CN101410753A - 使用软光刻法形成纳米级特征的方法 - Google Patents

使用软光刻法形成纳米级特征的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101410753A
CN101410753A CN200780011131.8A CN200780011131A CN101410753A CN 101410753 A CN101410753 A CN 101410753A CN 200780011131 A CN200780011131 A CN 200780011131A CN 101410753 A CN101410753 A CN 101410753A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pattern
substrate
nanoscale features
micrometer
class
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN200780011131.8A
Other languages
English (en)
Inventor
A·施姆
J·罗杰斯
F·华
K·法
P·波恩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Silicones Corp
Original Assignee
Dow Corning Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning Corp filed Critical Dow Corning Corp
Publication of CN101410753A publication Critical patent/CN101410753A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B29C33/3842Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
    • B29C33/3857Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining by making impressions of one or more parts of models, e.g. shaped articles and including possible subsequent assembly of the parts
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2012Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image using liquid photohardening compositions, e.g. for the production of reliefs such as flexographic plates or stamps
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01LCHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
    • B01L3/00Containers or dishes for laboratory use, e.g. laboratory glassware; Droppers
    • B01L3/50Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes
    • B01L3/502Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes with fluid transport, e.g. in multi-compartment structures
    • B01L3/5027Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes with fluid transport, e.g. in multi-compartment structures by integrated microfluidic structures, i.e. dimensions of channels and chambers are such that surface tension forces are important, e.g. lab-on-a-chip
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B29C33/40Plastics, e.g. foam or rubber
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29KINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2083/00Use of polymers having silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only, in the main chain, as moulding material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29LINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00Other particular articles
    • B29L2031/756Microarticles, nanoarticles
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24612Composite web or sheet
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24893Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including particulate material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Clinical Laboratory Science (AREA)
  • Hematology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Abstract

本发明提供使用软光刻法形成分子膜的方法。该方法包括在可模塑的聚合物组合物中形成具有至少一个纳米级特征的图案,和将所述图案的至少一部分配置成与第一衬底邻近。

Description

使用软光刻法形成纳米级特征的方法
技术领域
本发明一般地涉及软光刻法,更具体地,涉及使用软光刻法形成纳米级特征。
发明背景
光刻法被广泛用于制造电子器件、磁器件、机械器件、和光学器件、以及可用于生物学和化学分析的器件。例如,光刻技术可用于限定半导体器件中电路元件的特征和/或结构,例如一个或多个晶体管、通路、内连线等。再例如,光刻法可用于限定光波导和光学元件的结构和/或操作特征。又例如,光刻法可用于形成可用来传输流体和为包括离子分离、反应催化等的化学反应和/或分析提供位点的结构。有时被称为“晶片实验室”的这些结构可用于半导体器件、传感器、DNA分离器、分子膜等。
在常规的投影光刻法中,向衬底表面施加光致抗蚀剂薄层并且使光致抗蚀剂的选定部分暴露于光图案。例如,可以使用掩模或掩蔽层保护衬底表面的一些部分免受光源影响。然后可使光致抗蚀剂层显影,以使得光致抗蚀剂层的曝光(或未曝光)部分可被蚀刻。常规光刻法的分辨率可能被确定达到相对高的精确度,这至少部分因为常规光刻法采用了边界清晰的光学技术。然而,常规光刻法的分辨率可能受到光的波长、光致抗蚀剂和/或衬底中的散射、光致抗蚀剂层的厚度和/或性质、和其它影响因素限制。因此,使用投影光刻法形成大小(或临界尺寸)小于约100纳米的特征通常被认为是经济上不可行的。即使忽略经济方面的考虑,使用投影光刻法形成大小(或临界尺寸)小于约45纳米的特征实际上可能也是不可能的。
下一代光刻法(NGL)例如电子束光刻法、蘸笔光刻法、和各种纳米压印技术也可用于形成结构。例如,电子束方法可用于通过将被称为光刻胶的聚合物暴露于短波长紫外辐射或电子束而在其中产生图案。暴露于成像辐射改变了聚合物的溶解度,以使得可以用溶剂除去聚合物膜的曝光部分。然而,使用这些技术生产尺寸小于100nm的结构的成本高并且只能使用非常特殊的成像工具和材料才能实施。因此,使用这些技术大规模工业生产器件被认为是经济上不可行的。
发明内容
本发明涉及解决一个或多个上述问题的影响。以下提供发明的简单概述,以便提供对本发明的一些方面的基本理解。这种概述不是本发明的详尽综述。其不存在揭示本发明的关键或决定性要素,也不旨在描述本发明的范围。其唯一的目的在于提供简化形式的某些概念,作为随后讨论的更详细说明的序言。
在本发明的一个实施方案中,提供了使用软光刻法形成分子膜的方法。该方法包括在可模塑的聚合物组合物中形成具有至少一个纳米级特征的图案,和将所述图案的至少一部分配置成与第一衬底邻近。
附图说明
可以通过以下描述结合附图理解本发明,其中相同的参考数字表示相同的元件,其中:
图1在概念上说明了根据本发明使用软光刻法形成分子膜的技术的一个示例性实施方案;
图2在概念上说明了根据本发明用于驱动流体通过分子膜的器件的一个示例性实施方案;和
图3表示根据本发明的分子膜和两个微通道的荧光图像。
尽管本发明可以有多种变换和替代方式,但是其特定的实施方案和方法已经在附图中示范性地显示,并且在本文中有详细描述。然而,应该理解,本文中对特定实施方案的描述不是意在将本发明限制于所公开的具体形式,相反地,目的在于涵盖落入所附权利要求限定的本发明的精神实质和范围内的所有变体、等价方式和备选方案。
发明详述
以下描述本发明的说明性实施方案。为了清楚,本说明书中没有描述实际执行过程的所有特征。当然,应该理解,在开发任何这种实际的实施方案时,需要作出许多与执行过程特异性相关的决定来实现开发者的特定目标,例如符合***相关的和商业相关的约束条件,其随执行过程的不同而不同。此外,应该理解,这种开发工作可能是复杂和费时的,但是对于本公开所属技术领域的技术人员来说仍然常规的工作。
现在参考附图描述本发明。在附图中示意性地描述各种结构、***和器件仅出于说明的目的,以便不会因本领域技术人员公知的细节使本发明变得难以理解。然而,包括附图是用来描述和说明本发明的示例性实例。本文中使用的词汇和短语应该被理解和解释为具有与本领域技术人员所理解的那些词汇和短语一致的含义。本文中的术语或短语的一贯用法不旨在暗示该术语或短语的特殊定义,即与本领域技术人员理解的普通和通常的含义不同的定义。就术语或短语意在具体特殊含义而言,即与本领域技术人员的理解不同的含义,这种特殊的定义会以直接和明确提供该术语或短语的特殊含义的定义方式在说明书中予以清楚地阐述。
图1在概念上说明了使用软光刻法形成包括纳米级特征105的分子膜的技术100的一个示例性实施方案。在该说明性实施方案中,在衬底110上或与衬底110邻近形成一个或多个纳米级特征105。如本文中使用的,术语“纳米级”应该理解为是指其特征在于至少一个长度尺度小于约200nm的特征。在一个实施方案中,纳米级特征的长度尺度小于约100nm。例如,纳米级特征105可具有至少一个最大为约5nm的长度尺度。然而,本领域技术人员应该理解,纳米级特征105还可以通过基本上大于100nm的其它长度尺度来表征。例如,具有圆柱几何形状的纳米级特征105可具有最大为约5nm的直径和基本上大于200nm的与圆柱轴平行的长度尺度。
在一个实施方案中,衬底110是硅片,纳米级特征105是单壁碳纳米管(SWNT)。衬底110还可以包括在硅片上形成的二氧化硅(SiO2)层(未示出),以促进SWNT 105的粘附和形成。衬底110优选包括小直径SWNT 105的高质量亚单层,其用作可以构造纳米模(nanomold)的模板。SWNT 105的圆柱形截面和高长径比、它们长达多个微米的尺寸的原子尺度均匀性、它们的化学惰性和在多种衬底上于大面积内大量使其生长或沉积的能力使得SWNT 105适合用于本发明的方法。然而,本领域技术人员应该理解,衬底110和纳米级特征105不是必须分别由硅和单壁纳米管形成,并且在可供选择的实施方案中,衬底110和/或纳米级特征105可使用任何材料形成。例如,可以使用双壁纳米管、纳米线、电子束蚀刻特征、特意组织的结构(purposefully organizedstructures)等形成纳米级特征105。
可使用相对高浓度的铁蛋白催化剂用基于甲烷的化学气相沉积法形成SWNT 105。形成的SWNT 105可具有最大为约10nm的直径,优选具有最大为约5nm的直径和在SiO2/Si片上的1-10管/m2的覆盖率。管直径的连续范围和它们相对高(除亚单层以外)的覆盖率使得它们对于评价分辨率极限或尺寸极限是理想的。SWNT 105的圆柱几何形状允许简单地通过原子力显微镜(AFM)测量它们的高度而表征它们的尺寸。SWNT 105通过范德瓦耳斯粘合力与SiO2/Si110衬底结合,所述粘合力使SWNT 105以充分的强度与衬底110结合,以防止它们在剥离固化的聚合物模时的移动,如以下更详细地讨论的。优选地,SWNT 105在大的区域上没有聚合物残留,以允许复制在衬底110上形成的高分辨率特征。无聚合物残留可表明模具没有污染主片,因此模具中的特征是由于真正的复制而不是材料破损而形成的。任选地,在第一衬底上形成的SWNT 105可以包括施加在其上的硅烷层,用于起到脱模剂的作用,从而防止粘附用于形成衬底110的模具的聚合物。
在说明性实施方案中,另外在衬底110上或与衬底110邻近形成一个或多个微米级特征115。如本文中使用的,术语“微米级”应该理解为是指其特征在于至少一个长度尺度大于约200nm的特征。例如,微米级特征115可以是约30微米宽和11微米高的微通道。在一个实施方案中,微米级特征115形成为与至少一些纳米级特征105接触,使得使用纳米级特征105和微米级特征110形成的模具可以用于传输流体,如以下详细讨论的。衬底110还可以包括配置在衬底110中、配置在衬底110上、或配置成与衬底110邻近的其它材料,例如通过电子束光刻法或X射线光刻法制成的模具、塑料片上的生物材料等等。
可以对衬底110、纳米级特征105和(如果存在)微米级特征115浇铸一种或多种可固化组合物并且使其(完全或部分)固化,以形成模具120。在一个实施方案中,模具120是复合模具,其具有多个固化的(交联的)聚合物层125、130。抵靠衬底110形成的第一层125可以是通过浇铸包含硅氧烷的可固化组合物和使其(完全或部分)固化形成的具有相对较高模量(~10MPa)的弹性体(即,交联聚合物)。通过使包含硅氧烷的可固化组合物(完全或部分)固化形成的高模量弹性体(即,交联聚合物)可称为h-PDMS。然而,掌握本公开的本领域技术人员应该理解,在可供选择的实施方案中,可以使用多种不同的方法制备可固化组合物,包括使用具有例如环氧基、乙烯基、羟基官能团的含硅的单体或聚合物。在一个实施方案中,可以通过将乙烯基官能的硅氧烷和催化剂混合而制备可固化组合物。然后,可加入氢化官能的硅氧烷并且混合,以形成包含硅氧烷的可固化组合物。可固化组合物可以通过将可固化组合物旋转-浇铸或另外地沉积在衬底110上进行浇铸。
在说明性实施方案中,通过例如加热可固化组合物使所述可固化组合物部分固化。在一个实施方案中,催化剂可诱导S iH键遇到可固化组合物中的乙烯基而加成,从而形成SiCH2-CH2-Si键(也称为氢化硅烷化)。在可固化组合物中至少一个具有多个反应位点的部分的存在允许进行3D交联,所述3D交联可抑制成键原子之间的相对移动。可以使可固化组合物流到主片的浮雕结构中,然后使可固化组合物经历将诱导交联的条件。于是硅氧烷主链的顺应性可以允许复制细微特征,例如纳米级特征105和/或微米级特征115。
然后可以与完全或部分固化的h-PDMS层125的后表面邻近而形成任选的第二聚合物130。在一个实施方案中,与部分固化的h-PDMS层125邻近形成物理上坚韧的、较低模量的弹性体(s-PDMS)层130,以使得模具120相对易于操纵。例如,可通过浇铸可固化组合物例如Sylgard 184并且将其固化来形成s-PDMS层130,其中Sylgard 184可购自Dow Corning Corporation。在形成s-PDMS层130之后,可以使衬底110上的多个聚合物层125、130完全固化,以形成复合模具120。然而,本领域技术人员应该理解,第二层130是任选的并且可能在一些可供选择的实施方案中不包括第二层130。
尽管上述的实施方案利用包含硅氧烷的可固化组合物来形成h-PDMS和s-PDMS弹性体,但是掌握本公开的本领域技术人员应该理解,本发明不限于使用这些可固化组合物形成模具120。在可供选择的实施方案中,可使用形成可模塑聚合物的可固化聚醚组合物形成模具120。可固化聚醚组合物的实例包括但不限于可固化的多氟化聚醚组合物等。在其它可供选择的实施方案中,可使用可固化的或不可固化的树脂形成模具120。
还可使用形成可模塑聚合物的其它可固化硅氧烷组合物形成模具120。可固化硅氧烷组合物的实例包括但不限于可氢化硅烷化固化的硅氧烷组合物、过氧化物可固化的硅氧烷组合物、可缩合固化的硅氧烷组合物、环氧化物可固化的硅氧烷组合物;可紫外辐射固化的硅氧烷组合物、和可高能辐射固化的硅氧烷组合物。在其它实施方案中,包含有机聚合物和硅氧烷聚合物的共聚物的杂化聚合物可与可固化位点组合使用,或者通过利用具有高玻璃化转变温度的聚合物而使用。
可固化的硅氧烷组合物和它们的制备方法是本领域中公知的。例如,适合的可氢化硅烷化固化的硅氧烷组合物典型地包含(i)每分子含有平均至少两个与硅键合的烯基的有机基聚硅氧烷、(ii)其量足以固化所述组合物的每分子含有平均至少两个与硅键合的氢原子的有机氢硅氧烷、和(iii)氢化硅烷化催化剂。氢化硅烷化催化剂可以是任何公知的氢化硅烷化催化剂,包括铂族金属、含铂族金属的化合物、或微囊化的含铂族金属的催化剂。铂族金属包括铂、铑、钌、钯、锇和铱。优选地,铂族金属是铂,这是由于其在氢化硅烷化反应中的高活性。
可氢化硅烷化固化的硅氧烷组合物可以是单部分组合物或是在两个或更多部分中包含所述组分的多部分组合物。可室温硫化(RTV)的组合物典型地包括两个部分,一部分包含有机基聚硅氧烷和催化剂,另一部分包含有机氢硅氧烷和任何任选的成分。在升高的温度下固化的可氢化硅烷化固化的硅氧烷组合物可以配制为单部分组合物或多部分组合物。例如,液体硅橡胶(LSR)组合物典型地配置成两部分体系。单部分组合物典型地包含铂催化剂抑制剂,以保证足够的储存期限。
适合的过氧化物可固化的硅氧烷组合物典型地包含(i)有机基聚硅氧烷和(ii)有机过氧化物。有机过氧化物的实例包括二芳酰基过氧化物,例如过氧化二苯甲酰、二对氯苯甲酰过氧化物、和双-2,4-二氯苯甲酰过氧化物;二烷基过氧化物,例如过氧化二叔丁基、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧基)己烷;二芳烷基过氧化物,例如过氧化二异丙苯;烷基芳烷基过氧化物,例如过氧化叔丁基异丙苯和1,4-双(叔丁基过氧基异丙基)苯;和烷基芳酰基过氧化物,例如过苯甲酸叔丁酯、过醋酸叔丁酯、和过辛酸叔丁酯。
可缩合固化的硅氧烷组合物典型地包含(i)每分子含有平均至少两个羟基的有机基聚硅氧烷;和(ii)含有可水解的Si-O或Si-N键的三或四官能的硅烷。硅烷的实例包括烷氧基硅烷,例如CH3Si(OCH3)3、CH3Si(OCH2CH3)3、CH3Si(OCH2CH2CH3)3、CH3Si[O(CH2)3CH3]3、CH3CH2Si(OCH2CH3)3、C6H5Si(OCH3)3、C6H5CH2Si(OCH3)3、C6H5Si(OCH2CH3)3、CH2=CHSi(OCH3)3、CH2=CHCH2Si(OCH3)3、CF3CH2CH2Si(OCH3)3、CH3Si(OCH2CH2OCH3)3、CF3CH2CH2Si(OCH2CH2OCH3)3、CH2=CHSi(OCH2CH2OCH3)3、CH2=CHCH2Si(OCH2CH2OCH3)3、C6H5Si(OCH2CH2OCH3)3、Si(OCH3)4、Si(OC2H5)4、和Si(OC3H7)4;有机乙酰氧基硅烷,例如CH3Si(OCOCH3)3、CH3CH2Si(OCOCH3)3、和CH2=CHSi(OCOCH3)3;有机亚胺基氧基硅烷,例如CH3Si[O-N=C(CH3)CH2CH3]3、Si[O-N=C(CH3)CH2CH3]4、和CH2=CHSi[O-N=C(CH3)CH2CH3]3;有机乙酰胺基硅烷,例如CH3Si[NHC(=O)CH3]3和C6H5Si[NHC(=O)CH3]3;氨基硅烷,例如CH3Si[NH(s-C4H9)]3和CH3Si(NHC6H11)3;和有机氨基氧基硅烷。
可缩合固化的硅氧烷组合物还可以包含缩合催化剂来引发和促进缩合反应。缩合催化剂的实例包括但不限于胺;铅、锡、锌、和铁与羧酸类的复合物。特别有用的是锡(II)的辛酸盐、月桂酸盐、和油酸盐,以及二丁基锡的所述盐。可缩合固化的硅氧烷组合物可以是单部分组合物或是在两个或更多个部分中包含所述组分的多部分组合物。例如,可室温硫化(RTV)的组合物可以配制为单部分组合物或两部分组合物。在两部分组合物中,有-个部分典型地包含少量水。
适合的环氧化物可固化的硅氧烷组合物典型地包含(i)每分子含有平均至少两个环氧基官能团的有机基聚硅氧烷和(ii)固化剂。环氧基官能团的实例包括2-缩水甘油氧基乙基、3-缩水甘油氧基丙基、4-缩水甘油氧基丁基、2,(3,4-环氧环己基)乙基、3-(3,4-环氧环己基)丙基、2,3-环氧丙基、3,4-环氧丁基、和4,5-环氧戊基。固化剂的实例包括酸酐,例如邻苯二甲酸酐、六氢邻苯二甲酸酐、四氢邻苯二甲酸酐、和十二烯基琥珀酸酐;多聚胺,例如二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、二亚乙基丙胺、N-(2-羟基乙基)二亚乙基三胺、N,N′-二(2-羟基乙基)二亚乙基三胺、间苯二胺、亚甲基二苯胺、氨基乙基哌嗪、4,4-二氨基二苯基砜、苄基二甲基胺、双氰胺、和2-甲基咪唑、和三乙胺;路易斯酸,例如三氟化硼单乙胺;聚羧酸;聚硫醇;聚酰胺;和酰胺-胺(amidoamine)。
适合的可紫外辐射固化的硅氧烷组合物典型地包含(i)含有对辐射敏感的官能团的有机基聚硅氧烷和(ii)光引发剂。对辐射敏感的官能团的实例包括丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、环氧基、和烯基醚基团。光引发剂的类型取决于有机基聚硅氧烷中对辐射敏感的基团的性质。光引发剂的实例包括二芳基碘鎓盐、锍盐、苯乙酮、二苯甲酮、和苯偶姻及其衍生物。
适合的可高能辐射固化的硅氧烷组合物包含有机基聚硅氧烷聚合物。有机基聚硅氧烷聚合物的实例包括聚二甲基硅氧烷、聚(甲基乙烯基硅氧烷)、和有机氢聚硅氧烷。高能辐射的实例包括γ-射线和电子束。
本发明的可固化的硅氧烷组合物可以包含其它成分。其它成分的实例包括但不限于增粘剂、溶剂、无机填料、光敏剂、抗氧化剂、稳定剂、颜料、和表面活性剂。无机填料的实例包括但不限于天然的二氧化硅,例如结晶二氧化硅、研磨的结晶二氧化硅、和硅藻土;合成的二氧化硅,例如熔融石英、硅胶、热解二氧化硅、和沉淀二氧化硅;硅酸盐,例如云母、钙硅石、长石和霞石正长岩;金属氧化物,例如氧化铝、二氧化钛、氧化镁、氧化铁、氧化铍、氧化铬、和氧化锌;金属氮化物,例如氮化硼、氮化硅、和氮化铝;金属碳化物,例如碳化硼、碳化钛、和碳化硅;炭黑;碱土金属碳酸盐,例如碳酸钙;碱土金属硫酸盐,例如硫酸钙、硫酸镁、和硫酸钡;二硫酸钼;硫酸锌;高岭土;滑石粉;玻璃纤维;玻璃珠,例如空心玻璃微珠和固态玻璃微球;三水合铝;石棉;和金属粉末,例如铝粉、铜粉、镍粉、铁粉、和银粉。
硅氧烷组合物可以通过暴露于环境温度、升高的温度、湿分、或辐射而固化,这取决于具体的固化原理。例如,单部分的可氢化硅烷化固化的硅氧烷组合物典型地在升高的温度下固化。两部分的可氢化硅烷化固化的硅氧烷组合物典型地在室温或升高的温度下固化。单部分的可缩合固化的硅氧烷组合物典型地通过在室温下暴露于大气湿分而固化,不过可以通过进行加热和/或暴露于高湿度来促进固化。两部分的可缩合固化的硅氧烷组合物典型地在室温下固化;然而,可以通过进行加热促进固化。过氧化物可固化的硅氧烷组合物典型地在升高的温度下固化。环氧化物可固化的硅氧烷组合物典型地在室温或升高的温度下固化。取决于具体的配方,可辐射固化的硅氧烷组合物典型地通过暴露于辐射而固化,所述辐射例如紫外光、γ射线、或电子束。
在固化或部分固化之后,可以将模具120从衬底110上取走。在说明性实施方案中,模具120包括在衬底110上形成的与纳米级特征105相对应的分子膜135。因此,分子膜135包括一个或多个纳米级特征。模具120还可以包括一个或多个微通道140、145,其与在衬底110上形成的微米级特征115相对应。在一个实施方案中,与分子膜135邻近形成微通道140、145以使得液体可以通过分子膜135而在微通道140、145之间流动。
在从衬底110上取走之后,可以将模具120置于表面150的上方。在一个实施方案中,表面150是硅片的平坦表面。例如,表面150可以在与模具120相关的特征长度尺度上是平坦的,所述特征长度尺度例如用于形成纳米级特征105的一个或多个单壁纳米管的特征长度。然而,掌握本公开的本领域技术人员应该理解,表面150不必须是平坦的。在可供选择的实施方案中,表面150的多个部分可以是弯曲的,例如,在比一个或多个纳米级特征105的特征长度相对小的长度尺度上是弯曲的。此外,表面150的组成是设计选择的问题,不是本发明的实质性内容。在可供选择的实施方案中,可以使用由任何材料形成的任何合适的表面150。
模具120可以粘附于表面150,使得分子膜135和/或微通道140、145中的任何液体被基本上限制为保持在分子膜135和/或微通道140、145内。本领域技术人员应该理解,此处使用的术语“基本上限制”是表示可能难以或不可能阻止分子膜135和/或微通道140、145中的全部液体流出,因此分子膜135和/或微通道140、145内的一部分液体可能从分子膜135和/或微通道140、145流出。然而,当液体被基本上限制为保持在分子膜135和/或微通道140、145内时,大部分液体保持在分子膜135和/或微通道140、145中。
可以在微通道140、145的一个或多个部分上方开设一个或多个端口窗155。例如,端口窗155可以开在微通道140、145的端部上方,以允许将流体注入到微通道140、145中或从中取出。可以使用任何所希望的技术开设端口窗155,包括将模具120的一部分蚀刻掉。掌握本公开的本领域技术人员应该理解,端口窗155的尺寸是设计选择的问题,不是本发明的实质性内容。作为一个实例,端口窗155的尺寸可以与微通道140、145的一部分的一个或多个尺寸相对应。在一个实施方案中,可以向一个或多个端口窗155提供流体,并且多份流体可以通过微通道140被引入到分子膜135中、引入微通道145中,然后通过相关的端口窗取出,如以下详细讨论的。
图2在概念上说明了用于驱动液体通过分子膜205的器件200的一个示例性实施方案。在说明性实施方案中,分子膜205包括根据上述技术形成的纳米级结构。可以将流体储存在贮液器210(1-4)中并且提供给分子膜205或从中取出。在说明性实施方案中,可以在贮液器210(1-2)和贮液器210(3-4)之间施加电压215。施加的电压215可以驱动流体从贮液器210(1-2),通过端口窗220,并且进入微通道225。然后多份流体可以通过分子膜205,进入微通道230,并且继续前进,通过端口窗235进入贮液器210(3-4)。例如,可以通过施加的电压215使得质子(即,H+离子)迁移通过分子膜205。
图3表示分子膜300和两个微通道305(1-2)的荧光图像。在说明性实施方案中,使用通过对单壁碳纳米管浇铸PDMS聚合物并且使其固化而产生的印模(stamp)形成分子膜300和微通道305(1-2)。微通道305(1-2)填充有含0.01nM Snarf-1溶液和50mM磷酸盐缓冲盐水(PBS)的缓冲溶液。在微通道305(1-2)之间施加电压,以驱动质子通过分子膜300。变化的荧光水平表示质子已经从微通道305(1)被传输通过分子膜300,并且进入微通道305(2)。
尽管图2和3在概念上说明了可用于穿过包括纳米级特征的分子膜传输流体的纳米流体通道,但是本发明不限于形成纳米流体通道。掌握本公开的本领域技术人员应该理解,用于在可模塑的聚合物组合物中形成纳米级特征、然后将固化的聚合物或弹性体布置在衬底和/或表面上的技术的实施方案可用于多种场合。在不同的实施方案中,可以利用包括纳米级特征的可模塑的聚合物组合物传输流体和/或为包括离子分离、反应催化等的化学反应和/或分析提供位点。例如,包括纳米级特征的固化聚合物可用于形成晶片实验室型器件,其可用作半导体器件、传感器、DNA分离器等的组成部分。
上述公开的具体实施方案只是说明性的,因为本发明可以以不同但是等价的方式进行变换和实践,这对于掌握了本文教导的本领域技术人员来说是显而易见的。此外,不打算对本文所示的结构或设计方案的细节进行限制,除了在以下权利要求中的描述之外。因此,显然可以对上述公开的具体实施方案进行改动或变换,并且所有这种变化方式都被认为落入本发明的范围和精神实质内。因此,本文所要保护的内容如所附权利要求所述。

Claims (33)

1.一种方法,其包括:
在可模塑的聚合物组合物中形成包括至少一个纳米级特征的图案,和
将所述图案的至少一部分配置成与第一衬底邻近。
2.权利要求1的方法,其中形成包括所述至少一个纳米级特征的图案包括在第二衬底上形成至少一个纳米级特征。
3.权利要求2的方法,其中在第二衬底上形成所述至少一个纳米级特征包括在第二衬底上形成至少一个单壁碳纳米管。
4.权利要求2的方法,其中形成所述图案包括对第二衬底浇铸第一可固化组合物。
5.权利要求4的方法,其中对第二衬底浇铸第一可固化组合物包括对第二衬底浇铸包含硅氧烷的第一可固化组合物。
6.权利要求4的方法,其中形成所述图案包括使第一可固化组合物至少部分固化。
7.权利要求4的方法,其中形成所述图案包括对所述至少部分固化的第一可固化组合物浇铸第二可固化组合物。
8.权利要求7的方法,其中对所述至少部分固化的第一可固化组合物浇铸第二可固化组合物包括对所述至少部分固化的第一可固化组合物浇铸包含硅氧烷的第二可固化组合物。
9.权利要求7的方法,其中形成所述图案包括使第一和第二可固化组合物固化。
10.权利要求1的方法,其中形成所述图案包括形成与所述至少一个纳米级特征接近的至少一个微米级特征。
11.权利要求10的方法,其中形成所述图案包括形成与所述至少一个纳米级特征接近的所述至少一个微米级特征,以使得流体能够从所述至少一个微米级特征流到所述至少一个纳米级特征。
12.权利要求10的方法,其中形成所述至少一个微米级特征包括形成至少一个微通道。
13.权利要求10的方法,其中形成所述至少一个微米级特征包括在第二衬底上形成至少一个微米级特征。
14.权利要求1的方法,其中将图案的所述部分配置成与第一衬底邻近包括将图案从第二衬底上取走并将图案的所述部分配置成与第一衬底邻近。
15.权利要求14的方法,其中将图案的所述部分配置成与第一衬底邻近包括将图案的所述部分配置成与第一衬底邻近,以使得流体被基本上限制为在该图案内流动。
16.一种装置,其包括:
第一衬底;和
在可模塑的聚合物组合物中包括至少一个纳米级特征的图案,所述图案被配置成与第一衬底邻近。
17.权利要求16的装置,其中所述至少一个纳米级特征与在第二衬底上形成的至少一个单壁碳纳米管相对应。
18.权利要求17的装置,其中所述图案包括第一固化的组合物。
19.权利要求18的装置,其中所述第一固化的组合物包含h-PDMS。
21.权利要求18的装置,其中所述图案包括第二固化的组合物。
22.权利要求21的装置,其中所述第二固化的组合物包含s-PDMS。
23.权利要求16的装置,其中所述图案包括与所述至少一个纳米级特征邻近的至少一个微米级特征。
24.权利要求23的装置,其中所述图案包括与所述至少一个纳米级特征邻近的所述至少一个微米级特征,以使得流体能够从所述至少一个微米级特征流到所述至少一个纳米级特征。
25.权利要求23的装置,其中所述至少一个微米级特征包括至少一个微通道。
26.权利要求16的装置,其中所述图案被配置成与第一衬底邻近,以使得流体被基本上限制为在该图案内流动。
27.流体传输***,其包括:
第一衬底;
在可模塑的聚合物组合物中包括至少一个纳米级特征的分子膜,所述分子膜被配置成与第一衬底邻近;和
用于为分子膜提供流体的多个微米级通道。
28.权利要求27的***,其中所述至少一个纳米级特征与在第二衬底上形成的至少一个单壁碳纳米管相对应。
29.权利要求28的***,其中所述分子膜包括第一固化的组合物。
30.权利要求29的***,其中所述第一固化的组合物包含较高模量的有机硅弹性体。
31.权利要求29的***,其中所述分子膜包括第二固化的组合物。
32.权利要求31的***,其中所述第二固化的组合物包含较低模量的有机硅弹性体。
33.权利要求27的***,其中所述所述至少一个微米级特征包括至少一个微通道。
34.权利要求27的***,其中所述分子膜被配置成与第一衬底邻近,以使得流体被基本上限制为在该图案内流动。
CN200780011131.8A 2006-03-29 2007-03-09 使用软光刻法形成纳米级特征的方法 Pending CN101410753A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US78696806P 2006-03-29 2006-03-29
US60/786,968 2006-03-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101410753A true CN101410753A (zh) 2009-04-15

Family

ID=38287957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200780011131.8A Pending CN101410753A (zh) 2006-03-29 2007-03-09 使用软光刻法形成纳米级特征的方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20100028614A1 (zh)
EP (1) EP2005247A2 (zh)
JP (2) JP5946235B2 (zh)
KR (1) KR101369442B1 (zh)
CN (1) CN101410753A (zh)
WO (1) WO2007117808A2 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101774532B (zh) * 2010-01-29 2011-12-21 大连海事大学 一种在微流体芯片上加工纳米通道的方法
CN102553506A (zh) * 2010-12-30 2012-07-11 国家纳米技术与工程研究院 一种利用光刻在pdms上直接形成图形的方法
CN109445248A (zh) * 2018-12-29 2019-03-08 吉林大学 利用毛细作用压印金属纳米线的方法及应用

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2599835B1 (en) 2008-06-06 2016-07-20 Koninklijke Philips N.V. Silicone rubber material for soft lithography
KR101187463B1 (ko) 2010-04-12 2012-10-02 한국과학기술원 폴리머 주형, 그 제조방법, 이를 이용한 미세유체 채널 및 그 제조방법
EP2618932A1 (en) * 2010-09-22 2013-07-31 Corning Incorporated Microporous microfluidic device
KR101218486B1 (ko) 2012-03-23 2013-01-21 한국과학기술원 폴리머 주형, 그 제조방법, 이를 이용한 미세유체 채널 및 그 제조방법
KR101602843B1 (ko) 2014-02-18 2016-03-11 한국화학연구원 유연소재 히터를 포함하는 그래핀 가스센서
CN113351265B (zh) * 2021-05-26 2022-10-25 西安交通大学 一种基于微导线磁场驱动微流体磁混合的***的加工方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69524247T2 (de) * 1995-08-04 2002-08-08 International Business Machines Corp., Armonk Stempel für lithographie-verfahren
US6857449B1 (en) * 1998-01-20 2005-02-22 Caliper Life Sciences, Inc. Multi-layer microfluidic devices
US6685809B1 (en) * 1999-02-04 2004-02-03 Ut-Battelle, Llc Methods for forming small-volume electrical contacts and material manipulations with fluidic microchannels
US6033202A (en) * 1998-03-27 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures
US6482652B2 (en) * 2000-03-23 2002-11-19 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Biological particle sorter
WO2001080571A1 (en) * 2000-04-18 2001-10-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Bit rate allocation in joint bit rate transcoding
US7351376B1 (en) * 2000-06-05 2008-04-01 California Institute Of Technology Integrated active flux microfluidic devices and methods
US20030040119A1 (en) 2001-04-11 2003-02-27 The Regents Of The University Of Michigan Separation devices and methods for separating particles
WO2002100542A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-19 Centre National De La Recherche Scientifique Method of manufacturing a microfluidic structure, in particular a biochip, and structure obtained by said method_________________
JP3603886B2 (ja) * 2001-08-03 2004-12-22 日本電気株式会社 分離装置およびその製造方法
WO2003047712A2 (en) * 2001-10-18 2003-06-12 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Hybrid microfluidic and nanofluidic system
JP2004042012A (ja) * 2001-10-26 2004-02-12 Nec Corp 分離装置、分析システム、分離方法および分離装置の製造方法
KR100408871B1 (ko) * 2001-12-20 2003-12-11 삼성전자주식회사 바이오칩 상에서 탄소나노튜브를 이용한 시료의 분리 또는여과 방법
US6806543B2 (en) * 2002-09-12 2004-10-19 Intel Corporation Microfluidic apparatus with integrated porous-substrate/sensor for real-time (bio)chemical molecule detection
WO2004029221A2 (en) * 2002-09-27 2004-04-08 The General Hospital Corporation Microfluidic device for cell separation and uses thereof
JP4432778B2 (ja) * 2002-11-29 2010-03-17 日本電気株式会社 マイクロチップおよび質量分析システム
US7459316B2 (en) 2003-02-24 2008-12-02 National Research Council Of Canada Molecularly-imprinted chemical detection device and method
TW590985B (en) 2003-03-06 2004-06-11 Univ Nat Chiao Tung Selective area growth of carbon nanotubes by metal imprint method
US7641863B2 (en) * 2003-03-06 2010-01-05 Ut-Battelle Llc Nanoengineered membranes for controlled transport
US6923216B2 (en) * 2003-04-15 2005-08-02 Entegris, Inc. Microfluidic device with ultraphobic surfaces
US7115230B2 (en) * 2003-06-26 2006-10-03 Intel Corporation Hydrodynamic focusing devices
DE10344777B4 (de) * 2003-09-26 2006-04-27 Infineon Technologies Ag Stempelvorrichtung für Softlithografie und Verfahren zu deren Herstellung
KR101376715B1 (ko) * 2003-12-19 2014-03-27 더 유니버시티 오브 노쓰 캐롤라이나 엣 채플 힐 소프트 또는 임프린트 리소그래피를 이용하여 분리된 마이크로- 및 나노- 구조를 제작하는 방법
US8101431B2 (en) * 2004-02-27 2012-01-24 Board Of Regents, The University Of Texas System Integration of fluids and reagents into self-contained cartridges containing sensor elements and reagent delivery systems
CN102004393B (zh) * 2004-04-27 2013-05-01 伊利诺伊大学评议会 用于软光刻法的复合构图设备
US7744830B2 (en) * 2004-04-29 2010-06-29 Lawrence Livermore National Security, Llc Catalyst for microelectromechanical systems microreactors
JP2006108649A (ja) * 2004-09-09 2006-04-20 Masaru Hori ナノインプリント用金型、ナノパターンの形成方法及び樹脂成型物
WO2006095615A1 (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Kuraray Co., Ltd. マイクロチャネルアレイ及び製造方法、並びにこれを用いた血液測定方法
US8017218B2 (en) * 2005-03-08 2011-09-13 Forskarpatent I Linkoping Ab Micro and nano structures in an elastomeric material
CA2617121C (en) * 2005-08-05 2011-09-06 Daikin Industries, Ltd. Repellent composition containing graft copolymer, graft copolymer and method of preparing graft copolymer
KR101194646B1 (ko) * 2005-12-30 2012-10-24 엘지디스플레이 주식회사 소프트몰드 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101774532B (zh) * 2010-01-29 2011-12-21 大连海事大学 一种在微流体芯片上加工纳米通道的方法
CN102553506A (zh) * 2010-12-30 2012-07-11 国家纳米技术与工程研究院 一种利用光刻在pdms上直接形成图形的方法
CN109445248A (zh) * 2018-12-29 2019-03-08 吉林大学 利用毛细作用压印金属纳米线的方法及应用

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015130497A (ja) 2015-07-16
WO2007117808A2 (en) 2007-10-18
JP5965469B2 (ja) 2016-08-03
US20100028614A1 (en) 2010-02-04
WO2007117808A3 (en) 2008-02-14
EP2005247A2 (en) 2008-12-24
JP5946235B2 (ja) 2016-07-06
KR20090007302A (ko) 2009-01-16
KR101369442B1 (ko) 2014-03-04
JP2009531193A (ja) 2009-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101410753A (zh) 使用软光刻法形成纳米级特征的方法
Lee et al. Antiadhesion surface treatments of molds for high‐resolution unconventional lithography
KR101358066B1 (ko) 열변형이 적은 실리콘 복합 모울드
CN103279009B (zh) 一种柔性紫外光压印复合模板及其制备方法
TW200848956A (en) Devices and methods for pattern generation by ink lithography
JP5879086B2 (ja) ナノインプリント用複製モールド
CN101923279B (zh) 纳米压印模板及其制备方法
TW200305781A (en) Nanoimprint resist
del Campo et al. Generating micro-and nanopatterns on polymeric materials
Fang et al. High‐Resolution Patterned Functionalization of Slippery “Liquid‐Like” Brush Surfaces via Microdroplet‐Confined Growth of Multifunctional Polydopamine Arrays
KR20120020012A (ko) 유기-무기 복합체 및 이로부터 제조된 나노임프린트용 스탬프
CN103279011A (zh) 一种巯基-烯紫外光固化纳米压印材料
Kohli et al. Nanostructured crosslinkable micropatterns by amphiphilic dendrimer stamping
KR101507757B1 (ko) 미세패턴된 친수성 고분자 기판 상에 선택적으로 소수성 코팅층을 형성하는 방법 및 이에 의해 형성된 소수성 코팅층을 가지는 미세패턴된 친수성 고분자 기판
Li et al. A sandwiched flexible polymer mold for control of particle-induced defects in nanoimprint lithography
Hozumi et al. Surface design for precise control of spatial growth of a mesostructured inorganic/organic film on a large-scale area
US7232686B2 (en) Method of nanopatterning by forming cracks in a coated polymer substrate
Bowen et al. Programmable chemical gradient patterns by soft grayscale lithography
Kehagias et al. Low temperature direct imprint of polyhedral oligomeric silsesquioxane (POSS) resist
US8685195B2 (en) Soft lithographic molding of surface relief output couplers for organic light emitting diodes
CN114222662B (zh) 用于纳米刻蚀的印模材料
Kim et al. Mechanical characteristics of the hard-polydimethylsiloxane for smart lithography
JP2013163354A (ja) 樹脂スタンパ
Neto et al. Hybrid polymers composite: Effect of hybridization on the some propers of the materials
Bian et al. Preparation of epoxy-based silicone prepolymers with applications in UV-curable coatings

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20090415