明内容

本发明的目的是对现有技术进行改进，提供一种覆铜板结构，可以，采用的技术方案如下：

本发明的一种覆铜板结构，包括两层导体层，至少三层位于两层导体层之间的绝缘介质层，其特征在于：至少一层绝缘介质层为改进的绝缘介质层，改进的绝缘介质层由环氧树脂、潜伏型固化剂、固化促进剂、填料组成，各组分的重量百分比含量为：

环氧树脂        60-90％，

潜伏型固化剂    1-15％，

固化促进剂      0.01-0.3％，

填料    5-25％。

所述填料为无机粉末，无机粉末选自结晶硅微粉、氧化铝粉、氢氧化镁粉、氢氧化铝粉、白垩粉(CaCO3)、层状硅酸盐粉末、重晶石粉末、海泡石粉、滑石粉、云母粉中至少一种粉末。也就是说可以是其中的一种，也可以是其中的两种或两种以上。

所述环氧树脂为双酚A型环氧树脂，结构式如下：

所述潜伏型固化剂为二氰二氨或芳香族二胺类固化剂。

一种较优的方案，所述潜伏型固化剂选用二氰二氨，结构式如下：

另一种方案，所述潜伏型固化剂为芳香族二胺类固化剂，所述芳香族二胺类固化剂种类选自4，4′-二氨基二苯甲烷(DDM)、4，4′-二氨基二苯醚(DDE)、4，4′-二氨基二苯砜(DDS)中的一种。

所述固化促进剂是咪唑类促进剂，咪唑类促进剂选自2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、N-甲基咪唑中的一种，首选2-甲基咪唑。

为了更好的保证覆铜板的性能，所述改进的绝缘介质层与导体层之间的距离大于零。也就是说，改进的绝缘介质层不与导体层直接接触，改进的绝缘介质层与导体层之间必定有一层没有改进的绝缘介质层(也就是现有技术所采用的绝缘介质层)。这是因为如果直接使用含有填料的绝缘介质层压制覆铜板，会出现铜箔结合力差，剥离强度下降、热冲击性能降低等缺点，这不但影响到覆铜板的性能，而且也会在后续的印制电路板制程中出现钻孔披峰大等缺陷，导致填料在覆铜板的生产中的应用不是很广泛。

所述所有绝缘介质层的厚度为60-250μm。也就是说，改进的绝缘介质层的厚度为60-250μm，而其它的绝缘介质层的厚度也为60-250μm。

所述改进的绝缘介质层的数目至少为两个，并且至少两个改进的绝缘介质层所采用的填料有差别。也就是说至少两个改进的绝缘介质层所采用的填料选用的成分不完全一样。

本发明对照现有技术的有益效果是，制作出来的覆铜板和不含填料的覆铜板性能相差不大，但是却有效降低了制作成本，并且对覆铜板的生产过程没有作出多大的改变，不需要对生产设备作出特定的修改，有利于推广。

附图说明

图1是实施例1的结构示意图；

图2是实施例2的结构示意图。

具体实施方式

实施例1

如图1所示，覆铜板各层的结构从下到上依次为铜箔1、不含填料的第一绝缘介质层2、第一改进的绝缘介质层3、第二改进的绝缘介质层4、第三改进的绝缘介质层5、第四改进的绝缘介质层6、第五改进的绝缘介质层7、第六改进的绝缘介质层8、不含填料的第二绝缘介质层9、铜箔10。

第一绝缘介质层2的厚度为250μm、第一改进的绝缘介质层3的厚度为250μm、第二改进的绝缘介质层4的厚度为210μm、第三改进的绝缘介质层5的厚度为100μm、第四改进的绝缘介质层6的厚度为130μm、第五改进的绝缘介质层7的厚度为60μm、第六改进的绝缘介质层8的厚度为160μm、第二绝缘介质层9的厚度为200μm。

第一改进的绝缘介质层3、第二改进的绝缘介质层4、第三改进的绝缘介质层5、第四改进的绝缘介质层6、第五改进的绝缘介质层7、第六改进的绝缘介质层8的组分均相同，均包括环氧树脂、潜伏型固化剂、固化促进剂、填料，填料为结晶硅微粉，平均粒径为6.5μm。

环氧树脂为GEBR 454A80。GEBR 454A80是一种双酚A环氧树脂，购自广州宏昌电子材料工业有限公司，环氧当量为430g/Eq。

潜伏型固化剂为二氰二氨(DICY)，促进剂为2-甲基咪唑(2-MI)。

上述物质的配比见表1所列：

表1

组分	重量百分比
		GEBR 454A80	89.219％
二氰二氨	1.811％
		2-甲基咪唑	0.047％
结晶石英粉	8.923％

实施例2

如图2所示，覆铜板各层的结构从下到上依次为铜箔1′、不含填料的第一绝缘介质层2′、第一改进的绝缘介质层3′、第二改进的绝缘介质层4′、不含填料的第二绝缘介质层5′、不含填料的第三绝缘介质层6′、第三改进的绝缘介质层7′、第四改进的绝缘介质层8′、不含填料的第四绝缘介质层9′、铜箔10′。上述所有绝缘介质层的厚度均为200μm。

第一改进的绝缘介质层3′、第二改进的绝缘介质层4′的组分相同，均包括环氧树脂、潜伏型固化剂、固化促进剂、填料，填料为滑石粉，滑石粉平均粒径为0.8μm。

环氧树脂为GEBR 454A80。GEBR 454A80是一种双酚A环氧树脂，购自广州宏昌电子材料工业有限公司，环氧当量为430g/Eq。

潜伏型固化剂为4，4′-二氨基二苯砜，促进剂为2-乙基-4-甲基咪唑。

上述物质的配比见表2所列：

表2

组分	重量百分比
		GEBR 454A80	85.409％
4，4′-二氨基二苯砜	1.734％
		2-乙基-4-甲基咪唑	0.045％
滑石粉	12.812％

第三改进的绝缘介质层7′包括环氧树脂、潜伏型固化剂、固化促进剂、填料，填料为氢氧化镁，平均粒径为10μm。

环氧树脂为GEBR 454A80。GEBR 454A80是一种双酚A环氧树脂，购自广州宏昌电子材料工业有限公司，环氧当量为430g/Eq。

潜伏型固化剂为4，4′-二氨基二苯醚，促进剂为N-甲基咪唑。

上述物质的配比见表3所列：

表3

组分	重量百分比
		GEBR 454A80	81.911％
4，4′-二氨基二苯醚	1.663％
		N-甲基咪唑	0.044％
氢氧化镁	16.382％

第四改进的绝缘介质层8′包括环氧树脂、潜伏型固化剂、固化促进剂、填料。

填料为云母粉，平均粒径为10μm。

环氧树脂为GEBR 454A80。GEBR 454A80是一种双酚A环氧树脂，购自广州宏昌电子材料工业有限公司，环氧当量为430g/Eq。

潜伏型固化剂为4，4′-二氨基二苯甲烷，促进剂为2-甲基咪唑(2-MI)。

上述物质的配比见表4所列：

表4

组分	重量百分比
		GEBR 454A80	78.689％
4，4′-二氨基二苯甲烷	1.597％
		2-甲基咪唑	0.042％
云母粉	19.672％

Claims (7)

1.一种覆铜板结构，包括两层导体层、至少三层位于两层导体层之间的绝缘介质层，其特征在于：至少一层绝缘介质层为改进的绝缘介质层，改进的绝缘介质层由环氧树脂、潜伏型固化剂、固化促进剂、填料组成，各组分的重量百分比含量为：

环氧树脂                    78.689-89.219％，

潜伏型固化剂                1.597-1.811％，

固化促进剂                  0.042-0.047％，

填料                        8.923-19.672％。

2.如权利要求1所述的覆铜板结构，其特征在于：所述填料为无机粉末，无机粉末选自结晶硅微粉、氧化铝粉、氢氧化镁粉、氢氧化铝粉、白垩粉、层状硅酸盐粉末、重晶石粉末、海泡石粉、滑石粉、云母粉中至少一种粉末。

3.如权利要求1所述的覆铜板结构，其特征在于：所述环氧树脂为双酚A型环氧树脂，结构式如下：

4.如权利要求1所述的覆铜板结构，其特征在于：所述潜伏型固化剂选用二氰二氨，结构式如下：

5.如权利要求1所述的覆铜板结构，其特征在于：所述潜伏型固化剂为芳香族二胺类固化剂，所述芳香族二胺类固化剂选自4，4′-二氨基二苯甲烷、4，4′-二氨基二苯醚、4，4′-二氨基二苯砜中的一种。

6.如权利要求1所述的覆铜板结构，其特征在于：所述固化促进剂是咪唑类促进剂，咪唑类促进剂选自2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、N-甲基咪唑中的一种。

7.如权利要求1所述的覆铜板结构，其特征在于：所述改进的绝缘介质层与导体层之间的距离大于零。

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