CN101401221A - 芯片型半导体发光元件 - Google Patents

芯片型半导体发光元件 Download PDF

Info

Publication number
CN101401221A
CN101401221A CNA2007800081882A CN200780008188A CN101401221A CN 101401221 A CN101401221 A CN 101401221A CN A2007800081882 A CNA2007800081882 A CN A2007800081882A CN 200780008188 A CN200780008188 A CN 200780008188A CN 101401221 A CN101401221 A CN 101401221A
Authority
CN
China
Prior art keywords
emitting element
light
chip
substrate
type semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2007800081882A
Other languages
English (en)
Inventor
井上登美男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Publication of CN101401221A publication Critical patent/CN101401221A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明提供芯片型半导体发光元件。其是能够提高光取出效率，对于相同的输入能够进一步提高亮度，同时能够尽可能从大的面积均匀地发光并且能够高亮度发光，在照明装置中使用的反射型的芯片型半导体发光元件。在基板(1)的一面(表面)的两端部电分离地设置有一对端子电极(11)、(12)，在该基板(1)上的一个面(表面)上多个LED芯片(2)分别分离设置，各个LED芯片(2)通过第一焊接部(11a)与第一端子电极(11)电连接，通过电线(7)和第二焊接部(12a)与第二端子电极(12)电连接，在基板(1)的一个面(表面)上以分别包围多个LDE芯片(2)的周围的方式设置有反射壁(3)。

Description

芯片型半导体发光元件
技术领域
本发明涉及在基板上的两端部设置有一对端子电极(包括导线)，在基板上设置有多个发光元件芯片(以下称为LED芯片)的芯片型(表面安装型)半导体发光元件。更详细地说，涉及在高电流驱动下，增大发光面积，能够高亮度发光的半导体发光元件中，还能够进一步提高光取出效率，达到高亮度的芯片型半导体发光元件。
背景技术
例如如图5(a)所示，现有的反射型的芯片型半导体发光元件在由BT树脂等构成的基板41的两端部以与基板41的背面连接的方式设置有一对端子电极42、43，通过在一个端子电极42上管芯焊接LED芯片44，LED芯片44的下部电极与一个端子电极42连接，通过引线45使LED芯片44的上部电极与另一个端子电极43电连接。其周围利用由液晶聚合物构成的树脂形成的反射壳体46包围，使光反射在正面侧，在其内部充填透光性树脂，形成密封树脂层47(例如参照专利文献1)。
另外，近年来，白色半导体发光元件的开发正在推进，半导体发光元件的使用涉及到照明装置等中，这要求芯片型半导体发光元件更加高亮度化，芯片尺寸变大，同时要求输入变多并能够进行大电流驱动。因此，因为LED芯片的发热多，即使施加大电流，要防止由热饱和造成亮度降低，同时必需进一步提高放热特性。在这种大电流用的所谓芯片型(表面安装型)中，周围具有反射壳体，具有放热特性的半导体发光元件，例如考虑图5(b)所示的结构。
即，在图5(b)中，例如在AlN那样的热传导率大的绝缘性基板51的周围，使反射壳体57与基板51一体化的树脂部52，固定设置一对导线53、54。在其中一个导线53上安装例如发出蓝色光的芯片尺寸大的、例如0.9mm×0.9mm的LED芯片55，与上述的例子同样，利用金线等的引线56，使LED芯片55的一对电极与一对引线53、54电连接。在LED芯片55和引线接合部分的周围例如利用白色树脂(例如アモデル：PPA)形成反射壳体57，反射壳体57和树脂部52用白色树脂同时地喷射(injection)成型。另外，以覆盖由反射壳体57包围的LED芯片55和引线56的部分的方式，例如涂敷含有将蓝色光的一部分变换为红色和绿色利用其混合色成为白色的荧光体的发光色变换用树脂，通过发光色变换用树脂层58覆盖。
[专利文献1]：特开2001-177155号公报。
发明内容
如上所述，在现有的高电流驱动用中，反射型的芯片型半导体发光元件通过使用芯片尺寸大的LED芯片，实现提高亮度。然而，当增大芯片面积时，在芯片的中心部发光，向侧方前进的光被半导体层吸收衰减，不能充分地提高亮度。另外，不管使用芯片尺寸多大的LED芯片，其大小有界限，作为照明装置用的芯片型半导体发光元件，存在亮度还不够充分的问题。另外，在有要求均匀地使较大面积发光的照明装置等中，由于即使增大芯片尺寸，发光面积为边长0.9mm的正方形的小的点状，所以在照明装置等的面发光光源中不适合。另外，随着亮度提高，发热量更大，通过增大芯片尺寸，LED芯片中心部的放热更加恶化，存在由于热使LED芯片破损，或者特性劣化，可靠性降低的问题。
另外，在大电流驱动用中，当在芯片型半导体发光元件的基板的主要部分使用热传导率好的金属板或AlN绝缘基板时，不仅存在加工性或成本的问题，而且当在搭载该芯片型半导体发光元件的安装基板侧，不设置与芯片型半导体发光元件的基板接触传热好的材料时，即使芯片型半导体发光元件的基板的热传导率好，热也不能够充分地散发。另外，当利用白色树脂在表面侧形成在大面积上露出的反射壳体时，该反射壳体的热传导率与金属基板比较，为1/1000左右，较小，来自该反射壳体的放热特性非常差，存在从反射壳体的散热不充分的问题。另外，当基板和反射壳体的热膨胀率不同时，由于热循环在两者间产生剥离，进一步使散热恶化。
本发明是鉴于上述问题而提出的。目的是提供提高光取出效率，对于相同的输入进一步提高亮度，同时能够从尽可能大的面积均匀地发出光并能够高亮度地发光，适合于照明装置的反射型的芯片型半导体发光元件。
本发明的另一个目的为，除了上述目的外，还提供通过进一步提高从芯片型半导体发光元件全体的散热，提高应对发热的可靠性的芯片型半导体发光元件。
本发明的芯片型半导体发光元件，由基板；在该基板的一面的相对的两端部电分离地设置的一对端子电极；在上述基板的一面上分离地设置，与上述一对端子电极电连接的多个发光元件芯片；和以包围该多个发光元件芯片的各个的周围的方式设置的反射壁。这里，所谓端子电极表示以与LED芯片的电极连接、并能够与安装基板等连接的方式形成的电极，包括在基板上利用金属膜形成的电极或另外形成的导线通过接合或者载置设置在基板上的电极等。
上述反射壁的至少一部分由基于糊膏材料的涂敷的层叠体形成，由此，在狭窄的区域中也能够高精度地形成反射壁。此外，层叠体通过重复涂敷、干燥最终低温干燥处理或烧成而能够固定。
优选，上述基板和反射壁都是由以氧化铝烧结体为主材料的材料形成，由此能够提高放热特性。这里，所谓主材料表示基板等的至少50％以上为氧化铝烧结体，其他材料、杂质等多少包含有一些也可以。
另外，优选，在上述基板的上述多个发光元件芯片被设置的位置上分别设置贯通孔，通过在该贯通孔内埋入比上述基板的热传导率大的材料，能干进一步提高放热特性。
依据本发明，由于在反射型的芯片型半导体发光元件中，将LED芯片分割为多个在基板上分离地设置，由反射壁(反射器)包围各个LED芯片的周围，因此与设置1个大的芯片的情况比较，芯片侧面的面积大，从各个芯片侧面射出的光的总量增加，因此向上方的光量也增加。即，在1个大面积的芯片中，在中心部发光沿侧方向行进的光容易被活性层等半导体层吸收衰减，但在本发明中，由于分割成小的芯片，所以由中心部的芯片发光沿侧方向行进的光也从其侧壁向外射出并被反射壁向上方反射，而能够有效地利用。另外，由于不是1个LED芯片，而是被分割的小的LED芯片分散在基板的大的面积上，所以不是点状的光源，而是作为面状的光源发挥作用，成为易于适合照明装置的光。并且，关于LED芯片内部的发热，由于在细分的LED芯片附近分别设置有能够散热的反射壁，所以在LED芯片的每个小区域中，能够通过基板和反射壁散热，因此能够改善热造成的劣化。
另外，通过在反射壁和基板上使用热传导率较好的氧化铝烧结体，基板和反射壁之间的热膨胀差不成为问题，能够保持密合性，并且与白色树脂制的情况比较，能够以大约100倍的速度传热。其结果是，能够从具有大面积的反射壁的露出面散热，即使在从基板的散热不充分的情况下(不论安装基板的放热特性如何)，能够从反射壁放射热，LED的放热特性大大提高，能够大幅提高可靠性。并且，由于利用无机材料形成反射壁，因此即使温度上升也几乎不发生变色，能够维持良好且稳定的反射率。
并且，通过在上述基板的上述多个发光元件芯片被设置的位置上分别设置贯通孔，通过在该贯通孔内埋入热传导率比上述基板大的材料，由于从LED芯片产生的热经由氧化铝烧结体，再通过埋入贯通孔内的材料传至安装基板，能够使通过基板的热传导提高，在安装基板侧有热传导率好的材料的情况下，通过该材料能够提高基于热传导的放热。
附图说明
图1为说明本发明的芯片型半导体发光元件的一个实施方式的平面和截面的说明图；
图2为说明本发明的芯片型半导体发光元件中使用的基板的电极图形的平面的说明图；
图3为说明本发明的芯片型半导体发光元件的另一个实施方式的平面和截面的说明图；
图4为说明图1所示的LED芯片的层叠结构的截面说明图；
图5为表示现有的芯片型半导体发光元件的例子的截面说明图。
符号说明
1——基板
2——LED芯片
3——反射壁
4——放热用通孔
11——第一端子电极
12——第二端子电极
具体实施方式
以下，参照附图，说明本发明的芯片型半导体发光元件。本发明的芯片型半导体发光元件，如在图1中该一个实施方式的平面和截面(图1(a)的B-B截面和C-C截面)的说明图分别所示的那样，在基板1的一面(表面)的相对的两端部电分离地设置有一对端子电极11、12，在基板1上的一面(表面，在图1所示的例中通过背面电极11b与第一端子电极11电连接的多个第一焊接部11a)上，多个(在图1所示的例子中为9个)发光元件芯片(LED芯片)2分别分离地设置，各个LED芯片2的一对电极分别通过第一焊接部11a与第一端子电极11电连接，通过电线7和第二焊接部12a与第二端子电极12电连接，在基板1的一面(表面)上以包围多个LED芯片2的各自的周围的方式设置有反射壁3。此外，在图1所示的例子中，如后所述，在由氧化铝烧结体构成的基板1上的设置有LED芯片2的部分，分别形成第一焊接部11a、其下的贯通孔，在该贯通孔内形成埋入有银等的热传导率比基板1大的材料的放热用通孔4，通过第一焊接部11a、放热用通孔4和基板背面侧的背面电极11b，LED芯片2的下部电极与第一端子电极11电连接。
基板1使用由氧化铝烧结体构成的基板，能够使用厚度与通常的芯片型半导体发光元件厚度相同的基板，能够使用厚度大约为0.06～0.5mm的基板。该基板1例如通过烧结厚度大约为0.3mm的印制电路基板(green sheet)得到，在该印制电路基板状态下，通过形成后述的第一和第二端子电极11、12的金属膜或通孔1a、4等，通过烧结能够得到形成有金属膜等的基板。在该烧结时，通过形成糊膏状的氧化铝粉末的层叠体，同时进行烧结，能够利用氧化铝形成后述的反射壁3。作为图1(a)所示的发光元件的大小(外形)大约形成为纵×横×高为3～5mm×3～5mm×1～3mm。
在该基板1的表面上，通过印制或电镀等形成由Ag或Au等构成的端子电极11、12，利用表示基板背面和表面的图2说明该端子电极11、12的图形。如图2(a)的基板背面说明图所示，在基板1的背面形成有背面电极11b、12b，通过利用在通孔1a的内面形成的侧面电极(图中没有示出)连接表面的端子电极11、12和背面电极11b、12b，由此能够在安装基板等上形成为通过直接焊接等搭载的表面安装型。
另外，在图1(a)所示的例子中，表面侧的第一端子电极11和第二端子电极12的图形的大部分被反射壁3覆盖，只画出没有被覆盖的部分，但是实际上，如图2(b)的基板表面说明图中所示，第一端子电极11设置在表面的4个角落中的二个角落上，LED芯片2不是直接与第一端子电极11连接的图形，而是通过与第一端子电极11电连接的第一焊接部11a、通孔4和背面电极11b被连接。另一方面，第二端子电极12设置在表面上的没有设置第一端子电极11的剩余的二个角落上，以到达设置有LED芯片2的位置的附近的方式具有第二焊接部12a。
第一端子电极11和第二端子电极12不限于这种形状，也可以不形成在4个角落，而是在相对的两边各自的中央部形成通孔，以仅在相对的二边侧延伸的方式形成端子电极11、12。并且，端子电极11、12也可以不是这种金属膜，而是直接设置有导线框或导线的结构。
第一焊接部11a，在基板表面上，在分别配置多个LED芯片2的位置，利用与端子电极11、12等相同的材料同时形成图形，并通过通孔4、背面电极11b和在设置有第一端子电极11的基板角落的通孔1a的内面上形成的图中没有示出的侧面电极，与第一端子电极11电连接，其中通孔4是由第一焊接部11a正下的基板1内设置的贯通孔内的银等构成，埋入有热传导率比基板1大的导电性材料的放热用通孔。另外，第二焊接部12a在第一焊接部11a的附近，作为第二端子电极的一部分被设置。此外，由于LED芯片2的数目能够根据需要适当变更，与其相匹配，各焊接部11a、12a的数木或形状也适当地变更。
并且，包括图2的第一端子电极11和第二端子电极12的电极的图形形状为用于并联连接多个芯片的一个例子，其他图形，例如不通过背面电极11b或放热用通孔4而将LED芯片2焊接在第一端子电极11上的图形，或不设置第一焊接部11a而直接将LED芯片焊接在放热用通孔4上的图形也可以。另外，在串联连接多个芯片的情况下，能够自由变更端子电极的图形，使得能够串联连接。
在图1所示的例子中，在设置有基板1的LED芯片2的部分，即在第一焊接部11a正下形成有贯通孔，在该贯通孔内形成有埋入有Ag、Au、Cu等金属或者热传导率比基板大的导电性材料的放热用通孔4。设置该放热用通孔4是由于当在基板1中使用氧化铝烧结体的情况下，与金属基板或者AlN基板相比热传导率降低，因此为了提高热传导率而设置放热用通孔4。另外，是为了连接设置在基板背面的背面电极11b和设置在基板表面的第一焊接部11a的图形，实现简易地并联连接。该放热用通孔4例如直径大约为0.1～0.5mmΦ，各个LED芯片2被设置在被焊接的第一焊接部11a的正下，优选能够可靠地进行各个LED芯片2的放热，能够进行适当的变更。通过采用这种结构，能够使向基板1的热传导产生的放热良好，同时能够简单地并联连接多个芯片。
LED芯片2能够使用各种发光色的LED。为了发白色光，例如使用发出蓝色或者紫外光的氮化物半导体发光元件，并在其表面涂敷混入有发光色变换物质的透光性树脂，这样就能够成为白色光。该LED芯片2的大小，如果将现有的边长为0.9mm的正方形的芯片分割为3×3个，则成为边长为0.3mm的正方形的芯片。上表面的引线接合的大小必须是边长大约为0.1mm的正方形，因为当太大时就没有分割的意义了，因此优选分割为1边大约为0.2～0.4mm。在本实施例中，如后述的图4(b)所示，形成为底面是边长0.3mm的正方形，上表面是边长为0.2mm的正方形，截面为梯形。关于LED芯片2的半导体结构在后文叙述。
由于反射壁3用于将从各个LED芯片2向四周放射的光集中在正面侧，因此，如在图1所示的例子中，以包围各个LED芯片2的周围的方式形成。具体地是，如图1(b)和(c)所示，以分别包围设置有各个LED芯片2的第一焊接部11a以及通过LED芯片2和引线等被电连接的第二焊接部12a，并且稍微向外侧扩大的方式作为层阶状的层叠体被设置。即，反射壁3由挖去基板1上设置有LED芯片2的部分(第一焊接部11a和第二焊接部12a)后的格子形状构成，该格子部分分别从内部稍微扩大地形成层阶状的层叠体。该格子形状由四角形构成，同时，在芯片型半导体发光元件全体的外周(基板1的外周部)，以与芯片型半导体发光元件的外周部的形状相符合的形状(图1中为四角形状)形成。但是，不限于这种形状，能够进行适当地变更。另外，由于在图1所示的例子中，LED芯片2的数目为9个，因此格子为9个地方，格子数与LED芯片2的数目一致，能够进行适当变更。
在图1所示的例子中，由于反射壁3非常小，作为反射壳体不能预先制作粘贴，因此如后所述，由于利用丝网印刷层叠糊膏状的氧化铝粉末(印制电路板)或树脂而形成，所以形成为台阶状。但是，如图3所示的例子那样，外周的反射壁作为与现有技术同样的反射壳体3a能够预先形成并粘贴。
另外，该反射壁3也可以用白色树脂等形成，从散热的观点来看优选是与基板1一起由氧化铝烧结体形成。当利用氧化铝烧结体形成反射壁3时，通过丝网印刷法等在基板1上的反射壁3形成位置上涂敷糊膏状的氧化铝粉末，然后进行干燥，再在其上稍微缩小开口部，并依次重复同样的工序，由此将印制电路板层阶状地层叠多层形成层叠体，此后，通过集中烧结得到。这样，通过使基板1和反射壁3的材料同样都是氧化铝烧结体，使得基板1和反射壁3的密合性良好，氧化铝烧结体虽然热传导率比金属板或AlN差，但比作为现有的反射壳体使用的白色树脂的热传导率好100倍，能够快速地将由LED芯片2产生的热从基板传输至反射壁3，从反射壁3的大的表面进行放热。
另外，关于基板1，与金属板或AlN相比热传导率低大约1个数量级，但是从基板1向安装基板的热传导因安装基板而不同，不一定能够充分地进行向安装基板的热传导，但是传递至反射壁3的热能够可靠地从较大的表面积放出，并且能够进行稳定的放热，同时以相同的材料构成基板1和反射壁3，由此，由于热膨胀率相同且不会发生剥离等，所以能够高效率地从反射壁3放热，总的放热效果提升。特别是如本发明那样，在分别在多个芯片周围设置反射壁3的情况下，由于在反射壁3中的放热很大程度地决定芯片型半导体发光元件的放热特性，因此利用氧化铝烧结体形成基板1和反射壁3两者是非常有效的。
图3为本发明的另一实施例的平面和截面(图3(a)的B-B截面和C-C截面)的说明图。在该例子中，设置在基板1上的周围以外的反射壁3利用上述的丝网印刷等形成，然后，仅外周部，利用玻璃胶合剂等粘帖预先制造的反射壳体3a。此外，虽然与图1相同的部分的符号在此省略，但是与图1所示的例子相同。利用这种结构，由于设置在LED芯片2之间的反射壁3利用没有间隙的丝网印刷形成，因此在LED芯片2之间的狭窄空间中也能够正确地形成反射壁，同时能够在外周粘贴与现有技术同样的具有没有凹凸的光滑的倾斜面的反射壳体3a。另外，由于将高的反射壳体3a安装在外周上，因此即使利用具有凹凸而且较低的反射壁3不能充分地反射的光也通过该反射壳体3a完全地反射在正面而能够有效地利用，因此能够进一步提高亮度。
在图1和图3所示的例子中，使用发蓝色光的LED芯片2，例如图4(a)中一个例子的截面结构例所示的那样，作为使用氮化物半导体的LED形成。但是，并不局限于该例子，也可以使用氧化锌类(ZnO系)化合物等。在白色发光的芯片型半导体发光元件的情况下，即使在LED芯片2不是发蓝色光，而是发紫外光的情况下，通过利用混合有分别将紫外光变换为红色、绿色、蓝色的变换材料(荧光体)的树脂层覆盖，由此能够利用三原色的光的混合而成为白色。即使是这种发紫外光的LED芯片，同样地能够以使用氮化物半导体或氧化锌类化合物进行发光的方式形成。
这里，所谓氮化物半导体是指由III族元素的Ga和V族元素的N的化合物、或者III族元素的Ga的一部分或全部与Al、In等其他III族元素置换后的化合物、和/或者V族元素的N的一部分与P、As等其他V族元素置换后的化合物(氮化物)构成的半导体。另外，氧化锌类化合物表示含有Zn的氧化物，作为具体例子，意味着除ZnO外，包含IIA族元素与Zn、IIB族元素与Zn或者IIA族元素和IIB族元素分别与Zn的各自的氧化物。
LED芯片2以提高亮度为目的，例如将纵×横×高大约为0.9mm×0.9mm×0.12mm的现有大小的芯片分割为9个，作成大小大约为0.3mm×0.3mm×0.12mm的小的LED芯片2，在这种情况下，在基板1上配置9个LED芯片2形成半导体发光元件。可是，分割的大小可根据芯片型半导体发光元件的大小或将要设置在基板上的芯片的数目适当变更。此外，在这个例子中，LED芯片2的外形为纵截面形状为梯形(底面是边长为0.3mm的正方形，上表面是边长为0.2mm的正方形)，但也可以为长方体或立方体形状。但是，通过作成锥形形状，光容易照射在正面侧。当作成这种梯形状时，例如在由晶片作成芯片的情况下，通过使用厚度成锥形状的叶片，将切断槽作成锥形状，得到梯形的LED芯片2。在这种情况下，如后所述，当切割外延成长层时，容易使半导体层损伤，因此优选从基板(LED芯片厚度大的部分为基板)侧进行切割，以基板侧作为光取出面。
如图4(a)所示，使用氮化物半导体的LED，例如在n形SiC基板21上例如设置大约0.005～0.1μm的由AlGaN类化合物(表示包含Al的混晶比为0的情况，并包含各种情况，以下同)构成的低温缓冲层22。并且，在该缓冲层22上通过依次层叠例如大约1～5μm的n形层23、例如大约0.05～0.3μm的活性层24和例如大约0.2～1μm的p形层25形成半导体层叠部29，其中n形层23例如由n形GaN层等形成，活性层24例如是将大约1～3nm的In0.13Ga0.87N构成的势阱层和由10～20nm的GaN构成的缓冲层层叠3～8对的多重量子阱(MQW)结构，p形层25例如由p型GaN层等形成。并且，在p型层25的表面上设置有例如由ZnO构成的大约0.1～10μm的透光性导电层26，在其上的一部分上，利用Ti/Au、Pa/Au等的层叠结构设置全体厚度大约为0.1～1μm的p侧电极27，在SiC基板1的背面，利用Ti-Al合金或者Ti/Au的层叠结构设置全体厚度大约为0.1～1μm的n侧电极28。另外，在作成上述的梯形芯片的情况下，如图4(b)的概略图所示，优选较小地形成n侧电极28，增大p侧电极27，将SiC基板21作成锥形形状，使得来自SiC基板21的背面侧的光放射。
在上述例子中，使用SiC基板作为基板，但不限于这种材料。能够使用GaN或GaAs等其他的半导体基板，也可以使用蓝宝石基板。如果是SiC等的半导体基板，则如图4所示，能够在基板的背面设置一个电极，在蓝宝石那样的绝缘性基板的情况下，利用蚀刻除去层叠的半导体层的一部分，露出下层的导电形层(在图4(a)的结构中为n形层23)，在露出的部分上形成电极。此外，在使用半导体基板的情况下，在上述例子中，使用n形基板在下层形成n形层，但也可以以基板和下层作为p形层。另外，缓冲层22也不限于上述的AlGaN类化合物，也能够使用其他的氮化物层或其他的半导体层。在LED芯片2的基板21为绝缘基板的情况下，与设置在上述基板1上的一对端子电极11、12的连接方法，两者都能够利用引线接合形成，或通过表面向下倒装利用粘接剂直接与两端子电极11、12连接。
另外，n形层23和p形层25不限于上述的GaN层，AlGaN类化合物等也可以。另外，分别不是单层，也能够由在活性层上容易封入AlGaN系化合物那样的带隙大的载流子的材料和在与活性侧相反一侧上容易增大载流子浓度的GaN层等的多层形成。另外，活性层24的材料能够根据所希望的发光波长选择，而且不限于MQW结构，也可以由SQW或者体(bulk)层形成。并且，透光性导电层26也不限于ZnO，也可以是ITO或Ni和Au的大约2～100nm的薄合金层，只要是能够透过光，并且使电流在芯片全体中扩散即可。在Ni-Au层的情况下，由于是金属层如果较厚就没有透光性，因此较薄地形成，但在ZnO或ITO的情况下，由于使光透过，所以也可以较厚。但是如图4(b)所示，在从基板21侧取出光的情况下，不需要透光性，也能够将Ni-Au层作为p侧电极较厚地形成。
该LED芯片2，分别管芯焊接(搭载)在例如通过导电性粘接剂那样的连接方法与第一端子电极连接的放热用通孔4上(在图1所示的例子中为9个地方)的第一焊接部11a上，由此LED芯片2的上部电极(p侧电极27)与第一端子电极11电连接，LED芯片2的基板21侧的电极(n侧电极28)通过金线等的引线7与第二端子电极12的第二焊接部12a电连接，各个芯片通过第一端子电极11和第二端子电极12的关系并联连接。
利用丝网印刷或玻璃胶合剂在基板1上形成上述反射壁3或反射壳体3a，管芯焊接并引线接合多个LED芯片2后，通过以覆盖在该反射壁3内露出的LED芯片2和引线7的部分的方式充填混合有发光色变换材料(荧光体)的树脂，由此能够将LED芯片2发出的蓝色光变换成白色光。即，作为发光色变换材料，例如能够使用将由铕(EU)激活的氧化钇等蓝色光变换为红色的红色变换材料、和由二价的锰和铕(EU)激活的碱土类铝酸盐荧光体等的绿色变换材料，通过将这些发光色变换材料与硅树脂或环氧树脂等透光性树脂混合并充填在反射壁3内，形成图中没有示出的密封树脂层。此外，在LED芯片2发出紫外光的情况下，除了将紫外光变换为红色、绿色的例如上述发光色变换材料外，例如通过进一步混合以铈(Ce)、铕(EU)等作为激活剂的卤代磷酸盐荧光体、铝酸盐荧光体等的将紫外光变换为蓝色的发光色变换材料，将紫外光作为红绿蓝的光通过它们的混合，能够变换为白色光。另外，在不变换发光色的情况下，利用透光性树脂密封。
接下来，说明芯片型半导体发光元件的制法。首先在大约0.3mm厚的大的印制电路基板(取多个片)上利用冲孔作出形成放热用通孔4的贯通孔和通孔1a用的贯通孔，在其表面形成端子电极11、12用的金属膜，通过将Ag等的金属材料充填在放热用通孔4用的贯通孔内，形成设置有如图2(b)所示的端子电极图形的基板1。另外，印制电路基板与在基板1的表面上形成的端子电极11、12连接并连接有背面电极11b、12b。
接着，例如利用丝网印刷法等，以分别包围基板上的设置芯片的位置的方式涂敷糊膏状的氧化铝粉末，然后干燥。利用开口稍微减小的掩模进一步在其上涂敷糊膏状的氧化铝粉末，并进行干燥。将该过程反复数次，层阶状地层叠向上逐渐变狭窄的反射壁3，然后通过在大约600～700℃下进行烧结，形成与基板1一起由氧化铝烧结体构成的格子状的反射壁3。另外，作为其他方法，利用上述的丝网印刷形成芯片型半导体发光元件的周围以外的反射壁3，周围的反射壳体3a利用玻璃胶合剂粘贴例如由氧化铝烧结体形成为多孔状的反射壳体3a而形成。通过作成多孔状提高反射率和放热性。该反射壁3使向着侧方向的光反射至上表面侧，使得将从LED芯片2放射的光集中在上表面侧放射。另外，在基板1和反射壁3中不使用氧化铝烧结体而由白色树脂形成反射壁3的情况下，在涂敷层叠之后，通过在数百℃下进行低温干燥处理，而能够固定。
然后，在绝缘性基板1的表面上的放热用通孔4上的第一焊接部11a上安装发出蓝色光或者紫外光的LED芯片2，使LED芯片2的电极(p侧电极和n侧电极)分别与端子电极11、12电连接。在图1所示的例子中，LED芯片2的p侧电极利用导电性粘接剂等的连接方法与第一焊接部11a连接，并通过放热用通孔4与第一端子电极11电连接，n侧电极(基板侧电极)利用由引线7等构成的连接单元，通过焊接与第二端子电极12电连接。
然后，以覆盖各个LED芯片2的上表面的露出面和反射壁3的内面的方式，例如利用分配器等，通过涂敷混入有将蓝色光变换为绿色的绿色变换材料和将蓝色光变换为红色的红色变换材料的树脂，形成使用发光色变换树脂的密封树脂层。作为涂敷方法即使不是利用分配器的涂敷法，例如也能够通过使用复制销的复制法进行。
如以上那样，本发明的特征为，在基板1上设置将现有的LED芯片较小地分割后多个LED芯片2，在各个LED芯片2的周围设置反射壁3。即，由于LED芯片2从发光部向四周放射光，因此通常向上表面放射同时也从侧面放射光。并且，从侧面射出的光由反射壁3反射，而向上表面方向反射，从侧面发射的光也没有浪费而对发光有帮助。并且在本发明中，不像现有技术那样使用1个较大的芯片，而是分割成多个小的LED芯片2，并在各个LED芯片2的周围设置反射壁3，这样能够使侧面的面积比现有技术中大，能够增加从侧面发出的光的总量。
另外，在使用一个大的芯片并在其周围设置反射壳体的情况下，在从芯片内部到侧面之间由于被吸收等而衰减，并且即使是从侧面射出的光，因为芯片和反射壳体的分开距离，从芯片侧面射出的光，在到达反射壁前产生光的损失。而且，在本发明中，将LED芯片2较小地分割分开设置，同时在各个LED芯片2的周围设置反射壁3，因此LED芯片2内的衰减小，而且芯片和反射壁3的距离缩短，光几乎没有损失能够可靠地由反射壁3向上表面方向反射。其结果是，具体地说，与使用1个大的芯片的情况比较，能够将亮度提高约20％。另外，通过细分LED芯片2，必需在各LED芯片上作引线接合，认为表面通过引线接合而覆盖的面积大，但即使是1个大的LED芯片，为了使电流在芯片全体上扩散，必需从引线接合部分开始使金属配线呈放射状设置，其损失没有过多变化。
另外，由于不仅用反射壳体包围芯片型半导体发光元件全体的周围，而且分别在设置在基板1上的多个LED芯片2的周围分别设置反射壁3，所以能够使从各个LED芯片2射出的光由LED芯片附近的反射壁3分别向上方反射。并且，由于被该反射壁3分割的区域能够根据芯片的数目细分，因此使点光源在面内分散。其结果是，在基板1的整体较大范围内均匀地发光，作为全体芯片型半导体发光元件，亮度的面内分布极小，与使用现有芯片尺寸的1个较大的芯片的情况比较，面内分布大大改善。
而且，如果如现有技术那样，使用芯片尺寸大的芯片，在基板周围设置反射壳体的结构，则当大电流驱动时，芯片内的热传导差，另外，由于从芯片至反射壳体的距离远，所以不能通过反射壳体充分地散热，其结果是，出现由于热而使芯片劣化等可靠性差的问题。但是在本发明中，分割为多个LED芯片2，而且分散地设置在基板1上，在其附近分别设置反射壁，因此，由LED芯片2产生的热能够立即由反射壁3散发。另外，由于LED芯片2分散地设置在基板1上，发热区域也分散在基板上的较大面积上，能够改善热引起的劣化。
在上述例子中，由于使用蓝色光或紫外光的LED芯片，变成白色光，因此使用发光色变换用树脂作为密封树脂，保护引线等，但是本发明不限于发白色光用的元件，在高亮度容易发热的半导体发光元件中可以适用。
产业上利用的可能性
本发明能够作为液晶显示装置等的背灯，白色或蓝色系等的各种发光元件、照明装置等广大领域中作为光源使用。

Claims (13)

1、一种芯片型半导体发光元件，其特征在于，由下列部件构成：
基板；
在该基板的一面的相对的两端部电分离地设置的一对端子电极；
在所述基板的一面上分离地设置，与所述一对端子电极电连接的多个发光元件芯片；和
以包围该多个发光元件芯片的各个的周围的方式设置的反射壁。
2、根据权利要求1所述的芯片型半导体发光元件，其特征在于：
包围所述发光元件芯片的所述反射壁，以该反射壁的内周在所述发光元件芯片侧变小，在离开发光元件芯片的上表面侧变大的方式形成。
3、根据权利要求1所述的芯片型半导体发光元件，其特征在于：
所述反射壁的至少一部分由基于糊膏材料的涂敷的层叠体形成。
4、根据权利要求3所述的芯片型半导体发光元件，其特征在于：
通过将所述反射壁的层叠体形成为层阶状，以包围所述发光元件芯片的所述反射壁的内周，在该发光元件芯片侧变小，在离开该发光元件芯片的上表面侧变大的方式，形成所述反射壁。
5、根据权利要求1所述的芯片型半导体发光元件，其特征在于：
所述多个发光元件芯片的相邻二个之间的所述反射壁，由基于糊膏材料的涂敷的层叠体形成，在所述多个发光元件全体的外周，另外形成的反射壳体固定在所述基板上。
6、根据权利要求1所述的芯片型半导体发光元件，其特征在于：
所述基板和反射壁都由以氧化铝烧结体为主材料的材料形成。
7、根据权利要求1所述的芯片型半导体发光元件，其特征在于：
在所述基板的设置有所述发光元件芯片的位置设置贯通孔，通过在该贯通孔内埋入热传导率比所述基板大的材料形成放热用通孔。
8、根据权利要求7所述的芯片型半导体发光元件，其特征在于：
在所述贯通孔内埋入导电体，所述发光元件芯片的一个电极通过所述放热用通孔与设置在所述基板的背面的背面电极连接，该背面电极与所述一对端子电极的一个连接。
9、根据利要求1所述的芯片型半导体发光元件，其特征在于：
所述发光元件芯片形成为该发光元件芯片的上表面或下表面的一边的大小为0.2～0.4mm的四边形。
10、根据权利要求1所述的芯片型半导体发光元件，其特征在于：
搭载在所述基板的一个面上的发光元件芯片的纵截面形状为梯形，以使所述基板侧为长边，与所述基板相反侧的上表面侧为短边的方式，在所述基板上搭载所述发光元件芯片。
11、根据权利要求1所述的芯片型半导体发光元件，其特征在于：
所述发光元件芯片以发出蓝色光或紫外光的方式形成，在所述发光元件芯片上设置混入有将该发出的光变换为白色光的发光色变换材料的透光性树脂。
12、根据权利要求1所述的芯片型半导体发光元件，其特征在于：
所述多个发光元件芯片在所述一对端子电极间并联连接。
13、根据权利要求1所述的芯片型半导体发光元件，其特征在于：
所述多个发光元件芯片在所述一对端子电极间串联连接。
CNA2007800081882A 2006-03-08 2007-03-07 芯片型半导体发光元件 Pending CN101401221A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP062691/2006 2006-03-08
JP2006062691A JP2007242856A (ja) 2006-03-08 2006-03-08 チップ型半導体発光素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101401221A true CN101401221A (zh) 2009-04-01

Family

ID=38474957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2007800081882A Pending CN101401221A (zh) 2006-03-08 2007-03-07 芯片型半导体发光元件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090072250A1 (zh)
JP (1) JP2007242856A (zh)
KR (1) KR20080100236A (zh)
CN (1) CN101401221A (zh)
TW (1) TW200742134A (zh)
WO (1) WO2007102534A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102905468A (zh) * 2012-02-06 2013-01-30 斗星A-tech 一种具有单一反射结构的印刷电路板及利用其的发光二极管封装制造方法
CN103378273A (zh) * 2012-04-26 2013-10-30 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装方法
CN103733335A (zh) * 2011-08-16 2014-04-16 皇家飞利浦有限公司 具有形成在槽中的反射壁的led混合室
CN103733335B (zh) * 2011-08-16 2016-11-30 皇家飞利浦有限公司 具有形成在槽中的反射壁的led混合室
CN106887507A (zh) * 2015-10-30 2017-06-23 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN107438905A (zh) * 2015-03-18 2017-12-05 Lg伊诺特有限公司 发光元件阵列及包含该发光元件阵列的照明***

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8212271B2 (en) * 2007-10-11 2012-07-03 Hitachi Chemical Co., Ltd. Substrate for mounting an optical semiconductor element, manufacturing method thereof, an optical semiconductor device, and manufacturing method thereof
JP5405731B2 (ja) * 2007-10-23 2014-02-05 日立コンシューマエレクトロニクス株式会社 光源モジュール
DE102008011153B4 (de) 2007-11-27 2023-02-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit mindestens zwei lichtemittierenden Halbleiterbauelementen
KR101491138B1 (ko) * 2007-12-12 2015-02-09 엘지이노텍 주식회사 다층 기판 및 이를 구비한 발광 다이오드 모듈
TW200929513A (en) * 2007-12-19 2009-07-01 Iledm Photoelectronics Inc Method for packaging a light emitting diode and its structure
JP5526478B2 (ja) * 2008-01-16 2014-06-18 豊田合成株式会社 光源、発光装置および表示装置
US8471283B2 (en) * 2008-02-25 2013-06-25 Kabushiki Kaisha Toshiba White LED lamp, backlight, light emitting device, display device and illumination device
JP5170755B2 (ja) * 2008-06-18 2013-03-27 パナソニック株式会社 防露型照明器具
TW201009913A (en) * 2008-08-26 2010-03-01 Tian-Cai Lin A LED fragmentation cutting method and product thereof
US7868347B2 (en) * 2009-03-15 2011-01-11 Sky Advanced LED Technologies Inc Metal core multi-LED SMD package and method of producing the same
JP5370262B2 (ja) * 2010-05-18 2013-12-18 豊田合成株式会社 半導体発光チップおよび基板の加工方法
JP5549428B2 (ja) * 2010-06-30 2014-07-16 東芝ライテック株式会社 発光モジュール及びこれを備えた照明器具
JP2012209291A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
KR101234166B1 (ko) * 2011-06-20 2013-02-18 엘지이노텍 주식회사 광소자 패키지용 리플렉터 형성 방법 및 그 광소자 패키지
US8704433B2 (en) 2011-08-22 2014-04-22 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit
US8773006B2 (en) * 2011-08-22 2014-07-08 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package, light source module, and lighting system including the same
US8564012B2 (en) 2012-02-10 2013-10-22 Intersil Americas LLC Optoelectronic apparatuses and methods for manufacturing optoelectronic apparatuses
US8796052B2 (en) 2012-02-24 2014-08-05 Intersil Americas LLC Optoelectronic apparatuses with post-molded reflector cups and methods for manufacturing the same
DE102012105176B4 (de) * 2012-06-14 2021-08-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
KR101794792B1 (ko) * 2012-07-27 2017-11-07 사카모토 준 도광판, 광원 장치, 도광판 제조 장치 및 도광판의 제조 방법
US20140037857A1 (en) * 2012-07-31 2014-02-06 General Electric Company Methods for applying fixed images to electrochemical devices
JP5915483B2 (ja) * 2012-09-27 2016-05-11 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP5738257B2 (ja) * 2012-10-16 2015-06-17 株式会社エルム 発光装置
CN103712128B (zh) * 2013-12-23 2015-10-21 京东方科技集团股份有限公司 一种背光源和显示装置
JP6144716B2 (ja) * 2015-05-07 2017-06-07 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
KR102456888B1 (ko) * 2017-07-03 2022-10-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
CN113707788B (zh) * 2020-05-22 2022-07-22 重庆康佳光电技术研究院有限公司 背板结构及其制作方法、巨量转移方法、显示设备
CN114698262A (zh) * 2022-03-18 2022-07-01 广州华星光电半导体显示技术有限公司 发光基板、显示面板以及显示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55172982U (zh) * 1979-05-31 1980-12-11
JPS6359356U (zh) * 1986-10-06 1988-04-20
JPH01121960U (zh) * 1988-02-12 1989-08-18
JPH06103751B2 (ja) * 1988-05-18 1994-12-14 三洋電機株式会社 炭化ケイ素発光ダイオード装置及び炭化ケイ素単結晶の製造方法
JPH0677540A (ja) * 1992-08-24 1994-03-18 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置
JP3065263B2 (ja) * 1996-12-27 2000-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いたｌｅｄ表示器
JP2000277813A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Matsushita Electric Works Ltd 光源装置
JP2001345485A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
CN1464953A (zh) * 2001-08-09 2003-12-31 松下电器产业株式会社 Led照明装置和卡型led照明光源
JP3989794B2 (ja) * 2001-08-09 2007-10-10 松下電器産業株式会社 Ｌｅｄ照明装置およびｌｅｄ照明光源

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103733335A (zh) * 2011-08-16 2014-04-16 皇家飞利浦有限公司 具有形成在槽中的反射壁的led混合室
CN103733335B (zh) * 2011-08-16 2016-11-30 皇家飞利浦有限公司 具有形成在槽中的反射壁的led混合室
CN102905468A (zh) * 2012-02-06 2013-01-30 斗星A-tech 一种具有单一反射结构的印刷电路板及利用其的发光二极管封装制造方法
CN103378273A (zh) * 2012-04-26 2013-10-30 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装方法
CN103378273B (zh) * 2012-04-26 2016-01-20 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装方法
CN107438905A (zh) * 2015-03-18 2017-12-05 Lg伊诺特有限公司 发光元件阵列及包含该发光元件阵列的照明***
CN107438905B (zh) * 2015-03-18 2020-07-10 Lg伊诺特有限公司 发光器件阵列及包含该发光器件阵列的照明***
CN106887507A (zh) * 2015-10-30 2017-06-23 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN106887507B (zh) * 2015-10-30 2020-09-22 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007102534A1 (ja) 2007-09-13
KR20080100236A (ko) 2008-11-14
JP2007242856A (ja) 2007-09-20
US20090072250A1 (en) 2009-03-19
TW200742134A (en) 2007-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101401221A (zh) 芯片型半导体发光元件
CN100539134C (zh) 照明装置
CN101140975B (zh) 发光装置
US8536591B2 (en) Light emitting device and lighting system
EP3057131B1 (en) Light-emitting device package and lighting apparatus including the same
EP2980866A1 (en) Light-emitting element package
CN102237479A (zh) 发光器件封装和具有发光器件封装的发光***
EP2408029A2 (en) Light emitting device
JP2002033520A (ja) 半導体発光装置
CN102479908A (zh) Led封装
EP2803715B1 (en) Phosphor and light emitting device package including the same
CN102820404B (zh) 发光二极管封装
JP2007012993A (ja) チップ型半導体発光素子
CN102386307A (zh) 具有对比面的led封装
KR20120089897A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명 시스템
EP2439794B1 (en) Light emitting device
WO2020263748A1 (en) Light emitting diode packages
US9882098B2 (en) Light-emitting device package containing oxynitride-based phosphor and lighting apparatus containing same
CN202111155U (zh) Led封装
KR20150038885A (ko) 형광체 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
CN202259406U (zh) Led显示器
CN202797078U (zh) Led封装和led显示器
KR20120045119A (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR20180137237A (ko) 식물 생장용 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR20140135556A (ko) 형광체 및 이를 포함하는 발광소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20090401