CN101414501A - 扼流线圈的磁性元件用金属磁性材料以及smd扼流线圈 - Google Patents

Abstract

本发明是关于作为低压、大电流对应的电脑、图形卡、高频电源等中使用的扼流线圈的磁性元件用金属磁性材料及SMD功率扼流线圈。本发明的磁性元件用金属磁性材料通过以下方法制成：将平均粒径为10～70μm的由雾化法制成的Fe－Si－Al类仙台铁硅铝磁性合金粉末，在空气中或氧化性气氛中以600℃～1000℃煅烧，并在此煅烧后的仙台铁硅铝磁性合金中混合3～45wt％的平均粒径为1～10μm的羰基铁粉。本发明的磁性元件用金属磁性材料用于一边为3mm～13mm的正方形或长方形、高度1～7mm的线圈埋入型SMD功率扼流线圈。

Description

扼流线圈的磁性元件用金属磁性材料以及SMD扼流线圈

技术领域

[0001]

本发明是关于作为与低压、大电流对应的电脑、图形卡、高频电源等中使用的扼流线圈的磁性元件用金属磁性材料及SMD功率扼流线圈。

背景技术

[0002]

以往，与低压、大电流对应的线圈内置一体型SMD功率扼流线圈，为了得到对DC偏置稳定的电感值，要求高饱和磁通密度及金属磁性粉末自身的高绝缘性。

[0003]

用于埋入型SMD功率扼流线圈的材料，代替铁氧体，使用的是高饱和磁通密度的金属磁性粉末，即透磁合金粉末、羰基铁粉、仙台铁硅铝磁性合金粉末。

但是，透磁合金粉末是Fe-Ni类、原料贵，羰基铁粉中铁是主要成分，但价格却是铁粉的几倍，且粒径也是15μm以下的微粉末，难以制作金属粉间绝缘和流动性好的材料。

铁粉自身较便宜，但磁损耗大，且对于DC偏置特性，比透磁合金、羰基铁粉、仙台铁硅铝磁性合金差很多。

[0004]

与之相对，仙台铁硅铝磁性合金是Fe-Si-Al类、材料费比较便宜，并且粒径选择范围也大，有微粒(平均粒径10μm左右)、中粒(平均粒径30μm左右)、粗粒(平均粒径70μm左右)。

通过在空气中煅烧仙台铁硅铝磁性合金粉末，因表面氧化，容易控制合金粒子表面的绝缘电阻，并且能够控制导磁率，作为线圈埋入型SMD功率扼流线圈用金属磁性材料，有容易实现制造上的粒子间绝缘的优点。

[专利文献1]特开2004-166175号公报

发明内容

[0005]

本发明的目的在于得到作为与低压、大电流对应的电脑、图形卡、高频电源等中使用的扼流线圈的磁性元件用金属磁性材料及SMD功率扼流线圈。

[0006]

本发明的磁性元件用金属磁性材料，是通过以下方法制成的，即，将平均粒径为10～70μm的、由雾化法制成的Fe-Si-Al类仙台铁硅铝磁性合金构成的磁性粉末在空气中或氧化性气氛中以600℃～1000℃煅烧，之后在此粉末中混合3～45wt％的平均粒径为1～10μm的羰基铁粉。

[0007]

本发明的磁性元件用金属磁性材料用于正方形或长方形的一边为3mm～13mm、高度1～7mm的线圈埋入型SMD功率扼流线圈。

[0008]

本发明，通过将以线圈埋入型功率扼流线圈材料为主原料的仙台铁硅铝磁性合金粉末和羰基铁粉复合化，从而具有很好的DC偏置和高绝缘性，通过仙台铁硅铝磁性合金煅烧条件的各种设定，能够控制初始导磁率μ和自由改变羰基铁粉的混合比例，从而能够进行多种的SMD功率扼流线圈的特性控制。

能够提供符合下述目的的产品：相对于功率扼流线圈所需要的大电流和高DC偏置、电感，能够容易控制初始导磁率。

通过本发明，能够实现下述产品：控制作为线圈埋入型SMD功率扼流线圈制造上难点的母体金属粉末的初始导磁率μ，正方形或长方形的一边长3mm～13mm、高1mm～7mm的线圈埋入型功率扼流线圈的磁芯中，将作为母体原料的仙台铁硅铝磁性合金的初始导磁率降到羰基铁粉初始导磁率以下，将羰基铁粉在仙台铁硅铝磁性合金中的混合比控制在3～45％范围内，由此能够任意控制市场要求的线圈埋入型SMD功率扼流线圈的形状、电感、DC偏置的要求特性等，且能够使埋入型线圈与形成其的金属磁性粉末间的绝缘电阻在1.0E+06(Ω)以上。

具体实施方式

[0009]

发明的目的特性

本发明的目的在于得到磁性粉末成形体的磁特性·初始导磁率μ在20前后、DC偏置为80％以上的产品。

DC偏置不满80％时，作为扼流线圈的功能显著降低。

本发明者发现，此特性可以通过在由空气中热处理的表面氧化的仙台铁硅铝磁性合金与用于提因高煅烧而降低的初始导磁率和密度的羰基铁粉的混合体而得到。

仙台铁硅铝磁性合金在进行煅烧后初始导磁率μ变低，DC偏置变高。

但此状态难以得到与市场要求的低压、大电流对应的电感。

因此，通过与羰基铁粉的混合，将降低的初始导磁率μ恢复到具有高DC偏置的状态。

这里需要初始导磁率μ高于煅烧后的仙台铁硅铝磁性合金的初始导磁率μ的羰基铁粉。

[0010]

金属磁性材料

仙台铁硅铝磁性合金是Fe-9.6Si-5.4Al合金，通常Si在8.3～11.5wt％、Al在4.5～6.5wt％的范围。准备其粒度为平均粒径约5～90μm的仙台铁硅铝磁性合金。

羰基铁粉是由羰基铁进行化学加工后的微细的球状高纯度铁。

其杂质范围是，C(碳)0.01wt％以下、O(氧)0.01wt％以下。

即使制法不同，只要是同一纯度、同一形状，其效果都是相同的。准备粒径0.3～15μm的样品用于实验。

铁粉是指俗称的电解铁、阿姆克铁等的粉，其纯度不如羰基铁。Fe-3.5Si合金是磁性用硅化铁，通常是指Si2.5～4.5wt％的。

Fe-50Ni合金是指JISH4532的第3种坡莫合金(JISH2531PB级)，其Ni范围通常为40～52wt％。Fe-3.5Si-4.5Cr合金是指Si3～4wt％、Cr4～5wt％的合金。

[0011]

仙台铁硅铝磁性合金、羰基铁粉的粒径

本发明中，在空气中或氧化性气氛中将仙台铁硅铝磁性合金高温加热，进行磁特性(初始导磁率)的调整。

同时在仙台铁硅铝磁性合金粉末表面附上以氧化铝(Al₂O₃)为主的合适的绝缘性薄膜。

在空气中对仙台铁硅铝磁性合金粉末加热，测量了得到合适磁特性和绝缘性的最低加热温度。

其结果如表1所示。

[0012]

[表1]

仙台铁硅铝磁性合金在空气中的加热结果

 

平均粒径(μm)        5       10     40     60     70       90
	氧化性气氛温度(℃)(μ25以下的温度)     600     600    700    750    1000     1000
绝缘性              600℃   600℃  600℃  600℃  600℃    600℃
	评价                ×      ○     ○     ○     ○       ×

表1中，氧化性气氛温度设定为能得到25以下的初始导磁率μ的条件。绝缘性是以能得到1.0E+08(Ω)的绝缘电阻为条件进行判断的。

仙台铁硅铝磁性合金粉末的平均粒径不足10μm时，煅烧中容易燃烧，平均粒径5μm时，在用于得到磁特性(初始导磁率)的煅烧温度600℃下在空气中加热后变为过氧化，得不到特性(非氧化性气氛中600℃没有问题)。

要得到表面绝缘性，必须在空气中进行600℃以上的加热。

平均粒径超过70μm时，若要得到合适的磁特性(初始导磁率)，煅烧温度需1100℃，太高，不适合普通生产。

加热温度越高，绝缘性的值越高，但工业生产最好在1000℃以下。

从表1的结果可知，仙台铁硅铝磁性合金的合适的平均粒径为10μm以上，70μm以下。

[0013]

在平均粒径0.3～15μm的范围内，进行了羰基铁粉与仙台铁硅铝磁性合金的混合性、加压的成形性的测试。

其结果如表2所示。

[0014]

[表2]

羰基铁粉的特性

 

平均粒径(μm)      0.3        1      5      10         15
	混合·成形性      混合性NG   ○     ○     ○         加压成形性NG
初始导磁率 μ       15         20     26     35         40

羰基铁粉要与仙台铁硅铝磁性合金组合，所以需要其初始导磁率μ在25以上。平均粒径为0.3μm时，混合性、初始导磁率μ不耐用，而15μm时羰基铁粉粒子不能很好地进入仙台铁硅铝磁性合金粒子间，成形性不好。

从表2的结果可知，羰基铁粉合适的平均粒径范围是1μm以上、10μm以下。

而且其初始导磁率μ也必然是下限为20、上限为35。

[0015]

实施样品的制作例

以下，实施例详细说明仙台铁硅铝磁性合金的合适的平均粒径10μm以上、70μm以下内、平均粒径为40μm和60μm的仙台铁硅铝磁性合金粉末的实验结果，其中使用了羰基铁粉的合适的平均粒径范围1μm以上、10μm以下内的平均粒径为5μm的羰基铁粉的例子。

未煅烧的仙台铁硅铝磁性合金粉末中平均粒径40μm的初始导磁率μ为37.2、平均粒径60μm的仙台铁硅铝磁性合金粉末的初始导磁率μ为39.1。平均粒径5μm的羰基铁粉的初始导磁率μ为26.4。

上述仙台铁硅铝磁性合金粉末中，对于初始导磁率μ为26.4的羰基铁粉，在空气中或氧化性气氛中煅烧，使之变为低于26.4的初始导磁率μ、即10～25，然后与上述羰基铁粉混合调整。

磁性元件用金属磁性材料在此混合调整材料中还添加了用于提高成形性、绝缘性的环氧粉末1～3wt％、滑石1～3wt％、环氧类漆2～4wt％。

上述羰基铁粉，可以将羰基铁粉的一部分替换为其他的平均粒径为1～10μm的铁粉、Fe-3.5Si合金、Fe-50Ni合金、Fe-3.5Si-4.5Cr合金中任一种或者它们的混合粉，替换范围在0～50％范围内。

[0016]

下面详细说明本发明的磁性元件用金属磁性材料。

分别在空气中以600℃～1000℃、稳定时间15分钟煅烧平均粒径60μm的仙台铁硅铝磁性合金粉末和平均粒径40μm的仙台铁硅铝磁性合金粉末，然后用355μm的网来筛并破碎。由于这些煅烧仙台铁硅铝磁性合金粉末和羰基铁粉不适合直接成形，所以初始导磁率μ和绝缘电阻的测量样品，由下述方法得到。

对于羰基铁粉，对于作为主成分的、在氧化性气氛中烧后的仙台铁硅铝磁性合金粉末100wt％，添加了为了得到各种初始导磁率而调整的环氧粉末2wt％，搅拌混合2分钟，再添加环氧漆1wt％，搅拌混合30分钟。

将这个混合材料放在70℃～80℃的炉中干燥30分钟后，通过355μm的网，制成颗粒。

将此颗粒以环状、外径

×内径

重量1g、成型压力5ton/cm²成型，在170℃下硬化30分钟，作为测量样品。

最初测量成型密度和绝缘电阻后，在此螺旋管上缠绕10圈

的电线，用LCR仪表测量电感，计算出初始导磁率μ。

表3表示仙台铁硅铝合金煅烧粉末、未煅烧的粉末及羰基铁粉末的各自的初始导磁率μ与绝缘电阻、成型密度的关系数据。

[0017]

[表3]

羰基铁粉与煅烧仙台铁硅铝磁性合金的初始导磁率μ

仙台铁硅铝磁性合金在平均粒径40μm时，以700℃以上温度煅烧，平均粒径60μm时，以750℃以上温度煅烧，由此能够使其初始导磁率μ小于羰基铁粉的初始导磁率μ。

平均粒径10μm的仙台铁硅铝磁性合金在1000℃煅烧时，其初始导磁率μ为10。这是能够使用的最低限度的值。

从表3可知，平均粒径越小，仙台铁硅铝磁性合金的初始导磁率μ越容易降低。

煅烧仙台铁硅铝磁性合金的温度越高，密度和初始导磁率μ越低，强度也变弱。

一般情况下，初始导磁率μ越小，DC偏置特性越高，但电感会降低，所以需要弥补双方优点·缺点的材料。

若为了弥补电感的降低而增加线圈的圈数，则由于直流电阻增大、发热变大，导致不能使大电流流动。

因此，我们尝试了通过在初始导磁率μ低于羰基铁粉的仙台铁硅铝磁性合金粉末中混合羰基铁粉，提高密度，从而包含较多磁性粉，恢复电感，同时提高DC偏置。

[0018]

下面详细说明表3中混合了羰基铁粉和仙台铁硅铝磁性合金粉末的配合材料。

将仙台铁硅铝磁性合金和羰基铁粉中添加了滑石的合计重量为100wt％，分别制作了混合0wt％、10wt％、25wt％、45wt％、55wt％羰基铁粉的5种配合材料。

为了提高加热硬化后的强度、稳定绝缘性，添加1～3wt％的滑石较好。这里滑石并不一定是1～3wt％，也可以增加环氧漆来代替。

相对这5种混合粉材料中各自的合计重量，再称取添加1～3wt％范围内的环氧粉末，混合搅拌约2分钟。

然后，相对上述合计重量份，称取添加环氧漆2～4wt％、锡金属皂0.3wt％、MEK2.5vol％，搅拌60分钟。

锡金属皂是用于材料的保湿调整，如果材料在短期内使用，就不是必不可少的了。

将这样得到的配合材料通过250μm的筛子后，为了改善流动性，在80℃下干燥2Hr。

将干燥后的混合粉再通过355μm的网，同时揉散，完成磁性元件用金属磁性材料的配合材料颗粒。

[0019]

混合了0～55wt％羰基铁的5种配合材料的初始导磁率、绝缘电阻、成型密度的测量结果分别是表4(配合材料的初始导磁率μ)、表5(配合材料的绝缘电阻Ω)、表6(配合材料的成型密度g/cm³)。样品是以与煅烧粉末测量形状相同的螺旋管、外径

×内径重量1g、成型压力5ton/cm²成型、在170℃下加热硬化30分钟做成的。

初始导磁率μ也与煅烧粉末的测量相同，在螺旋管上缠绕10圈

的电线，用LCR仪表测量电感，计算出初始导磁率μ。

当然，填充密度会因为成型压力而改变。这里表示成型压力为5ton/cm²的例子，但制造上可以在3～8ton/cm²的范围选择。

[0020]

[表4]

配合材料的初始导磁率μ

[0021]

[表5]

配合材料的绝缘电阻(Ω)

[0022]

[表6]

配合材料的成型密度(g/cm³)

表4中可知，配合材料的初始导磁率μ，在不添加羰基铁粉的值中，随着仙台铁硅铝磁性合金煅烧温度上升而下降。

这是由于，煅烧上升[0016]与配合材[0018]中，为了适合线圈的一体成形，添加物的内容不同。

另外可知，改变仙台铁硅铝磁性合金的煅烧温度和羰基铁的混合量，能够容易控制配合材料的初始导磁率μ，这些组合可以自由进行。

这里，由煅烧上升管理仙台铁硅铝磁性合金的初始导磁率μ的目的是管理产品的DC偏置，配合材料的初始导磁率μ在工程管理上是用于电感管理。

通过在仙台铁硅铝磁性合金中添加羰基铁粉可以改善DC偏置，但这是由初始导磁率μ管理的。重要的是添加的羰基铁粉的初始导磁率μ要大于等于仙台铁硅铝磁性合金的初始导磁率μ。

换言之，仙台铁硅铝磁性合金的初始导磁率μ在羰基铁粉的初始导磁率μ以下。

仙台铁硅铝磁性合金的初始导磁率μ超过羰基铁粉的初始导磁率μ，无法得到合适的DC偏置。

具有高初始导磁率μ的仙台铁硅铝磁性合金可以得到大的电感，但DC偏置会恶化。

为了使初始导磁率μ高的仙台铁硅铝磁性合金的电感符合市场要求值而添加无机物或有机物的绝缘物质、减少线圈圈数、降低成型压，但初始导磁率μ高的仙台铁硅铝磁性合金的DC偏置达不到目标。

因此，在最初由煅烧来降低仙台铁硅铝磁性合金的初始导磁率μ，初始导磁率μ在10～25的低领域中DC偏置上升到90％，但电感却达不到市场要求值。

这里，必须要提高电感，为此，需要混合不降低煅烧仙台铁硅铝磁性合金的初始导磁率μ、具有高于煅烧仙台铁硅铝磁性合金的初始导磁率μ且能够进入仙台铁硅铝磁性合金粒子空隙以提高密度的微粒子的羰基铁粉。

由表5可知，如果以1.0E+06(Ω)以上为目标，则羰基铁粉最大可以混合到45wt％。

45wt％的值，是羰基铁粉的初始导磁率μ在26.4(表3)附近的情况、当初始导磁率μ为20、30、35等值时，混合量会上下变化，因此能够混合的最大值当然也上下变化。

混合了羰基铁粉后，绝缘电阻会下降，所以由仙台铁硅铝磁性合金的煅烧得到的表3的绝缘电阻在1.0E+8(Ω)以上较好、最好在1.0E+10(Ω)以上。

由表6可知，煅烧温度越高，成型密度越低，但混合羰基铁粉可以提高密度。

即，由于能够关入较多的磁性粉，所以即使仙台铁硅铝磁性合金的初始导磁率μ很小也能够提高电感。

[0023]

下面说明由上述配合材料的测量结果导出的、最合适的仙台铁硅铝磁性合金煅烧温度与羰基铁粉混合量的关系的测试结果。

代表样品的形状为(10mm×10mm四方)×高4mm、缠绕3.5Ts的平角线宽1.8mm×厚0.5mm的线圈、由5ton/cm²的成型压一体成型。

成型后，在170℃下加热硬化60分钟，制成测试用样品。

此形状下的DC偏置特性，0A时的电感为0.5μH，与之相对，40A时为0.4μH，为现在的最高值。

即，这时用DC偏置值＝[40A时的电感(L40A)/0A时的电感(L0A)]×100计算出，结果DC偏置为80％。

上述配合材料不是每个都为0.5μH，测量所有配合材料的电感和DC偏置，求出满足0.5μH条件的关键的DC偏置值，其结果如表7所示。

[0024]

[表7]

10×10×4(0.5μH)时DC偏置与羰基铁、煅烧仙台铁硅铝磁性合金的初始导磁率μ的关系

由表7的结果可知，仙台铁硅铝磁性合金单独、即羰基铁粉混合量为0wt％的DC偏置界限为78％，如果羰基铁粉不混合3wt％以上，DC偏置不会达到80％。

羰基铁粉混合量越多，DC偏置越大，但如前述，超过45wt％，则绝缘电阻会降低(表5)。

因此，羰基铁粉的混合量范围最好是3～45wt％。

关于配合材料的初始导磁率μ，如果电感为0.5μH不变，初始导磁率μ也会一定，但会随着羰基铁粉混合量的增加而降低。

其原因还没有明确。

并且，与仙台铁硅铝磁性合金的平均粒径无关，煅烧仙台铁硅铝磁性合金的初始导磁率μ与DC偏置值大致一致。即，与平均粒径无关，与煅烧仙台铁硅铝磁性合金的初始导磁率μ一致就可以了。

煅烧仙台铁硅铝磁性合金的初始导磁率μ因煅烧温度、气氛、时间、粒径而变化，并不限定于表7的温度煅烧，只要采用得到目标初始导磁率μ的煅烧方法就可以。

[0025]

此方法得到的材料，对于其他SMD功率扼流线圈的形状、电感值，是否有较好的DC偏置，其测试结果的一例如表8所示。

这里，产生形状固有的差，对于6.5mm□×高3mm，对仙台铁硅铝磁性合金煅烧后的初始导磁率μ14，羰基铁的混合量为25wt％的配合材料合适。

[0026]

[表8]

其他形状的DC偏置特性例

这里的通电电流，目前是DC偏置为75～80％的最大电流值。

但是，煅烧仙台铁硅铝磁性合金和羰基铁粉的混合材料超过了此界限点。

这样，对于形状固有的差和电感值的不同，由仙台铁硅铝磁性合金的煅烧，组合改变其初始导磁率μ和羰基铁粉混合量，可以自由地与目标DC偏置对应。

[0027]

下面，在煅烧仙台铁硅铝磁性合金与羰基铁粉3～45wt％的混合中，将羰基铁粉的一部分替换为其他金属磁性粉，并测试DC偏置怎样变化。

作为替换对象的金属磁性粉是纯铁、Fe-3.5Si合金、Fe-50Ni合金、Fe-3.5Si-4.5Cr合金这4种，它们的平均粒径为1～10μm。

使用表7的煅烧仙台铁硅铝磁性合金(平均粒径40μm、煅烧温度880℃)，替换羰基铁粉25wt％的一部分，以此为例进行说明。

这里使用的羰基铁粉与表3的相同。

制作配合材料的方法，与之前实验[0018]相同，以与羰基铁粉的重量比例(替换率)为0～60％的重量份将羰基铁替换为上述金属磁性粉。

样品的形状、测量方法与上述实验[0023]相同。

DC偏置的测量结果如表9～表12所示，这里使用的替换添加合金的粒径为10μm。

[0028]

[表9]

10×10×4(0.5μH)羰基铁粉由电解铁(Fe)替换时的DC偏置

[0029]

[表10]

10×10×4(0.5μH)羰基铁粉由Fe-3.5Si合金替换时的DC偏置

[0030]

[表11]

10×10×4(0.5μH)羰基铁粉由Fe-50Ni合金替换时的DC偏置

[0031]

[表12]

10×10×4(0.5μH)羰基铁粉由Fe-3.5Si-4.5Cr合金替换时的DC偏置

从表9～表12可知，将与煅烧仙台铁硅铝磁性合金混合的羰基铁粉的一部分用其他金属磁性粉电解铁(Fe)、Fe-3.5Si合金、Fe-50Ni合金、Fe-3.5Si-4.5Cr合金替换，即使替换0～50％，DC偏置都超过80％，在该替换率范围内都能混合。

4种金属粉的每种混合中，DC偏置都超过80％，同时混合2～4种，也能得到80％以上的结果。

另外，无论添加替换哪种合金，超过50％时，DC偏置都低于80％，不合适。

[0032]

本发明，可以在各种形状的SMD功率扼流线圈中，将以往困难的大电流中的DC偏置提高到80％以上。

磁特性改善的主要技术依据大致推测如下。

即，将作为主原料的Fe-Si-Al类仙台铁硅铝磁性合金在空气中或氧化气氛中进行氧化处理，使形成合金的各种金属氧化，由此大幅增加了合金粒子的表面电阻，但作为副作用，导致磁特性降低。

在空气中高温氧化仙台铁硅铝磁性合金会生成Al₂O₃、SiO₂、Fe₃O₄、Fe₂O₃等氧化物，但绝缘性提高上，Al₂O₃、SiO₂做出了主要贡献。

氧化处理前的初始导磁率μ的初始值为35以上，煅烧到25以下，通过氧化反应，DC偏置特性得到改善，仙台铁硅铝合金粒子的表面电阻也大幅上升。

但是，初始导磁率μ和密度小会导致电感降低，但SMD功率扼流线圈中，这个缺点由羰基铁粉弥补，由此提高了密度，保持了良好的DC偏置，恢复了电感。

为了提高金属粉末粒子的绝缘电阻，用环氧树脂等进行涂层，但由于煅烧，仙台铁硅铝磁性合金粉末的表面电阻大幅上升，所以依赖于树脂涂层的绝缘性能没有那么重要，羰基铁粉能够未经处理、未降低其初始导磁率μ地进行混合，所以45wt％以下就能够确保足够的电感和绝缘电阻。

[0033]

通过本发明，控制作为线圈埋入型SMD功率扼流线圈制造上难点的母体金属粉末的初始导磁率μ，在一边长为3mm～13mm的正方形或长方形、高1mm～7mm的线圈埋入型功率扼流线圈的磁芯中，将作为母体原料的仙台铁硅铝磁性合金的初始导磁率μ降低到羰基铁粉的初始导磁率μ以下，将仙台铁硅铝磁性合金中羰基铁粉的混合比控制在3～45％范围内，由此，能够任意控制市场要求的线圈埋入型SMD功率扼流线圈的形状、电感、DC偏置的要求特性等，并且可以使埋入型线圈与形成它的金属磁性粉末间的绝缘电阻在1.0E+06(Ω)以上。

Claims (5)

1.一种扼流线圈的磁性元件用金属磁性材料，其特征在于通过以下方法制成：

将平均粒径为10～70μm的由雾化法制成的Fe-Si-Al类仙台铁硅铝磁性合金粉末，在空气中或氧化性气氛中以600℃～1000℃煅烧，并在此煅烧后的仙台铁硅铝磁性合金中混合3～45wt％的平均粒径为1～10μm的羰基铁粉。

2.根据权利要求1所述的扼流线圈的磁性元件用金属磁性材料，其特征在于通过以下方法制成：

以使仙台铁硅铝磁性合金的初始导磁率μ在初始导磁率μ在20～35范围的羰基铁粉的初始导磁率以下且在10以上的方式，在空气中或氧化性气氛中煅烧仙台铁硅铝磁性合金，并与上述羰基铁粉混合调整。

3.根据权利要求1或2所述的扼流线圈的磁性元件用金属磁性材料，其特征在于通过以下方法制成：

在上述权利要求1或2的磁性元件用金属磁性材料中，添加1～3wt％的环氧粉末、1～3wt％的滑石、2～4wt％的环氧类漆。

4.根据权利要求1所述的扼流线圈的磁性元件用金属磁性材料，其特征在于上述羰基铁粉通过以下方法制成：

将3～45wt％的羰基铁粉的一部分替换为平均粒径为1～10μm的电解铁粉、Fe-3.5Si合金、Fe-50Ni合金、Fe-3.5Si-4.5Cr合金中的任一种或混合粉，替换范围为0～50wt％。

5.一种SMD扼流线圈，其特征在于通过以下方法制成：

使用上述权利要求1～4中任一项的扼流线圈的磁性元件用金属磁性材料，形成正方形或长方形，一边长为3mm～13mm，高为1mm～7mm。