CN101360846B - 电极部及真空处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电极及真空处理装置，其可提高成膜速度，且可提高成膜分布的均匀性。电极的特征在于，具有：沿着被处理基板(3)的面，隔着规定间隔并排延伸的多个电极(17A、17B)；在多个电极(17A、17B)之间，沿着电极(17A、17B)延伸的缓冲室(25)；多个第一喷出口(27)，其沿着电极(17A、17B)延伸的方向设置，向缓冲室(25)内供给反应气体；多个第二喷出口(23)，其形成为在电极(17A、17B)延伸的方向延伸的狭缝状，从缓冲室(25)朝向被处理基板(3)供给反应气体。

Description

电极部及真空处理装置
技术领域
本发明涉及电极部及真空处理装置。 
背景技术
在现有的等离子体CVD装置等中，向配备在真空等离子体处理装置内部的梯子状的气体吹出型电极供给反应气体，使其在等离子体气氛内进行分解反应而在基板(被处理基板)上形成薄膜。(例如，参考专利文献1) 
专利文献1：特开2000-12471号公报 
另外，为了应对近几年的成膜速度的高速化要求，有必要在电极和基板之间供给大量的反应气体。另一方面，为应对提高成膜品质的要求，有必要提高被供给的反应气体的气压，并且，缩窄电极和基板之间的距离(间隔长)。在这种情况下，有必要将反应气体的供排气设置在电极和基板之间的附近区域。可是，当将供给反应气体的喷出孔设置于基板附近时，会产生根据从喷出孔喷出的反应气体的喷流在基板上形成的成膜分布等不均匀的问题。 
在上述高压气体条件下，为了成膜为高品质的膜，有必要将等离子体放电关入电极和基板之间，只在形成等离子体放电的等离子体放电区域通入反应气体，并且，有必要将成膜使用的反应气体快速排气。在上述高压气压条件中，在气相中反应气体彼此的反应速度大，容易形成分子量大的气体分子(微粒子)。如果该微粒子进入成膜中的膜中，则成为膜的品质劣化的原因。 
作为解决该问题的方法，提出了从基板看从电极的背面喷出反应气体的方法，及相对于基板的面在平行方向喷出反应气体的方法等。但是，在所述的方法中，由于反应气体滞留在等离子体放电区域中的时间变长，生成上述微粒子的可能性高，提高膜的品质很困难。 
另一方面，在反应气体的喷流直接碰撞在基板上时，有可能由于反应 气体的喷流在成膜面形成痕迹(气体喷流痕)，产生成膜分布不均匀。 
并且，作为高压气体条件，可例示将喷出的反应气体的流速在贝克莱数(ペクレ数)中成为约10以上的情况。在此，贝克莱数用(反应气体流速×代表长度)/反应气体的扩散系数)表示，作为代表长度，例如，可例举反应气体喷出的孔的直径等。 
发明内容
本发明是为解决以上课题而产生的，其目的是提供一种电极及真空处理装置，可提高成膜速度，并且可提高成膜分布的均匀性。 
为实现上述目的，本发明提供以下方法。 
本发明的第一方案，提供一种电极，其具有：多个电极，其沿着被处理基板的面隔着规定间隔并排延伸；缓冲室，其在该多个电极之间沿着所述电极延伸；多个第一喷出口，其沿着所述电极延伸的方向设置，向所述缓冲室内供给反应气体；第二喷出口，其形成为在所述电极延伸的方向延伸的狭缝状，从所述缓冲室朝向所述被处理基板供给所述反应气体。 
根据本发明的第一方案，通过设置有向缓冲室内供给反应气体的多个第一喷出口以及从缓冲室朝向被处理基板供给反应气体的狭缝状的第二喷出口，可提高被处理基板的成膜速度，并且，可提高成膜分布的均匀性。 
由于第一喷出口沿着电极延伸的方向设置多个，因此可从各第一喷出口向缓冲室内均匀地供给反应气体。并且，由于第二喷出口形成为在电极延伸的方向延伸的狭缝状，因此在电极延伸的方向，能够相对于被处理基板均匀地供给反应气体。因此，可提高被处理基板的成膜分布的均匀性。另一方面，从电极朝向被处理基板进行等离子体放电且从设置于在多个电极之间配置的缓冲室上的第二喷出口喷出的反应气体被供给于等离子体放电区域。因此，向等离子体放电区域供给大量的反应气体可形成等离子体，可谋求被处理基板的成膜速度的提高。再者，等离子体放电区域内的反应气体被从第二喷出口喷出的反应气体从等离子体放电区域压出，因此反应气体在等离子体放电区域内滞留的时间短。所以，可防止微粒子的发生，提高被处理基板的成膜分布的均匀性。例如，即使在以往的很难得到均匀的成膜分布的贝克莱数为10以上的条件下，也能得到均匀的成膜分 布。 
在上述发明中，优选在相对于所述缓冲室夹着所述电极而邻接的位置设置有排出部，所述排出部将所述反应气体从所述被处理基板和所述电极之间排出。 
由此，由于在相对于缓冲室夹着电极而邻接的位置设置有排出部，因此可提高成膜分布的均匀性。 
排出部从被处理基板和电极之间排出反应气体，因此也可排出滞留在上述等离子体放电区域的反应气体。因此，可防止微粒子的发生，提高被处理基板的成膜分布的均匀性。再者，由于排出部配置在相对于缓冲室夹着电极而邻接的位置，因此配置在接近上述等离子体放电区域附近的位置。因此，可容易地排出滞留在等离子体放电区域的反应气体，可进一步提高被处理基板的成膜分布的均匀性。 
在上述发明中，优选在所述多个电极的与所述被处理基板相对的端部设置有折弯部，所述折弯部沿着所述被处理基板的面延伸。 
由此，由于设置有折弯部，因此可提高成膜速度，并且，可提高成膜分布的均匀性。 
折弯部设置在多个电极的与被处理基板相对的端部，因此可从折弯部朝向被处理基板进行等离子体放电。此时，由于从折弯部的与被处理基板相对的面朝向被处理基板进行等离子体放电，因此可扩大等离子体放电区域。因此，形成等离子体的区域被扩大，可谋求提高被处理基板的成膜速度。由于折弯部沿着被处理基板延伸，因此从折弯部朝向被处理基板可进行均匀的等离子体放电。因此，可形成均匀密度的等离子体，可提高被处理基板的成膜分布的均匀性。 
在上述发明中，优选从所述第一喷出口喷出的所述反应气体的喷出方向是与朝向所述第二喷出口的方向不同的方向。 
由此，由于从第一喷出口喷出的反应气体的喷出方向与朝向第二喷出口的方向为不同的方向，因此可提高成膜分布的均匀性。 
从第一喷出口喷出的反应气体，由于喷出方向不是朝向第二喷出口的方向，因此不会从第二喷出口直接喷出。也就是，从第一喷出口喷出的反应气体碰撞围着缓冲室的周围的任一个壁面后，从第二喷出口朝向被处理 基板供给。因此，可防止反应气体的喷流直接碰到被处理基板，可以提高被处理基板的成膜分布的均匀性。 
在上述发明中，优选设置有遮蔽部，所述遮蔽部遮蔽从所述第一喷出口喷出的所述反应气体的流动。 
由此，由于设置遮蔽从第一喷出口喷出的反应气体的流动的遮蔽部，因此可提高成膜分布的均匀性。 
由于设置有遮蔽部，因此从第一喷出口喷出的反应气体与遮蔽部碰撞一次后，从第二喷出口朝向被处理基板供给。也就是，可防止从第一喷出口喷出的反应气体的喷流通过第二喷出口直接碰到被处理基板。因此，可防止反应气体的喷流直接碰到被处理基板，可提高被处理基板的成膜分布的均匀性。 
本发明的第二方案提供一种真空处理装置，其配备有：容器，其在内部收容被处理基板；上述本发明的第一方案的电极。 
根据本发明的第二方案，由于具备上述本发明的第一方案的电极，因此可提高被收容到容器内的被处理基板的成膜速度，并且可提高成膜分布的均匀性。 
根据本发明的第一方案的电极及第二方案的真空处理装置，由于设置有向缓冲室内供给反应气体的多个第一喷出口以及从缓冲室朝向被处理基板供给反应气体的狭缝状的第二喷出口，因此可起到如下效果：可提高被处理基板的成膜速度，并且可提高成膜分布的均匀性。 
附图说明
图1是说明本发明的第一实施方式的等离子体CVD装置构成的概略图。 
图2是说明图1的电极构成的局部剖视图。 
图3是说明图1的电极配置及反应气体的流动的局部剖视图。 
图4是说明本发明的第二实施方式的等离子体CVD装置的电极部构成及反应气体的流动的局部剖视图。 
图5是说明本发明的第三实施方式的等离子体CVD装置的电极部构成及反应气体的流动的局部剖视图。 
图6是说明本发明的第四实施方式的等离子体CVD装置的电极部构成及反应气体的流动的局部剖视图。 
图7是说明本发明的第五实施方式的等离子体CVD装置的电极部构成及反应气体的流动的局部剖视图。 
图8是说明本发明的第六实施方式的等离子体CVD装置的电极部构成及反应气体的流动的局部剖视图。 
图9是说明本发明的第七实施方式的等离子体CVD装置的电极部构成及反应气体的流动的局部剖视图。 
图10是说明本发明的第八实施方式的等离子体CVD装置的电极部构成及反应气体的流动的局部剖视图。 
图11是说明用于成膜实验的现有电极部的概略构成的示意图。 
图12是说明用于该成膜实验的第一实施方式的电极部的概略构成的示意图。 
图13是说明使用图11的电极部及图12的电极部而成膜的微结晶硅膜的结晶性的不同的图表。 
图中：1、101、201、301、401、501、601、701-等离子体CVD装置(真空处理装置)；3-基板(被处理基板)；5-箱(容器)；17A、17B、217A、217B、317A、317B、417A、417B-电极；21A、21B、321A、321B-折弯部；23-狭缝(第二喷出孔)；25-缓冲室；27、127、227、327、427、527、627、727-喷出孔(第一喷出口)；419A、419B、533-遮蔽板(遮蔽部)；529-遮蔽部。 
具体实施方式
[第一实施方式] 
以下，基于附图1至3对本发明的第一实施方式的等离子体CVD装置进行说明。 
图1是说明本实施方式的等离子体CVD装置构成的概略图。 
等离子体CVD装置(真空处理装置)1如图1所示，具有：箱(容器)5，其在内部收容被成膜的基板3；电极部7，其朝向基板3进行等离子体放电；供给反应气体的供给部9；排出反应气体的排出部11；向电极部7供给高频电力的供电装置13。
箱5配备有：供给部9，其向内部供给反应气体；排出部11，其排出成膜使用后的反应气体；供电装置13，其供给用于等离子体形成的高频电力；泵(未图示)，其将内部减压到规定压力。 
电极部7通过从供电装置13供给高频电力而在与基板3之间进行等离子体放电，并且，朝向基板3供给反应气体。电极部7以沿着规定方向(图1的X轴方向)延伸的方式形成，规定方向的长度为至少覆盖基板3中被成膜的区域的长度。相对于基板3，电极部7被隔着规定的间隔配置。另一方面，各电极部7朝向与规定方向正交的方向(图1的Y轴方向)隔着规定的间隔而互相大致平行地并排配置。在本实施方式中，4个电极部7被并排配置，且以可覆盖基板3中被成膜的区域的方式配置。并且，电极部7的数量可以为上述的4个，也可以比4个多，也可以比4个少，没有特别的限定。 
供给部9将用于成膜的反应气体供给于电极部7。排出部11将由电极部7供给于基板3而用于成膜后的反应气体从箱5排出。 
供电装置13向电极供给高频电力，在电极部7和基板3之间形成等离子体放电区域。作为被供给的高频电力的频率，可适用公知的频率，没有特别的限定。基板3与在箱5配备的接地电极(未图示)电连接。 
图2是说明图1的电极构成的局部剖视图。 
电极部7如图2所示，配备有台座15及电极17A、17B。台座15支承电极17A、17B，并且，在内部形成有：从供给部9供给反应气体的供给流路19；将反应气体向排出部11排出的排出流路(未图示)；供给高频电力的配线(未图示)。 
电极17A、17B是从台座15朝向基板3(朝向-Z轴方向)延伸，并且，在与图2的纸面垂直的方向(X轴方向)延伸的一对大致板状的构件。电极17A的基板3侧的端部设置有沿基板3的面(Y轴方向)向电极17B侧延伸的折弯部21A。另一方面，电极17B的基板3侧的端部设置有沿基板3的面向电极17A侧延伸的折弯部21B。折弯部21A、21B与电极17A、17B一起作为电极来工作。折弯部21A、21B之间，以规定间隔d1形成在X轴方向延伸的狭缝(第二喷出口)23。规定间隔d1优选为等离子体鞘 层长度的2倍左右。 
再者，电极部7形成有：台座15；电极17A、17B；及被折弯部21A、21B包围的缓冲室25。 
台座15形成有向缓冲室25内供给反应气体的喷出孔(第一喷出口)27。喷出孔27是连通供给流路19和缓冲室25的孔，在X轴方向隔着规定的间隔离散地并排配置。喷出孔27配置为折弯部21A位于孔的中心轴线上。并且，喷出孔27如上所述可以配置为折弯部21A位于中心轴线上，也可以配置为折弯部21B位于中心轴线上，并没有特别的限定。 
图3是说明图1的电极配置及反应气体的流动的局部剖视图。 
电极部7，如图3所示，在Y轴方向隔着规定间隔d2并排配置。各电极部7之间形成为和上述的排出流路连接的排出口28。规定间隔d2和规定间隔d1同样，优选为等离子体鞘层长度的2倍左右。 
下面，对如上构成的等离子体CVD装置1的成膜方法进行说明。首先，对等离子体CVD装置1成膜方法的概略进行说明。 
最初，在等离子体CVD装置1的箱5内，如图1所示，配置基板3后将箱5内减压到规定压力。箱5内被减压到规定压力时，反应气体从供给部9被供给到基板3，并且从供电装置13向电极部7供给高频电力，在电极部7和基板3之间形成等离子体放电区域。反应气体在等离子体放电区域中等离子体化，在基板3的面形成规定的膜。用于成膜的反应气体的剩余由排出口28从上述等离子体放电区域排出。 
下面，对本实施方式的特征部即电极部7附近的反应气体的流动等进行说明。 
如图3所示，从供给部9通过供给流路19供给的反应气体从喷出孔27被喷出到缓冲室25内。被喷出在缓冲室25内的反应气体沿着喷出孔27的孔的中心轴线流动而撞到折弯部21A。反应气体由于缓冲室25的内和外的静压差而从狭缝23朝向基板3流出。 
由于从供电装置13向电极17A、17B及折弯部21A、21B供给高频电力，因此，电极17A、17B及折弯部21A、21B和基板3之间形成等离子体放电区域。 
从狭缝23流出的反应气体流入等离子体放电区域被分解并被等离子 体化。被等离子体化的反应气体在基板3上形成规定的膜。 
被等离子体化的反应气体，由于被吸入设置在电极部7之间的排出口28，因此从等离子体放电区域朝向排出口28流出。等离子体放电区域内的反应气体被从狭缝23流出的反应气体从等离子体放电区域压出。 
此时，由于狭缝23的宽度由等离子体鞘层长度的2倍左右的规定间隔d1形成，因此被等离子体化的反应气体不会侵入缓冲室25内。另一方面，由于排出口28的宽度由等离子体鞘层长度的2倍左右的规定间隔d2形成，因此被等离子体化的反应气体不会侵入排出口28内。所以，在缓冲室25及排出口28内，可防止反应气体被分解。由于将狭缝23的宽度做成规定间隔d1，将排出口28的宽度做成规定间隔d2，因此可谋求与电极部7的长度方向正交的方向(Y轴方向)上的等离子体分布的均匀化，可防止膜厚分布的不均匀化。 
根据如上构成，由于设置有：向缓冲室25内供给反应气体的多个喷出口27；和从缓冲室25朝向基板3供给反应气体的狭缝状的狭缝23，因此可提高基板3的成膜速度，并且，可提高成膜分布的均匀性。 
由于喷出孔27沿着电极17A、17B延伸的方向设置多个，因此可从各喷出孔27向缓冲室25内均匀地供给反应气体。并且，狭缝23由于形成为在电极17A、17B延伸的方向延伸的狭缝状，所以在电极17A、17B延伸的方向可相对于基板3均匀地供给反应气体。因此，可提高基板3的成膜分布的均匀性。另一方面，从电极17A、17B朝向基板3进行等离子体放电且从设置于在电极17A、17B之间配置的缓冲室25上的狭缝23喷出的反应气体被供给于等离子体放电区域。因此，可向等离子体放电区域供给大量的反应气体而形成等离子体，可谋求基板3的成膜速度的提高。并且，等离子体放电区域内的反应气体被从狭缝23喷出的反应气体从等离子体放电区域压出，因此可缩短反应气体滞留在等离子体放电区域的时间。所以，可防止微粒子的发生，提高基板3的成膜分布的均匀性。例如，即使在以往的很难得到均匀的成膜分布的贝克莱数为10以上的条件下，也能得到均匀地成膜分布。 
由于在相对于缓冲室25夹着电极17A、17B而邻接的位置设置有排出口28，因此可提高成膜分布的均匀性。 
排出口28由于从基板3和电极之间排出反应气体，因此也能排出滞留在上述等离子体放电区域的反应气体。因此，可防止微粒子的发生，可提高基板3的成膜分布的均匀性。再者，排出口28配置在相对于缓冲室25夹着电极17A、17B而邻接的位置，因此配置在接近上述等离子体放电区域的位置。因此，可以容易地将滞留在等离子体放电区域的反应气体排出，可进一步提高基板3的成膜分布的均匀性。 
由于设置有折弯部21A、21B，因此能提高成膜速度，并且可提高成膜分布的均匀性。 
由于折弯部21A、21B设置于电极17A、17B的与基板3相对的端部，因此可从折弯部21A、21B朝向基板3进行等离子体放电。此时，由于从折弯部21A、21B的与基板3相对的面朝向基板3进行等离子体放电，所以可扩大等离子体放电区域。因此，形成等离子体的区域被扩大，可谋求提高基板3的成膜速度。由于折弯部21A、21B沿着基板3延伸，所以从折弯部21A、21B朝向基板3可进行均匀的等离子体放电。因此，可形成均匀的等离子体，可提高基板3的成膜分布的均匀性。 
从喷出孔27喷出的反应气体的喷出方向是朝向折弯部21A的方向，由于是与朝向狭缝23的方向不同的方向，因此可提高成膜分布的均匀性。 
从喷出孔27喷出的反应气体，由于喷出方向不是朝向狭缝23的方向，不能从狭缝23被直接喷出。也就是，从喷出孔27喷出的反应气体撞到折弯部21A后，由于缓冲室25的内和外的静压差，从狭缝23朝向基板3被供给。因此，可防止反应气体的喷流直接碰到基板3，可提高基板3的成膜分布的均匀性。 
[第二实施方式] 
下面，参照附图4对本发明的第二实施方式进行说明。 
本实施方式的等离子体CVD装置的基本构成和第一实施方式相同，但电极部的构成和第一实施方式不同。因此，在本实施方式中，用图4只对电极部周边进行说明，省略其它的构成要素等的说明。 
图4是说明本实施方式的等离子体CVD装置的电极部构成及反应气体的流动的局部剖视图。 
并且，和第一实施方式相同的构成要素用相同符号，且省略其说明。 
等离子体CVD装置(真空处理装置)101的电极部107如图4所示，配备有台座115和电极17A、17B。 
台座115形成有向缓冲室25内供给反应气体的喷出孔(第一喷出口)127。喷出孔127是连通供给流路(未图示)和缓冲室25的孔，在X轴方向隔着规定的间隔离散地并排配置。喷出孔127斜向配置为电极17A位于孔的中心轴线上。并且，喷出孔127可以如上所述斜向配置为电极17A位于孔的中心轴线上，也可以斜向配置为电极17B位于孔的中心轴线上，没有特别的限定。 
下面，对如上构成的等离子体CVD装置101的成膜方法进行说明。基于等离子体CVD装置101的成膜方法的概略和第一实施方式相同，因此省略其说明。 
下面，对本实施方式的特征部即电极部107附近的反应气体的流动等进行说明。 
如图4所示，反应气体从喷出孔127喷出到缓冲室25内。喷出到缓冲室25内的反应气体沿着喷出孔127的孔的中心轴线倾斜流出而碰撞电极17A。反应气体由于缓冲室25的内和外的静压差，从狭缝23朝向基板3流出。 
由于从供电装置13向电极17A、17B及折弯部21A、21B供给高频电力，因此在电极17A、17B及折弯部21A、21B和基板3之间形成等离子体放电区域。 
从狭缝23流出的反应气体流入等离子体放电区域被分解而被等离子体化。被等离子体化的反应气体在基板3上形成规定的膜。 
被等离子体化的反应气体由于被吸入设置在电极部107之间的排出口28，因此从等离子体放电区域朝向排出口28流出。等离子体放电区域内的反应气体被从狭缝23流出的反应气体从等离子体放电区域压出。 
根据如上构成，从喷出孔127喷出的反应气体的喷出方向是朝向电极17A的方向，由于是和朝向狭缝23的方向不同的方向，因此可提高成膜分布的均匀性。 
从喷出孔127喷出的反应气体，喷出方向不是朝向狭缝23的方向，因此没有从狭缝23直接被喷出。也就是，从喷出孔127喷出的反应气体 碰撞电极17A后，由于缓冲室25的内和外的静压差，从狭缝23朝向基板3供给。因此，可防止反应气体的喷流直接碰到基板3，可以提高基板3的成膜分布的均匀性。 
[第三实施方式] 
下面，参照附图5对本发明的第三实施方式进行说明。 
本实施方式的等离子体CVD装置的基本构成和第一实施方式相同，但电极部的构成和第一实施方式不同。因此，在本实施方式中，用图5只对电极部周边进行说明，省略其它的构成要素等的说明。 
图5是说明本实施方式的等离子体CVD装置的电极部构成及反应气体的流动的局部剖视图。 
并且，和第一实施方式相同的构成要素用相同符号，且省略其说明。 
等离子体CVD装置(真空处理装置)201的电极部207如图5所示，配备有台座215和电极217A、217B。 
电极217A、217B形成有向缓冲室25内供给反应气体的喷出孔(第一喷出口)227。喷出孔227是连通供给流路(未图示)和缓冲室25的孔，在X轴方向隔着规定的间隔离散地并排配置。具体而言，将反应气体从台座215内的供给流路通过台座215及电极217A、217B内而导入缓冲室25。喷出孔227形成为使反应气体向缓冲室25内和Y轴大致平行地喷出。 
下面，对如上构成的等离子体CVD装置201的成膜方法进行说明。基于等离子体CVD装置201的成膜方法的概略和第一实施方式相同，因此省略其说明。 
下面，对本实施方式的特征部即电极部207附近的反应气体的流动等进行说明。 
如图5所示，反应气体从喷出孔227喷出到缓冲室25内。从电极217A的喷出孔227喷出到缓冲室25内的反应气体碰撞电极217B。另一方面，从电极217B的喷出孔227喷出到缓冲室25内的反应气体碰撞电极217A。反应气体由于缓冲室25的内和外的静压差，从狭缝23朝向基板3流出。 
由于从供电装置13向电极217A、217B及折弯部21A、21B供给高频电力，因此在电极217A、217B及折弯部21A、21B和基板3之间形成等离子体放电区域。 
从狭缝23流出的反应气体流入等离子体放电区域被分解而被等离子体化。被等离子体化的反应气体在基板3上形成规定的膜。 
被等离子体化的反应气体由于被吸入设置在电极部207之间的排出口28，因此从等离子体放电区域朝向排出口28流出。等离子体放电区域内的反应气体被从狭缝23流出的反应气体从等离子体放电区域压出。 
根据如上构成，从喷出孔227喷出的反应气体的喷出方向是朝向电极217A或217B的方向，由于是和朝向狭缝23的方向不同的方向，因此可提高成膜分布的均匀性。 
从喷出孔227喷出的反应气体，喷出方向不是朝向狭缝23的方向，因此没有从狭缝23直接被喷出。也就是，从喷出孔227喷出的反应气体碰撞电极217A或电极217B后，由于缓冲室25的内和外的静压差，从狭缝23朝向基板3供给。因此，可防止反应气体的喷流直接碰到基板3，可以提高基板3的成膜分布的均匀性。 
[第四实施方式] 
下面，参照附图6对本发明的第四实施方式进行说明。 
本实施方式的等离子体CVD装置的基本构成和第一实施方式相同，但电极部的构成和第一实施方式不同。因此，在本实施方式中，用图6只对电极部周边进行说明，省略其它的构成要素等的说明。 
图6是说明本实施方式的等离子体CVD装置的电极部构成及反应气体的流动的局部剖视图。 
并且，和第一实施方式相同的构成要素用相同符号，且省略其说明。 
等离子体CVD装置(真空处理装置)301的电极部307如图6所示，配备有台座215、电极317A、317B以及折弯部321A、321B。 
折弯部321A、321B形成有向缓冲室25内供给反应气体的喷出孔(第一喷出口)327。喷出孔327是连通供给流路(未图示)和缓冲室25的孔，在X轴方向隔着规定的间隔离散地并排配置。具体而言，将反应气体从台座215内的供给流路，从台座215通过电极317A、317B及折弯部321A、321B内而导入缓冲室25。喷出孔327形成为使反应气体向缓冲室25内在和Z轴大致平行的方向即朝向台座215的方向喷出。 
下面，对如上构成的等离子体CVD装置301的成膜方法进行说明。 基于等离子体CVD装置301的成膜方法的概略和第一实施方式相同，省略其说明。 
下面，对本实施方式的特征部即电极部307附近的反应气体的流动等进行说明。 
如图6所示，反应气体从喷出孔327喷出到缓冲室25内。从折弯部321A、321B的喷出孔327喷出到缓冲室25内的反应气体碰撞台座215。反应气体由于缓冲室25的内和外的静压差，从狭缝23朝向基板3流出。 
由于从供电装置13向电极317A、317B及折弯部321A、321B供给高频电力，因此在电极317A、317B及折弯部321A、321B和基板3之间形成等离子体放电区域。 
从狭缝23流出的反应气体流入等离子体放电区域被分解而被等离子体化。被等离子体化的反应气体在基板3上形成规定的膜。 
被等离子体化的反应气体由于被吸入设置在电极部307之间的排出口28，因此从等离子体放电区域朝向排出口28流出。等离子体放电区域内的反应气体被从狭缝23流出的反应气体从等离子体放电区域压出。 
根据如上构成，从喷出孔327喷出的反应气体的喷出方向是朝向台座215的方向，由于是和朝向狭缝23的方向不同的方向，因此可提高成膜分布的均匀性。 
从喷出孔327喷出的反应气体，喷出方向不是朝向狭缝23的方向，因此没有从狭缝23直接被喷出。也就是，从喷出孔327喷出的反应气体碰撞台座215后，由于缓冲室25的内和外的静压差，从狭缝23朝向基板3供给。因此，可防止反应气体的喷流直接碰到基板3，可以提高基板3的成膜分布的均匀性。 
[第五实施方式] 
下面，参照附图7对本发明的第五实施方式进行说明。 
本实施方式的等离子体CVD装置的基本构成和第一实施方式相同，但电极部的构成和第一实施方式不同。因此，在本实施方式中，用图7只对电极部周边进行说明，省略其它的构成要素等的说明。 
图7是说明本实施方式的等离子体CVD装置的电极部构成及反应气体的流动的局部剖视图。 
并且，和第一实施方式相同的构成要素用相同符号，且省略其说明。 
等离子体CVD装置(真空处理装置)401的电极部407如图7所示，配备有台座415和电极417A、417B。 
台座415形成有向缓冲室25内供给反应气体的喷出孔(第一喷出口)427。喷出孔427是连通供给流路(未图示)和缓冲室25的孔，在X轴方向隔着规定的间隔离散地并排配置。具体而言，将反应气体从台座415内的供给流路，通过台座415内而导入缓冲室25。喷出孔427的开口部形成为使反应气体从台座415的大致中央向缓冲室25内在和Z轴大致平行的方向即朝向狭缝23的方向喷出。 
电极417A、417B设置有遮蔽从喷出孔427喷出的反应气体的流动的遮蔽板(遮蔽部)419A、419B。遮蔽板419A是从电极417A的与缓冲室25相对的面朝向电极417B(朝向+Y轴方向)延伸的板构件，其为在与纸面垂直的方向(X轴方向)延伸的板构件。遮蔽板419B是从电极417B的与缓冲室25相对的面朝向电极417A(朝向-Y轴方向)延伸的板构件，其为在与纸面垂直的方向上延伸的板构件。在本实施方式中，遮蔽板419A相对于遮蔽板419B配置在折弯部21A侧。另一方面，遮蔽板419B相对于遮蔽板419A配置在台座415侧。 
下面，对如上构成的等离子体CVD装置401的成膜方法进行说明。基于等离子体CVD装置401的成膜方法的概略和第一实施方式相同，省略其说明。 
下面，对本实施方式的特征部即电极部407附近的反应气体的流动等进行说明。 
如图7所示，反应气体从喷出孔427喷出到缓冲室25内。从喷出孔427喷出到缓冲室25内的反应气体碰撞遮蔽板419B。碰撞的反应气体之后在由遮蔽板419A、419B及电极417A、417B以蛇形的流路状形成的缓冲室25内流动，由于缓冲室25的内和外的静压差，从狭缝23朝向基板3流出。 
由于从供电装置13向电极417A、417B及折弯部21A、21B供给高频电力，因此在电极417A、417B及折弯部21A、21B和基板3之间形成等离子体放电区域。 
从狭缝23流出的反应气体流入等离子体放电区域被分解而被等离子体化。被等离子体化的反应气体在基板3上形成规定的膜。 
被等离子体化的反应气体由于被吸入设置在电极部407之间的排出口28，因此从等离子体放电区域朝向排出口28流出。等离子体放电区域内的反应气体被从狭缝23流出的反应气体从等离子体放电区域压出。 
根据如上构成，由于设置有遮蔽从喷出孔427喷出的反应气体的流动的遮蔽板419A、419B，因此可提高成膜分布的均匀性。 
由于设置有遮蔽板419A、419B，因此从喷出孔427喷出的反应气体碰撞遮蔽板419A或遮蔽板419B一次后，从狭缝23朝向基板3供给。也就是，可防止从喷出孔427喷出的反应气体的喷流通过狭缝23直接碰到基板3。因此，可防止反应气体的喷流直接碰到基板3，可以提高基板3的成膜分布的均匀性。 
[第六实施方式] 
下面，参照附图8对本发明的第六实施方式进行说明。 
本实施方式的等离子体CVD装置的基本构成和第一实施方式相同，但和第一实施方式喷出孔周边的构成不同。因此，在本实施方式中，用图8只是对喷出孔周边进行说明，省略其它的构成要素等的说明。 
图8是说明本实施方式的等离子体CVD装置的电极部构成及反应气体的流动的局部剖视图。 
并且，和第一实施方式相同的构成要素用相同符号，且省略其说明。 
等离子体CVD装置(真空处理装置)501的电极部507如图8所示，配备有台座515和电极17A、17B。 
台座515配备有：向缓冲室25内供给反应气体的喷出孔(第一喷出孔)527；遮蔽从喷出孔527喷出的反应气体的流动的遮蔽部529。喷出孔527是连通供给流路(未图示)和缓冲室25的孔。喷出孔527的开口部在台座515的与缓冲室25相对的面即相对于后述的支承板531在电极17A侧的面及在电极17B侧的面，以沿着X轴方向隔着规定的间隔离散地并排配置。具体而言，将反应气体从台座515内的供给流路通过台座515内而导入缓冲室25。喷出孔527的开口部形成为使反应气体从台座515向缓冲室25内在和Z轴大致平行的方向即朝向狭缝23的方向喷出。 
遮蔽部529具有支承板531和遮蔽板(遮蔽部)533。支承板531配置在台座515和遮蔽板533之间，支承遮蔽板533。支承板531是从台座515的与缓冲室25相对的面的大致中央朝向基板3(朝向-Z轴方向)延伸的板构件，其为在与纸面正交的方向(X轴方向)上延伸的板构件。遮蔽板533遮蔽从喷出孔527喷出的反应气体的流动。遮蔽板533是从支承板531的前端朝向电极17A及电极17B(沿着Y轴方向)延伸的板构件，其为在与纸面正交的方向延伸的板构件。遮蔽板533的Y轴方向的两端部延伸到遮蔽喷出孔527的孔的中心轴线的位置。 
下面，对如上构成的等离子体CVD装置501的成膜方法进行说明。基于等离子体CVD装置501的成膜方法的概略和第一实施方式相同，省略其说明。 
下面，对本实施方式的特征部即电极部507附近的反应气体的流动等进行说明。 
如图8所示，反应气体从喷出孔527喷出到缓冲室25内。从喷出孔527喷出到缓冲室25内的反应气体碰撞遮蔽板533。碰撞的反应气体由于缓冲室25的内和外的静压差，从狭缝23朝向基板3流出。 
由于从供电装置13向电极17A、17B及折弯部21A、21B供给高频电力，因此在电极17A、17B及折弯部21A、21B和基板3之间形成等离子体放电区域。 
从狭缝23流出的反应气体流入等离子体放电区域被分解而被等离子体化。被等离子体化的反应气体在基板3上形成规定的膜。 
被等离子体化的反应气体由于被吸入设置在电极部507之间的排出口28，因此从等离子体放电区域朝向排出口28流出。等离子体放电区域内的反应气体被从狭缝23流出的反应气体从等离子体放电区域压出。 
根据如上构成，由于设置有遮蔽从喷出孔527喷出的反应气体的流动 
的遮蔽板529，因此可提高成膜分布的均匀性。 
由于设置有遮蔽部529，因此从喷出孔527喷出的反应气体碰撞遮蔽板533一次后，从狭缝23朝向基板3供给。也就是，可防止从喷出孔527喷出的反应气体的喷流通过狭缝23直接碰到基板3。因此，可防止反应气体的喷流直接碰到基板3，可以提高基板3的成膜分布的均匀性。 
[第七实施方式] 
下面，参照附图9对本发明的第七实施方式进行说明。 
本实施方式的等离子体CVD装置的基本构成和第一实施方式相同，但喷出孔周边的构成和第一实施方式不同。因此，在本实施方式中，用图9只是对喷出孔周边的构成周边进行说明，省略其它的构成要素等的说明。 
图9是说明本实施方式的等离子体CVD装置的电极部构成及反应气体的流动的局部剖视图。 
并且，和第一实施方式相同的构成要素用相同符号，且省略其说明。 
等离子体CVD装置(真空处理装置)601的电极部607如图9所示，配备有台座615和电极17A、17B。 
台座615配备有：向缓冲室25内供给反应气体地喷出孔(第一喷出孔)627；和形成有喷出孔627的突出部629。喷出孔627是连通供给流路(未图示)和缓冲室25的孔。喷出孔627的开口部在后述的支承板631的与电极17A相对的面和与电极17B相对的面，沿着X轴方向隔着规定的间隔离散地并排配置。具体而言，将反应气体从台座615内的供给流路，通过台座615及支承板631内而导入缓冲室25。喷出孔627的开口部形成为使反应气体从台座615向缓冲室25内在和Y轴大致平行的方向喷出。 
突出部629具有支承板631和端板633。支承板631配置在台座615和端板633之间，支承端板633。支承板631是从台座615的与缓冲室25相对的面的大致中央朝向基板3(朝向-Z轴方向)延伸的板构件，其为在与纸面正交的方向(X轴方向)上延伸的板构件。端板633是从支承板631的前端朝向电极17A及电极17B(沿着Y轴方向)延伸的板构件，其为在与纸面正交的方向上延伸的板构件。 
下面，对如上构成的等离子体CVD装置601的成膜方法进行说明。基于等离子体CVD装置601的成膜方法的概略和第一实施方式相同，省略其说明。 
下面，对本实施方式的特征部即电极部607附近的反应气体的流动等进行说明。 
如图9所示，反应气体从喷出孔627喷出到缓冲室25内。从喷出孔627喷出到缓冲室25内的反应气体碰撞电极17A及电极17B。碰撞的反 应气体由于缓冲室25的内和外的静压差，从狭缝23朝向基板3流出。 
由于从供电装置13向电极17A、17B及折弯部21A、21B供给高频电力，因此在电极17A、17B及折弯部21A、21B和基板3之间形成等离子体放电区域。 
从狭缝23流出的反应气体流入等离子体放电区域被分解而被等离子体化。被等离子体化的反应气体在基板3上形成规定的膜。 
被等离子体化的反应气体由于被吸入设置在电极部607之间的排出口28，因此从等离子体放电区域朝向排出口28流出。等离子体放电区域内的反应气体被从狭缝23流出的反应气体从等离子体放电区域压出。 
根据如上构成，由于从喷出孔627喷出的反应气体的喷出方向是朝向电极17A、17B的方向，是和朝向狭缝23的方向不同的方向，因此，可提高成膜分布的均匀性。 
从喷出孔627喷出的反应气体，喷出方向不是朝向狭缝23的方向，因此没有从狭缝23直接被喷出。也就是，从喷出孔627喷出的反应气体碰撞电极17A、17B后，由于缓冲室25的内和外的静压差，从狭缝23朝向基板3供给。因此，可防止反应气体的喷流直接碰到基板3，可以提高基板3的成膜分布的均匀性。 
[第八实施方式] 
下面，参照附图10对本发明的第八实施方式进行说明。 
本实施方式的等离子体CVD装置的基本构成和第一实施方式相同，但喷出孔周边的构成和第一实施方式不同。因此，在本实施方式中，用图10只是对喷出孔周边的构成周边进行说明，省略其它的构成要素等的说明。 
图10是说明本实施方式的等离子体CVD装置的电极部构成及反应气体的流动的局部剖视图。 
并且，和第一实施方式相同的构成要素用相同符号，且省略其说明。 
等离子体CVD装置(真空处理装置)701的电极部707如图10所示，配备有台座715、电极17A、17B及供给配管729。 
台座715配备有电极17A、17B。 
供给配管729是从供给部9(参照图1)供给的反应气体所流动的流 路。供给配管729配置于缓冲室25内，从台座715隔着规定的间隔配置，并且，电极17A、17B及折弯部21A、21B也隔着规定的间隔配置。供给配管729在与纸面正交的方向(X轴方向)上延伸而配置。 
供给配管729形成有向缓冲室25内供给反应气体的喷出孔(第一喷出孔)727。喷出孔727是连通供给配管729内和缓冲室25的孔。喷出孔727的开口部沿着X轴方向隔着规定的间隔离散地并排配置，且形成为使反应气体从供给配管729朝向台座715(+Z轴方向)喷出。 
下面，对如上构成的等离子体CVD装置701的成膜方法进行说明。基于等离子体CVD装置701的成膜方法的概略和第一实施方式相同，省略其说明。 
下面，对本实施方式的特征部即电极部707附近的反应气体的流动等进行说明。 
如图10所示，反应气体从喷出孔727喷出到缓冲室25内。从喷出孔727喷出到缓冲室25内的反应气体碰撞台座715。碰撞的反应气体由于缓冲室25的内和外的静压差，从狭缝23朝向基板3流出。 
由于从供电装置13向电极17A、17B及折弯部21A、21B供给高频电力，因此在电极17A、17B及折弯部21A、21B和基板3之间形成等离子体放电区域。 
从狭缝23流出的反应气体流入等离子体放电区域被分解而被等离子体化。被等离子体化的反应气体在基板3上形成规定的膜。 
被等离子体化的反应气体由于被吸入设置在电极部707之间的排出口28，因此从等离子体放电区域朝向排出口28流出。等离子体放电区域内的反应气体被从狭缝23流出的反应气体从等离子体放电区域压出。 
根据如上构成，由于从喷出孔727喷出的反应气体的喷出方向是朝向台座715的方向，是和朝向狭缝23的方向不同的方向，因此，可提高成膜分布的均匀性。 
从喷出孔727喷出的反应气体，喷出方向不是朝向狭缝23的方向，因此没有从狭缝23直接被喷出。也就是，从喷出孔727喷出的反应气体碰撞台座715后，由于缓冲室25的内和外的静压差，从狭缝23朝向基板3供给。因此，可防止反应气体的喷流直接碰到基板3，可以提高基板3 的成膜分布的均匀性。 
下面，对使用了现有的电极及上述的第一实施方式的电极的微结晶硅膜的成膜实验的结果进行说明。 
首先，用图11对用于本成膜实验的现有的电极部的概略构成进行说明。 
在现有的电极部7X中，如图11所示，将电极部7X配置在从基板3侧看时可直接看到喷出孔27的位置。也就是，电极17XA、17XB之间形成的狭缝23X的中心线和喷出孔27的位置大致一致。 
具体而言，基板3和电极部7X之间的距离约2mm，喷出孔27的直径是从约0.3mm到约0.5mm的范围的规定尺寸。 
再者，电极部7X的狭缝23X的宽度是约3mm到约5mm的范围的规定尺寸。 
采用电极部7X时，从喷出孔27出来的反应气体成为喷流并朝向基板3方向。也就是，由于反应气体的喷流通过基板3和电极部7X之间的等离子体放电区域而直接吹送到基板3，因此在基板3上成膜的膜发生不均的可能性变高。 
下面，用图12对用于本成膜实验的第一实施方式的电极部的概略构成进行说明。 
在第一实施方式的电极部7中，如图12所示，并没有将电极部7配置在从基板3侧看时可直接看到喷出孔27的位置。也就是，狭缝23的中心线和喷出孔27偏置配置。 
具体而言，和上述的电极部7X的情况同样，基板3和电极部7之间的距离约2mm，喷出孔27的直径是从约0.3mm到约0.5mm的范围的规定尺寸。 
再者，第一实施方式的电极部7的狭缝23的宽度是约4mm到6mm的范围的规定尺寸，从狭缝23X的中心线到喷出孔27的偏置宽度是约4mm到约6mm的范围的规定尺寸。并且，缓冲室25的体积是约8000mm3到10000mm3的范围的规定尺寸。 
在电极17A、17B中形成为L字状且和基板3相对的部分即折弯部21A、21B将从喷出孔27出来的反应气体的喷流暂时用折弯部21A、21B 的电极17A、17B内面侧挡住。即，在折弯部21A、21B的电极17A、17B内面侧形成气体喷流的缓冲部分即缓冲室25，可防止反应气体喷流通过等离子体放电区域直接吹送到基板3。 
由此，反应气体从狭缝23均匀地在等离子体放电区域流出，可抑制在基板3上成膜的膜产生不均匀。 
用图13对使用现有的电极部7X及第一实施方式的电极部7在基板3上成膜的微结晶硅膜的结晶性的不同进行说明。 
本成膜实验的微结晶硅膜的成膜条件如下所述。 
从供电装置13供给的高频电力的频率是约170MHz。被供给的反应气体的气压是约4000Pa(30Torr)，被供给的反应气体中硅烷流量/氢流量的比是5/600。 
在基板3上成膜的微结晶硅膜的结晶性的计测在如图11及图12所示的位置M1、位置M2、位置M3共3个位置进行。 
位置M1是与狭缝23X及狭缝23相对的位置。位置M2是与电极17XA或17XB及电极17A或17B的中央相对的位置。位置M3是与电极17XA或17XB及电极17A或17B的端部相对的位置。 
如图13所示的结晶性的数值以电极部7的位置M1的拉曼比(ラマン比)的值进行正规化。 
如图13的空心圆和实线所示，由现有的电极部7X成膜的微结晶硅膜中，从位置M1到位置M3之间结晶性的值具有±20％分布。 
另一方面，在由第一实施方式的电极部7成膜的微结晶硅膜(黑四边形和虚线)中，从位置M1到位置M3之间结晶性的值大致一定。因此，由电极部7成膜的微结晶硅膜与由现有的电极部7X成膜的微结晶硅膜相比，均匀性好。 
并且，本发明的技术范围不限定在上述实施方式中，能够在不脱离本发明宗旨的范围内进行各种变更。 
例如，在上述的实施方式中，将本发明应用于等离子体CVD装置而进行了说明，但本发明并不限于等离子体CVD装置，也能应用于其它各种真空处理装置。 

Claims (5)

1.一种电极部，其特征在于，具有：
多个电极，其沿着被处理基板的面隔着规定间隔并排延伸；
台座，其支承该多个电极；
多个缓冲室，其是在该多个电极之间沿着所述电极延伸且由所述多个电极和所述台座包围的空间；
多个第一喷出口，其沿着所述电极延伸的方向设置在所述台座，向所述缓冲室内供给反应气体；
排出部，其设置在相对于所述缓冲室夹着所述电极而邻接的位置，将所述反应气体从所述被处理基板和所述电极之间排出；
第二喷出口，其形成为在所述电极延伸的方向延伸的狭缝状，从所述缓冲室朝向所述被处理基板供给所述反应气体，
所述排出部的宽度和所述第二喷出口的宽度为等离子体鞘层长度的2倍左右。
2.根据权利要求1所述的电极部，其特征在于，
在所述多个电极的与所述被处理基板相对的端部设置有折弯部，所述折弯部沿着所述被处理基板的面延伸。
3.根据权利要求1或2所述的电极部，其特征在于，
从所述第一喷出口喷出的所述反应气体的喷出方向是与朝向所述第二喷出口的方向不同的方向。
4.根据权利要求1或2所述的电极部，其特征在于，
设置有遮蔽部，所述遮蔽部遮蔽从所述第一喷出口喷出的所述反应气体的流动。
5.一种真空处理装置，其特征在于，具有：
容器，其在内部收容被处理基板；
根据权利要求1或2所述的电极部。
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